「不活性基板」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明に係る半導体装置は、活性領域と分離領域とを有する半導体基板１と、活性領域上に酸化膜８を介して形成されたゲート電極９と、ゲート電極９の両側に形成された１組の不純物領域とを備え、活性領域表面が、全体にわたってラウンド形状を有し、分離領域に近づくにつれて下方に傾斜する。例文帳に追加

The semiconductor device according to the present invention, which comprises a semiconductor substrate 1 having an active region and an isolation region, a gate electrode 9 formed on the active region via an oxide film 8, and a pair of impurity ranges formed on either side of the gate electrode 9, is characterized in that the surface of the active region has a round shape over the whole and slants downward as an isolation region approaches. - 特許庁

支持基板上に絶縁層と活性層をこの順に有するＳＯＩウェーハの評価方法であって、前記活性層の一部を前記絶縁層上からウェットまたはドライエッチングを施すことによって除去した後、前記絶縁層上にパターンを形成し、前記パターンの剥離および／または接着不良の有無を観察することにより前記活性層と前記絶縁層との貼り合わせ界面を評価する。例文帳に追加

The method of evaluating the SOI wafer having an insulating layer and an active layer in this order on a support substrate comprises forming a pattern on the insulating layer after removing part of the active layer from the insulating layer by wet or dry etching; and evaluating the bonding interface between the active layer and insulating layer by observing whether the pattern peels and/or whether a bonding defect is caused. - 特許庁

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。例文帳に追加

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped. - 特許庁

セラミックス基板上に導電性金属粒子成分（酸化第二銅微粒子及び／又は酸化第一銅微粒子など）を含む導体ペーストを塗布し、真空又は不活性雰囲気下で焼成して導体層を形成し、メタライズされたセラミックス基板を製造する。例文帳に追加

Conductor paste including a conductive metal particle component (cupric oxide particulates and/or cuprous oxide particulates or the like) is applied on the ceramic substrate, it is fired under a vacuum or inactive atmosphere to form a conductor layer, and the metallized ceramic substrate is manufactured. - 特許庁

基板上に形成した水素透過金属層を剥離することにより水素透過金属膜を製造する方法において、基板上から剥離して得られた水素透過金属膜を、真空下又は不活性ガス雰囲気下に５００〜１１００℃の温度で熱処理することを特徴とする。例文帳に追加

In the method for producing the hydrogen permeable metal film by peeling the hydrogen permeable metal layer formed on a substrate, the hydrogen permeable metal film obtained by being peeled from the substrate is heat-treated at 500-1,100°C in a vacuum or inert gas atmosphere. - 特許庁

第１のパルス幅よりも長い第２のパルス幅を持つ第２のパルスレーザビームを、半導体基板の表面において第１のパルスエネルギ密度よりも低い第２のパルスエネルギ密度となる条件で、半導体基板に入射させ、主として第１の不純物を活性化させる。例文帳に追加

A second pulse laser beam which has a second pulse width larger than the first pulse width is made incident on the semiconductor substrate on condition that it has second pulse energy density lower than the first pulse energy density on the surface of the semiconductor substrate, thereby activating mainly first impurities. - 特許庁

敷板１０上にセラミックス基板１２を載せ、その上面にマンガニン板１４を直接配置し、大気中または不活性雰囲気ガス中において合金の固相線以上且つ液相線以下の温度に加熱することにより、マンガニン板１４をセラミックス基板１２に直接接合する。例文帳に追加

A manganin plate 14 is directly joined to the ceramic substrate 12 by mounting the ceramic substrate 12 on a bottom board 10, then directly arranging the manganin plate on the substrate 12, and heating to a temperature not lower than the solidus and not higher than the liquidus of the alloy under atmosphere or in an inert atmospheric gas. - 特許庁

不揮発性光メモリ１０は、ＧａＡｓ基板１と、ＧａＡｓ基板１上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層２と、分布ブラッグ反射層２上に、量子井戸構造を有する半導体活性層３とを備えている。例文帳に追加

The nonvolatile optical memory 10 includes a GaAs substrate 1, a distribution Bragg reflection layer 2 formed on the GaAs substrate 1 by alternately laminating semiconductor films differing in refractive index, and a semiconductor active layer 3 with a quantum well structure on the distribution Bragg reflection layer 2. - 特許庁

スパッタリング方法を用いてガラス基板の上に低抵抗の金属薄膜を形成する場合、不活性ガスと共に含酸素ガスを一定量供給することにより、低抵抗金属薄膜とガラス基板との接着性を高めることができる。例文帳に追加

