例文 (47件) |
厚膜導波路の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 47件
膜厚変化薄膜の製造方法及びこれを用いた光導波路例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING FILM THICKNESS CHANGING THIN FILM AND OPTICAL WAVEGUIDE USING THE SAME - 特許庁
この時、最下層の光導波路31の形成領域は、酸化膜23及びアルミ遮光膜24を取り除き、中間層の光導波路31は他の光導波路の膜厚よりも薄くする。例文帳に追加
At this time, the oxidized film 23 and the aluminum light shielding film 24 are removed in the region formed with the optical waveguide 31 of the lowermost layer and the optical waveguide 31 of the intermediate layer is formed thinner than the film thickness of the other optical waveguides. - 特許庁
絶縁膜12,14に挟まれるシリコン層13に、光導波路(肉厚部)61が形成されている。例文帳に追加
An optical waveguide (thick portion) 61 is formed on a silicon layer 13 sandwiched by insulation films 12, 14. - 特許庁
簡便な方法により、低コストで高分子光導波路を製造する方法であって、任意の厚み、特に薄膜の高分子光導波路の製造が可能な高分子光導波路の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of polymer optical waveguide whereby a polymer optical waveguide of an arbitrary thickness, particularly, of a thin film is manufactured at a low cost by using a simple method. - 特許庁
チャネル導波路アレイとスラブ導波路との界面付近のアレイ導波路間に、スラブ導波路から離れていくに従って膜厚が薄くなっていく縦テーパ状のコア層を容易にかつ再現性良く作製するための製造方法を提供すること。例文帳に追加
To provide a method that facilitates manufacturing a vertically tapering core layer, wherein a film thickness is reduced as it is separated from a slab waveguide, with good reproducibility between array waveguides in the vicinity of the boundary of a channel waveguide array and the slab waveguide. - 特許庁
マルチモードの光導波路として十分な厚み30μm以上程度の厚膜のコア層を、精度良く、かつ容易に形成することができる光導波路の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of optical waveguide capable of accurately and easily forming a core layer having a film thickness of approximately 30 μm or above sufficient as a multi-mode optical waveguide. - 特許庁
マルチモードの光導波路として十分な厚み10μm以上、特には30μm以上程度の厚膜のコア層を、容易かつ効率的に形成することができる光導波路の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of optical waveguide capable of easily and efficiently forming a core layer having a film thickness of ≥10 μm sufficient as a multi-mode optical waveguide and particularly approximately ≥30 μm. - 特許庁
基板1と光導波路構造層10との間には、カプラー層が配置され、光導波路4の下部の領域におけるカプラー層の膜厚分布範囲は、最小膜厚30オングストローム以上、最大膜厚200オングストローム以下の範囲である。例文帳に追加
A coupler layer is disposed between the substrate 1 and the optical waveguide structure layer 10, and the film thickness distribution range of the coupler layer in the region below the optical waveguide 4 is such that the minimum film thickness is ≥30 angstroms and the maximum film thickness is ≤200 angstroms. - 特許庁
この方法により、シリコン基板上に、厚膜の二酸化シリコン膜により形成される、クラッド層に埋め込まれた光導波路を生成する。例文帳に追加
By this method, a light guide embedded in a clad layer is formed on a silicon substrate with a thick silicon dioxide film. - 特許庁
光導波路として、シリコン基板上に厚さ10μm以上の酸化膜を形成する際に、不純物もしくはパーティクルなどの汚染を防止した光導波路膜の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of an optical waveguide film prevented from being contaminated by impurities or particles when an oxide film having 10 μm or more thickness is formed on a silicon substrate as the optical waveguide. - 特許庁
選択成長で作製されるマイクロアレイ導波路の各アレイ内導波路の精密な組成分布及び膜厚分布を実現することができる、半導体光素子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a semiconductor optical element, capable of realizing a precise composition distribution and a film thickness distribution of a waveguide in each array of a micro-array waveguide manufactured by a selective growth. - 特許庁
そして、基板1上の、光導波路2を構成する第1及び第2の分岐光導波路3−1及び3−2の少なくとも一部において、光導波路よりも高実効屈折率の材料からなる膜体6を、前記光波の波長の1/4以下の厚さとなるように形成する。例文帳に追加
