「反強磁性結合の」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

第２のシールド部８は、第２の主シールド層８１と、第２の反強磁性層８４と、第２の反強磁性層８４と交換結合する第２の強磁性層８６を含む第２の磁化制御層８５とを有している。例文帳に追加

A second shield portion 8 includes a second main shield layer 81, a second antiferromagnetic layer 84, and a second magnetization controlling layer 85 including a second ferromagnetic layer 86 exchange-coupled to the second antiferromagnetic layer 84. - 特許庁

非磁性層３１は、ニッケル鉄層３２と反強磁性層１４との間の交換結合を無くするよう機能する。例文帳に追加

The nonmagnetic layer 31 eliminates exchange coupling between the nickel iron layer 32 and the antiferromagnetic layer 14. - 特許庁

軟磁性下地層を反強磁性より直接的もしくは強磁性層を介して交換バイアス磁界を付与した第一非晶質軟磁性層と、その上に非磁性層を介して形成した第二非晶質軟磁性層から構成し、かつ第一非晶質軟磁性層と第二非晶質軟磁性層を反強磁性的に結合させる。例文帳に追加

The soft magnetic base layer is constituted of a first amorphous soft magnetic layer to which an exchange bias magnetic field is imparted by an anti-ferromagnetic layer directly or via a ferromagnetic layer and a second amorphous soft magnetic layer formed thereon via a non-magnetic layer and the first and the second amorphous soft magnetic layers are anti-ferromagnetically bonded to each other. - 特許庁

中間層２３はルテニウム膜で形成され、それを挟んで隣接する一対の軟磁性膜を層間反強磁性結合させる。例文帳に追加

The middle layer 23 is constituted of a ruthenium film, and a pair of adjacent soft magnetic sandwiching the middle layer are coupled interlayer antiferromagnetically. - 特許庁

第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。例文帳に追加

The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21. - 特許庁

これは、反強磁性層１６の厚みｔAFが薄くても強磁性層１４と反強磁性層１６の間に交換結合が存在しており、その強さＪｃは、交換バイアス磁界Ｈｅから決定した交換結合の強さＪｃ（白丸）よりも大きい。例文帳に追加

This indicates the fact that even though the thickness tAF of its antiferromagnetic layer 16 is small, its switched connection is existent between its ferromagnetic layer 14 and its antiferromagnetic layer 16, and the intensity Jc thereof is larger than the intensity Jc (white circular points) of its switched connection which is determined from its switched bias magnetic field He. - 特許庁

また強磁性自由層は、非磁性伝導層１２と非磁性伝導層１２を介して磁気的に反平行に結合した２層の強磁性層１１，１３とにより構成される。例文帳に追加

The ferromagnetic free layer comprises a non-magnetic conductive layer 12 and ferromagnetic layers 11 and 13 as two layers, coupled antiparallel magnetically via the non-magnetic conductive layer 12. - 特許庁

尚、磁化固定層３ａとして、反強磁性結合を利用する磁性金属多層膜を用いることも可能である。例文帳に追加

In this case, a magnetic metal multilayers film utilizing an antiferromagnetic connection can be employed as the magnetization fixed layer 3a. - 特許庁

軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。例文帳に追加

The soft magnetic underlayer 13 has: first and second soft magnetic layer 131 and 133 consisting essentially of Fe; and an antiferromagnetically bonding layer 132 disposed between the first and the second soft magnetic layers. - 特許庁

強く反強磁性的に結合した２層の強磁性膜からなるセルフピン型強磁性固定層を用いたスピンバルブ磁気抵抗効果膜から第一から第八のセンサユニット５１１，５２２，５２３，５１４，５３１，５４２，５４３，５３４を作製する。例文帳に追加

A first to eighth sensor units 511, 522, 523, 514, 531, 542, 543, 534 are manufactured from a spin valve magnetoresistance effect film using a self pin type ferromagnetic fixed layer composed of two layers of ferromagnetic films coupled strongly anti-ferromagnetically. - 特許庁

半導体中に磁性元素が添加された強磁性半導体層１と、この強磁性半導体層１に隣接して形成され０℃以上のネール温度をもつ反強磁性層２とが積層されてなる強磁性半導体交換結合膜である。例文帳に追加

