「有機金属堆積」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

有機金属化学気相堆積装置のウエハサセプタの表面の面積を有効に利用する。例文帳に追加

To effectively utilize the surface area of a wafer susceptor in a metal-organic chemical vapor deposition apparatus. - 特許庁

反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む： 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること；及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。例文帳に追加

The method for depositing a film including a noble metal on the substrate in a reaction chamber comprises treatment with a hydrogen halide or gaseous halide of a metal halide or an organometallic compound and depositing a film including a noble metal reaction product and the noble metal derived from an oxygen-containing reaction product by using an atomic layer deposition process which is a vapor deposition process. - 特許庁

Ｓｉと酸素を含む絶縁膜を形成されたシリコン酸化膜上に、有機金属原料を使った化学気相堆積法により、金属酸化物膜を、前記金属酸化膜が堆積直後の状態において結晶質となるように堆積する。例文帳に追加

On a silicon oxide film obtained by the formation of an insulation film containing Si and oxygen, a metal oxide film is so deposited by a chemical-vapor-deposition method, using an organic-metal raw material that the metal oxide film becomes crystalline in the state obtained, immediately after the deposition. - 特許庁

ある種の有機金属前駆体を用いてＩＶ族金属含有フィルムを堆積させる方法も提供される。例文帳に追加

A method of depositing a group IV metal-containing film using a certain organic metal precursor is also disclosed. - 特許庁

金属−有機物化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）チャンバの表面から金属堆積副生成物を洗浄するためのその場方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for cleaning metallic deposited by-products from the surface of a metal-organic matter chemical vapor depositing(MOCVD) chamber on the spot. - 特許庁

マスキング板に堆積した有機膜又は有機金属膜を容易に除去することができる真空蒸着装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vacuum deposition device capable of easily removing an organic film or an organometallic film deposited on a masking plate. - 特許庁

有機金属前駆体と、シリコン、金属窒化物及び他の金属層などの基材上にコンフォーマルな金属含有膜を製造するための堆積方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organometallic precursor and to provide a method for depositing in order to produce a conformal metal-containing film on a substrate such as silicon, a metal nitride and other metal layers using the precursor. - 特許庁

有機金属錯体原料１ａ、１ｂを気化させて基板２上に膜を堆積させる有機金属化学気相成長装置３において、有機金属錯体原料１ａ，１ｂ乃至気化した該有機金属錯体原料が接触する部分の全部又は一部を絶縁材料４により形成している。例文帳に追加

In the organometal chemical vapor deposition apparatus 3 for depositing a film on a substrate 2 by evaporating raw materials 1a and 1b of an organometallic complex, all or one part of the portion contacting with the raw materials 1a and 1b of the organometallic complex or the vaporized raw materials of the organometallic complex are formed of a insulating material 4. - 特許庁

タングステンリッチ層の堆積は、基板をハロゲンフリーの有機金属タングステン前駆物質にさらすことを含む。例文帳に追加

Deposition of the tungsten-rich layers involves exposing a substrate to a halogen-free organometallic tungsten precursor. - 特許庁

有機金属化学的気相成長法によるグレーディングＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の堆積方法例文帳に追加

DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁

当該有機金属化学気相堆積装置は、反応室、回転スタンド、ウエハサセプタ２０６ａ、ヒーター、シャワーヘッドを含む。例文帳に追加

The metal-organic chemical vapor deposition apparatus includes a reaction chamber, a rotation stand, a wafer susceptor 206a, a heater and a shower head. - 特許庁

薄膜用原料の連続的充填と安定気化を可能にする有機金属化学気相堆積装置用原料気化器を提供する。例文帳に追加

To provide a raw material carburetor for an organometallic chemical vapor deposition system with which continuous filling and stable vaporization of a raw material for a thin film are made possible. - 特許庁

物理蒸着が、複数成分材料を堆積させるのに一つまたは複数の有機金属化合物からの化学蒸着により増大される。例文帳に追加

Physical vapor deposition is augmented by chemical vapor deposition from one or more organometallic compounds to deposit multi-component materials. - 特許庁

基板上に金属元素からなる薄膜を堆積し、薄膜を堆積した基板３を水素プラズマに晒し、水素プラズマに晒した基板３を有機液体１０中で一定温度に加熱して合成する。例文帳に追加

A thin film composed of a metal element is deposited on a substrate, a substrate 3 on which the thin film is deposited is exposed to a hydrogen plasma, and the substrate 3 exposed to the hydrogen plasma is heated in an organic liquid 10 at a specific temperature to obtain the objective tube. - 特許庁

金属、金属窒化物、金属炭素窒化物、金属あるいはケイ素窒化物膜は、約20トル未満の圧力で、水素、窒素、アンモニア、シラン、及びそれらの組合せのような加工気体の存在下での、有機金属前駆体の熱あるいはプラズマ分解により、加熱基板上に堆積される。例文帳に追加