At least part of 1st and 2nd branch optical waveguides 3-1 and 3-2 constituting the optical waveguide 2 on the substrate, a film body 6 of a material having a higher effective refractive index than the optical waveguide is formed to thickness less than a quarter as large as the wavelength of the light wave. - 特許庁
厚膜形成性,硬化性,耐熱性等に優れた光導波路形成用樹脂組成物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路を提供する。例文帳に追加
To provide a resin composition for an optical waveguide, having excellent thick membrane-forming properties, curability, heat resistance, etc.; to provide a method for preparing the composition; and to provide the optical waveguide using the composition. - 特許庁
これにより、ビーム入出射カプラは、平面導波路上に薄膜形態に集積されて光ヘッドの厚さを大幅に狭めることができる。例文帳に追加
Thereby, the beam input/output coupler is integrated as a thin film on the planar waveguide and thickness of the optical head can be substantially reduced. - 特許庁
シリコン基板の表面を比較的厚く酸化して、表面に光導波路となる石英膜を形成させる際、酸化誘起積層欠陥を起因とするパーティクルまたは凹状ピットが石英膜上に少ない高品質な光導波路基板を製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing an optical waveguide substrate of high quality in which particles or recessed pits caused by an oxidation- induced lamination defect are few on a quartz film when the quartz film becoming an optical waveguide is formed on the surface by oxidizing the surface of a silicon substrate relatively thick. - 特許庁
本発明は、コア膜厚のバラツキを低減させ、且つコア膜厚への不純物混入及び物理的損傷を防止することで光学特性を向上させることができる石英系光導波路の製造方法を提供することにある。例文帳に追加
To provide the manufacturing method of a quartz system optical waveguide which can reduce variations in core film thickness and also can raise optical characteristics by preventing the incorporation of impurities to the core film thickness and physical damage. - 特許庁
好適には、光導波路のうち入射光が全反射しない側のクラッド層15の膜厚を全反射する側のクラッド層15の膜厚より薄く形成する。例文帳に追加
Preferably, each optical waveguide has its clad layer 15 made smaller in film thickness on a side where incident light is not totally reflected than on a side where the incident light is totally reflected. - 特許庁
リッジ型光導波路と電極パッドを形成する有機樹脂の厚膜領域との間にあり且つ前記電極パッドを形成する領域の下部に、その一部を埋め込まれるごとく配置された、前記リッジ型光導波路とは別体のメサストライプ構造体を配した半導体光装置である。例文帳に追加
A mesa stripe structure is separated from a ridged optical waveguide and is so arranged at the lower part of the region forming an electrode pad as to be embedded by a part of it, between the ridged optical waveguide and a thick film region of organic resin forming the electrode pad. - 特許庁
選択成長により一括して光導波路3を形成する光変調器集積半導体レーザにおいて、レーザ部10と変調器部11の境界に、バンドギャップ及び膜厚がテーパー状に変化する光導波路3の遷移領域9を形成する。例文帳に追加
In a light modulator integrated semiconductor laser in which an optical waveguide 3 is formed collectively by selective growth, a transition area 9 of the optical waveguide 3 in which a band gap and film thickness vary in a tapered manner is formed at boundary between a laser part 10 and a modulator part 11. - 特許庁
さらに、光導波路フィルム11,12は、光入射側11a,12a付近よりそれぞれフィルムの膜厚方向に上下に広げられ、その間にスペーサ15が光導波路フィルム11,12間を押し広げるような形で嵌合している。例文帳に追加
The optical waveguide films 11, 12 are widened vertically in the cross directions of the films from near the light exit sides 11a, 22a and a spacer 15 is fitted therebetween in a manner widening the space between the optical waveguide films 11, 12. - 特許庁
平面型高分子光導波路10は、通過光の波長が850nm付近に設定された光導波路であって、それぞれ、高分子有機化合物からなる、膜厚20μmの平板状のコア層11、及びコア層11を上下から挟む平板状のクラッド層12を備える。例文帳に追加
The plane type macromolecular optical waveguide 10 is an optical waveguide such that the wavelength of passing light is set to about 850 nm, and has a plane type core layer 11 of 20 μm in film thickness which is formed of a macromolecular organic compound and plane clad layers 12 between which the core layer 11 is sandwiched by an upper part and a lower part. - 特許庁