A ferromagnetic semiconductor layer 1 formed of a semiconductor and magnetic elements added to it is laminated on an antiferromagnetic layer 2 having a Neel temperature of 0°C or above, and formed adjacent to the ferromagnetic semiconductor layer 1 for the formation of the ferromagnetic semiconductor exchange coupling film. - 特許庁

第１の反平行結合バイアス安定化タブ４２２は更に、第１の強磁性バイアス層４１０上に形成され、この層と交換結合する第１の反強磁性層４２０を含む。例文帳に追加

The tab 422 further includes a first antiferromagnetic layer 420 which is formed over the layer 410 and makes exchange coupled with the layer 410. - 特許庁

反強磁性層とその上に積層された固定層とを備えた交換結合膜において、反強磁性層と固定層との間で発生する交換結合磁界を大きくし、且つ固定層の保磁力を小さくする。例文帳に追加

To increase an exchange-coupling magnetic field generated between an antiferromagnetic layer and a fixed layer while reducing a coercive force of the fixed layer in an exchange-coupling film with the antiferromagnetic layer and the fixed layer formed thereon. - 特許庁

フリー磁性層２６の磁化方向の制御は、第２反強磁性層と強磁性層２４間の交換結合磁界の大きさと、強磁性層２４とフリー磁性層２６間のＲＫＫＹ相互作用の大きさの２段階で調節されることになり、細かな制御を容易に行うことができる。例文帳に追加

Control in the magnetizing direction of the free magnetic layer 26 is adjusted by two stages of the intensity of the exchange coupled magnetic field between the second antiferromagnetic layer 23 and the ferromagnetic layer 24 and the intensity of the RKKY interaction between the ferromagnetic layer 24 and the free magnetic layer 26, thus easily carrying out fine control. - 特許庁

これにより、薄い反平行結合層を使用しても高温でのアニール処理における固定層の不安定化を抑えることができ、第１強磁性層と第２強磁性層との強い結合を維持することができる。例文帳に追加

Thus, un-stabilization of the fixed layer in an annealing process under the high temperature is suppressed even though the thin antiparallel binding layer is used, and by which the strong adhesion between the first ferromagnetic layer and a second ferromagnetic layer is maintained. - 特許庁

シンセティック・ピンド構造のＳＶ膜において、強磁性膜間に強い交換結合を与え、反強磁性膜からの交換結合力を実効的に増大させながら、同時に分流損失を抑える。例文帳に追加

To impart a strong switching connection between ferromagnetic films, and to inhibit a shunt loss while effectively increasing a switching connection force from an antiferromagnetic film, in an SV film having a synthetic pinned structure. - 特許庁

磁気抵抗効果型ヘッドの素子部２０は、反強磁性層１、第１固定層２、反強磁性結合層４、第２固定層５、非磁性導電層６、自由層７が積層されている。例文帳に追加

In an element portion 20 of the magneto-resistance effect type head, the antiferromagnetic layer 1, a first fixed layer 2, an antiferromagnetic coupling layer 4, a second fixed layer 5, a non-magnetic conductive layer 6 and a free layer 7 are layered. - 特許庁

このように形成した磁性薄膜コアでは、反強磁性層によって磁性層に誘起される交換結合磁界によって、前記磁性層は、所定方向に磁化されてバイアス磁界を与えたと同様の作用をうける。例文帳に追加

In the magnetic thin-film core thus formed, the magnetic layer is affected by exchange-coupled field which is induced into it by the antiferromagnetic layer, with the same action as being magnetized to give a bias magnetic field. - 特許庁

データ記憶のための磁気記録媒体１０‘には、非強磁性スペーサ薄膜２６を通して反強磁性的に交換結合した少なくとも二つの強磁性薄膜２２，２４’を持つ磁気記録層２０‘を用いる。例文帳に追加

For the magnetic recording medium 10' for data storage, a magnetic recording layer 20' having at least two ferromagnetic thin films 22, 24' antoferromagnetically coupled together through a nonferromagnetic spacer thin film 26 is used. - 特許庁

また、本発明は、固定磁性層が、上記多層膜であって負の磁気結合を生じさせるように静磁結合または反強磁性結合した磁気抵抗素子を提供する。例文帳に追加

A magnetoresistive effect element where the multilayer fixed magnetic layer is coupled magnetostatically or antiferromagnetically to cause negative magnetic coupling is also provided. - 特許庁