When a metal thin film of low resistance is deposited on a glass substrate by using a sputtering method, the adhesiveness of the metal thin film of low resistance to the glass substrate can be enhanced by feeding an oxygen-containing gas of a predetermined amount together with an inert gas. - 特許庁

熱風循環方式の複段式加熱乾燥装置の基板搬入搬出部に、複段式のロードロック室５を設け、加熱炉２内の不活性ガス雰囲気及び加熱温度を保持したまま、各段ごとに基板Ａの搬入・搬出が出来る加熱乾燥装置とする。例文帳に追加

The heating and drying device has a multistage load lock chamber 5 at a substrate carrying in/out part of the hot air circulation type multistage heating and drying device, so that the substrate A can be carried in/out by each stage while retaining the inert gas atmosphere and a heating temperature inside a heating furnace 2. - 特許庁

前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。例文帳に追加

The single crystal substrate is produced by melting a sintered body formed by heating at a temperature of 1,000°C or higher as a source material, growing a single crystal from the melt, if necessary, in an oxygen atmosphere or an inert gas atmosphere, and then cutting out a piece with the crystallographic orientation {0001} as the substrate face. - 特許庁

このとき、基板Ｗの上面中央部に不活性ガスの一例である窒素ガスを吹き付けながら、基板Ｗの上面における中央部以外の前記回転軸線から一定距離離れた所定位置Ｐ１にＩＰＡを着液させる。例文帳に追加

Then the IPA is made to adhere to a predetermined position P1 away at a predetermined interval from the rotation axis other than the center part, on the upper surface of the substrate W while spraying nitrogen gas being an example of an inert gas to the center part of the upper surface of the substrate W. - 特許庁

その後、第１供給ノズル４０からの吐出を窒素ガス（不活性ガス）に切り替え、ＡＩと同じ位置に窒素ガスの気流域を形成し、この気流域に基板Ｗを通過させ、基板Ｗ表面に凝縮したＩＰＡの液滴を気化させることにより乾燥を行う。例文帳に追加

Thereafter, gas spouted out from the first supply nozzle 40 is switched from the IPA vapor to nitrogen gas (inert gas), a flow area of nitrogen gas is formed at the same position with the flow area AI, and the substrate W is made to pass through the flow area of nitrogen gas so as to be dried out by vaporizing droplets of IPA condensed on the surface of the substrate W. - 特許庁

感光性乳剤層、ハレーション防止層および下塗り層のうちの少なくとも一層を有するガラス基板を、少なくとも１種のアルカリ化合物、または少なくとも２種の酸化合物を含有する水溶液を用いて脱膜処理し、必要に応じて洗浄、不活性化処理してガラス基板を再生する。例文帳に追加

The glass substrate having at least one layer of a photosensitive emulsion layer, an antihalation layer or an undercoating layer is uncoating processed by the solution containing at least one kind of alkali compounds or at least two kinds of acid compounds, and the glass substrate is reclaimed by cleaning or inactivating if necessary. - 特許庁

セラミック基板１１の一部の面又は全面に金属層１３が形成され、この金属層１３の融点を絶対温度でＴ_mとするときに、絶縁基板１０を真空中又は不活性ガス雰囲気下、０．３Ｔ_m〜Ｔ_mの温度で０．５〜５時間熱処理する。例文帳に追加

A metal layer 13 is formed on a portion or whole of the surface of a ceramic substrate 11 and then the insulating substrate is heat treated at a temp. of 0.3Tm to Tm under vacuum or an inert gas atmosphere for 0.5 to 5 h, when the melting point of the metal layer 13 is set as Tm expressed in terms of the absolute temp. - 特許庁

成膜中に真空チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入手段を有し、基板を直線状に搬送すると共に、複数の蒸発源を前記基板の搬送方向と直交する方向に配列することにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

The device has a gas inlet means which introduces an inert gas into a vacuum chamber during the formation of a film, substrates are conveyed linearly, and vaporization sources are laid out in a direction orthogonal to that of the conveyance of the substrates. - 特許庁

露出した金属表面を有する基板を準備する工程４００と、金属表面を還元する還元工程４１０と、不活性又は還元の雰囲気下で、基板をチャンバへ移動４２０し、金属層の堆積を行う工程４３０と、を含む。例文帳に追加

The method comprises: a process 400 of preparing a substrate including exposed metal surface; a reduction process 410 of reducing the metal surface; and a process 430 of depositing metal layers by moving the substrate to a chamber (420) under an inactive or reducible atmosphere. - 特許庁

