「ボロ」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

熱膨張率を用途にあわせて適切に調整でき、比較的低温で焼結することのできる新規ボロリュウサイト系無機組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a novel boroleucite-based inorganic composition in which the coefficient of thermal expansion is suitably adjustable in accordance with uses and which can be sintered at a relatively low temperature. - 特許庁

このとき、ピストンリング２の摺動面４を、クロムめっき層、積層クロムめっき層、窒化層、ＰＶＤ層の何れかとし、シリンダライナ３の摺動面５を、鋳鉄、ボロン鋳鉄、鋳鋼の何れかとすることが好ましい。例文帳に追加

Here it is preferable to make the sliding surface 4 of the piston ring 2 by any of a chrome plated layer, laminated chrome plated layer, nitride layer, and a PVD layer, and make the sliding surface 5 of the cylinder liner 3 by any of cast iron, boron cast iron, and cast steel. - 特許庁

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１と、拡散源に外周部のみ接する支持基板５２を重ね、拡散源に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。例文帳に追加

In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source. - 特許庁

ガラス基板１上にａ‐Ｓi膜３を不純物(ボロン)を添加しながら成膜し、ニッケル５を添加して加熱処理およびレーザ光６の照射によって結晶性シリコン膜７を得る。例文帳に追加

An a-Si film 3 is formed on a glass substrate 1, while being loaded with impurities (boron), nickel 5 is added to the film 3, and the film 3 is turned to a crystalline silicon film 7 by a thermal treatment and irradiation with a laser beam 6. - 特許庁

変調手段が小型で信頼できるものであり、振動のないものである、低周波数ノイズを制限するように変調することができるアンテナに基づくボロメータ検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a bolometer detector based on antenna which has a small, reliable and vibrationless modulation means and can modulate wave so that low frequency noise may be limited. - 特許庁

層間絶縁膜の少なくとも１つは、ボロンリンガラス膜からなると共に、流動化状態を経ることにより上面に対して平坦化処理が施されている。例文帳に追加

At least one of the interlayer insulating films includes a boron phosphorus silicate glass film and has its top face subjected to planarizing treatment by being put into a fluidized state. - 特許庁

キャリー及びボロー出力毎に割り込み処理があるとＣＰＵのソフトウエア処理が繁忙になり、それが検出時間の遅れに繋がり、システムに対して高速な応答が出来ない。例文帳に追加

To provide a reversible counter unit which reduces the load on software processing and enables responding at high speed with respect to external system. - 特許庁

これにより、半導体基板１の素子領域からボロン導入領域２に向けてｐ型の不純物濃度が高くなるようなｐ型濃度分布が形成されている。例文帳に追加

Consequently, such a p-type concentration distribution that the concentration of a p-type impurity becomes higher as going toward the boron-introduced areas 2 from the element area of the substrate 1 is formed. - 特許庁

Ｒ−Ｔ−（Ｍ）−Ｂ系合金粉末（ＲはＹを含む希土類元素、ＴはＦｅまたはＦｅとＣｏとの混合物、Ｍは添加元素、Ｂはボロン）に対して水素雰囲気熱処理を行う。例文帳に追加

Rare-earth alloy powder is manufactured by heat-treating R-T-(M)-B alloy powder (R, T and M respectively represents an rare-earth element including Y, Fe or a mixture of Fe and Co, an added element, and B boron) in a hydrogen atmosphere. - 特許庁

放射を受信するアンテナ機能と、受信した電磁力を熱量に変換する変換機能および熱測定機能を分離したボロメータ検出器。例文帳に追加

To provide a bolometric detector for separating an antenna function for receiving radiation from a conversion function for converting received electromagnetic force to an amount of heat and a heat measurement function. - 特許庁

よって、この場合には（Ｓ１０５：Ｙｅｓ）、第２補正手段を実行することで（Ｓ１２１）、車両が凹凸を通過する前にキャンバ調整機構をサーボロック状態に設定しておく。例文帳に追加

Accordingly in this state (S105: Yes), a camber adjusting mechanism is set in a servo-lock state in advance before the vehicle passes on the irregularities by executing a second correction means in advance (S121). - 特許庁

環境からのボロン汚染を抑制しデバイス特性に悪影響を与えない品質の安定したシリコンウェーハ、エピタキシャルウェーハ及びそれらの効果的な製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a silicon wafer, an epitaxial wafer having stable quality without adversely affecting the device characteristics by suppressing a boron contamination from the environment, and to provide a method for effectively manufacturing them. - 特許庁

