「未晶」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

そして、液晶層層６の厚みが１．０μｍ未満とされている。例文帳に追加

The thickness of the liquid crystal layer 6 is controlled to be less than 1.0 μm. - 特許庁

液晶滴下法を採用した液晶表示装置の製造方法において、未硬化のシール層に対する液晶の接触を抑止する。例文帳に追加

To suppress a liquid crystal from being made in contact with an uncured seal layer in a manufacturing method of a liquid crystal display device employing a liquid dripping method. - 特許庁

液晶滴下法を採用した液晶表示装置の製造方法において、未硬化のシール層に対する液晶の接触を抑止する。例文帳に追加

To suppress a liquid crystal from being in contact with an uncured sealing layer in a method for manufacturing a liquid crystal display device employing a liquid crystal drop-fill method. - 特許庁

５０％未満の結晶化度、及び７重量％未満の残留有機溶媒含量をもつマグネシウム・オメプラゾールを含む組成物を提供する。例文帳に追加

The magnesium-omeprazole-containing composition having a degree of crystallization of <50% and a residual organic solvent content of <7 wt.%. - 特許庁

重合した後に熱履歴を経ていない状態での結晶融解熱量が55J/g未満であり、かつ結晶融解温度が327℃未満であることを特徴とする非晶性の架橋ポリテトラフルオロエチレン樹脂。例文帳に追加

The amorphous crosslinked polytetrafluoroethylene resin is characterized in that the crystal melting heat amount in the state of no thermal history after polymerization is less than 55 J/g and a crystal melting temperature is lower than 327°C. - 特許庁

ステンレス鋼組織を、回復未再結晶組織あるいは回復未再結晶組織と再結晶組織の混合組織の調質圧延金属組織から構成する。例文帳に追加

The stainless steel is characterized by comprising a temper rolled metal structure in the form of a recovered unrecrystallized structure or a mixed structure of a recovered unrecrystallized structure and a recrystallized structure. - 特許庁

高石英混晶又はキータイト混晶を有するガラスセラミックに転移し得、Ｐｔ、Ｒｈ、ＺｎＯ及びＳｎＯ_２の濃度がそれぞれ３００ｐｐｂ未満、３０ｐｐｂ未満、１．５重量％未満、１重量％未満の平板フロートガラス。例文帳に追加

The flat float glass is convertible to glass-ceramic having a high quartz mixed crystal or a keatite mixed crystal and the concentrations of Pt, Rh, ZbO and SnO2 in the glass are <300 ppb, <30 ppb, <1/5 wt.% and <1 wt.%, respectively. - 特許庁

未結晶部分と結晶粒界を実質的に含まない単一の大結晶粒を形成できる半導体薄膜の結晶化方法、結晶化装置、位相シフタ、薄膜トランジスタおよび表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of crystallizing a thin semiconductor film by which a single large crystal grain substantially containing no uncrystallized portion nor a crystal grain boundary can be formed, and to provide a crystallizer, a phase shifter, a thin film transistor, and a display device. - 特許庁

リ　レーザー発振器用の人工の結晶であって、未完成のもののうち、次のいずれかに該当するもの例文帳に追加

(i) Among artificial crystals for laser oscillators that are unfinished, those that fall under any of the following  - 日本法令外国語訳データベースシステム

インジウムリン多結晶中の未反応金属インジウム検査方法及び検査装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTION OF UNREACTED METAL INDIUM IN INDIUM PHOSPHORUS POLYCRYSTAL - 特許庁

半導体層中の小分子半導体は、１００ナノメートル未満の結晶サイズを有する。例文帳に追加

The small molecule semiconductor in the semiconducting layer has a crystallite size of less than 100 nanometers. - 特許庁

次に、金型１２を結晶化温度未満まで降温し、ポリプロピレン１０を冷却して硬化させる。例文帳に追加

Next, the temperature of a mold 12 is lowered to a temperature below the crystallizing temperature to cool and cure polypropylene 10. - 特許庁