A metal, metallic nitride, metallic carbonitride, or silicon nitride film can be deposited on a heated substrate under the pressure of about <20 Torr by thermal or plasma decomposition in the presence of working gas of hydrogen, nitrogen, ammonia, silane or their combination. - 特許庁

超電導薄膜材料１は、金属配向基板１０と、金属配向基板１０上に形成された酸化物超電導膜３０とを備え、酸化物超電導膜３０は、物理蒸着法により形成された物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１と、物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積ＨｏＢＣＯ層３２とを含んでいる。例文帳に追加

The superconductive thin film material 1 is provided with a metal-orienting substrate 10 and an oxide superconductive film 30 formed on the metal-orienting substrate 10, in which the oxide superconductive film 30 includes a physical vapor deposition HoBCO layer 31 formed by a physical vapor deposition method and an organic metal deposition HoBCO layer 32 formed on the physical vapor deposition HoBCO layer 31 by an organic metal deposition method. - 特許庁

有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。例文帳に追加

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition. - 特許庁

第２の発明はＣＶＤ膜などを形成する半導体製造装置の反応槽内に堆積した堆積膜を少なくともＣｌＦ_3ガスなどのハロゲンガスを含むクリーニングガスによって除去する際に金属、金属化合物、有機物系ガスなどを存在させる。例文帳に追加

In the second invention, metal, a metal compound, an organic-based gas, or the like exists when removing a deposit film that is deposited in the reaction tank of the semiconductor- manufacturing apparatus for forming a CVD film or the like by the cleaning gas containing at least halogen gas, such as ClF_3. - 特許庁

有機金属系の原料ガスを半導体基板１上に断続的に供給し、金属酸化膜からなる容量絶縁膜４を下部電極３表面にのみ選択的に堆積する。例文帳に追加

A material gas of organic metal base is intermittently supplied to the surface of the semiconductor substrate 1 for selectively depositing a insulating film 4 of metal oxide film only on the surface of the lower electrode 3. - 特許庁

次に、Ｃ_5Ｆ_8ガスを主成分とする原料ガスを用いて、複数の金属配線１０６同士の間及びその上面に、金属配線１０６同士の間に空孔１０７ａを有する第１のフッ素含有有機膜１０７を堆積する。例文帳に追加

Next, a first organic film containing fluorine, which has a void 107a between the metal wirings 106, is stacked between the plural metal wirings 106 and on their topside, using the material gas having C5F8 gas for its main components. - 特許庁

金属配線同士の間に、下地膜との密着性及び膜の緻密性に優れていると共に金属配線間に空孔を有するフッ素含有有機膜を地球の温暖化を招くことなく堆積できるようにする。例文帳に追加

To stack between the metal wrings an organic film containing fluorine which is excellent in adhesion with a base film and elaborateness of itself, and also has a void between metal wirings, without incurring the earth warming. - 特許庁

改善された接着性を有する構造を作る方法は、パターン形成された導電性金属層を有機金属前駆体に熱的に暴露させ、少なくとも、パターン形成された導電性金属層の表面上に、接着層を堆積させる工程を含んでいる。例文帳に追加

A method of forming the structure having the improved adhesiveness includes a process wherein the patterned conductive metal layer is thermally exposed to an organic metal precursor, and at least the adhesive layer is deposited on the surface of the patterned conductive metal layer. - 特許庁

ハードマスク１０５をマスクとして金属膜１０２に対してドライエッチングを行なって金属配線１０６を形成した後、Ｃ_5Ｆ_8ガスを主成分とする原料ガスを用いて、金属配線１０６同士の間及び上面にフッ素含有有機膜１０７を堆積する。例文帳に追加

Then dry etching is performed with a resist patter 104 as a mask and besides using the etching gas having C5F8 as its main components, so as to form a hard mask 105 consisting of the second silicon oxide film 103. - 特許庁

化学気相堆積法によりタンタル含有有機金属化合物を熱分解して基板上に堆積させた炭素を多く含む層を、基板にバイアスを印加しつつプラズマに暴露することにより、バリア層として有用な低比抵抗のタンタル−炭素系薄膜を得る。例文帳に追加

The layer which is deposited on a substrate by pyrolyzing a tantalum-containing organic metallic compound by a chemical vapor deposition method and contains much carbon is exposed to a plasma while the substrate is biased, by which the tantalum-carbon-base thin film of the low specific resistance useful as the barrier layer is obtained. - 特許庁

サファイア基板上への窒化物薄膜の製造方法において、高温水素処理を行ったサファイア基板に電子線を照射し、この電子線処理基板に有機金属化学堆積法によって窒化物薄膜を堆積し、窒化物薄膜を描画する。例文帳に追加