高い透明性及び高い耐熱性を有し、かつ高精度な厚膜形成が可能である光導波路形成用樹脂フィルムに特に有用な光学材料用樹脂組成物、該樹脂組成物を用いた光学材料用樹脂フィルム及びこれを用いた光導波路を提供すること。例文帳に追加
To provide a resin composition having high transparency and high heat resistance, capable of being formed into a thick film having a highly accurate thickness, and especially useful for forming a resin film for an optical waveguide; and to provide the resin film for the optical material using the resin composition and an optical waveguide using the film. - 特許庁
厚みが20μm以下の部分を含む基板を使用した導波路型光デバイスにおいて、基板の破損や金属膜などの偏光手段が基板から剥離することがなく、しかも歩留まりが良く生産性の高い導波路型光デバイスを提供すること。例文帳に追加
To provide a waveguide type optical device, using a substrate including a part of ≤20 μm in thickness, which is free of breakage of the substrate and peeling of a polarizing means, such as a metal film breaking off the substrate and has a high yield and high productivity. - 特許庁
シリコン層13の肉厚部はコアとなり、この肉厚部に対応した絶縁膜12,14はクラッドとなり、所定の経路に沿った光導波路16が形成される。例文帳に追加
The thick portion of the silicon layer 13 is used a core and the insulation films 12, 14 corresponding to the thick portion are used as clads, and the optical waveguide 16 along the predetermined passage is formed. - 特許庁
Zカット型のニオブ酸リチウム基板1と、該基板上にリッジ構造の光導波路が形成された導波路型偏光子において、該リッジ構造の幅は、該光導波路を伝播する光波の常光の光分布が変化するリッジ幅であり、かつ、該光波の異常光の光分布が変化しないリッジ幅であり、該リッジ構造の角度は90°よりも小さく、該リッジ構造の側面に、膜厚が0≦n・t/λ≦0.3742の条件(ただし、nは屈折率,tは膜厚,λは光波の波長であり、膜厚、波長の単位はμmである。例文帳に追加
In the waveguide-type polarizer including a Z-cut lithium niobate substrate 1, and an optical waveguide having a ridge structure that is formed on the substrate, the width of the ridge structure is a ridge width where the distribution of ordinary light of light waves propagated through an optical waveguide changes, and the distribution of extraordinary light of the light waves does not change, the angle of the ridge structure is less than 90°. - 特許庁
各センサ毎に、金属薄膜および屈折率調整層7について膜厚,誘電率を調整し、光導波路の製作条件を調整する。例文帳に追加
A film thickness and a dielectric constant are adjusted with respect to the metal thin film and the refractive index adjusting layer 7 at every sensor to adjust the manufacturing condition of the light waveguide. - 特許庁
厚膜形成性、硬化性、等に優れた重合体を作製可能とする新規なアルキルベンゼン誘導体、ならびにそれを用いた光導波路の提供。例文帳に追加
To provide a new alkylbenzene derivative capable of producing a polymer excellent in thick membrane-forming property, curing property, heat resistance, etc., and an optical waveguide using the same. - 特許庁
シリコン基板100上にSiO_2膜101を形成し、クラッド層103、104と、コア105、106からなる光導波路と光導波路上にCr薄膜ヒータ107、108を形成し、Cr薄膜ヒータパターンの領域で基盤の厚みをうすくしてダイヤフラム構造102を形成した。例文帳に追加
A SiO_2 film is formed on a silicon substrate 100, optical waveguides consisting of clad layers 103, 104 and cores 105, 106 are formed, Cr thin film heaters 107, 108 are formed on the optical waveguides, and a diaphragm structure 102 is formed by reducing the thickness of a base in the region of the Cr thin film heater pattern. - 特許庁
信号電極及び接地電極を形成するための、メッキ膜厚を一様に形成することが可能な光導波路デバイスの製造方法を提供することである。例文帳に追加
To provide a manufacturing method for an optical waveguide device with which thickness of plating film for forming signal electrodes and grounding electrodes is uniformly formed. - 特許庁
厚膜形成性,硬化性,耐熱性等に優れた重合体を作製可能とする新規なオキセタンエーテル化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路を提供する。例文帳に追加
To provide a new oxetane ether compound capable of producing a polymer excellent in thick membrane-forming property, curing property, heat resistance, etc., a method for producing the same and an optical waveguide using the same. - 特許庁
