「不活性基板」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

上面に半導体基板１を載置するステージ１２と、ステージ１２上に載置された半導体基板１の周辺部を押さえる押さえ治具３０と、押さえ治具３０に設けられ、半導体基板１の周辺部上に不活性ガスを供給するガス供給口３４ａとを具備する。例文帳に追加

The film deposition apparatus comprises a stage 12 to place a semiconductor substrate 1 on an upper surface thereof, a holding tool 30 to hold a periphery portion of the semiconductor substrate 1 placed on the stage 12, and a gas feed port 34a which is formed in the holding tool 30 to feed inert gas onto the peripheral portion of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

基板１１を載置するサセプタ５と該サセプタを介して基板を加熱する加熱手段１２と、前記サセプタ上に載置された基板の周辺部に加熱した不活性ガスを導入するガス加熱手段１７，２１，２２，２４とを具備する。例文帳に追加

The substrate treating device is provided with a susceptor 5 on which a substrate 11 is placed, a heating means 12 for heating the substrate 11 through the susceptor 5, and gas heating means 17, 21, 22 and 24 for introducing a heated inert gas to the periphery of the substrate 11 placed on the susceptor 5. - 特許庁

（ｉ）シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、（ｉｉ）塗布後の基板を加熱処理し、（ｉｉｉ）加熱後の基板に、ケイ素の不対電子を安定化できる物質を含む雰囲気中で活性エネルギー線を照射して、シリカ系被膜を得る。例文帳に追加

(i) A coating agent for forming the silica-based film is coated on a substrate, (ii) the substrate after coating is heated, and (iii) active energy lines are irradiated on the substrate after heating in the atmosphere containing a substance which can stabilize unpaired electrons of silicon to obtain the silica-based film. - 特許庁

ＳｉＣ基板１の表面層に不純物のドーピングを行なう工程と、不純物がドーピングされたＳｉＣ基板の表面に、不活性ガス雰囲気中でカーボン膜２を堆積する工程と、カーボン膜が堆積されたＳｉＣ基板をアニール処理する工程と、アニール処理されたＳｉＣ基板に堆積されているカーボン膜を除去する工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ半導体素子の製造方法。例文帳に追加

A method of manufacturing an SiC semiconductor element includes steps of: doping a surface layer of an SiC substrate 1 with an impurity; depositing a carbon film 2 on a surface of the SiC substrate doped with the impurity in an inert gas atmosphere; annealing the SiC substrate having the carbon film deposited; and removing the carbon film deposited on the annealed SiC substrate. - 特許庁

上部基板３６及び下部基板３８を製作する段階と、不活性ガス雰囲気で放電を実行するクリーニング工程及び熱を加えてヒーティングさせるヒーティング工程の少なくとも何れか一つの工程により上部基板３６及び下部基板３８の不純物を除去する洗浄段階と、を順次行ってＰＤＰの不純物を除去する。例文帳に追加

The method to remove the impurities in the plasma display device comprises a step of manufacturing the upper substrate 36 and the lower substrate 38, and a step of cleaning to remove the impurities from the upper substrate 36 and the lower substrate 38 by discharging and/or heating in an inert gas atmosphere. - 特許庁

タンタル酸リチウム基板およびサファイア基板の少なくとも一方の接合表面を、不活性ガスまたは酸素ガスの中性化ビーム、イオンビーム、若しくはプラズマにより活性化させてアモルファス化する、若しくはこれらの基板の少なくとも一方の接合表面上に、所望の組成のアモルファス層を真空成膜して形成する。例文帳に追加

At least one junction surface of the tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate is activated by an inert gas or the neutralized beam, ion beam, or plasma of oxygen gas for making into an amorphous form; or an amorphous layer having a desired composition is film-formed in vacuum, at least on one junction surface of the substrates. - 特許庁

