「不活性基板」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

酸素イオンの注入後であって熱処理以前にシリコン基板を不活性ガス若しくは還元性ガス又は混合ガス雰囲気において１０００℃から１２８０℃の温度範囲で５分〜４時間の前熱処理を行う。例文帳に追加

Before the treat treatment after implanting oxygen ion, the silicon substrate is heat pretreated in a temperature range of 1,000-1,280°C in an inert gas, reductive gas or mixed gas atmosphere for 5 minutes to 4 hours. - 特許庁

また、噴霧を停止した後、公転するＳＯＩ基板１００が、空気流による摩擦で発生する静電気を除去するために、マイナスイオンを含む窒素などの不活性ガスを、吹きつけながら乾燥させて、スティッキング現象を防止する。例文帳に追加

After spraying, an inert gas such as nitrogen including anion is blown against the SOI substrate 100 while drying to eliminate static electricity generated by friction between the substrate and airstream for preventing the sticking phenomenon. - 特許庁

固体酸化物形燃料電池において、燃料極３と多孔質金属基板６との間に不活性であり、電気導電性の電気導電性層５を備える。例文帳に追加

In a solid-oxide fuel cell, an inert and electrically conductive layer 5 is formed in between a fuel electrode 3 and a porous metal substrate 6. - 特許庁

導電性基板の一部を構成する導電性層１２上に多結晶シリコンからなる層状の半導体層たる多結晶シリコン層３を形成した後、多結晶シリコン層３を不活性ガス中でアニールする。例文帳に追加

A polycrystal silicone layer 3 which is a layered semiconductor made of polycrystal silicon is formed on a conductive layer 12 constituting a part of a conductive substrate, and the polycrystal silicon layer 3 is annealed in inert gas. - 特許庁

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。例文帳に追加

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher. - 特許庁

各マイクロレンズＬは、閉空間ＳＰ内の空洞Ｃに充填された不活性気体に接し、素子基板２０に垂直な方向において、各発光素子１４に重なっている。例文帳に追加

Then each of micro-lenses L makes contact with inert gas filled in a cavity C in the closed space SP and overlaps each light emitting element 14 in a direction perpendicular to the element substrate 20. - 特許庁

半導体装置において、ガラス基板等からの不純物の回り込み活性層に進入するのを抑制して、半導体装置の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability of a semiconductor device by preventing impurities from creeping from a glass substrate and the like into an active layer in the semiconductor device. - 特許庁

半導体基板中の不純物領域の活性化を波長１．１μｍ以下の領域に主たるスペクトラムのピークをもつ電磁波の照射で行うようにした。例文帳に追加

The activation of an impurity region in a semiconductor substrate is carried out by means of emission of an electromagnetic wave whose principal spectrum peak exists in a wavelength region of 1.1 μm or shorter. - 特許庁

ポリマー残留物はフッ化炭素を含有する一または複数のガス及び少なくとも一の不活性ガス構造を備えるプラズマに基板を露出させることにより除去する。例文帳に追加

The polymer residue is removed by exposing the substrate to a plasma provided with one or more gases containing carbon fluoride and at least one inert gas structure. - 特許庁

プラズマを用いて基板の酸化処理を行うプラズマ酸化処理方法において、プラズマ発光波長が所望の範囲となるように、プラズマ生成に使用される不活性ガスを選択する。例文帳に追加

In the plasma oxidation treatment method for subjecting a substrate to a plasma oxidation treatment, inert gas used for generating plasma is so selected as to enable the wavelength of plasma emission light to be in a prescribed range. - 特許庁

本発明によると、基板の非活性領域である縁部のダミー部分にレジストをマスキングすることにより、メッキ工程でダミー部分に不必要にメッキが形成されることを防止し、製造コストを下げることができる。例文帳に追加

The present invention can prevent the dummy portions from being unnecessarily plated during performing plating by masking the resist on the dummy portion edge corresponding to the non-active region of the substrate, and thus the manufacturing costs can be reduced. - 特許庁