即ち、リッジ型光導波路脇の有機樹脂埋込み部を独立させ、厚膜化パターンをその独立した有機樹脂埋込み部に対し数μmずらして形成する。例文帳に追加
The organic resin embedded part beside the ridged optical waveguide is separated, and a thick film pattern is formed by being deviated by several μm from the separated organic resin embedded part. - 特許庁
厚膜形成性,硬化性,耐熱性等に優れた重合体を作製可能とする新規なオキセタン化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路を提供する。例文帳に追加
To provide a new oxetane compound imparting a polymer excellent in thick film forming property, curing property, heat resistance, etc., and to provide a method for producing the same and to provide an optical waveguide using the same. - 特許庁
厚膜形成性,硬化性,耐熱性等に優れた重合体を作製可能とする新規なトリスオキセタンエーテル化合物およびその製法、ならびにそれを用いた光導波路を提供する。例文帳に追加
To provide a new trisoxetane ether compound capable of producing a polymer excellent in thick membrane-forming property, curing property, heat resistance, etc., a method for producing the same and an optical waveguide using the same. - 特許庁
光導波路素子11は、基板18の一端面17に、フィルタ19を、その膜厚が各チャンネル13〜16の位置に応じて連続的に変化するように形成するだけで作製される。例文帳に追加
The optical waveguide element 11 is manufactured just only by forming the filter 19 in one end surface of the substrate 18 so that the thickness of the film of the filter is continuously changed in accordance with each position of the channels 13-16. - 特許庁
近接場発生素子1は、光源と、上記光源からの光が内部を伝播する光導波路2と、光入射面7および近接場出力面8の間に所定の厚みを有する金属膜3とを備えている。例文帳に追加
The near field generating element 1 includes a light source, an optical waveguide 2 for propagating a light from the light source, and a metal film 3 having a predetermined thickness between a light incident surface 7 and a near field output surface 8. - 特許庁
半導体基板11上に絶縁膜12を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、光導波路の経路上においてリッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部とを備える。例文帳に追加
The semiconductor device has a semiconductor layer formed on a semiconductor substrate 11 with an insulating film 12 interposed therebetween and having a ridge structure portion made partially thick, an optical waveguide composed of a lengthwise partial region of the ridge structure portion and having a light path along the length, and a transistor portion constituted using the other lengthwise partial region of the ridge structure portion on the path of the optical waveguide. - 特許庁
光導波路のコア31を形成する際、その途中までコア層の成膜を行い、その上からコア31の中心近傍部分にプラズモンプローブ30を形成し、残りのコア層の成膜を行った後、コア層を所定のコア形状に加工すると、厚みのあるプラズモンプローブ30が光導波路内に埋め込まれた状態となる。例文帳に追加
When the core 31 of the optical waveguide is formed, a core layer is formed up to the middle part, the plasmon probe 30 is formed in a part near the center of the core 31 from above and, when the core layer is formed after a remaining core layer is formed, the thick plasmon probe 30 is buried in the optical waveguide. - 特許庁
本願発明の代表的形態は、光射出部と、前記光射出部とバットジョイント(結合)を構成するビームスポット変換器部と有し、前記ビームスポット変換器部の光導波路の膜厚が出射端面に向かって連続的に減少し且つ当該ビームスポット変換器部の光導波路内部にバットジョイント(結合)を1個以上有することを特徴とする光半導体装置である。例文帳に追加
Film thickness of an optical waveguide of the beam spot converter is continuously reduced toward an output end surface, and at least one butt joint is arranged in the optical waveguide of the beam spot converter. - 特許庁
原料として安価な微粒子材料を用い、光導波路素子や薄膜キャパシター素子に適用可能な緻密で高透明、低リーク電流のサブミクロンオーダー、ナノメーターオーダー膜厚の脆性材料膜構造体を提供する。例文帳に追加
To provide a dense and highly-transparent brittle material film structure of the low leak current and the sub-micron order or nm order film thickness which is applicable to an optical waveguide device and a thin film capacitor element by using an inexpensive particle material for a raw material. - 特許庁