複数の結晶３１の面方向の平均粒径は、画素電極１９間の隙間ｇ未満である。例文帳に追加

The average particle diameter in the face direction of the plurality of crystals 31 is less than a gap (g) between the pixel electrodes 19. - 特許庁

非晶質半導体薄膜に含まれる希ガスの濃度は、１×１０^２０ｃｍ^−３未満である。例文帳に追加

The concentration of the rare gas contained in the amorphous semiconductor thin film is smaller than 1×10^20 cm^-3. - 特許庁

これにより、前記被覆層中の未反応の結晶性物質の存在量が０．１重量％以下となる。例文帳に追加

Thereby, existence of an unreacted crystalline substance in the coating layer amounts to ≤0.1 wt.%. - 特許庁

接着性材料１２は、結晶化度を高めた難溶剤溶解性の硬化剤未使用タイプである。例文帳に追加

The adhesive material 17 is a curing-agent unused type of hardly dissolving solvent solubility with crystallization improved. - 特許庁

好ましくは、前記液晶性高分子の配向度αは、０．５以上１．０未満の範囲である。例文帳に追加

The degree α of orientation of the liquid crystal polymer is preferably set to 0.5 to 1.0. - 特許庁

次に、塗布膜１３を加熱し、未硬化状態のコレステリック液晶膜１４を形成する。例文帳に追加

Next, a cholesteric liquid crystal film 14 in an unhardened state is formed by heating the coated film 13. - 特許庁

液晶表示装置のセルギャップを５μｍ未満（好ましくは１μｍ以上）とする。例文帳に追加

The cell gap of the liquid crystal display device is less than 5 μm (preferably 1 μm or more). - 特許庁

液晶層は、８９．７°以上９０°未満に設定されたプレティルト角を有する。例文帳に追加

The liquid crystal layer has a pretilt angle set to be ≥89.7° and <90°. - 特許庁

該化合物は、２００μｍ未満の平均粒子サイズを有する微結晶性であることが好ましい。例文帳に追加

The compound is preferably microcrystalline having an average particle size of less than 200 μm. - 特許庁

従って、未硬化のＵＶ樹脂が液晶６を混ざり合う可能性がきわめて低くなる。例文帳に追加

Accordingly, the possibility of mixing of unhardened UV resin with liquid crystal 6 is extremely low. - 特許庁

表面層１ａおよび流路孔内表面層２ａの未再結晶粒によって耐力が向上する。例文帳に追加

Durability is improved by non-recrystallized particles of the surface layer 1a and a flow channel hole inner surface layer 2a. - 特許庁

ほとんど完成していたが、結晶でできた棒が、図面何枚かの横に未完成のまま転がっていた。例文帳に追加

The thing was generally complete, but the twisted crystalline bars lay unfinished upon the bench beside some sheets of drawings,  - H. G. Wells『タイムマシン』

従来以上の結晶粒微細化、具体的には平均２μｍ未満のフェライト結晶粒径を実現するための製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method for making crystal grains finer than heretofore, concretely, for obtaining the average ferrite crystal grain size of <2 μm. - 特許庁

また、固体電解質膜を非晶質とすることで、成膜温度を室温から結晶化温度未満とすることができる。例文帳に追加

The membrane forming temperature is set less than the crystallization temperature from the room temperature by forming the solid electrolyte membrane of amorphous. - 特許庁

種結晶収容部における種結晶の溶融部分と未溶融部分との境界位置を容易に定めることができるルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a crucible which enables easy determination of the boundary between molten and unmolten parts of a seed crystal in a seed crystal-containing part. - 特許庁

オキシ塩化ビスマス結晶は、その粒径が７〜１１μｍの範囲内にあり、かつ、結晶の厚みが６０ｎｍ未満であるものを使用する。例文帳に追加

As the bismuth oxychloride crystal, there is employed one having a particle size in the range of 7-11 μm and has a crystal thickness of less than 60 nm. - 特許庁