埋め込み酸化膜等のエッチャントに対して不活性な層が存在しない基板であっても高精度に不純物濃度分布の測定を行うことができる不純物濃度測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide an impurity concentration measuring method capable of measuring impurity concentration distribution with high accuracy, when a substrate where an inert layer to etchant of a embedded oxide film does not exist. - 特許庁

半導体基板の上に配置された相互接続層を備える半導体デバイス１００において、相互接続層１１５の上に不活性化層１２２が配置され、不活性化層１２２中にはんだバンプ１２８の支持開口１２５が形成されている。例文帳に追加

In a semiconductor device 100 provided with an interconnecting layer arranged on a semiconductor substrate, an inert layer 122 is arranged on the interconnecting layer 115, and a support opening 125 of the solder bump 128 is formed in the inert layer 122. - 特許庁

固定基板１１上に設けられかつ、中央部に不活性領域を有する積層圧電素子を、不活性領域を分断する溝４０により２分割するとともに、これと直角方向のノズル配列方向に複数の溝で分断することにより個別の圧電素子を形成する。例文帳に追加

The laminated piezoelectric element provided on a fixed substrate 11 and having an inert region at the central part thereof is divided into two parts by the groove dividing the inert region, and also divided in the nozzle arranging direction right- angled to the direction of the groove by a plurality of grooves to form individual piezoelectric elements. - 特許庁

ガス供給機構１０が、処理基板Ｓの周縁部Ｓａに向けて不活性ガスを噴出するため、多量の反応生成物が付着したとしても２工程以上の薬液処理を行う必要なく不活性ガスの噴出処理によって反応生成物を除去することができる。例文帳に追加

In order to jet an inert gas towards periphery portions Sa of a treatment substrate S by a gas supply mechanism 10, even if a lot of reaction products adhere, it is unnecessary to perform any chemical treatments of two or more processes, and the reaction products can be removed by a jet treatment of the inert gas. - 特許庁

金属原料ガス供給ライン１５及び水供給ライン１６とは別個に設けられたパージ用不活性ガス供給ライン１４において、成膜室１直前に設けられた熱交換器８により不活性ガスを基板温度以上の温度に加熱し、成膜室１に供給する。例文帳に追加

In an inert-gas feeding line 14 for purges provided independently of a gas feeding line 15 for metal raw materials and a water feeding line 16, an inert gas is so heated to a temperature higher than a substrate temperature by a heat exchanger 8 provided just before a film forming chamber 1 as to feed it to the film forming chamber 1. - 特許庁

基板処理装置１では、溶解部１２８において、チラー１２６により冷却された処理液に不活性ガスが溶解させられ、溶解部１２８により不活性ガスが溶解させられた処理液１０４が処理槽１０２に貯留される。例文帳に追加

In the substrate processing apparatus 1, an inert gas is dissolved into the processing liquid cooled by a chiller 126 in a dissolution part 128 and the processing liquid 104, into which an inert gas is dissolved by the dissolution part 128, is stored in a processing tank 102. - 特許庁

不純物の濃度の最も大きい部位が、量子井戸活性層の半導体基板と対向する側の端から第１上クラッド層側に離れて位置し、かつ量子井戸活性層に含まれる不純物濃度が２×１０^17cm^-3以上１×１０^18cm^-3以下である。例文帳に追加

A part having the largest impurity concentration is located so as to be separated from the end of the opposite side of the active layer 104 which is opposed to the substrate 101 to the 1st upper clad layer side and the impurity concentration contained in the active layer 104 is 2×10^17 cm^-3 to 1×10^18 cm^-3. - 特許庁

基板上の第一のコンデンサ電極と、第一のコンデンサ電極上のコンデンサ誘電体層と、コンデンサ誘電体層上の第二のコンデンサ電極と、第二のコンデンサ電極上の不活性化層と、不活性化層上の画素電極層とを具備する貯蔵コンデンサ構造。例文帳に追加

A storage capacitor structure is equipped with a 1st capacitor electrode on a substrate, a capacitor dielectric layer on the 1st capacitor electrode, a 2nd capacitor electrode on the capacitor dielectric layer, an inactivated layer on the 2nd capacitor electrode, and a pixel electrode layer on the inactivated layer. - 特許庁