純度が９９．５％以上のアルミニウム板１２をセラミックス基板１０の少なくとも一方の面に接触させ、不活性ガス中において６２０℃〜６５０℃の温度に加熱することにより、アルミニウム板１２をセラミックス基板１０に直接接合する。例文帳に追加

The aluminum plate 12 is directly joined to the ceramic substrate 10 by bringing the aluminum plate 12 having ≥99.5% purity into contact with at least one surface of the ceramic substrate 10 and heating at 620-650°C in an inert gas. - 特許庁

平板形状の基板素材上に金属膜層と誘電体膜層を積層状に形成する際に、この光学膜層を基板表面と裏面にターゲット物質を不活性ガスでスパッタリングしてスパッタ粒子で被膜を形成する。例文帳に追加

When a metallic film layer and a dielectric film layer are formed in a laminate shape on a plate-shaped substrate raw material to constitute an optical film layer, a target material is sputtered with an inert gas onto a surface and a rear surface of the substrate to form a coating film of sputtering particles. - 特許庁

(i)複数の架橋可能基を含むシリコン系炭化水素化合物から成るソースガスと、(ii)架橋ガスと、(iii)不活性ガスと、を含む反応ガスを基板が載置される反応チャンバに導入することによって、プラズマ反応によってシリコン系絶縁膜が基板上に形成される。例文帳に追加

A silicon insulation film is formed on a substrate by plasma reaction by introducing (i) a source gas comprising silicon hydrocarbon containing a cross-linked groups, (ii) a cross-linked gas, and (iii) an inert gas into a reaction chamber wherein a substrate is disposed. - 特許庁

サンドブラスト用研磨材の表面に滑剤及び、又は界面活性剤及び、又は糖類をコーティングすることにより研磨材が加工基板に吹きつけられた時の静電気発生量を減少させ、静電気の発生による放電を無くし、静電気による基板の破壊等の不具合を解消する。例文帳に追加

The surface of the abrasive for sand blast is coated with a lubricant, a detergent, and/or sugars, thereby reducing the occurrence amount of static electricity when the abrasive is sprayed onto a machining substrate, eliminating discharge due to occurrence of the static electricity, and solving a failure such as breakdown of the substrate due to the static electricity. - 特許庁

本発明の表示パネルは、対向する２枚の基板によって構成される基板間周縁部をシール部によって封着し、その内部空間が減圧または不活性ガス雰囲気に維持され、シール部の外側にバリア層を設けたことを特徴としている。例文帳に追加

In the display panel, a substrate-to-substrate peripheral edge formed by two opposed substrates is sealed by a seal part, its internal space is kept in a pressure reduced or inactive gas atmosphere, and a barrier layer is provided on the outside of the seal part. - 特許庁

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。例文帳に追加

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2. - 特許庁

ランプアニール装置を用いて活性化処理を行うに際し、ｎ^+型基板１ａと不純物が注入されるｎ^-型エピ層１ｂとによって構成されるＳｉＣ基板１を、ｎ^-型エピ層１ｂ側がウェハステージ５側を向く様に配置する。例文帳に追加

When executing activating treatment by using a lamp anneal device, an SiC wafer 1 composed of an n^+ type substrate 1a and an n^- type epitaxial layer 1b to inject an impurity is arranged so that the side of the n^- type epitaxial layer 1b can be turned toward the side of a wafer stage 5. - 特許庁

シリコン膜を減圧化学気相堆積法にて堆積する際、該シリコン膜堆積後、該基板を包容する環境を水素濃度が爆発下限界以下である水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下に維持したまま該基板温度を５００℃以下迄下げる。例文帳に追加

When a silicon film is deposited through a vacuum chemical vapor deposition method, a substrate is cooled down to 500°C or below as an environment enveloping the substrate is kept in a mixed gas atmosphere of hydrogen having a concentration equal to or below a lower explosion limit and an inert gas after a silicon film is deposited. - 特許庁

１つの実施態様において、この光熱的構造物は、キャリア（例えば、接着剤またはインク）と混合される光熱的材料を備え、そして得られた混合物が、光熱的構造物を形成するために基板（例えば、不活性ポリマー性基板）に塗布される。例文帳に追加

In one embodiment, the photothermal structure includes a photothermal material combined with a carrier (for example, an adhesive or an ink), and the resulting combination is applied to a substrate (for example, an inert polymeric substrate) to form a photothermal structure. - 特許庁

燃料電池セパレータの製造方法は、不活性ガス雰囲気下において、セパレータ基板（１）に負高電圧を印加しつつ、セパレータ基板（１）表面に乾式成膜法により炭素系原料を用いて炭素層（４）を形成することを特徴とする。例文帳に追加