感光材料５２がイボローラ２８とフラットローラ５４とで挟持されたとき、感光材料５２を挟持しない位置にあるイボ３４がフラットローラ５４と接触するように、イボ３４の潰れ量が設定されている。例文帳に追加

When the photosensitive material 52 is clamped by the projection roller 28 and the flat roller 54, a crushed quantity of the projection 34 is set such that the projection positioned at which the projection 34 does not clamp the photosensitive material 52 is contacted with the flat roller 54. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタに常に電流が流れるとボロンの染み出しにより、ＮＢＴＩ（Negative Bias Temperature Instability）現象に起因する経年劣化が発生し、長期間経過後に半導体集積回路が正常に動作しなくなる。例文帳に追加

To solve the problem that a semiconductor integrated circuit does not normally operate after the lapse of a long period of time by causing deterioration with the passage of time caused by an NBTI (Negative Bias Temperature Instability) phenomenon by the staining-out of boron when a current flows to an MOS transistor at all the time. - 特許庁

基板上に、材質の異なる複数の積層膜から構成された層間絶縁膜を設け、積層膜の内の少なくとも一層、好ましくは最下層、をアルミニウム酸化膜２０６又はボロン窒化膜とした半導体装置。例文帳に追加

An interlayer insulating film composed of a plurality of laminated films of different materials is provided on a substrate, and at least one of the laminated films, preferably the lowest laminated film is composed of an aluminum opxide film 206 or of a boron nitride film. - 特許庁

イボローラ５７を取付軸６８、外周面に複数の突起６９が形成され、取付軸６８の外周面に取り付けられたローラピース７０などから構成する。例文帳に追加

The knurl roller 57 comprises a mounting shaft 68 and a roller piece 70 having a plurality of projections 69 formed on the outer peripheral surface thereof and fitted onto the outer peripheral surface of the mounting shaft 68. - 特許庁

インキ供給量の設定調整として各色のインキツボキーの開き量の補正量（一律値）とインキツボローラの送り量の補正値（インキ送り量の係数）の調整を行う。例文帳に追加

As establishing adjustment of the ink feed amount, adjustment of a correction amount (a constant value) of an opening amount of each color ink fountain duct key (a constant value) and a correction amount of a feed amount of an ink duct roller (a coefficient of an ink feed amount). - 特許庁

各色のインキツボキーの開き量の補正量はメモリ２７に、各色のインキツボローラの送り量の補正値はメモリ３０に記憶させる。例文帳に追加

The correction amount of the opening amount of each color ink fountain duct is stored in a memory 27, and a correction amount of the feed amount of each color ink duct roller is stored in a memory 30. - 特許庁

試験用刷版による印刷サンプルの各色の測定濃度値と基準濃度値とが一致するように各色のインキツボキーの開き量の補正量と各色のインキツボローラの送り量の補正値の調整を行う。例文帳に追加

Adjustment of each color ink fountain key opening amount to a correction amount of the ink fountain roller of each color is carried out. - 特許庁

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、ドナーとなるボロン及びアルミニウム等の３族の元素からなるｎ型不純物が、約１．０×１０^１６ｃｍ^−３以下の濃度となるように構成されている。例文帳に追加

Further, the p-type MgZnO-based thin film 1 is designed so that the concentration of an n-type impurity of a group 3 element such as boron and aluminum, which serve as a donor, is not more than about 1.0×10^16 cm^-3. - 特許庁

ボロンのゲート絶縁膜突き抜けを抑制しつつ、各ＭＩＳＦＥＴの高駆動力化を図りうる半導体装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same in which high driving force of each MISFET can be realized while punch-through of boron to a gate insulating film is controlled. - 特許庁

また、シボロール３０は、軸心３５から外周面３４の端部外周縁３７までの最大半径ｒ１と前記最小半径ｒ２との寸法差Ｙが、最小半径ｒ２の寸法に対して２０％以下に設定されている。例文帳に追加

In the roll 30, a difference in dimension Y between a maximum radius r1 from the shaft center 35 to an end-part peripheral edge 37 of the peripheral face 34 and the minimum radius r2 is set to 20% or less to the dimension of the minimum radius r2. - 特許庁

高強度ボロン鋼等の鋼材の焼入れ方法において、焼入れ後の鋼材表層の不完全焼入れ組織を防止し、均一な組織を得ることにより、鋼材の機械的性質を改善しうる焼入れ方法を提供する。例文帳に追加

To provide a quenching method, where in the quenching method of a steel material, such as a high strength boron steel, a defective quenching structure on the surface layer of the steel material after quenching, is prevented and the mechanical properties of the steel material can be improved by obtaining the uniform structure. - 特許庁

