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範導の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2891



例文

基板上の広い囲において基板上の膜の除去がより確実に行なわれる半体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which a film on a substrate can be removed more securely over a wide range on the substrate. - 特許庁

また、この線状発光体を誘加熱調理器に用いると、トッププレート上に加熱部の囲を示す鮮明な図形を得ることができる。例文帳に追加

If the linear light emitting body is used for the induction heating cooker, a clear figure showing a range of the heating part can be provided on a top plate. - 特許庁

上部部品11は、共通の下部部品10と嵌着すると同時に、異なった管に適合する寸法囲内にあるものとして提供される。例文帳に追加

The upper part 11 is provided fittable to the common lower part 10 and to be within a dimensional range fitted to different conduits. - 特許庁

電性粉末として属炭化物を用い、その体積充填率を45〜60%の囲として抵抗率を低減する。例文帳に追加

The resistivity of the macromolecular PTC composition is reduced by using a group carbide as the conductive powder and adjusting the volumetric filling factor of the powder to 45-60%. - 特許庁

例文

きわめて簡単な構成で広囲でのきめ細かいマッチングを可能とする半体検査装置を実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor inspection device allowing fine matching over a wide range by very simple constitution. - 特許庁


例文

このため、被膜剥離部分110を含む所定囲を電解液に浸漬したときに、内部体が電解液と直接接触する面積が広くなる。例文帳に追加

When the prescribed range including the film peeling segment 110 is therefore immersed into an electrolyte, the area where the internal conductor directly contacts the electrolyte increases. - 特許庁

体白色発光装置は相関色温度が5000〜7000Kの囲の白色光を放出する。例文帳に追加

The semiconductor white light-emitting device emits white light having a correlation color temperature in the range of 5000-7000K. - 特許庁

動作温度の囲内、特に室温近傍でのしきい値電流を低減できる半体レーザ素子を実現できること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element which can reduce a threshold current within the range of an operating temperature, especially, in the neighborhood of a room temperature. - 特許庁

加熱と冷却とを繰り返すことなく、短い時間で広い温度囲における試料の比熱または熱伝率を連続的に測定する。例文帳に追加

To continuously measure specific heat or thermal conductivity of a sample in a wide temperature range within a short time without repeating heating and cooling. - 特許庁

例文

動作の安定化と動作電圧囲の拡大化とを実現した基準電圧発生回路を備えた半体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device, provided with a reference voltage generation circuit for stabilizing an operation and widening the operation voltage range. - 特許庁

例文

さらには、ワイヤ240の太さとしては0.07〜0.35mmの囲が好ましく、その材質としては電性材料が好ましい。例文帳に追加

Further, the thickness of each wire 240 is preferably in the range of 0.07 to 0.35 mm, and a conductive material is preferable as its material. - 特許庁

また,発泡弾性体層32は,電気抵抗が10^3Ω〜10^7Ωの囲内となる電性を有する。例文帳に追加

Furthermore, the foamed elastic body layer 32 is provided with conductivity with electric resistance in a range of 10^to 10^7Ω. - 特許庁

動作保証温度囲を低温側に広げることができるバイポーラ半体回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a bi-polar semiconductor circuit device capable of increasing an operation guaranteeing temperature range to a low temperature side. - 特許庁

トランスポンダを読み取る有効囲を増やすとともに、トランスポンダ以外の電性の物体を検出することができるインテロゲータを提供する。例文帳に追加

To provide an interrogator capable of increasing the scope for reading a transponder, and detecting conductive objects other than the transponder. - 特許庁

囲の検出結果を得ることが可能な半体集積回路およびそれを備えた電子機器を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit that allows to obtain detection results in a wide range, and electronic equipment provided with the same. - 特許庁

地熱の作用が及ぶ囲内の地中に、高熱伝物質を配備する地熱を利用した融雪方法。例文帳に追加

There is provided a snow melting method using geothermal heat, in which a high heat conductive material is provided under the ground in a range where geothermal heat action can stretch. - 特許庁

チップ面積を増大させることなく、温度依存性を抑制し、広い温度囲で良好な特性を得ることが可能な半体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device inhibiting temperature dependency without increasing a chip area and capable of obtaining excellent characteristics within a wide temperature range. - 特許庁