厚膜の二酸化シリコン膜を、シリコン基板の融点よりも十分に低い温度で、また高圧処理を必要とすることなく生成する方法、及びその技術を利用してシリコン基板上に光導波路を生成する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for forming a thick silicon dioxide film at a sufficiently lower temperature than the melting point of a silicon substrate without requiring high pressure treatment and to provide a method for forming a light guide on a silicon substrate by utilizing the technique. - 特許庁
厚さ15μmと薄く反りの大きい多層膜フィルタをPLC素子の導波路を分断するように形成した20〜25(μm)巾の微細な溝にキズを付けず安定した深さで短時間に自動挿入固定する装置及び吸着把持挿入方法を提供する。例文帳に追加
To provide a device and a method for automatically inserting and fixing a thin multi-layered film filter having a thickness as small as 15 μm and a large warpage into a fine groove having 20-25 (μm) width which is formed so as to cut the waveguide of a PLC element without creating flaws at a stable depth in a short time. - 特許庁
出射用直角プリズム20は、支持体22A、22Bによりその底面の入射側端部が所定高さに持ち上げられて、プリズム底面と薄膜光導波路14の表面との間に、光伝搬方向に向かって厚さがテーパ状に減少する空気層24が形成されている。例文帳に追加
The incident side end part of the bottom face of the rectangular prism 20 for outgoing light is raised to a prescribed height by supporting bodies 22A and 22B, and between the bottom face of the prism and the thin film optical wave guide 14, an air space 24 of which the thickness is reduced in a tapered form in the direction of light traveling is formed. - 特許庁
そして、半導体レーザ素子本体3の光出射端面3aに形成される端面コート膜4は、光出射端面3aから出射される複数の波長のレーザ光に対して所定の反射率を有するように、複数の導波路1,2のそれぞれに対応して、膜厚、膜質、積層数が異なるように形成されている。例文帳に追加
An end face coat film 4 formed at the light emission end face 3a of the semiconductor laser device main body 3 is formed such that its film thickness, film quality, and number of laminations differ for each of the multiple waveguides 1 and 2 to have specified reflectances for the laser beams of multiple wavelengths emitted from the light emission end face 3a. - 特許庁
波長変換素子の製造に好適な薄膜基板(例えば3インチウエハの全面積にわたって均一な組成、膜厚を持つようなニオブ酸リチウムの薄膜基板)の製造方法を提供し、また、前記薄膜基板を用いて分極反転構造を有する光導波路を作製し、もって高性能な波長変換素子を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a thin-film substrate (for example, such a thin-film substrate of lithium niobate having a composition and film thickness uniform over the entire area of a 3-inch wafer) adequate for manufacturing a wavelength conversion element and to provide a high- performance wavelength conversion element by manufacturing optical waveguides having a polarization inversion structure by using the above thin-film substrate. - 特許庁
また、シリコン薄膜の厚さを調整することによって、中間生成光に対する吸収波長帯域幅を制御でき、中間生成光に対する吸収波長帯域幅を広げるために、シリコン薄膜の形状を、光導波路と覆いかぶさる部分に段差部34tを設けたシリコン薄膜36として構成されている。例文帳に追加
Furthermore, the absorption wavelength bandwidth for the intermediately generated light can be controlled by adjusting the thickness of the silicon thin film, and the silicon thin film is formed into a shape of a silicon thin film 36, having a step portion 34t at a part covering the optical waveguide so as to widen the absorption wavelength bandwidth for the light generated intermediately. - 特許庁
光導波路1は、コア部21と前記コア部21より屈折率の低いクラッド部22とを有するコア層2と、前記コア層2を挟んで配置される2つのクラッド層3、4とを備え、前記コア層2と前記2つのクラッド層3、4の少なくとも一方との間に厚さが1から100nmの薄膜層5を含む。例文帳に追加
An optical waveguide 1 comprises: a core layer 2 including a core part 21 and a cladding part 22 having a lower refractive index than the core part 21; two cladding layers 3 and 4 disposed to sandwich the core layer 2; and a thin film layer 5 with a thickness of 1 to 100 nm between the core layer 2 and at least one of the cladding layers 3 and 4. - 特許庁
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