データ記憶装置の磁気記録媒体が、非強磁性スペーサ膜を介して互いに反強磁性的に結合される少なくとも２つの強磁性膜を有する磁気記録層を使用する。例文帳に追加

This magnetic recording medium for a data storage device is constituted of at least two magnetic recording layers of ferromagnetic films, which are adhered to each other in an antiferromagnetic manner, while interposing a nonferromagnetic spacer film. - 特許庁

基板上に形成され、非磁性スぺーサ層により分離されているフリー層と固定層を含むスピンバルブ磁気抵抗構造において、前記スぺーサ層の上部に、第３強磁性層−第２反平行結合層−第２強磁性層−第１反平行結合層−第１強磁性層−反強磁性層を含むことを特徴とする。例文帳に追加

The magneto-resistive element, formed on a substrate and having a spin-valve magneto-resistive structure including a free layer and a pinned layer separated by a non-magnetic spacer layer, includes layers of a third ferromagnetic layer-a second antiparallel coupling layer-a second ferromagnetic layer-a first antiparallel coupling layer-a first ferromagnetic layer-an antiferromagnetic layer formed on the top of said spacer layer. - 特許庁

非磁性スペーサ１２０で分離されているピンド強磁性体層１１８とフリー強磁性体層１３２を有する磁気抵抗素子であり、ピンド強磁性体層１１８として１００％近いスピン偏極の半金属強磁性体ホイスラー合金を使用する交換結合した反強磁性体層／強磁性体層構造を有している。例文帳に追加

A magnetoresistive device with a pinned ferromagnetic layer 118 and a free ferromagnetic layer 132 separated by a nonmagnetic spacer layer 120 has an exchange-coupled anti-ferromagnetic/ ferromagnetic structure that uses the semi-metallic ferromagnetic Heusler alloy with its near 100% spin polarization as the pinned ferromagnetic layer 118. - 特許庁

GMR、CPP-GMR、またはTMR磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層体に隣接する積層膜M1は、非磁性膜15を介して反強磁性結合した少なくとも二枚の磁性膜14及び16を備え、または、GMR磁気ヘッドの磁気抵抗効果積層体の自由層端部領域上部に位置する積層膜M2は、上記と同様の材料または合金である非磁性膜27を介して自由層2と反強磁性結合する磁性層を備えた磁区制御構造である。例文帳に追加

A layered film M2 positioned above the free layer end area of the magneto-resistive effect layered body of the GMR magnetic head has a magnetic domain control structure provided with a magnetic layer antiferromagnetically coupled to a free layer 2 through a nonmagnetic film 27 made of material or an alloy similar to the above. - 特許庁

スピンバルブ膜８は反強磁性層１１の上部に４層の強磁性層１２，１４１，１４２，１４３がそれぞれの間に反強磁性結合層１３１，１３２，１３３を介して積層された固定層１９を有し、固定層１９の上部に非磁性層１５、自由層１６、キャップ層１７を有する。例文帳に追加

A non-magnetic layer 15, a free layer 16, and a cap layer 17 are arranged at the upper part of the fixed layer 19. - 特許庁

LL1とLL2は強磁性結合層125を越えて強磁性結合されているので、LL1及びLL2の磁化はそれぞれの残留磁気状態において平行を保つが、それぞれの残留磁気状態においてULの磁化とは反平行である。例文帳に追加

Since the LL1 and LL2 are ferromagnetically coupled across a ferromagnetically coupled layer 125, the magnetizations of the LL1 and LL2 remain parallel in each remanent magnetic state, but are antiparallel to magnetization of the UL in each remanent magnetic state. - 特許庁

磁気結合された強磁性体と反強磁性体との結合および交換バイアスを使用して２進および多状態の磁気メモリ装置を提供する磁気材料および方法。例文帳に追加

To provide magnetic materials and methods for using ferromagentic and antiferromagnetic coupling and exchange bias for binary and multistage magnetic memory device. - 特許庁

しかも、こうした交換結合膜によれば、極めて大きな交換結合磁界を確保するにあたって、反強磁性層の膜厚を増大させたり強磁性層の膜厚を減少させたりする必要はない。例文帳に追加

