「不活性基板」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

半導体基板を加熱し、しきい値制御用の不純物を活性化させる。例文帳に追加

The semiconductor substrate is heated, and impurity for threshold control is activated. - 特許庁

Ｓｉ基板に形成される不純物層の活性化率を向上させる。例文帳に追加

To improve the activation rate of an impurity layer formed in an Si substrate. - 特許庁

プリント基板搬送領域に充満した不活性ガスがプリント基板非搬送領域側へ流出するのを防ぎ、また、プリント基板搬送領域のみに不活性ガスを供給することで、不活性ガスの使用量を低減すること。例文帳に追加

To prevent inert gas being filled a printed board conveyance region from leaking out into a printed board non-convyance region side and supply inert gas to the printed board conveyance region only to reduce the used quantity of the inert gas. - 特許庁

基板表面近傍を不活性ガス雰囲気とするように不活性ガスを噴射する不活性ガス噴射ノズル（１４４）と、不活性ガス噴射ノズル（１４４）から噴射する不活性ガス流れを受けて、基板の外方に向かう流れに偏向するじゃま板（１４６）を有する。例文帳に追加

The system for processing a substrate comprises a nozzle (144) for jetting inert gas to for an inert gas atmosphere in the vicinity of the surface of the substrate, and a baffle plate (146) for receiving inert gas flow jetted from the inert gas jet nozzle (144) and deflecting it outward of the substrate. - 特許庁

シリコン基板等の半導体基板の表面を一層不活性化し、基板表面でのキャリアの再結合を一層低減する。例文帳に追加

To further reduce the recombination of carriers on the surface of a semiconductor substrate such as a silicon substrate by further inactivating the surface of the semiconductor substrate. - 特許庁

不活性ガスを用いて配線基板の半田付けを行う装置の、不活性ガス供給ノズルがフラックスミストで閉塞することを防止する。例文帳に追加

To prevent the inert gas feeding nozzle of a soldering device, which applies a soldering to a wiring board using inert gas, from being blocked with a flux mist. - 特許庁

半導体基板の不純物を活性化させる際に、表面に荒れを生じさせることなく効果的に不純物の活性化を行うことを可能にする。例文帳に追加

To effectively activate impurities of a semiconductor substrate without roughening its surface in activating the impurities. - 特許庁

基板４を上面に保持する基板保持台５と、基板４の下面と基板保持台５の上面との間にガス流路７を介して不活性ガスを供給する不活性ガス供給源８（不活性ガス供給手段）とを備えたプラズマ処理装置において、不活性ガス供給源８のガス流路７を、基板保持台５に挿入されたスリーブ７１（筒状体）から構成した。例文帳に追加

The plasma processing apparatus comprises a base 5 for holding the substrate 4 on the upper surface, and a source 8 (inert gas supply means) for supplying inert gas between the lower surface of the substrate 4 and the upper surface of the substrate holding base 5 through a gas channel 7 comprising a sleeve 71 (tubular body) inserted into the substrate holding base 5. - 特許庁

露光装置において、エア８から不活性ガス９を取り出す不活性ガス生成手段１１と、基板３に照射される照明光Ｌ１の光路に不活性ガス生成手段から不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン１２とを設ける。例文帳に追加

The aligner comprises an inert gas producing means 11 for taking an inert gas 9 from air 8, and an inert gas feed line 12 for feeding the inert gas from the inert gas producing means to the optical path of an illumination light L1 irradiating a substrate 3. - 特許庁

基板保持台２１により基板Ｗが略水平に保持され、その基板Ｗに処理液ノズル５０から処理液が供給されるとともに、不活性ガス供給板１１０から不活性ガスが供給される。例文帳に追加

A substrate W is held almost horizontally on the substrate holding boat 21 where the treatment liquid from the treatment liquid nozzle 50 and an inert gas from the inert gas supply plate 110 are supplied to the substrate W. - 特許庁

