「不活性基板」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

方法は、一般的に、処理チャンバ内に基板を位置決めするステップ、処理チャンバ内へ不活性ガスを導入するステップ、処理チャンバ内へシリコンソースガスを導入するステップ、高密度プラズマを生成するステップ、およびアモルファスシリコン膜を堆積するステップを包含する。例文帳に追加

The method generally includes a step for positioning the substrate in a treatment chamber, a step for introducing an inert gas into the treatment chamber, a step for introducing a silicon source gas into the treatment chamber, a step for generating high-density plasma, and a step for depositing an amorphous silicon film. - 特許庁

絶縁層とＳｉ層の界面又は界面近傍に水素又はヘリウムをイオン注入した後、基板を酸化性雰囲気下又は不活性ガス雰囲気下、９５０℃以上で熱処理してＳｉＧｅ混晶層１４を溶融するとともにＳｉ層１３の一部にＧｅを拡散する。例文帳に追加

A hydrogen ion or a helium ion is implanted in a boundary or in the vicinity of the boundary between an insulating layer and the Si layer, and then the substrate is heated at 950°C or higher in an oxidizing atmosphere or an inert gas atmosphere to melt the SiGe mixed crystal layer 14 and diffuse Ge in a part of the Si layer 13. - 特許庁

外部の空気が内部空間に浸透することなく、しかも内部空間から不活性ガスなどの封入ガスが漏出しないように基板間周縁部を封着できる封着用樹脂組成物、およびそれを用いたディスプレイ素子などの封着構造体。例文帳に追加

To provide a sealing resin composition which can seal an intersubstrate circumference so as for external air not to permeate into the inner space and for the sealing gas such as an inert gas not to leak from the inner space and to provide a sealed structure, such as a display element, using the same. - 特許庁

III 価のリンを有し、かつ少なくともリンの結合手の一つに酸素が結合したシリコンリン含有化合物と不活性ガスとを含む成膜ガスを用いて、P２O ３を含むシリコン含有絶縁膜２１を被堆積基板１０１上に形成する。例文帳に追加

A silicon-containing insulating film 21 containing P2O3 is formed on a substrate 101 to be deposited, by using a film-forming gas containing a silicon-containing compound, having III-valence phosphorus, at least one valence bond of which is bonded to an oxygen atom, and an inert gas. - 特許庁

成膜工程、活性化アニール工程の不均一性を克服して、半導体等の基板の物性の均一性を向上し、抵抗率分布等の物性値を所望の物性値にすることができるイオン注入方法及びイオン注入機を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation method and ion implantation apparatus in which uniformity of physical property of a substrate such as a semiconductor is improved and the physical property value such as distribution of resistivity or the like can be set to the desired physical property value by overcoming ununiformity of the film forming process and the activating annealing process. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１０の上に形成された、フルシリサイド化された第１のゲート配線１９Ａと、第１のゲート配線１９Ａの側面上に形成された第１のサイドウォール２１Ａと、活性領域１２に形成された不純物拡散層１４Ｂとを備えている。例文帳に追加

The semiconductor device includes fully silicified, first gate wiring 19A formed on a semiconductor substrate 10, a first sidewall 21A formed on the side of the first gate wiring 19A, and an impurity diffused layer 14B formed in an active area 12. - 特許庁

減圧ＣＶＤ法による酸化シリコン膜１４の成膜は、８５０℃未満の反応炉（ファーネス）内で行い、コンタクト・ホール１６の底面の基板内に形成される補償領域１７の不純物活性化アニールは、１０００℃未満のＲＴＡ（ラピッド・サーマル・アニール）で行う。例文帳に追加

The formation of a silicon oxide film 14 using a reduced CVD method is conducted within a reaction furnace at a temperature lower than 850°C and the impurity activation annealing of a compensation regions 17, which are formed in a substrate under the bottom of contact holes 16, is conducted through RTA(rapid thermal annealing) at a temperature lower than 1,000°C. - 特許庁

次に、反応室２に供給される不活性ガスの流量を減少させつつ、反応室２内に流量を増加させながら原料ガスを供給して、反応室２内の圧力を成膜圧力に維持しつつ被処理基板１０に膜を形成する。例文帳に追加