（０００１）面からの傾斜角度４が調整された主面を有し、かつ表面研磨されたサファイア単結晶基板を、不活性ガス雰囲気下、又は１０容量％以下の酸素分圧を有する酸素ガス及び不活性ガスからなる混合ガス雰囲気下に熱処理を行う。例文帳に追加

A sapphire single crystal substrate having a principal plane adjusted and tilted from (0001) plane by 4° and a surface being polished is heat treated under an inert gas atmosphere or under a mixed gas atmosphere that is comprised of oxygen gas having a partial pressure of oxygen of 10 vol.% or less and an inert gas. - 特許庁

露光光として紫外光を用い、装置内を不活性ガスで置換し、原版のパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、原版とペリクル膜で略閉じられた空間を不活性ガスで有効に置換する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique of replacing the space approximately closed by an original plate and a pellicle film with inert gas with an exposure device for replacing the interior of the device with the inert gas and irradiating a photosensitive substrate with the pattern of the plate across a projection optical system using UV light as exposure light. - 特許庁

この素子は、第１導電型基板の所定の領域に配置され、活性領域を限定する素子分離膜と、活性領域の表面に形成された第２導電型不純物拡散層と第２導電型不純物拡散層を覆うシリサイド層とを含む。例文帳に追加

This semiconductor element includes an element separating film which is arranged in a prescribed area of a first-conductivity substrate and limits an active region, a second-conductivity impurity diffusing layer formed on the surface of the active region, and a silicide layer covering the impurity diffusing layer. - 特許庁

酸化膜の形成方法は、不活性ガスと、前記不活性ガスに対する混合割合が０よりも大きく且つ０．００７以下である酸化ガスと、を含む混合ガスからプラズマを生成する工程と、前記プラズマを用いてシリコン基板の表面に酸化膜を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The oxide film formation method includes: a step of generating a plasma from a gas mixture containing an inert gas and an oxidizing gas whose mixing ratio to the inert gas is ≥0, and is ≤0.007; and a step of forming the oxide film on a surface of a silicon substrate by using the plasma. - 特許庁

基板の乾燥方法は、洗浄後の基板を乾燥する基板の乾燥方法であって、前記洗浄された基板に、イソプロピルアルコールを除く有機化合物及び／又は還元剤を含むリンス液を供給する供給工程と、前記リンス液が付着した基板をイソプロピルアルコールを含む不活性ガスにより乾燥する乾燥工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The drying method of a substrate, one for drying a substrate after cleaned, comprises a supply process of supplying a conditioner containing organic compounds excepting isopropyl alcohol and/or a reducing agent, and a drying process for drying a substrate to which the conditioner adheres by inactive gas containing isopropyl alcohol. - 特許庁

製造方法は、Ｐ型不純物を含む窒化ガリウム系化合物半導体２が形成された導電性基板３を、電解液１に浸漬した状態で、前記導電性基板３を陽極として、陰極４との間に電流を流すことで、前記Ｐ型不純物を活性化させる。例文帳に追加

The manufacturing method includes a step of causing a current to flow between a conductive substrate 3 having the gallium-nitride-based compound semiconductor 2 containing the p-type impurities formed, while it is soaked in an electrolyte 1 with the substrate 3 as an anode and a cathode 4 for activating the p-type impurities. - 特許庁

積層体３を気密的に覆うように基板２上に配置される封止部材１１と、基板２と封止部材１１とで形成される封止空間内に充填される不活性液体１１ｂと、不活性液体１１ｂ中に添加され紫外線吸収機能を有する材料からなる紫外線吸収性粉粒体１１ｃと、を備えてなる。例文帳に追加