Furthermore, by the use of this connection film, a very large connection magnetic field can be ensured without increasing the antiferromagnetic layer in thickness or decreasing the ferromagnetic layer in thickness. - 特許庁

磁束ガイド１０の磁化と、ＧＭＲ効果或いはＴＭＲ効果磁気抵抗センサ膜の自由層である第１の強磁性層２２とを、非磁性中間層２１を介して反強磁性的に結合させる。例文帳に追加

Magnetization of the magnetic flux guide 10 and a first ferromagnetic layer 22 which is a free layer of a GMR or TMR effect sensor film are bonded anti-ferromagnetically through a non-magnetic intermediate layer 21. - 特許庁

第２強磁性膜１ｂは、第２非磁性膜１ｃ上に設けられ、かつ第１強磁性膜１ｄと反平行結合し、かつ第２の磁化Ｍ１ｂおよび第２の膜厚ｔ１ｂを有する。例文帳に追加

A second ferromagnetic film 1b is formed on the second nonmagnetic film 1c, and antiparallelly coupled with the first ferromagnetic film 1d, and has second magnetization M1b and second film thickness t1b. - 特許庁

つまり、下層及び上層の磁化の方向が互いに反対向きとなっており、下層と上層との間に反強磁性的な結合が現れている。例文帳に追加

This means the magnetization directions of the lower layer and upper layer are opposite each other, and an anti-ferromagnetic couple appears between the lower layer and the upper layer. - 特許庁

軟磁性体４１と反強磁性層２７の境界面の交換結合エネルギーをＪ（ｅｒｇ／ｃｍ^２）、軟磁性体４１の飽和磁化をＭｓ（ｅｍｕ／ｃｃ）、軟磁性体４１の保磁力をＨｃ（Ｏｅ）とした場合に、軟磁性体４１の厚さｔ（ｃｍ）がｔ＜Ｊ／（Ｈｃ・Ｍｓ）となるように設定する。例文帳に追加

Where exchange coupling energy is J(erg/cm^2) on a border surface between the substance 41 and the antiferromagnetic layer 27, saturation magnetization of the substance 41 is Ms(emu/cc), and coercive force of the substance 41 is Hc(Oe); a thickness t(cm) of the substance 41 is specified as t<J/(Hc×Ms). - 特許庁

フィルター層２２，３２が強磁性層２３，３３／非磁性層２４，３４／強磁性層２５，３５からなる反強磁性結合構造を有するとともに互いに異なったスイッチング電流特性を有する強磁性トンネル接合素子２１，３１を直列に複数個積層し、且つ、前記各強磁性トンネル接合素子２１，３１の平面面積を同じにする。例文帳に追加

A spin injection magnetic random access memory has an antiferromagnetic coupling structure in which filter layers 22, 32 composed of ferromagnetic layers 23, 33, nonmagnetic layers 24, 34, and ferromagnetic layers 25, 35, a plurality of ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31 having mutually different switching current characteristics being stacked in series, and equalized in plane area of each ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31. - 特許庁

磁気抵抗素子１０６は、ピン磁気構造１０２と、自由磁気構造１０６と、ピン磁気構造と自由磁気構造との間に結合されているスペーサ層１０４とを含み、自由磁気構造は、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層を含む合成反強磁性構造（ＳＡＦ）１０８と、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングを妨げる、ＳＡＦに結合されている第１のバイアス層１１０とを含む。例文帳に追加

The free magnetic structure comprises a synthesized anti-ferro magnetic structure (SAF)108 containing two or more ferro magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling, and a first bias layer 110 which is coupled to the SAF for preventing decoupling of two or more ferro-magnetic layers in anti-ferro magnetic coupling. - 特許庁

各々の結晶粒子１９ａ，２１ａは、その磁化容易軸が基板面に垂直な方向に配向し、さらに、非磁性結合層２０を介して反強磁性的に交換結合している。例文帳に追加

Each of the grain particles 19a and 21a has its easy axis of magnetization placed in a direction vertical to the substrate surface and they are exchange-coupled anti-ferromagnetically via the non-magnetic coupling layer 20. - 特許庁

交換結合層３３ａと反強磁性層３３ｂとの交換結合により生じる磁場により、積層体２０の磁性層が単磁区化され、バルクハウゼンノイズが抑制される。例文帳に追加

A magnetic field caused by the exchange coupling of the coupling layer 33a with the antiferromagnetic layer 33b sections the magnetic layers of the laminate 20 into single magnetic domains, thus suppressing the Barkhausen noise. - 特許庁