Then, while reducing the flow rate of the inert gas to be supplied to the reaction chamber 2, a raw material gas is supplied into the reaction chamber 2 while increasing the flow rate, and the film is formed on the substrate 10 to be processed while maintaining the pressure inside the reaction chamber 2 at the deposition pressure. - 特許庁

本方法では、減圧型ＲＴＰ装置１とイオン注入装置２がウェハ搬送室２８で連結された不純物注入活性化処理装置２６を用い、シリコン基板を大気に触れさせることなく、前処理、イオン注入、アニールの一貫処理を行う。例文帳に追加

In this method, an impurity injection activation processing device 26 where a reduced- pressure RTP(Rapid Thermal Processing) device 1 and an ion implantation device 2 are connected with a wafer transfer chamber 28 is used, and the silicon substrate is subjected to a series of treatments composed of pre-treatment, ion implantation, and annealing. - 特許庁

反応室１０内の搬送路３より第１側の第１室部１１のうち被処理基板９にて第２室部１２と隔てられた第１隔室部分１１ａに置換手段５０から不活性ガスからなる置換ガスを供給し、第１隔室部分１１ａのガスを置換ガスに置換する。例文帳に追加

Gas in a first compartment 11a is replaced by replacement gas by supplying the replacement gas composed of inert gas from replacement means 50 to the first compartment 11a separated from a second compartment 12 by the treated substrate 9 out of a first chamber 11 in the reaction chamber 10 closer to the first side from the conveyance path 3. - 特許庁

半導体装置基板６をめっき液１から引き上げた後、めっき槽内に加湿された不活性ガスを導入することにより、めっき槽に付着しためっき液１が乾燥することを抑制できるため、めっき槽内の結晶物の発生を抑制することができる。例文帳に追加

The generation of a crystallization product can be suppressed because a plating liquid 1 adherent to the plating tank can suppress to be dried by introducing a humidified, inert gas into the plating tank after a semi-conductor device substrate 6 is taken out from the plating liquid 1. - 特許庁

第１導電型半導体基板１上に、少なくとも第１導電型クラッド層４、活性層５、第２導電型クラッド層８、第２導電型コンタクト層１０、エッチングストップ層１１、及び不純物を含む拡散源層１２を順次積層する。例文帳に追加

On a first conductivity type semiconductor substrate 1, at least a first conductivity type clad layer 4, an active layer 5, a second conductivity type clad layer 8, a second conductivity type contact layer 10, an etching stop layer 11, and a diffusion source layer 12 containing impurities are laminated in order. - 特許庁

成膜中に真空チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入ノズルを有し、基板を直線状に搬送しつつ、抵抗加熱によって成膜材料を加熱蒸発して真空蒸着を行うことにより、前記課題を解決する。例文帳に追加

The device has a gas inlet nozzle which introduces an inactive gas into a vacuum chamber during the formation of a film and vacuum evaporation is carried out, by heating and vaporizing a material for forming the film through resistance heating, while substrates are conveyed linearly. - 特許庁

外部の空気が内部空間に浸透することなく、しかも内部空間から不活性ガスなどの封入ガスが漏出しないように基板間周縁部を封着できる封着用樹脂組成物、およびそれを用いたディスプレイ素子や真空複層ガラスなどの封着構造体。例文帳に追加

To provide a resin composition for sealing capable of sealing a periphery of a space between substrates so that an outer air may not to permeate into the inside space, and not to leak a sealed gas such as an inert gas from the inside space, and a sealed structure such as a display element or vacuum double layered glass or the like made by using it. - 特許庁

ＺｎＳｅ基板１に形成され、活性層４を２つのクラッド層３，５で挟む発光素子１０であって、上記の２つのクラッド層のうち、一方のクラッド層はｐ型不純物が導入されたｐ型半導体５であり、他方のクラッド層がアンドープ半導体で３ある。例文帳に追加

A light-emitting device 10, which is formed on a ZnSe substrate 1 and whose two cladding layers 3 and 5 interpose an active layer 4, and one of the two cladding layers is a p-type semiconductor 5 where a p-type impurity is introduced, and the other cladding layer is an undoped semiconductor 3. - 特許庁