詳しくは、複数の決定木の解から多数決を採択するランダム森を用いてメタボロームデータのマイニング方法およびそれらを実現する装置。例文帳に追加

For details, a method is provided for mining the metabolome data by using a random forest adopting a majority vote from a plurality of solutions of decision trees, and a device for executing the mining. - 特許庁

この際、前記被膜が絶縁体では、高分子ＰＴＣ素子の特性を損なうので、導電性を有する表面改質剤としてボロンポリマーを用いる。例文帳に追加

At this point, when the film is an insulator, it deteriorates the characteristics of a high-molecular PTC device, so that boron polymer is used as conductive surface modifying agent. - 特許庁

なお、第１のダイヤモンド層１は、例えばアンドープ・ダイヤモンドから構成されており、第２のダイヤモンド層２には、例えばボロン（Ｂ）がドーピングされ、第２のダイヤモンド層２はｐ型半導体となっている。例文帳に追加

What is more, the first diamond layer 1 is composed of, for example, an undoped diamond, and the second diamond layer 2 is doped with, for example, boron (B), and the second diamond layer 2 is a p-type semiconductor. - 特許庁

拡散シリコンウェハの拡散面のシート抵抗が０．０８５〜０．１１５Ω／□の範囲となるように、シリコンウェハ表面にリン、ボロン等の不純物を拡散させる。例文帳に追加

Impurities such as phosphorus, boron or the like are diffused into the surface of a silicon wafer so as to enable the diffused surface of the diffused silicon wafer to range in sheet resistance from 0.085 to 0.115 Ω/(square). - 特許庁

艶がなくて紙のような質感があり、かつ、フィルム表面を有機溶剤やシボロール等で処理することなく、Ｂの鉛筆で描画可能なポリスチレン系樹脂フィルム、および、その樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a polystyrene-based resin film which is matte, has a texture like paper, and is capable of drawing thereon with a pencil of B without treating the film surface with an organic solvent, an embossing roll and the like, and to provide a resin composition therefor. - 特許庁

ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを０．１〜５０atoms ％又は１〜５０atoms ％、望ましくは０．１〜１０atoms ％含む窒化珪素膜をスパッタ法で形成する。例文帳に追加

An insulating film used for a TFT such as, for example, a gate insulating film, protection film, undercoating film, interlayer insulating film or the like, is formed by sputtering a silicon nitride film containing 0.1-50 atoms % or 1-50 atoms %, preferably 0.1-10 atoms % of boron. - 特許庁

電気特性の劣化を抑制すると共に、一様なボロン（Ｂ）濃度分布を持つＰ型の領域を形成できる半導体装置の製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form a P type region having a uniform boron (B) concentration distribution, while suppressing the deterioration of electrical performance. - 特許庁

また、両面受光太陽電池であって、ボロンを拡散して形成される裏面電界層のシート抵抗値が１３Ω／□以上５０Ω／□以下であることを特徴とする。例文帳に追加

Moreover, this invention also relates to a both sides euphotic solar battery, wherein the sheet resistance value of the backside electric field layer formed by diffusing boron is set to 13 to 50 Ω/sq. - 特許庁

ハーフトーンスクリーンの制御点を入力し(S20)、ハーフトーンスクリーンを制御点を囲む多角形にボロノイ分割し(S21、S22)、多角形に含まれる、ハーフトーンスクリーンの網点格子点を非周期的、かつ、ランダムに変位する(S24)。例文帳に追加

Control points of the halftone screen are input(S20), the halftone screen is Voronoi-segmented into polygons surrounding the control points (S21, S22) and dot-lattice points included in respective polygons in the halftone screen are displaced non-periodically and at random (S24). - 特許庁

容易に実施でき、かつ費用のかからない産業化可能な製造方法を用いて、良好な感度を有し、信号対雑音比の点で最適化された機能的なボロメータ検出器を実現する。例文帳に追加

To provide a functional bolometric detector that has a high sensitivity and is optimized in respect of signal-to-noise ratio using a manufacturing method that can be easily performed and can be industrialized at a low cost. - 特許庁

読み出し回路が設けられた基板１には、ボロメータ薄膜を含むダイアグラム２と、ダイアグラム２を基板１と間隔をあけて支持する２本の梁３とを有する画素を配列する。例文帳に追加

On a substrate 1 with a read-out circuit, a pixel which has a diaphragm 2 including a bolometer thin film and two beams 3 for support of the diaphragm 2 with a space out of the substrate 1 is arranged. - 特許庁

ボロンの濃度が4×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３で、錫の濃度が1×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３であるシリコン単結晶によるサブウェーハ上に、エピタキシャル膜が形成されているエピタキシャルシリコンウェーハ。例文帳に追加