４００℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体／非磁性体／強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide the antiparallelly coupled film structure of a ferromagnetic material, a nonmagnetic material, and a ferromagnetic material which has sufficient antiparallel coupling strength after a heat treatment process of 400°C to be applicable to the magnetic free layer or magnetic pinned layer of a high magnetoresistive element; and to provide a tunnel magnetoresistive element and a magnetic device which use the antiparallelly coupled film structure. - 特許庁

自由磁気構造は、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングをさらに妨げるための、ＳＡＦに結合されている第２のバイアス層と、第１のバイアス層とＳＡＦとの間の結合強度を制御する、第１のバイアス層とＳＡＦとの間に結合されている非磁性層を含むことができる。例文帳に追加

The free magnetic structure can comprise a second bias layer which is coupled to the SAF for further preventing decoupling of two or more ferromagnetic layers in anti-ferro magnetic coupling, and a non magnetic layer which is coupled between the first bias and the SAF for controlling coupling intensity between the first bias and the SAF. - 特許庁

第１磁化固定層は、奇数層の磁性体層が順番に反強磁性結合した積層構造を含み、その端部の磁性体層が上記第１領域と接触する。例文帳に追加

The first magnetized fixed layer includes a lamination structure where odd-numbered magnetic layers are subjected to diamagnetic coupling sequentially, and the magnetic layer at the end abuts on the first domain. - 特許庁

第２磁化固定層は、偶数層の磁性体層が順番に反強磁性結合した積層構造を含み、その端部の磁性体層が上記第２領域と接触する。例文帳に追加

The second magnetized fixed layer includes a lamination structure, where even-numbered magnetic layers are subjected to diamagnetic coupling sequentially, and the magnetic layer at the end abuts on the second domain. - 特許庁

そのため、膜中の残留応力を極力抑え、一軸磁気異方性を付与する非磁性下地層あるいは中間層で、かつ磁性層間の閉磁路化および反強磁性結合を誘発する物質にする。例文帳に追加

Therefore, the materials of a non-magnetic base layer or an intermediate layer are used, which suppresses residual stress in a film as much as possible and gives the uniaxial magnetic anisotropy, and which induces formation of the closed magnetic circuit and antiferromagnetism combination between the magnetic layers. - 特許庁

好適な実施例では、Ｃｒ合金の下層に続き、オンセット層と磁性層、または１つ以上のスペーサ層を介して反強磁性結合される２つ以上の磁性層が付着される。例文帳に追加

In a more adequate embodiment, an onset layer and a magnetic layer or ≥2 magnetic layers to be antiferromagnetically bonded across ≥1 spacer layer are bonded in succession to the under layer of the Cr alloy. - 特許庁

その結果、第１磁性層１５及び第２磁性層１８の磁化に働く反強磁性的な結合が安定化され、優れた熱揺らぎ耐性を有すると共に媒体ノイズが低減される。例文帳に追加

As a result, anti-ferromagnetic bonds functioning to magnetization of the first and the second magnetic layers 15 and 18 are stabilized and the magnetic recording medium has excellent thermal fluctuation resistance and its medium noise is reduced. - 特許庁

強磁性層２３の磁化の向きは反強磁性層２２との交換結合により固定され、第１軟磁性層２４および第２軟磁性層２５の磁化の向きは外部磁場により変化し、その相対角度に応じて積層体２０の電気抵抗が変化する。例文帳に追加

The direction of magnetization of the ferromagnetic layer 23 is fixed by the switched connection with the anti-ferromagnetic layer 22 and the directions of magnetization of the first soft magnetic layer 25 and the second soft magnetic layer 26 are changed by an external magnetic field and the electric resistance of the layered product 20 is changed in accordance with their relative angle. - 特許庁

そして、第一非晶質軟磁性層及び第二非晶質軟磁性層が、基板の半径方向に付与された一軸異方性を有し、かつ反強磁性的に結合している。例文帳に追加

The 1st and 2nd amorphous soft magnetic layers have uniaxial anisotropy in the radial direction of the base plate and are coupled each other antiferromagnetically. - 特許庁