ガラス基板１上に成膜されたａ‐Ｓi膜３表面上にＮi４を微量添加し、不活性雰囲気下において熱処理を行って結晶性ケイ素膜３aとし、レーザ光５を照射してより高品質な結晶性ケイ素膜３bにする。例文帳に追加

A small quantity of Ni 4 is added onto the surface of an a-Si film 3 formed on a glass substrate 1, and heat treatment is conducted in an inactive atmosphere to turn the a-Si film 3 into a crystalline silicon film 3a, and then a laser beam 5 is irradiated on the crystalline silicon film 3a to turn it into a higher quality crystalline silicon film 3b. - 特許庁

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。例文帳に追加

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1. - 特許庁

露出したカップリング剤等の多くの金属を捕捉する性質を持つ物質を不活性な状態にするとともに、めっき工程で生成する金属核を捕捉しないようにし、パターン外の析出やブリッジ発生がない、絶縁性配線基板の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an insulative wiring board, by which the deposition or the formation of bridges on the outside of a pattern can be suppressed by inactivating a substance having a property to trap multiple metals due to an exposed coupling agent and at the same time, inhibiting trapping of metal-nuclei formed in a plating process. - 特許庁

不揮発性半導体メモリ１２のメモリセルでは、ガラス基板２上の高融点金属材の制御ゲート２２上にゲート絶縁膜２４を介して電荷蓄積層２６が形成され、さらに電荷授受用絶縁膜３２を介して制御ゲート２２と交差する活性層３４が形成されている。例文帳に追加

In memory cells of a non-volatile semiconductor memory, a charge storage layer 26 is formed on a control gate 22 made of high melting point metal formed on a glass substrate 2 through a gate insulating film 24, and an active layer 34 which process at right angles with the control gate 22 is formed through an insulating film 32 for transferring charges. - 特許庁

酸化物を形成し得る金属元素を含む有機金属化合物の溶液を出発原料とし、該溶液を基板上に塗布して乾燥した後、仮焼成を行い、次いで本焼成を行うことにより酸化物薄膜を成膜するに際し、前記仮焼成を、前記有機金属化合物に対して不活性である雰囲気下で行う。例文帳に追加

A solution of an organometallic compound containing an oxide- forming metal element is used as a starting raw material and the solution is applied to a substrate, dried, calcined and subjected to main baking to form an oxide thin film. - 特許庁

Ｎ型の半導体基板２１上に不純物濃度が低いＮ型の半導体層２２をエピタキシャル成長させ、その表面に所望のパターンの酸化膜を形成し、それをマスクとしてイオン注入により活性領域エッジ部２８およびガードリング領域２４を形成する。例文帳に追加

An N type semiconductor layer 22 having a low impurity concentration is epitaxially grown on an N semiconductor substrate 21, a desired pattern of oxide film is formed thereon, and the substrate is subjected to ion implantation with use of the pattern as its mask to form an active region edge 28 and a guard ring region 24. - 特許庁

基板温度を４００℃以上８００℃以下にしてイオン注入を行うことで、イオン注入時の炭化珪素層の結晶性悪化が抑制され、不純物の炭化珪素層内での凝集等の問題なく、活性化アニール等でのベースコンタクト部１５のエッチングが抑制される。例文帳に追加

When ions are implanted while holding the substrate temperature between 400-800°C, crystallinity aggravation of a silicon carbide layer is suppressed when ions are implanted, problems of aggregation of impurities, and the like, are eliminated in a silicon carbide layer and etching of the base contact portion 15 is suppressed in activated annealing, or the like. - 特許庁

本発明は、吸着したキレート剤を不活性化するとともに、置換及び還元めっき法のＡｕイオン及び生成したＡｕ核を捕捉しないようにし、パターン外の析出やブリッジ発生がない、絶縁性配線基板の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an insulative wiring board, by which the deposition or the formation of bridges on the outside of a pattern can be suppressed by inactivating an adsorbed chelating agent and at the same time, inhibiting trapping of Au ion and formed Au-nuclei in a substitution or reduction plating method. - 特許庁

電子部品１２０の活性面１２３をベース基板１１０の一面に一致させて配置することにより、別のビアホール加工が不要であり、多大な費用が消耗されるレーザー工程を省略することができるとともに、製造工程を簡素化することができ、製造費用を節減することができる。例文帳に追加