バーコード１３は結晶化部と未結晶化部でそれぞれの反射率が異なるので、所定の再生装置で読み取り可能である。例文帳に追加

The bar code 13 is readable by a prescribed reproducing device, because each reflectance of the crystallized part and the non-crystallized part is different. - 特許庁

未硬化のシール材と液晶との接触防止構造を簡単に実現でき、なおかつ、液晶層の厚みを高精度に実現できるようにする。例文帳に追加

To simply achieve a structure to prevent contact between an uncured sealing material and a liquid crystal, and further to achieve thickness of a liquid crystal layer with high accuracy. - 特許庁

前記側鎖結晶化可能ポリマーは、融点が３０℃以上でありかつ融点未満の温度で結晶化する。例文帳に追加

The side chain-crystallizable polymer has a melting point of ≥30°C and crystallizes at a temperature lower than the melting point. - 特許庁

まず、放射線硬化型液晶を支持基材１１上に塗布して未硬化状態の液晶層１２′を形成する（図１（ａ））。例文帳に追加

Firstly, a liquid crystal layer 12' which is not hardened is formed by coating radiantion curing type liquid crystal on a support base material 11 (Fig.(a)). - 特許庁

液晶注入口を封止する封止剤の未硬化を防ぐ液晶表示装置及びその製造方法を得る。例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device and a method of fabricating the device for preventing an uncured state of a sealing agent to seal a liquid crystal injection hole. - 特許庁

結晶核剤が有機結晶性核剤である態様、結晶性ポリマーに対する結晶核剤の含有量が０．０１質量％以上１０質量％未満である態様、などが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the crystal nucleating agent is an organic crystal nucleating agent and the content of the crystal nucleating agent to the crystalline polymer is ≥0.01 and <10 mass%. - 特許庁

超微細結晶粒層は、加工工具を用いた摩擦加工などにより形成することができ、１００ｎｍ〜１μｍのサブミクロン結晶粒、１００ｎｍ未満のナノ結晶粒が存在する超微細結晶粒層が形成される。例文帳に追加

The ultrafine crystal grain layer can be formed by friction working, etc., using a working tool, and the ultrafine crystal grain layer in which sub-micron crystal grains of 100 nm to 1 μm and nano-crystal grains of <100 nm are present is formed. - 特許庁

種結晶４の主面から種結晶の外方に向かう法線が、炭化珪素原料ガスの流れる方向に対して０°を超えかつ９０°未満の角度を成すように、種結晶を配置して炭化珪素単結晶を成長させる。例文帳に追加

A single crystal 6 of silicon carbide is allowed to grow as the seed crystal 4 is disposed so that the normal line from the principal plane of the seed crystal 4 toward its surface crosses the reaction gas-flowing direction at an angle of θ° 0°≤θ≤90°. - 特許庁

具体的には、多結晶Ｓｉ基板の主面に現れる個々の結晶粒の結晶面のうち、｛１００｝結晶面の総面積（Ｓ_｛１００｝）を、基板面の総面積（Ｓ_０）の１０％以上５０％未満とする。例文帳に追加

Concretely, the total area S_{100} of the {100} crystal surface in the crystal surface of each crystal grain appearing on the main surface of the polycrystalline Si substrate is set to be 10 to 50% of the total area S_0 of the substrate surface. - 特許庁

また、傾斜冷却板出側の溶湯を、溶湯温度：（オーステナイト相の晶出温度）未満または（MC型炭化物の晶出温度）未満で、かつ固相率：30％以下の状態の半凝固状態の溶湯とすることが好ましい。例文帳に追加

In addition, it is preferable that the molten metal on the slant cooling plate side is made to be in a semi-solidified state having a solid phase rate of 30% or less at a temperature of less than the temperature of the molten metal (crystallization temperature of austenite phase) or less than (crystallization temperature of MC type carbide). - 特許庁

ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３モル比が２０以上３０未満であり、結晶子径が水熱耐久処理前で２０ｎｍ以上、水熱耐久処理前後の結晶子の変化が１０％未満であり、なおかつフッ素の含有量が０．１％未満のβ型ゼオライトを用いる。例文帳に追加