低温から高温に至る広い温度囲で光出力の低下を改善した面発光型半体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a surface emission semiconductor laser which improves lowering in optical output over a wide temperature range from a low temperature to a high temperature. - 特許庁

露光時の偏光性能が常に許容囲内にあるようにし、半体素子の歩留まりを向上させる露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide an exposure apparatus which sets polarization performance at exposure always within an allowance range, and raises an yield of a semiconductor device. - 特許庁

体ガスセンサーの大幅な器差に関わり無く、広い濃度囲のガスを少ない種類の検量線データで正確に測定すること。例文帳に追加

To accurately measure gas with a concentration over a wide concentration range by means of small kinds of calibration curve data without respect to a great instrumental error of a semiconductor gas sensor. - 特許庁

液体の全重量に対して、約0.01〜約1.5wt.%の囲内の量の水溶性ポリマーが含まれている熱伝素子。例文帳に追加

The heat conduction element comprises the water-soluble polymer in an amount of about 0.01 to about 1.5 wt.% based on the total of a liquid. - 特許庁

また、本発明は、前記積層された酸化物超電層が各々0.1〜0.4μmの囲の厚さにされてなることを特徴とする。例文帳に追加

Each layer thickness of the laminated oxide superconductor is between 0.1 and 0.4 μm. - 特許庁

複数の電圧囲の内のいずれかを選択して信号を出力できる半体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit capable of outputting a signal by selecting any of a plurality of voltage ranges. - 特許庁

動作可能な供給電力の囲を広くできる半体装置及び非接触通信媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and noncontact communication medium capable of widening the range of supply power in which operation is allowed. - 特許庁

熱伝体12は板状に形成されその所定囲の両面に圧電振動体16が積層されている。例文帳に追加

The conductor 12 is tabularly formed and the vibrators 16 are laminated on both surfaces in the prescribed range of the conductor 12. - 特許庁

前記電フィラーは、固体電極1a,1bの全重量に対して、3〜80重量%の囲で用いる。例文帳に追加

The content of the conductive filler should lie in the range of 3-80 wt.% of the total weight of the solid electrodes 1a and 1b. - 特許庁

温度の広い囲で安定的に定電圧を発生することのできる半体集積回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit that can stably generate a constant voltage over a wide temperature range. - 特許庁

地熱の作用が及ぶ囲内の地中に、高熱伝物質及び固化材を配備する地熱を利用した融雪方法。例文帳に追加

Under the ground in the range where the geothermal heat action can stretch, a high heat conductive material and a hardener are provided. - 特許庁

第1のIII−V化合物半体35上にGaAs領域37を摂氏530度以上600度以下の囲の基板温度で成長する。例文帳に追加

A GaAs region 37 is grown on a first group III-V compound semiconductor 35 at a substrate temperature in the range of 530-600°C. - 特許庁

薄肉部4bは、電層4の外周から少なくとも1.2mmの囲内で厚みが0.05mm以下に形成されている。例文帳に追加

The thin portion 4b is formed to a thickness of ≤0.05 mm within a range of at least 1.2 mm from an outer periphery of the conductive layer 4. - 特許庁

この発明は、半体型光源2と、放熱部材3と、リフレクタ4と、光入射囲制御部材5と、を備える。例文帳に追加

The vehicular lamp fitting is provided with a semiconductor light source 2, a heat radiation member 3, a reflector 4 and a light incident range control member 5. - 特許庁

III族窒化物半体積層構造2の主面は、c軸方向へのオフ角θが−1°<θ<0°の囲のm面(非極性面)である。例文帳に追加

The major surface of the group III nitride semiconductor laminate structure 2 is the m face (nonpolar face) having the off angle θ to the c-axis direction in the range of -1°<θ<0°. - 特許庁

囲な温度変化に対して耐圧を安定させることが可能なSiC半体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an SiC semiconductor device which can stabilize breakdown voltage over a wide range of temperature variation, and to provide a manufacturing method for such an SiC semiconductor device. - 特許庁