基板を不活性ガスのイオンビームによって、１０ｎｍ以上の厚みでエッチングする。例文帳に追加

The substrate is etched in a thickness of 10 nm or more by an ion beam of inert gas. - 特許庁

その後、スパイクＲＴＡ法によりシリコン基板１０１中の不純物を活性化する。例文帳に追加

After that, the impurities in the silicon substrate 101 are activated by spike RTA. - 特許庁

フッ素系不活性液体は、基板Ｗの表面に凝縮して水分と置換し、その後気化する。例文帳に追加

A fluorine inert fluid is condensed on the surface of the substrate W, substituted for water, and evaporated. - 特許庁

冷却後の不活性ガスＧの吹き付けでプリント基板Ｐを冷却できる。例文帳に追加

The printed board P can be cooled by spraying the inactive gas G after cooling. - 特許庁

不活性ガスによる移載室のパージが自動的になされる基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a substrate processing apparatus in which a transfer chamber is automatically purged by means of inert gas. - 特許庁

半導体基板の表面にレーザを照射し、注入された不純物を活性化させる。例文帳に追加

The surface of the semiconductor substrate is irradiated with a laser beam, and injected impurity is activated. - 特許庁

その後、半導体基板にレーザ光を照射することによって第１不純物を活性化する。例文帳に追加

Thereafter, the semiconductor substrate is irradiated with laser light to activate the first impurity. - 特許庁

その後、半導体基板にレーザ光を照射することによって第２不純物を活性化する。例文帳に追加

Thereafter, the semiconductor substrate is irradiated with laser light to activate the second impurity. - 特許庁

不揮発性メモリー素子は、活性領域を含む半導体基板及び前記活性領域上の第１及び第２メモリーセルストリングを含む。例文帳に追加

The nonvolatile memory device includes a semiconductor substrate including an active region and first and second memory cell strings on the active region. - 特許庁

また、フォトマスクのマスク基板とペリクル膜の間の空間を微量の活性ガスを混合した不活性ガスによりパージする。例文帳に追加

And a space between the mask substrate of the photomask and the pellicle film is purged by the inert gas mixed with a small amount of the active gas. - 特許庁

表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for activating impurities, by which the impurities existing at a deep position from the substrate surface of a semiconductor substrate, having the impurities added to its surface layer, is activated. - 特許庁

表層に不純物が添加された半導体基板の基板表面から深い位置に存在する不純物の活性化を行うことができる不純物活性化方法に用いることができるレーザ照射装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser irradiation device which can make light intensity distribution uniform satisfactorily even if a laser with high coherence is employed as a laser light source, and which can be used for an impurity activation procedure that can activate impurities in the depths from a substrate surface of a semiconductor substrate with the impurities added. - 特許庁

供給した不活性ガスＧを冷却手段25で冷却した後、冷却後の不活性ガスＧを不活性雰囲気チャンバ２内に搬送したプリント基板Ｐへと圧送する。例文帳に追加

After the supplied inactive gas G is cooled by the cooling means 25, the inactive gas G after cooling is pressurized and transferred to a printed board P which is transferred in the inactive atmosphere chamber 2. - 特許庁

素子基板１の外周縁部分には、内部にドライ窒素による不活性ガスＧを封入して封止基板８が封着される。例文帳に追加

A seal substrate 8 is sealed to the outer peripheral edge portion of the element substrate 1 to seal the inert gas G by dry nitrogen in it. - 特許庁

冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの搬入時および搬出時に、基板Ｗに不活性ガスが吹き付けられる。例文帳に追加

In the cooling unit CP, inert gas is sprayed to the substrate W when the substrate W is carried in and out. - 特許庁

熱処理工程では、半導体基板９を加熱して半導体基板９に注入した不純物１２、１４を活性化する。例文帳に追加

In a heat treatment process, the semiconductor substrate 9 is heated to activate the impurities 12 and 14 injected into the semiconductor substrate 9. - 特許庁

電子源基板８３と保護基板８６の間のギャップ８８は真空機密状態にされ、あるいは、不活性ガスを封入される。例文帳に追加

A gap 88 between the electron source substrate 83 and the protective substrate 86 is put into the vacuum airtight state, or an inactive gas is sealed therein. - 特許庁