The method for producing the thin film of the nitride on the sapphire substrate comprises the steps of: hydrotreating the sapphire substrate at a high temperature: irradiating it with an electron beam; depositing the nitride to form the thin film on the substrate treated with the electron beam by a metal organic chemical vapor deposition method; and forming a pattern of the thin film of the nitride. - 特許庁

有機金属気相成長装置を用いて、Ｉｎを含む材料ガスをＧａＡｓ基板１１に供給することにより、Ｉｎを含む化合物半導体層をＧａＡｓ基板１１上に形成する際に、材料ガスによってサセプタ１の中央部に堆積した堆積物の量を求め、求められた堆積物の量に応じて、材料ガスが含むＩｎの供給量を変更する。例文帳に追加

Material gas containing In is supplied to a GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus obtaining the amount of deposit heaped up at the center of a susceptor 1 by the material gas when the compound semiconductor layer containing In is formed on the GaAs substrate 11, and changing the amount of supply of In contained in the material gas according to the obtained amount of deposit. - 特許庁

少なくとも１種の金属ハロゲン化物及び／又は有機金属化合物の形のＷ及び／又はＭｏ先駆物質を使用し、且つ少なくとも１種の還元剤、例えば水素又はシランを使用することによって、化学気相堆積で、少なくとも１つのＷ及び／又はＭｏに基づく層（３）を、ガラス、セラミック、又はガラス−セラミック基材（１）に堆積させることによる。例文帳に追加

This process for depositing at least one layer (3) based on tungsten W and/or molybdenum Mo by chemical vapor deposition on a glass, ceramic or glass-ceramic substrate (1) by means of at least one tungsten and/or molybdenum precursor in the form of a metal halide and/or of an organometallic compound, and by means of at least one reducing agent, such as hydrogen or silane. - 特許庁

シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、ＲＦスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。例文帳に追加

The seed layer can be formed by an organic metal deposition method, spray pyrolysis method, RF sputtering method, or spin-on method, such as oxidation of the seed layer, as an alternative method. - 特許庁

表面に酸化ケイ素膜２２を有するＳｉ基板２１上に、サイズの制御された遷移金属微粒子２３を堆積し、この基板を有機液体中に浸し、カーボンナノチューブの合成温度で加熱する。例文帳に追加

Transition metal particles 23 controlled in size are deposited on an Si substrate 21 having a silicon oxide film 22 on its surface, then this substrate is immersed in an organic liquid, and heated at a synthesis temperature of the carbon nanotubes. - 特許庁

請求項１記載の発明は、有機高分子半導体を含む層３と；少なくとも一方が平均粒径２０ｎｍ以下の金属微粒子主体の堆積膜である一対の電極４と；を具備していることを特徴とする。例文帳に追加

This conversion element is provided with a layer 3 containing an organic polymer semiconductor and a pair of electrodes 4 in which at least one of them is a deposition film of mainly metal particulates of 20 nm or less in the average particle size. - 特許庁

もしくは、スピンオン法（例えば、有機金属物堆積法、噴霧熱分解法、ＲＦスパッタリング法）を用いることによって、または基板の上に形成された亜鉛の薄膜層を酸化することによって、シード層が形成され得る。例文帳に追加

The seed layer can alternatively be formed by using a spin-on technique (such as a metal organic deposition technique, a spray pyrolysis technique, an RF sputtering technique) or by the oxidation of a zinc thin film layer formed on the substrate. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物の膜の堆積のために使用される固体有機金属化合物前駆体を連続して均一に供給するガス送達システムを提供する例文帳に追加

To provide a gas delivery system which supplies a solid organic metal compound precursor, used for depositing a film of group III-V compound, continuously and uniformly. - 特許庁

その後、この酸素及び／又は窒素を吸着させたダイヤモンド基板の表面上に、有機金属化合物と酸化剤又は窒素剤とを交互に供給する原子層堆積法により、酸化膜又は窒素膜を成膜する。例文帳に追加

Thereafter, an oxide film or a nitride film is deposited on the surface of the diamond substrate with the oxygen and/or nitrogen adsorbed by an atomic layer deposition process where an organic metal compound and an oxidizing agent or a nitriding agent are alternately fed. - 特許庁

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。例文帳に追加

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD). - 特許庁

有機金属錯体を前駆体とする反応生成物が気化器またはその下流側の管路に堆積することを、プロセスの安定性を害すること無く、効果的かつ低コストで防止する。例文帳に追加

To effectively prevent the accumulation of a reaction product with an organometallic complex as a precursor on a vaporizer or a duct line on the downstream side therefrom at a low cost without damaging the stability of the process. - 特許庁

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。例文帳に追加

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by the atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas. - 特許庁