The active surface 123 of the electronic component 120 is disposed on the one surface of the base substrate 110 so as to correspond to the one surface thereof; thus, processing for another via hole is unnecessary and a laser process that requires high cost can be omitted, and moreover the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be saved. - 特許庁

被覆手段のボンディングヘッド挿入用開口部の位置を変更可能として，小さな開口部で，大型で多数か所のボンディング位置を有する基板に対しても，不活性ガス雰囲気中で電子部品をボンディング可能とする。例文帳に追加

To bond an electronic component in an inert gas atmosphere even to a substrate which is large-sized and has many bonding positions with a small opening for insertion of a bonding head of a coating means by enabling the position of the opening to be changed. - 特許庁

発光素子２を素子実装基板３に実装し、素子実装基板３上の発光素子２を加熱されたガラス５１により封止する発光装置の製造方法において、発光素子２の封止は、酸素含有の不活性ガスの雰囲気にて行うようにし、封止時におけるガラス５１の還元作用を抑制した。例文帳に追加

In the method of manufacturing the light-emitting device by mounting a light-emitting element 2 on an element mounting substrate 3 and sealing the light-emitting element 2 on the element mounting substrate 3 with heated glass 51, the light-emitting element 2 is sealed in an atmosphere of inert gas containing oxygen, thereby preventing a reduction action of the glass 51 during sealing. - 特許庁

この発明の金属酸化物半導体薄膜の製造方法は、有機金属と有機溶媒とから成る溶液を基板に付着させ加熱分解し基板上に薄膜を焼成成膜させ、その後不活性ガス中で熱処理を行うことにより金属酸化物半導体薄膜を製造する、ことを特徴としている。例文帳に追加

A manufacturing method for metal-oxide semiconductor thin films comprises a process of so sticking on a substrate the solution made of an organic metal and an organic solvent and so subjecting the solution to a heating decomposition as to form a thin film on the substrate by baking, and a process of subjecting thereafter the thin film to heat treatment inside an inert gas. - 特許庁

ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an activation of an impurity element added to semiconductor film by a heat treatment in a short time without deforming a substrate in a manufacturing process of a semiconductor device using a substrate having a low heat resistance such as a glass or the like, a method for gettering the semiconductor film and a heat treating system capable of such heat treating. - 特許庁

ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for activating an impurity element added to a semiconductor film in heat treatment for short time and performing a gettering processing on the semiconductor film without deforming a substrate in the manufacturing processor of a semiconductor device where the substrate having low heat resistance such as glass is used, and to provide a heat treatment device where such heat treatment is realized. - 特許庁

マグネトロンスパッタ法により基板８面上に多層の光学層を有する光学薄膜を形成する際、スパッタ槽１内に不活性ガスおよび反応性ガスを導入し、１．３×１０^-1Ｐａ以下の放電圧力の条件下において反応性マグネトロンスパッタ法により基板８面上に順次光学層を形成させる。例文帳に追加

This method for forming the optical thin film having many optical layers with a magnetron sputtering method on the surface of a substrate 8 comprises, introducing inert gas and reactive gas into a sputter chamber 1, and sequentially forming the optical layer on the substrate 8, under a condition of a discharge pressure of 1.3×10-1 Pa or less, with a reactive magnetron sputtering method. - 特許庁

有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。例文帳に追加

The film formation method by vacuum deposition uses, as a concurrently evaporating substance, an inactive molecule which has vapor pressure of 1 Pa or less at room temperature but shows higher vapor pressure than that of an organic semiconductor molecule, evaporates or sublimes under the vacuum deposition condition, and exhibits volatility on a heated substrate, when vacuum-depositing the organic semiconductor molecule constituting the vapor deposition film of the organic semiconductor on the substrate. - 特許庁

表面に変質層が形成されたレジスト膜を有する半導体基板を、処理チャンバ内に搬入するステップと、半導体基板を加熱するとともに、処理チャンバ内に不活性ガスを導入して処理チャンバ内の圧力を上げるステップと、次いで、処理チャンバ内に酸素ガスを導入し、酸素ガスのプラズマによってレジスト膜をアッシングするステップとを有する。例文帳に追加