基板表面近傍を不活性ガス雰囲気に維持しつつ、基板表面の一様な処理を可能にする。例文帳に追加

To process the surface of a substrate uniformly while maintaining the inert gas atmosphere in the vicinity of the surface of the substrate. - 特許庁

不活性ガス雰囲気中において、有機材料を含む転写層５０を有するドナー基板４０と、被転写基板６０とを重ね合わせる。例文帳に追加

In an inert gas atmosphere, a donor substrate 40 having a transfer layer 50, including an organic material and a transferred substrate 60, are overlapped with each other. - 特許庁

また、基板厚みの60％程度の厚みを有する高濃度不純物含有層２１を素子活性領域１３ａと基板底面との間に有する。例文帳に追加

Further, a heavily doped layer 21 whose thickness is about 60% of the substrate thickness is formed between the element active area 13a and the bottom surface of the substrate. - 特許庁

搬送ロボットにより未処理基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ１に搬送されてくると、基板浮上ヘッド７１によって未処理基板Ｗはその下面に向けて吐出される不活性ガスにより浮上させられる。例文帳に追加

When a substrate W to be processed is carried to a substrate delivery position P1 by a transfer robot, the substrate W to be processed is floated by inert gas being ejected toward the lower surface thereof from a substrate floating head 71. - 特許庁

ガラス基板上に形成された半導体薄膜の不純物注入領域を活性化のためのレーザビームをガラス基板の下面側から照射しても、活性化に必要なエネルギーを十分に得ることができるようにする。例文帳に追加

To obtain sufficient energy necessary for activating an impurities injection region of a semiconductor film formed on a glass substrate even if a laser beam for the activation is applied from the bottom side of the substrate. - 特許庁

いくつかの工程ステップにおいて、電気的に不活性なインクが受容基板の領域上に印刷され、他のステップにおいて、電気的に活性なインクが基板の異なる領域上に印刷される。例文帳に追加

In several process steps, electrically inactive ink is printed on an area of a reception substrate, and in other steps, electrically active ink is printed on a different area of the substrate. - 特許庁

いくつかの工程ステップにおいて、電気的に不活性なインクが受容基板の領域上に印刷され、他のステップにおいて、電気的に活性なインクが基板の異なる領域上に印刷される。例文帳に追加

In some of the process steps, electrically non-active inks are printed onto areas of receiving substrates, and in other steps, electrically active inks are printed onto different areas of the substrate. - 特許庁

対象ガスと酸素に活性な対象ガス検知電極(3)及び対象ガスに不活性でかつ酸素に活性な酸素検知電極(5)を検知室(8)内で第１の基板(1)に取り付ける。例文帳に追加

A target gas detection electrode 3 active to target gas and oxygen and an oxygen detection electrode 5 inactive to target gas and active to oxygen are attached to a first substrate 1 within a detection chamber 8. - 特許庁

本発明のシリコン基板の処理方法は、シリコン基板の表面から水素を導入し、シリコン基板の欠陥を不活性化する処理方法であって、シリコン基板を加熱する工程と、シリコン基板を急冷する工程と、シリコン基板の表面に水素を照射する工程とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

A silicon substrate processing method, wherein hydrogen is introduced from the surface of a silicon substrate to inactivate the defect of the silicon substrate, comprises a process for heating the silicon substrate, a process for quickly cooling the silicon substrate, and a process for irradiating hydrogen against the surface of the silicon substrate. - 特許庁

基板接合装置１は、大気中において第１基板９１を第２基板９２上に載置する基板載置機構２、および、減圧環境下または不活性ガス環境下において第１基板９１と第２基板９２とを接合する接合機構３を備える。例文帳に追加

The substrate joining equipment 1 includes a substrate placement mechanism 2 for placing the first substrate 91 on the second substrate 92 in the atmosphere, and a joining mechanism 3 for joining the first substrate 91 to the second substrate 92 in the depressurized environment or in the inactive gas environment. - 特許庁