In this epitaxial silicon wafer, an epitaxial film is made on the sub wafer constituted of silicon single crystals, where boron concentration is 4×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 and the concentration of tin is 1×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3. - 特許庁

計測手段８は、センサ回路７に読出電圧を印加して抵抗ボロメータからなるセンサ素子Ｓに電流を流すことにより、センサ素子Ｓの抵抗値に相当する計測値を計測する。例文帳に追加

A measurement means 8 measures a measurement value corresponding to the resistance value of the sensor element S with an electric current fed through the sensor element S comprising a resistance bolometer by applying a read voltage to a sensor circuit 7. - 特許庁

回転ドラム及びキャプスタンがサーボロックしているにもかかわらず、再生処理部が再生時エラーに係る信号にてエラー発生を示す信号を出力しているならば、ＰＬＬ周波数変更を指示する回路を有する。例文帳に追加

This invention has a circuit for instructing the change of the PLL frequency when a reproducing processing part outputs a signal showing the occurrence of an error by a signal related with an error in reproduction though a rotary drum and a capstan are servo-locked. - 特許庁

縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源５１の上下方向に対向して配置したＳｉ基板４１へ高濃度のボロンを熱拡散させる。例文帳に追加

Si substrates 41 placed facing each other in the vertical direction of a diffusion source 51 of a solid principally comprising B2O3 is thermally diffused with high density boron in a vertical furnace. - 特許庁

半導体基板１に垂直溝４を形成し、垂直溝４に埋め込んだレジスト膜５をマスクとして、ボロン（Ｂ^＋）をイオン注入、熱拡散して、ｐ型のベース領域６を形成する。例文帳に追加

A vertical groove 4 is formed in a semiconductor substrate 1, and a p-type base region 6 is formed in the substrate 1 by injecting boron (B^+) into the substrate 1 through ion implantation and thermally diffusing the boron in the substrate 1 by using a resist film 5 embedded in the groove 4 as a mask. - 特許庁

ブレード１７の両側壁部間には支持ピン１８が架設されるとともに、基台１３のツボローラ１２と対向する位置に支持突起２２が設けられている。例文帳に追加

A support pin 18 is installed between both side walls of the blade 17, and a support projection 22 is provided in a position of the base table 13 opposing to the fountain roller 12. - 特許庁

MgO系、CaO系、Al_2O_3系、ZrO_2系又はこれらの複合耐火物で内張りした容器内に高炭素フェロボロン溶湯を収容し、1550〜1750℃の減圧雰囲気ガス中に保持して炭素を除去する。例文帳に追加

A molten metal of high-carbon ferroboron is placed in a vessel lined with MgO, CaO, Al_2O_3, ZrO_2 or their composite refractories and kept under reduced pressure in a controlled atmosphere at 1,550-1,750°C to remove carbon. - 特許庁

島状の絶縁膜２２１、３２１、３２２で活性層２００、３００、３１０表面を覆った状態を保つことで、活性層表面がボロンで汚染されたり、自然酸化膜が形成されることを防止できる。例文帳に追加

Thus, the surfaces of the active layers 200, 300, and 310 are maintained to be covered with island-shaped insulating films 222, 321, and 322 and the surfaces of the active layers can be prevented from being contaminated due to boron, or natural oxide film can be prevented from forming. - 特許庁

ボロンナイトライド系セラミックス製のヒータケース１に給電用のリード線３が接続されたヒータ素線２を収納して高発熱密度ヒータを構成する。例文帳に追加

A high heating density heater includes a heater case 1 of boron nitride ceramic for housing a heater strand 2 connected with a lead wire 3 for feeding. - 特許庁

特定の結晶方位とは、例えば材料が単結晶シリコン、ダイヤモンド、あるいはこれらにボロンやリンを添加したものである場合は、マスク面内に含まれる結晶方位はミラー指数表記で＜１１０＞もしくは＜２１１＞に該当する。例文帳に追加

If the material is, for example, single crystal silicon, diamond, or those added with boron or phosphor, the crystal orientation contained in the mask plane, or the specific crystal orientation, corresponds to <110> or <211> in mirror index representation. - 特許庁

次に、低耐圧トランジスタ形成領域のＰＭＯＳと高耐圧トランジスタ形成領域のＮＭＯＳ領域をレジストマスク８で覆い、ボロンを回転注入する。例文帳に追加

Then, a P-MOS region of a low-breakdown voltage transistor formation region and an N-MOS region of a high-breakdown voltage transistor formation region are covered with a resist mask 8 and boron ions are implanted rotatingly. - 特許庁