The organic EL panel 1 is provided with: a sealing member 11 arranged on the substrate 2 so as to air-tightly cover the laminate 3; an inert liquid 11b filled in a sealed space formed by the substrate 2 and the sealing member 11; and a ultraviolet ray absorbent particulate 11c added in the inert liquid 11b and formed of material having a ultraviolet ray absorbent function. - 特許庁

成膜工程と活性化アニール工程の間で行われる不純物導入工程で使用されるイオン注入機において、前記成膜工程のデータと前記活性化アニール工程のデータを加えた制御用データに基づいて、前記基板が所望の不純物密度分布を持つように、イオン電流密度分布及び基板の移動、又は、ビーム進行角を制御する。例文帳に追加

In the ion implantation apparatus which is used in the impurity introducing process executed between the film forming process and activating annealing process, ion current density distribution, movement of substrate or beam progressing angle are controlled so that the substrate has the desired impurity density distribution on the basis of the control data to which the data of the film forming process and activating annealing process are added. - 特許庁

アルカリ珪酸塩（珪酸ソーダ、珪酸カリウム、あるいは珪酸リチウム等）あるいは金属燐酸塩（燐酸アルミニウム、あるいは燐酸マグネシウム等）をバインダーとして含み半導体表面を不活性化する接着剤層５を用いて拡散反射基板６と半導体基板１とを接着することで、半導体表面の不活性化を行なうものである。例文帳に追加

The surface of a semiconductor is inactivated by bonding a diffusion reflection substrate 6 and a semiconductor substrate 1 using an adhesive layer 5 for inactivating the surface of the semiconductor containing an alkaline silicate (e.g. sodium silicate, potassium silicate, or lithium silicate) or a metal phosphate (e.g. aluminum phosphate, or magnesium phosphate) as a binder. - 特許庁

スパッタリングとは、真空中に不活性ガス（主にアルゴンガス）を導入しながら基板とターゲット（成膜させる物質で金属や酸化物等）間に高電圧をかけ、イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして基板にターゲットと同物質の薄膜を得る方法。例文帳に追加

Sputtering is a method wherein high voltage is applied to the gap applied between substrate and target while introducing inert gas into a vacuum, and bombarding the target with a beam of ionized inert gas to eject atoms from the target surface to form a thin layer of the same substance on the substrate. - 厚生労働省

この方法は、半導体基板の活性領域にウェル不純物イオンとチャンネル不純物イオンとを注入した後に、急速熱処理工程を適用することを特徴とする。例文帳に追加

A semiconductor substrate is injected with ions of well impurity ions and channel impurity ions in active region and then heated rapidly. - 特許庁

この構造では深くまで不純物を導入するイオン注入を用いないので、その活性化アニールによりエクステンション部内の不純物が基板側に熱拡散することがない。例文帳に追加

In this configuration, an ion implantation method is not used for introducing impurities deeply, so that impurities contained in the extensions are not thermally diffused into the substrate in activation annealing. - 特許庁

基板１０１の上に、上下に隣接して、不純物がドープされたｐ型クラッド層１０６と、不純物がドープされていない活性層１０４とが設けられている。例文帳に追加

A p-type clad layer 106 with impurities doped and an active layer 104 without impurities doped are vertically adjacently provided on a substrate 101. - 特許庁

半導体基板１の表層部に、電気的に不活性な第１の不純物を全面的に注入した後、キセノンフラッシュランプによる加熱処理を施す。例文帳に追加

After a first electrically inactive impurity is injected to the entire surface layer of the semiconductor substrate 1, heating treatment is made by a xenon flash tube. - 特許庁

その後、ゲート電極をマスクとして、基板の拡散領域を形成する部分に、不純物を注入し、拡散領域に注入された不純物の活性化のための第３の熱処理を行う。例文帳に追加

Impurities are injected to a section forming the diffusion region in the substrate while using the gate electrode as a mask, and the third heat treatment is conducted for activating impurities injected into the diffusion region. - 特許庁

チャンバー１、２内部に挿入された不純物注入後の半導体基板３にフラッシュランプ８を用いてインコヒーレントな光を短時間照射することにより不純物の活性化を行う。例文帳に追加