In this manufacturing method of the fuel cell separator, a carbon layer 4 is formed on the surface of a separator substrate 1 by using a carbon based material by a dry deposition method while impressing a negative high voltage on the separator substrate 1, under the atmosphere of an inert gas. - 特許庁

機能性材料を含む液状体を基板Ｓに対して吐出する吐出ヘッド１４と、基板Ｓ上の液状体に対して所定ガス（不活性ガス）を吹き付けるブロー装置１６とを備えてデバイスの製造装置１０を構成した。例文帳に追加

A manufacturing apparatus 10 of the device is constituted by providing an ejection head 14 to eject a liquid material containing a functional material to a substrate S, and a blow device 16 to blow a prescribed gas (inactive gas) to the liquid material on the substrate S. - 特許庁

チャンバの内部構造形状は、薄膜基板とチャンバの内部表面との間のクリアランスが最小になるように構成されており、それにより、チャンバ内空間の略全てが薄膜サンプル材料及び不活性基板材料によって占められている。例文帳に追加

The internal structure of the chamber is composed so that the clearance between the thin film substrate and the internal surface of the chamber is the smallest, and thereby almost all of the space in the chamber is occupied with the thin film sample material and inert substrate material. - 特許庁

振動板とする基板１において、ゾルゲル法により酸化物薄膜を結晶化し圧電体薄膜を形成する工程において、基板１がアモルファスカーボンまたはグラファイトで、不活性ガス中で焼成を行う工程を含む。例文帳に追加

In the substrate 1 for making the vibration plate, a process for forming a piezo-electric thin film by crystallizing a thin film of an oxide through the sol-gel method comprises a process for effecting the calcination of the substrate 1 made of amorphous carbon or graphite in inert gas. - 特許庁

化学エッチング法等により配線基板１の配線部３の表面を粗面４とし、その配線基板１の表面上にソルダーレジスト６をパターニングした後、得られた開口部７を有するソルダーレジスト６を窒素等の不活性ガス雰囲気中でキュアする。例文帳に追加

After the surface of a wire 3 on a wiring board 1 is changed into roughened surface 4 by chemical etching or the like, a solder resist 6 is coated for patterning on the surface of the wiring board 1, then the solder resist 6 having an opening 7 is cured in an inert gas atmosphere. - 特許庁

基板と活性層との間に基板側から順にｎ型の第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物を有しｎ型電極が形成される第２の窒化物半導体と、ｎ型の第３の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子である。例文帳に追加

Between a substrate 101 and an active layer 106, a first nitride semiconductor layer 103 of n-type, a second nitride semiconductor 104 which comprises n-type impurity to form an n-type electrode and comprises a third nitride semiconductor layer 105 of an n-type in this order starting from the substrate 101 side. - 特許庁

本発明の方法は、基板（１０）を適当なコーティングチャンバー内に配置し、不活性又は還元性ガスをコーティングチャンバ内へ流し、次いで、気相蒸着法のような実質的に一定のアルミニウム活量でのアルミナイジング法を用いて基板（１０）をアルミナイジングすることからなる。例文帳に追加

This method is configured by disposing a base plate 10 in an adequate coating chamber, allowing inert or reducing gas to flow into the coating chamber, and applying aluminizing to the base plate 10 by using an aluminizing process at a practically fixed aluminum activity, such as a chemical vapor deposition. - 特許庁

ＣＯＤレベルが高く、発光効率が高い半導体レーザにおいて、活性層５の基板側に隣接するクラッド層４に、拡散不純物Ｚｎをドーピングさせておくことによって、拡散不純物がドーピングされた部分で、拡散不純物の拡散係数が大きくなり、活性層５への不純物蓄積が抑制される。例文帳に追加

In the semiconductor laser having high COD level and high light emission efficiency; a clad layer 4, adjoining a substrate side of an active layer 5 is doped with diffusion impurities Zn so that the diffusion coefficient of the diffusion impurities becomes large in a portion doped with the diffusion impurities, thereby the impurities are prevented from accumulation in the active layer 5 of the impurities are restrained. - 特許庁

有機高分子基板１上に形成した半導体層３に不純物を導入し、有機高分子基板１におけるエネルギー吸収がその有機高分子基板１に損傷を与えない程度に低い、たとえばＡｒイオンレーザーや銅蒸気レーザーなどのエネルギービームを半導体層３に照射して半導体層３の不純物を活性化する。例文帳に追加