The β-zeolite is used which has the SiO_2/Al_2O_3 molar ratio of ≥20 and <30, ≥20 nm crystallite diameter before durability-improvement hydrothermal treatment, exhibits <10% difference in crystallite diameter between before and after durability-improvement hydrothermal treatment and has <0.1% fluorine content. - 特許庁

液体封止チョクラルスキ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶８の引き上げを行うための種結晶６として、低転位密度の種結晶、具体的には平均転位密度が２００個／ｃｍ^2未満の種結晶、あるいは最大転位密度が３０００個／ｃｍ^2未満の種結晶を用いるようにしたものである。例文帳に追加

In the method for manufacturing the compound semiconductor single crystal by a liquid encapsulating Czochralski method, a seed crystal having a low dislocation density, e.g. a seed crystal having an average dislocation density of <200/cm^2 or a seed crystal having the maximum dislocation density of <3,000/cm^2 is used as a seed crystal 6 used for pulling the crystal 8. - 特許庁

また、（Ａ）トレハロースと果汁とを混合、加熱し、トレハロース未結晶物を得る工程、（Ｂ）上記（Ａ）のトレハロース未結晶物とチューインガム原料とを混合し、トレハロース結晶体を析出させる工程を備えてなる高果汁含有チューインガムの製法によって達成される。例文帳に追加

The method for producing the chewing gum comprises (A) a step for mixing and heating the trehalose with the fruit juice and providing an uncrystallized trehalose and (B) a step for mixing the uncrystallized trehalose in the step (A) with a raw material for the chewing gum and separating out the crystallized trehalose. - 特許庁

組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜６５％、ＣａＯ ２０超〜２７％（ただし、モル比でＣａＯ／ＳｉＯ_２が０．５未満または０．５５以上）、ＭｇＯ １２〜２５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．０１〜０．５％未満を含有し、主結晶としてディオプサイド結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス。例文帳に追加

The crystalline glass contains, by mass, 50-65% SiO_2, >20 to ≤27% CaO (on condition that the molar ratio of CaO/SiO_2 is <0.5 or ≥0.55), 12-25% MgO and ≥0.01 to <0.5% Al_2O_3, and is characterized in that a diopside crystal is deposited as a main crystal. - 特許庁

そして、未硬化状態の液晶膜１４を、室温で過冷却のコレステリック相の状態に保ちつつ、当該未硬化状態の液晶膜１４に窒素雰囲気で紫外線を照射し、硬化状態のコレステリック液晶膜１５を形成する。例文帳に追加

Then, while keeping the hardened liquid crystal film 14 in a supercooled cholesteric phase state at room temperature, the liquid crystal film 14 in the unhardened state is irradiated with ultraviolet rays under a nitrogen atmosphere so as to form a cholesteric liquid crystal film 15 in a hardened state. - 特許庁

このときの、ＹＡＧ多結晶体基板の面は、算術表面粗さＲａが１nm未満でかつ幅５μｍ以上のキズや直径5μｍ以上の窪みがなく、多結晶体を構成している単位結晶粒子間の高低差を５nm以下と平滑であり、平坦度も１００ｎｍ未満となっている。例文帳に追加

The surface of the YAG polycrystalline substrate has a mathematical surface roughness Ra of less than 1 nm, has no flaw whose width is 5 μm or more, has no dent whose diameter is 5 μm or more, has a height difference between the unit crystal particles constituting a polycrystal of 5 nm or less, is flat and smooth and has a flatness of less than 100 nm. - 特許庁

垂直ボート法によってＧａＡｓ種結晶を結晶成長させることによりＧａＡｓ単結晶を得た後、該ＧａＡｓ単結晶を８００℃以上１１３０℃以下の温度で、１０分以上１２００分未満熱処理を行うことによりＧａＡｓ単結晶を得る。例文帳に追加

The GaAs single crystal obtained by growing a GaAs seed crystal by a vertical boat method is heat treated at ≥800°C to ≤1130°C for ≥10 min to <1,200 min. - 特許庁