The activation of the impurity is performed by radiating an impurity injected semiconductor substrate 3 inserted into chambers 1 and 2 with an incoherent light using a flash lamp 8 for a short time. - 特許庁

ＳｉＣのｃ面基板に不純物層を形成する場合において、ポリタイプや結晶欠陥が形成されることを抑制し、周期性が優れた高い活性率の不純物層を形成する。例文帳に追加

To form a dopant layer having an excellent periodicity and a high activity by suppressing the development of polytypism and crystal defects when forming the dopant layer on an SiC c-plane substrate. - 特許庁

半導体基板に温度むらやホットスポットを生じさせることなく、不純物拡散層を充分に活性化させ、かつ、不純物拡散層を所望のプロファイルにすることができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for heat-treating a semiconductor substrate capable of satisfactorily activating an impurity diffusion layer without causing temperature unevenness or a hot spot on the semiconductor substrate, and to provide a heat treatment device. - 特許庁

基板の歪を生ずることなく、不純物領域の不純物の活性化率を向上させ、優れた特性の薄膜半導体装置を製造することを可能とする薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a thin-film semiconductor device, with which a thin-film semiconductor device of superior characteristics can be manufactured, by enhancing the activation rate of an impurity in impurity doped regions without causing strain of the substrate. - 特許庁

また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。例文帳に追加

Also, the heat treatment is performed while continuously supplying clean inert gas onto the liquid material on the substrate, and discharging impurities, such as reactive gas (cracked gas) generated by heating, to the outside of the cover. - 特許庁

基板上に形成した多結晶半導体膜に不純物を導入した後、注入した不純物が完全には活性化しないような条件で熱処理を行う。例文帳に追加

After an impurity is diffused to a polycrystalline semiconductor film formed on a substrate, the film is then subjected to heat treatment under the conditions that the impurity diffused be not activated completely. - 特許庁

チャンバー１、２内部に挿入された不純物注入後の半導体基板３にフラッシュランプ８を用いてインコヒーレントな光を短時間照射することにより不純物の活性化を行う。例文帳に追加

Impurity is activated by irradiating the semiconductor substrate 3, after impurity inserted into chambers 1 and 2 has been injected using an incoherent light by using a flash lamp 8, so that, impurity is activated. - 特許庁

固相基板の表面に生理活性物質を固定化するバイオチップ用基板であって、基板表面にアルキレングリコール残基を有するエチレン系不飽和重合性モノマー、生理活性物質を固定化する官能基を有するエチレン系不飽和重合性モノマー及び架橋可能な官能基を有するエチレン系不飽和重合性モノマーを共重合して得られる高分子化合物を含む層を有することを特徴とするバイオチップ用基板。例文帳に追加

This substrate for a biochip for immobilizing a physiologically active substance onto the surface of a solid phase substrate has on the substrate surface a layer including a high molecular compound acquired by copolymerizing an ethylene-based unsaturated polymeric monomer having an alkylene glycol residue, an ethylene-based unsaturated polymeric monomer having a functional group for immobilizing the physiologically active substance and an ethylene-based unsaturated polymeric monomer having a bridgeable functional group. - 特許庁

ＳＯＩ基板におけるＳＯＩ層（Ｓｉ活性層領域）のボディ部，ソース・ドレイン部に各々の不純物を注入してＭＯＳＦＥＴを構成した半導体装置において、前記Ｓｉ活性層領域上に対しゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する。例文帳に追加

In the semiconductor device where an MOSFET is fabricated by injecting impurities, respectively, into the body part and the source-drain part of an SOI layer (Si active layer region) in an SOI substrate, a gate electrode is formed on the Si active layer region through a gate insulation film. - 特許庁

半導体基板表面をフッ酸溶液により水素終端した後、キンヒドロン、ヒドロキノン、セミキノン及びキノンから選ばれた１種以上の化合物を含む溶液中で、半導体基板に光を照射することにより、半導体基板表面を不活性化させることを特徴とする半導体基板の表面処理方法である。例文帳に追加