基板２０上にゲート電極２１、ゲート絶縁膜２２、活性領域として働く真性非晶質シリコン層２３、不純物含有非晶質シリコン層２４を形成する。例文帳に追加

On a substrate 20, a gate electrode 21, a gate insulation film 22, an intrinsic amorphous silicon layer 23 for working as an active region and an impurity containing amorphous silicon layer 24 are formed. - 特許庁

プラズマドーピングと活性化アニールを同時に実施する場合にも、不純物の外方拡散によるシリコン基板表面、またはポリシリコン電極表面の濃度低下を防止する。例文帳に追加

To prevent the reduction of concentration on the surface of a silicon substrate or the surface of a polysilicon electrode due to the external diffusion of impurity, even when simultaneously executing plasma doping and activating annealing. - 特許庁

加熱室１０内及び冷却室３０内は不活性ガス雰囲気で維持され、成形室２０内はガラス基板のプレス成形の前に真空状態に排気される。例文帳に追加

The heating chamber 10 and the cooling chamber 30 are filled with an inert gas and the forming chamber 20 is evacuated prior to the press-forming of a glass substrate. - 特許庁

半導体基板の上に形成した絶縁膜組成物に不活性ガス雰囲気下、３５０℃以下の温度で第１の加熱処理を行い非多孔質絶縁膜を形成する。例文帳に追加

An insulation film composition formed on a semiconductor substrate is subjected to first heat treatment under an inert gas atmosphere at a temperature of 350°C or lower to form a non-porous insulation film. - 特許庁

不揮発性半導体記憶装置１０では、第１の幅Ｗ１を有する活性領域１２が、半導体基板１１の主面に形成された素子分離層１３で分離されている。例文帳に追加

In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11. - 特許庁

基板下面に不活性ガスを所定圧力に達するまで供給する時間を短縮させてスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma processing apparatus in which throughput is enhanced by shortening the time required for supplying inert gas to the lower surface of a substrate until a specified pressure level is reached. - 特許庁

（ａ）ＩＧＢＴまたはＭＯＳＦＥＴの製造に用いられる、表層部に不純物が添加された半導体基板の活性化深さの目標値を決定する。例文帳に追加

(a)A target value is set of activation depth of a semiconductor substrate in which impurities are added to a surface layer part used for manufacturing an IGBT or a MOSFET. - 特許庁

ｐ型半導体層の膜質の劣化を避けるとともに、ｐ型半導体層におけるｐ型不純物の活性化を可能とする、ｐ型半導体層を備える基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a substrate having a p-type semiconductor layer capable of avoiding deterioration in the film quality of the p-type semiconductor layer and activating p-type impurities in the p-type semiconductor layer. - 特許庁

シリコン基板上にシリコン酸化膜および金属珪酸化膜を順に形成した後、活性酸素を含む雰囲気中で熱処理を行い、シリコン酸化膜および金属珪酸化膜に含まれる不純物を除去する。例文帳に追加

After forming a silicon oxide film and a metal silicificated film on a silicon substrate in order, the substrate is heat-treated in an atmosphere containing active oxygen to remove impurities contained in the silicon oxide film and the metal silicificated film. - 特許庁

また、レンズユニット２１内部の雰囲気を不活性ガスにより置換するために、ＢＯ素子１５の外周部のＢＯ基板１１に４個の貫通孔２５が設けられている。例文帳に追加

Four through holes 25 are provided in the BO substrate 11 on the outer periphery of the BO element 15 in order to substitute an inert gas for the atmosphere within the lens unit 21. - 特許庁

不活性ガスは、処理チャンバに導入され（２２０）、プラズマは、一般的にはトレンチ充填材料の堆積が行われるべき温度である事前設定された温度に基板を加熱するために形成される（２２２）。例文帳に追加

An inert gas is introduced into the process chamber (220), and generally, plasma is formed to heat the substrate to a predetermined temperature at which the trench filling material should be deposited (222). - 特許庁

本発明は、有機化合物の集合体を分散させたコロイド溶液（ゾルとも呼ぶ）を用いたスプレー噴射により不活性ガス雰囲気下で基板上に有機化合物膜を形成することを特徴としている。例文帳に追加