An impurity is doped into the semiconductor layer 3 formed on the organic polymer substrate 1, and the impurity of the semiconductor layer 3 is activated by irradiating the semiconductor layer 2 with an energy beam, such as from Ar ion laser or copper vapor laser, of which energy absorption at the organic polymer substrate 1 is low such as not to give damages to such an organic polymer substrate 1. - 特許庁

半導体基板４４内に導入された不純物を活性化させる方法であり、半導体基板４４の表面から不純物を導入して半導体領域を形成する工程と、半導体基板４４の表面の局所領域に複数のレーザ発振器１２、１６を用いて複数のパルスレーザ２２、２４を照射する工程を備えている。例文帳に追加

The method for activating impurities introduced into a semiconductor substrate 44 comprises; a step for forming a semiconductor region by introducing impurities from the surface of the semiconductor substrate 44; and a step for irradiating a local region on the surface of the semiconductor substrate 44 with a plurality of pulse lasers 22 and 24 using a plurality of laser oscillators 12 and 16. - 特許庁

不活性ガス処理構造及びこれを有するシリコン鋳造装置、シリコン鋳造方法及びこれを用いた多結晶シリコンインゴット並びに多結晶シリコン基板例文帳に追加

INERT GAS TREATMENT STRUCTURE, SILICON CASTING APPARATUS HAVING STRUCTURE THEREOF, SILICON CASTING METHOD, POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT USING METHOD THEREOF, AND POLYCRYSTALLINE SILICON SUBSTRATE - 特許庁

多量の不活性ガスを要することなく、加熱領域内における基板上の酸素濃度を低減することができるレーザーアニール装置を提供する。例文帳に追加

To provide a laser annealing device which can reduce an oxygen concentration on a substrate in a heating region without needing a large quantity of inert gas. - 特許庁

基板上にシリコンカーバイド層を蒸着するために、シリコン、炭素及び窒素のソースガス並びに不活性ガスを含むガスが反応領域内に導入される。例文帳に追加

In order to evaporate a silicon carbide layer on a substrate, a source gas of silicon, carbon, and nitrogen and gas including an inert gas are introduced into a reaction region. - 特許庁

ウエハ（基板）のチャンバー１０４内搬入前の半導体薄膜形成待機時において、チャンバー内に水素ガス及び不活性ガスを用いてフッ素還元処理を行なう。例文帳に追加

At a waiting time for forming a semiconductor thin film before a wafer (substrate) is introduced into a chamber 104, a fluorine reduction processing is performed in the chamber using hydrogen gas and inert gas. - 特許庁

支持基板に接合した単結晶半導体層に、窒素等の不活性気体と酸素を含む雰囲気中でパルスレーザビームを照射して単結晶半導体層の表面を凹凸化する。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer bonded to the supporting substrate is irradiated with the pulsed laser beam in an atmosphere containing an inert gas such as nitrogen and oxygen so that the surface thereof is made rough. - 特許庁

半導体層に導入した不純物を活性化させるために半導体層にレーザーを照射しても、有機高分子基板が損傷を受けないようにする。例文帳に追加

To protect an organic polymer substrate from damages even if a semiconductor laser is irradiated with a laser beam, in order to activate impurity-doped into a semiconductor layer. - 特許庁

不活性ガスを主成分にすると共に０．６体積％超で且つ１０体積％以下の酸素と塩素含有ガスとを含む雰囲気中でシリコン基板を熱処理する。例文帳に追加

A silicon wafer is subjected to heat treatment in an atmosphere containing an inert gas as a main component and a gas containing oxygen and chlorine between 0.6 volume % and 10 volume % inclusive. - 特許庁

高圧の不活性な液体６４ａをハンプ３ａに噴き付けることによって、ハンプ３ａが押し潰されて、下層レジスト材料膜３の膜厚が半導体基板１の全面においてほぼ均一になる。例文帳に追加

The hump 3a is crushed by the high pressure inactive liquid 64a sprayed thereon, and the film thickness of a lower layer resist material film 3 becomes substantially uniform on an entire surface of the semiconductor substrate 1. - 特許庁

シロキサンとＮ_2Ｏとからなる主要な成膜用ガス成分に希釈用の不活性ガス又は窒素ガス（Ｎ_2）を加えて構成される成膜ガスをプラズマ化し、反応させて、被成膜基板２１上に絶縁膜２２を形成する。例文帳に追加

A main gas component comprising siloxane and N2O is admixed with an inert gas or nitrogen gas (N2) for dilution and subjected to plasma reaction thus forming an insulation film 22 on a substrate 21. - 特許庁