不純物を注入した後に、６００℃で１時間、窒素雰囲気中にアレイ基板Ｂを保持して、不純物を活性化させる。例文帳に追加

An array substrate is held in nitrogen atmosphere for one hour at 600°C after an impurity is implanted, and then the impurity is activated. - 特許庁

回転駆動される基板の裏面に不活性ガスおよび処理液を吹き付けるための基板洗浄ノズルであって、その中心部に不活性ガス噴射手段を有し、不活性ガス噴射手段の周囲に、それぞれ傾斜角度を変化させた複数の洗浄液噴射手段を有することを特徴とする基板洗浄ノズル。例文帳に追加

The substrate washing nozzle for spraying an inert gas and a treatment liquid on the back surface of a spinning substrate has an inert gas spraying means in the center thereof, and a plurality of washing liquid spraying means having different tilt angles around the inert gas spraying means. - 特許庁

このように、基板９の上面９１において、カバー部２１と平面視にて重なっている領域に向けて不活性ガスが噴出され、基板９とは重なっていない噴出口２１４からは不活性ガスが噴出されないため、基板９上に塗布された流動性材料の酸化や水分の吸着等を抑制するための不活性ガスの使用量を低減することができる。例文帳に追加

In such a way, the inert gas is jetted toward the area overlapped with the cover portion 21 in a plane view, but not jetted from the jet ports 214 not overlapped with the substrate 9 on the upper surface 91 of the substrate 9, thereby reducing the amount of used inert gas for inhibiting the oxidation of a fluid material applied onto the substrate 9, water adsorption and the like. - 特許庁

このような基板処理装置の第２の排気管２３４に、高温の不活性ガスＮ_2を供給する不活性ガス供給手段としての加熱ガス供給ユニット２２１を設けて、第２の排気管２３４に高温の不活性ガスＮ_2を供給するようになっている。例文帳に追加

A heated gas supplying unit 221 is installed in the second evacuation pipe 234 for supplying a high-temperature inert N_2 gas, to the second evacuation pipe 234. - 特許庁

基板処理装置の第２排気管２３４に、高温の不活性ガスＮ_2を供給する不活性ガス供給手段としての加熱ガス供給ユニット２２１を設けて、第２排気管２３４に高温の不活性ガスＮ_2を供給するようになっている。例文帳に追加

The second exhaust pipe 234 of the substrate processing apparatus is provided with a heated gas supply unit 221 as an inert gas supply means for supplying a high-temperature inert N_2 gas, so that the high-temperature inert N_2 gas may be supplied to the second exhaust pipe 234. - 特許庁

特に好ましい態様として、溶媒吸収体上に垂直に配置された基板上にデンドリマー溶液を垂らして基板上に展開した後、直ちに不活性ガスを基板に吹きかけることにより溶媒を蒸発させる。例文帳に追加

In a more preferable embodiment, the dendrimer solution is dropped onto the substrate arranged perpendicularly on a solvent absorber and is developed on the substrate and immediately thereafter, inert gas is blown to the substrate, by which the solution is evaporated. - 特許庁

このようなスリットノズル２２２１が、パターン形成処理が行われている基板Ｗに対して、基板Ｗの搬送方向の下流側から基板Ｗの表面近傍に向けて不活性ガスを噴射する。例文帳に追加

Such a slit nozzle 2221 injects the inert gas to the substrate W under pattern formation process from the downstream side in the conveyance direction of the substrate W toward the surface vicinity of the substrate W. - 特許庁

被処理基板１２をプラズマ処理する前に、不活性ガスを主体としたガス中で微弱なプラズマにて被処理基板１２の表裏を同時に曝すことで、被処理基板１２の電荷を取り除くことが可能となる。例文帳に追加

Before conducting plasma processing on a substrate 12 to be treated, the front and back sides of the substrate 12 to be processed are simultaneously exposed by feeble plasma in the gas, composed mainly of inert gases. - 特許庁