An organic compound membrane is formed on a substrate in an inert gas atmosphere by spray injection employing a colloidal solution (called a sol) in which an aggregate of an organic compound is dispersed. - 特許庁

基板４と容器６とが離間される際、この離間された領域に気体の吹出し治具３０より不活性ガスまたはドライエアーを吹き出して、エアーカーテンを形成することを特徴とする。例文帳に追加

When the substrate 4 and the container 6 are separated, an air curtain is formed by blowing inactive gas or dry air into this separated region with a gas blowing jig 30. - 特許庁

基板から電子部品を取り外す電子部品取り外し装置において、低酸素雰囲気を形成するための不活性ガスの消費量を低減した電子部品取り外し装置を提供することにある。例文帳に追加

To obtain an apparatus for removing electronic components from a board, wherein the consumption of an inert gas for forming a low-oxygen atmosphere is reduced. - 特許庁

前熱処理後にシリコン基板を６００℃〜１１００℃まで不活性ガス若しくは還元性ガス又はこれらとの混合ガス雰囲気において降温させた後にアルゴンと酸素の混合ガス雰囲気における熱処理を行うことが更に好ましい。例文帳に追加

After lowering the temperature of the heat pretreated silicon substrate down to 600-1,100°C in the inert, reductive or mixed gas atmosphere, it is preferably heat treated in a mixed gas atmosphere of argon with oxygen. - 特許庁

半導体基板１を回転させながら、ハンプ処理用流体吐出ノズル５５から、純水等の不活性な液体６４ａを所定の圧力をもって吐出させ、ハンプ３ａが発生している領域へ噴き付ける。例文帳に追加

An inactive liquid 64a such as pure water is discharged from a hump processing liquid discharge nozzle 55 at a predetermined pressure to be sprayed onto a region where a hump 3a occurs while a semiconductor substrate 1 is being rotated. - 特許庁

このような材料は、スパッタリングで飛ばしたグラファイト６０を不活性ガスの流れ５０によって強制的に金属基板２まで移送してその表面に付着せしめることで製造できる。例文帳に追加

Such material can be manufactured by forcibly transferring the graphite 60 blown off by spattering to the metallic substrate 2 by the flow 50 of an inactive gas and by making it adhere to the surface of the substrate. - 特許庁

基板に与えるダメージを抑制しつつ、注入された不純物の活性化および導入された欠陥の回復の双方を行うことができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thermal processing apparatus and a thermal processing method, capable of performing both of activation of implanted impurities and restoration of introduced defects while suppressing damages to be given to a substrate. - 特許庁

本発明は、有機化合物の集合体を分散させたコロイド溶液（ゾルとも呼ぶ）を散布により不活性ガス雰囲気下で基板上に有機化合物を含む層を形成することを特徴としている。例文帳に追加

A layer containing an organic compound is formed on a substrate under an inactive gas atmosphere by spraying a colloidal solution (also called as sol) in which aggregates of the organic compound are dispersed. - 特許庁

水溶性有機溶剤を不活性ガスによってミスト化することで水溶性有機溶剤ミストを生成し、この水溶性有機溶剤ミストを、複数の噴霧ノズル５１で基板Ａの表面に噴霧する。例文帳に追加

Soluble organic solvent mist is produced by making the soluble organic solvent into mist with inert gas and sprayed on the surface of the substrate A through a plurality of atomizing nozzles 51. - 特許庁

活性化することに起因する不純物の影響を受けず、静電チャックへの基板の吸着状態を検知できる検知センサを備えた、信頼性の向上した常温接合装置を提供する。例文帳に追加

To provide a cold joining device with improved reliability having a detection sensor capable of detecting an attraction state of a substrate to an electrostatic chuck without being influenced by impurities caused by activation. - 特許庁

不純物金属が半導体装置の活性層として機能する半導体層（ＳＯＩ層）に影響を与えない効果的な捕獲を行うことができるＳＯＩ構造の半導体基板を提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor substrate of an SOI (silicon on insulator) structure which can perform effective capturing operation while not exerting influence upon a semiconductor layer (SOI layer) wherein impurity metals function as the active layer of the semiconductor device. - 特許庁