前記電性ゴム組成物の体積固有抵抗率が10^3Ω・cm〜10^9Ω・cmの囲である。例文帳に追加

The volume resistivity of the conductive rubber composition ranges from 10^3 Ω cm to 10^9 Ω cm. - 特許庁

いくつかの実施形態において、半体発光装置チップは、緑色から青色の囲のピーク波長を有する光を発することができる。例文帳に追加

In some embodiments, the semiconductor chips emit lights of various peak frequencies from green to blue. - 特許庁

(B)平均粒径0.1μm以上1μm未満の囲に設定されている非電性小径粒子。例文帳に追加

(B) Nonconductive small particles having average particle size within the range of 0.1 μm and more and less than 1 μm. - 特許庁

大径のスポット光による検査対象の半体装置の照射中、テスタは該当する照射囲の電気的動作の検証を行う。例文帳に追加

During irradiation of a semiconductor device of an inspection object with the spot light of a large diameter, a tester verifies an electric operation in a pertinent irradiation range. - 特許庁

パネルの所定位置への半体回路装置の圧着に伴う偏移を、所定囲内に安定して保持する。例文帳に追加

To provide a panel processing device which stably holds deviation in accordance with pressure bonding of a semiconductor circuit device to a predetermined position of a panel within a predetermined range. - 特許庁

検査対象の半体チップの大きさ情報から最適検査が行なえるように切り出す囲を決定する。例文帳に追加

The range of extraction is determined so as to enable optimum inspection, from the size information of the semiconductor chip as the inspection object. - 特許庁

互いに離間している複数の囲にトレンチゲート型チャネル構造が形成されているとともに、耐圧が高い半体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which a trench gate channel structure is formed in a plurality of ranges spaced from each other and breakdown voltage is high. - 特許庁

広い温度囲で安定的な動作が可能な構造を有する半体発光装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting device having a structure capable of operating stably over a wide temperature range. - 特許庁

電層2の表面抵抗は、1.0×10^8〜1.0×10^15Ω/□の囲内にあることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the surface resistance of the semiconductor layer 2 lies in the range of 1.0×10^8 to 1.0×10^15 Ω/SQUARE. - 特許庁

熱伝板21に対して上記基板24を規制された囲内でガタ付き可能に止める位置決め手段を設ける。例文帳に追加

A positioning means to hold the substrate 24 on the heat conducting plate 21 so as to allow backlash within a regulated range is provided. - 特許庁

このとき、前記熱伝性無機微粉末の1次粒子の平均粒子径が一定の囲であることが好適である。例文帳に追加

At this time, it is preferable that an average particle diameter of primary particles of the heat conductive inorganic fine powder is in a definite range. - 特許庁

出力バッファの出力電流が一定の囲内に収まるように制御できる半体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of controlling the output current of an output buffer so that it lies within a fixed range. - 特許庁

熱処理したウェーハの温度を全囲において均一にかつ急速に冷却させる半体ウェーハのベーキングシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a baking system of a semiconductor wafer for cooling the temperature over all the heat-treated wafer uniformly and quickly in all range. - 特許庁

広い囲の光波長領域において任意の極大吸収波長を示すことができる有機半体材料を提供する。例文帳に追加

To provide an organic semiconductor material that exhibits an arbitrary maximum absorption wavelength in a wide light wavelength range. - 特許庁

互いに隣接する配線マーク10間隔WSは、半体装置の設計制約の囲内において前記検出光の波長より短い。例文帳に追加

An interval WS between mutually adjacent wiring marks 11 is shorter than a wavelength of the detection beam within a range of a design constraint of the semiconductor device. - 特許庁

目標駐車位置への誘を開始することが可能な囲をさらに拡大して、より多くの駐車シーンに対応できるようにする。例文帳に追加

To cope with further more parking scenes by further expanding a range capable of starting guiding to a target parking position. - 特許庁

例文

緑色LEDチップ1は、GaN系化合物半体を発光層として有し、例えば、ドミナント波長が510nm〜535nmの囲である。例文帳に追加

The green LED chip 1 has a GaN-based compound semiconductor as a light-emitting layer, and its dominant wavelength is, for example, 510 to 535 nm. - 特許庁

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