メッキ浴添加剤の分解を防止する複素原子含有有機化合物をメッキ浴中に組み入れることにより基体上の金属の堆積を向上させるメッキ浴および方法を提供する。例文帳に追加

To provide a plating bath and a method for improving deposition of a metal on a substrate by including heteroatom-containing organic compounds in the plating bath that prevent the degradation of plating bath components. - 特許庁

一般的な金属膜、誘電体膜、そして特に有機物膜に関し、マスク成膜やパターニングプロセスなしに、基板上へのパターン形成を可能にする堆積膜の形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for forming deposited films for forming patterns on a substrate without masking or a patterning process relating to general metallic films, dielectric films, and more particularly organic material films. - 特許庁

本発明のキャパシタの製造方法において、容量膜は、Ｚｒ、Ｈｆ、ＬａおよびＹからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む有機原料を成膜ガスとして原子堆積法により成膜される。例文帳に追加

In the method for manufacturing a capacitor, a capacitance film is formed by an atomic layer depositing method by using organic raw materials containing one or two or more metallic elements selected from a group constituted of Zr, Hf, La and Y as film formation gas. - 特許庁

金属原料と酸素原料の交互表面反応で基板上に酸化物薄膜を堆積させるＡＬＤ法の原理に従った酸化物薄膜の成長方法において、使用する該酸素原料が少なくとも１つの有機リガンドを有するホウ素、シリコンまたは金属の化合物であって、その酸素が少なくとも１つのホウ素、シリコンまたは金属原子に結合しているものである。例文帳に追加

In the method of growing an oxide thin film according to the principle of the ALD method where an oxide thin film is deposited onto a substrate by an alternating surface reaction of metallic raw material and oxygen raw material, the oxygen raw material to be used is composed of a compound of boron, silicon or metal having at least one organic ligand, and the oxygen is combines with at least one atom of boron, silicon or metal. - 特許庁

強誘電体膜１３は、下部電極１２上に有機金属化学気相堆積法で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第１強誘電体材料からなる第１強誘電体層１７と、第１強誘電体層１７上に化学溶液堆積法で形成された、ペロブスカイト型の結晶構造を有する第２強誘電体材料からなる第２強誘電体層１８と、を含む。例文帳に追加

The ferroelectric fim 13 contains a first ferroelectric layer 17, formed on the lower electrode 12 by a metallo-organic chemical vapor deposition and made of a first ferroelectric material, having a peropvskite crystal structure, and a second ferroelectric layer 18 formed on the first ferroelectric layer 17 through chemical solution deposition and is made of a second ferroelectric material having a perovskite crystal structure. - 特許庁

トリチウムに接触する面５に金属酸化物光触媒を塗布し、その接触面に紫外線ランプ６あるいは太陽光７の紫外線を照射することにより、接触面上へのトリチウム含有有機化合物の堆積を妨げ、もしくは接触面に堆積したトリチウム化合物の分解を促進する。例文帳に追加

A metal oxide photocatalyst is applied on a face 5 to be brought into contact with tritium, and the contact face is irradiated with ultraviolet light of an ultraviolet lamp 6 or the sunlight 7 so as to prevent accumulation of a tritium containing organic compound on the contact face or to accelerate decomposition of a tritium compound accumulated on the contact face. - 特許庁

下部電極と下部電極上の鉛基強誘電体層と鉛基強誘電体層上の上部電極を有する強誘電体素子の製造方法において下部電極および上部電極のうち少なくとも上部電極を、有機金属化合物化学的気相堆積法を用い、基板温度を６５０℃以下の条件下でＣａＲｕＯ_3 を堆積して形成し、かつ膜厚を５０ｎｍ以下とする製造方法。例文帳に追加

In the manufacture of the fereoelectric element comprising a lower electrode, a lead- base ferrolectric layer formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the lead-base ferroelectric layer, at least the upper electrode, of either the upper and lower electrodes, is formed through depositing CaRuO3 into a thickness of 50 nm or smaller by organic metal compound CVD method at a substrate temperature 65°C or lower. - 特許庁

例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方法において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。例文帳に追加

In the method for successively forming the buffer layer of zinc oxide and the zinc oxide crystalline film on the substrate of, for example, sapphire by an organic vapor deposition process, the zinc oxide buffer layer is formed by utilizing gas of an organic metallic compound like zinc acetylacetonate containing zinc and oxygen without using other gases containing oxygen. - 特許庁

基板上に形成された、酸化銅からなる粒子を含む銅系粒子堆積層を、１２０℃以上において、ガス状のギ酸と、ガス状の１価のアルコール／エステル／ケトンから選択される少なくとも１種の有機溶剤と混合ガスにより処理する、金属銅膜の作製方法。例文帳に追加

The method for production of the metal copper film includes treating a copper-based particle deposition layer formed on the substrate and including particles comprising copper oxide with a gas mixture of gaseous formic acid and at least one organic solvent selected from gaseous monovalent alcohol, ester and ketone at 120°C or higher. - 特許庁