続いて、真空中または窒素（Ｎ_2 ）などの不活性気体雰囲気中で、駆動用基板１１を正孔注入層１７Ａのガラス転移点以上の温度で例えば１０分間加熱する。例文帳に追加

Subsequently, the driver substrate 11 is heated, for example, for 10 minutes under the temperature of glass transition point or higher of the hole implanting layer 17A under the vacuum condition or under the inert gas atmosphere such as nitrogen (N_2). - 特許庁

露光光として紫外光を用い、マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。例文帳に追加

To provide a device for purging an ultraviolet ray path in an aligner partially effectively by inert gas in the aligner that applies a mask pattern to a photosensitive substrate via a projection optical system by using ultraviolet rays as exposure light. - 特許庁

２枚の基板を貼り合わせる前に、少なくとも配向膜を減圧下若しくは不活性ガス雰囲気下で乾燥する工程を設け、そのまま大気に曝すことなく前記貼り合わせまで行なうようにする。例文帳に追加

A step for drying at least an alignment layer under reduced pressure or under an inert gas atmosphere is provided before two substrates are stuck to each other and then sticking is performed without exposing the alignment layer to the atmosphere. - 特許庁

不活性ガスを印刷装置の設置された空間全体に行き渡らせることなく、基板上に塗布された印刷材料の劣化を抑えることができる印刷装置及び印刷方法を提供する。例文帳に追加

To provide a printer and a printing method in which deterioration of a printing material coated on a substrate can be suppressed without spreading inert gas over the whole space installed in the printer. - 特許庁

半導体基板の裏側の表面から深さ１μｍ以上の深い領域に形成されるフィールドストップ層の不純物の活性化率を高めることが困難である。例文帳に追加

To solve the problem that it is difficult to increase an activation rate of impurities in a field stop layer formed in a region ≥1 μm deep from a backside surface of a semiconductor substrate. - 特許庁

そして、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出させる。例文帳に追加

And, inert gas is jetted from a plurality of gas exhaust nozzles 9b provided at a facing surface 9a in a space formed between a top face of the substrate W and the facing surface 9a of an atmosphere shielding plate 9. - 特許庁

ＳＯＩ基板上に形成された低不純物濃度のｐ型活性層３の表面から絶縁層２に到達する深さでｎ型ドレイン層６が形成されている。例文帳に追加

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate. - 特許庁

基板上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層が形成された蛍光体プレートを空気又は不活性ガス雰囲気下で熱処理と有機溶剤ガス雰囲気下で熱処理を行う。例文帳に追加

A phosphor plate made by forming a stimulable phosphor layer on a substrate by a gas-phase deposition method is heat-treated in an air or inert gas atmosphere and then heat-treated in an organic solvent gas atmosphere. - 特許庁

絶縁表面を有する基板１０１上の半導体薄膜を用いて構成された不揮発性メモリにおいて、活性層側端部１１０をテーパ形状に形成する。例文帳に追加

In the nonvolatile memory constituted by using a semiconductor thin film on a substrate 101 having an insulation film, the side end 110 of the active layer is formed into a taper shape. - 特許庁

投影光学系と基板との間の空間などの露光光が通過する空間（光路空間）内のガスの不活性ガスへの置換時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten substitution time of gas in a space (light path space) where an exposure light passes, such as the space between a projection light system and a substrate, with an inert gas. - 特許庁

圧力がほぼ大気圧の還元雰囲気または不活性雰囲気中において、半田６とこの半田によって半田付けされる基板２とＩＣ４を加熱して、半田を溶融させる。例文帳に追加

In a reducing atmosphere or an inert atmosphere which is approximately atmospheric pressure, by heating the solder 6, a substrate 2 to be soldered with the solder and an IC4, the solder is molten. - 特許庁

マスクのパターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置において、露光装置内の露光光路を不活性ガスで部分的に有効にパージする装置を開発する。例文帳に追加

To develop an exposure apparatus for effectively partly purging an exposure optical path in the apparatus with an inert gas for emitting a pattern of a mask to a photosensitive substrate via a projection optical system. - 特許庁