In the surface processing method of a semiconductor substrate, after the surface of the semiconductor substrate is subjected to hydrogen termination with hydrofluoric acid solution, the semiconductor substrate is irradiated with light in a solution containing one kind or more of compounds selected from quinhydrone, hydroquinone, semiquinone and quinone thus rendering the surface of a semiconductor substrate inactive. - 特許庁

金属溶湯をセラミックス基板２２に接触させた後に冷却して固化させることにより、金属板２４、２６をセラミックス基板２２に接合する金属−セラミックス接合基板の製造方法において、不活性ガス雰囲気中において金属溶湯をセラミックス基板２２に接触させた後に、酸化性ガス雰囲気中において金属溶湯を冷却して固化させる。例文帳に追加

In the method for producing the metal-ceramics joined substrate in which molten metal is brought into contact with a ceramics substrate 22, and is thereafter cooled and solidified to join metal plates 24, 26 to the ceramics substrate 22, the molten metal is brought into contact with the ceramics substrate 22 in an inert gas atmosphere, and thereafter, the molten metal is cooled and solidified in an oxidizing gas atmosphere. - 特許庁

不活性化された半導体基板を作成する方法であって、シリコン以外の半導体材料を含むか、または、シリコン以外の半導体材料より成る単結晶基板の表面を提供する工程と、シリコン層が基板表面の該当部分に実質的に格子整合するように、シリコン層を基板表面に形成する工程とを備える。例文帳に追加

The present method of making an inactivated semiconductor substrate, comprises the steps of: providing a front surface of a mono-crystalline substrate containing the semiconductor materials other than silicon, or consisting of the semiconductor materials other than silicon; and forming a silicon layer on a substrate front surface so that the silicon layer may be substantially lattice matched to a corresponding part of the substrate front surface. - 特許庁

プラズマ強化化学的気相成長のプラズマによって発生した粒子の流れに真空状態で基板１５を曝露させることによって、基板１５上に不活性化層を形成する際にプラズマと基板１５との間に格子１７が挿入され、これによって中性粒子の流れを保持しながら基板１５に向かう帯電した粒子の流れを低減する。例文帳に追加

A grid 17 is interposed between a plasma and a substrate 15 when a passivation layer is formed on the substrate 15 by exposing the substrate 15 in a vacuum to a flow of particles which were generated by plasmaenhanced chemical vapor deposition, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate 15 while conserving the flow of neutral particles. - 特許庁

本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。例文帳に追加

The copper wiring substrate manufacturing method is characterized in that a surface 2 of a glass or quartz substrate 1 is irradiated with plasmas 4 of an inert gas such as an Ar gas to reform the surface 2 to improve the adhesive property of the surface 2 itself of the substrate 1 to pure Cu and the copper thin film 3 is formed by sputtering directly on the surface 2 of the substrate 1. - 特許庁

本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ_2）を供給する供給手段を有する。例文帳に追加

In the treatment chamber, the device includes: a stage 15 on which the substrate is mounted; a heating means 15a for heating the substrate; a cover 17 for covering the substrate; and a supply means for supplying inert gas N_2 into the cover. - 特許庁

基板と、基板上に形成された光熱変換層と、前記光熱変換層上に形成された転写層を含む転写用ドナー基板であって、前記光熱変換層の転写層と接する面が不活性化されており、かつ前記転写層中に特定のアントラセン誘導体または特定のアントラセン前駆体化合物を含有することを特徴とする転写用ドナー基板。例文帳に追加

A donor substrate for transfer including a substrate, a photothermal conversion layer formed on the substrate, and a transfer layer formed on the photothermal conversion layer is characterized in that: that surface of the photothermal conversion layer which is in contact with the transfer layer is inactivated; and the transfer layer contains a specific anthracene derivative or a specific anthracene precursor compound. - 特許庁