This method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: carrying a semiconductor substrate having a resist film formed with an altered layer on a surface thereof into a processing chamber; heating the semiconductor substrate, and increasing pressure in the processing chamber by introducing inactive gas into the processing chamber; and then introducing oxygen gas into the processing chamber and ashing the resist film by plasma of the oxygen gas. - 特許庁

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第１および第２の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するＳＯＩ基板の、第１の領域に形成された不純物拡散領域をドレイン領域とするＭＯＳトランジスタと、第１の配線層とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer. - 特許庁

より詳細には、反応炉の前端部に位置させた前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた基板を、不活性気体が流れる雰囲気下において熱処理して、前記基板上に二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを形成させる製造方法及びこの製造方法によって製造された二元合金単結晶ナノワイヤまたは二元合金単結晶ナノベルトを提供する。例文帳に追加

In more detail, the invention provides a method of fabricating a binary alloy nanowire or nanobelt which comprises placing a precursor on the front part of a reaction furnace and a substrate on the rear part of the furnace, and heat-treating both precursor and substrate under inert gas atmosphere, and in addition, a binary alloy nanowire or nanobelt fabricated by the above method. - 特許庁

基板の処理を行う処理室２０２に連接される移載室１０２をガスでパージするように制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記移載室１０２内のガスの流れを一方向に排気させる機能と、前記移載室１０２内に不活性雰囲気でガスを循環させる機能と、を切替える切替手段を有する。例文帳に追加

The substrate processing apparatus includes a controller that performs control so that the transfer chamber 102 connected to a processing chamber 202 for processing a substrate is purged by gas, the controller having a switching unit that switches a function of exhausting the gas in the transfer chamber 102 in one direction, and a function of circulating the gas through the transfer chamber 102 in an inert gas atmosphere. - 特許庁

基板湿式洗浄装置１００は、基板処理用ケミカルが収容される内部薬液槽１０１と外部薬液槽１０２からなる薬液槽と、内部薬液槽１０１内に設置され、加熱体１５５及び該加熱体１５５を収容するハウジング１５０を備える加熱部と、ハウジング１５０内に充填された不活性ガスとを備える。例文帳に追加

A substrate wet cleaning apparatus 100 comprises a chemical bath consisting of an inner chemical bath 101 in which chemicals for substrate processing are contained and an outer chemical bath 102, a heating part installed within the inner chemical bath 101 and comprising a heating body 155 and a housing 150 that houses the heating body 155, and an inactive gas filled in the housing 150. - 特許庁

一端が開口した、コンダクタンスが制御された可動ターゲットユニット内部にＡｒ，Ｘｅ，Ｋｒ等の不活性ガス供給孔を設け、該ターゲットと基板間に少なくともフッ素もしくは酸素を含む反応性ガスを供給可能な反応性スパッタリング装置において、該反応性ガスが基板方向に噴出する構成とする。例文帳に追加

In a reactive sputtering device where the inside of a movable target unit whose one end is opened and in which conductance is controlled is provided with an inert gas feed hole for Ar, Xe, Kr or the like, and the reactive gas including at least fluorine or oxygen can be fed to the space between the target and a substrate, the reactive gas is jetted to the direction of the substrate. - 特許庁

圧電基板３２上にＩＤＴ電極３３を形成した後で、前記圧電基板の主としてＩＤＴ電極上に二酸化珪素による保護膜を形成するようにしたＳＡＷデバイスの製造方法であって、チャンバー内に、不活性ガスを導入するとともに、該チャンバー内に酸素を同時に導入しながらスパッタリングにより前記二酸化珪素膜を成膜することにより形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing the SAW device for making a protecting film formed by silicon dioxide mainly on an IDT electrode of a piezoelectric substrate after forming the IDT electrode 33 on the piezoelectric substrate 32, the SAW device can be formed by forming the silicon dioxide film by sputtering while introducing inert gas into a chamber and introducing oxygen into the chamber simultaneously. - 特許庁

この基板は、不活性ガスを導入した高真空室１内のカソード３とアノード４間に４５０〜２０００Ｖの電圧を印加してグロー放電を起こさせ、このグロー放電の陽光柱７内に被処理基板２を２０〜６０秒間滞留させて表面のハードコート層をプラズマ処理することによって得られる。例文帳に追加

This substrate can be obtained by introducing inert gas into a high vacuum chamber 1, applying a voltage of 450 to 2,000 V between a cathode 3 and an anode 4 in the high vacuum chamber 1 to initiate glow discharge, retaining a substrate 2 to be treated within a positive column 7 of the glow discharge for 20-60 s to apply plasma treatment to the hard coat layer on the surface. - 特許庁

自然酸化膜の除去されたシリコン基板を提供する段階と、酸化工程を行って前記シリコン基板上に酸化膜を形成する段階と、前記酸化膜の内部に存在するトラップチャージを減少させるために不活性ガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気の下で高温熱処理工程を行う段階とを含むことを特徴とする。例文帳に追加

An oxide film formation method for the semiconductor element comprises: a stage for providing a silicon substrate wherein a natural oxide film is removed; a stage for performing an oxidizing process to form an oxide film on the silicon substrate; and a stage for performing a high-temperature heat treatment process under a mixed gas atmosphere of inert gas and oxygen gas in order to reduce trap charge existing in the oxide film. - 特許庁

本発明のガス放電パネルの製造方法は、対向する基板の間を排気する工程と、対向する基板の間に放電ガスを導入する工程を有するガス放電パネルの製造方法であって、排気する工程にて使用する配管または導入する工程で使用する配管内に、放電ガスとは異なる組成の不活性ガスを供給することを特徴とする。例文帳に追加

The method of manufacturing the gas discharge panel includes a step of exhausting air between opposed substrates, and a step of introducing discharge gas between the opposed substrates, and further, supplies inert gas having a different composition from the discharge gas in a pipe used for a step of exhausting air or for a step of introducing discharge gas. - 特許庁

表面に複数の凹部が形成された基板に、触媒を、前記表面に対し斜めである所定方向から物理的堆積方法を用いて堆積させるＡ工程と、前記表面のうち、前記凹部以外の部分に堆積した前記触媒を除去又は不活性化するＢ工程と、を備えることを特徴とするＣＮＴ合成用基板の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method of a substrate for CNT synthesis is characterized by providing with A step for depositing a catalyst on a substrate on the surface of which a plurality of recesses are formed by using a physically depositing method from a designated diagonal direction against the surface, and with B step for removing or inactivating the catalyst deposited on the part other than the recesses among the surface. - 特許庁

該表面改質微粒子有機顔料は、少量の不活性ガスを導入した真空容器内で有機顔料を気化させることによって生成する超微粒子有機顔料を基板に捕集した後、前記基板上の超微粒子有機顔料に対して反応性ガスの存在下で放電プラズマ処理を実施することにより製造される。例文帳に追加

The surface-modified ultrafine organic pigment particle can be produced by evaporating an organic pigment in a vacuum vessel containing a small amount of an inert gas introduced into the vessel, collecting the produced ultrafine particles of the organic pigment on a substrate and subjecting the organic pigment on the substrate to discharge plasma treatment in the presence of a reactive gas. - 特許庁

酸素と不活性ガスからなるスパッタリングガスを含む雰囲気下で酸化亜鉛ターゲットを用いてスパッタリングすることにより、酸化亜鉛薄膜を基板上に成膜する成膜方法であって、前記基板にパルスバイアスを印加しつつ成膜することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。例文帳に追加

In this method for forming the zinc oxide thin film, the zinc oxide thin film is formed on a substrate by carrying out sputtering by using a zinc oxide target in an atmosphere containing the sputtering gas comprising oxygen and an inactive gas, and the thin film is formed while applying a pulse bias to the substrate. - 特許庁

ガラスなど耐熱性の低い基板を用いた半導体装置の製造工程において、基板を変形させることなく、短時間の熱処理で半導体膜に添加した不純物元素の活性化や、半導体膜のゲッタリング処理をする方法と、そのような熱処理を可能とする熱処理装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a heat treatment method which can activate impurity elements doped in a semiconductor film and capture harmful impurities in a semiconductor film by a heat treatment in a short time without deformation of a substrate, in a manufacturing process of a semiconductor device using a low heat resistance substrate such as a glass substrate, and to provide a heat treatment apparatus which can realize such a heat treatment. - 特許庁