「範導」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

送信コイル１０を誘導線２０が敷設範囲内であることが明確な場所に、受信コイル１１を誘導線２０が敷設範囲外であることが明確な場所にレール８の外部表面に当接して設置する。例文帳に追加

At a location where an induction line 20 is surely within a laid range, a transmission coil 10 is placed, and at a location where the induction line 20 is surely out of the laid range, a reception coil 11 is placed so as to make contact with the outer surface of a rail 8. - 特許庁

元の化学特性を維持し、さらに電気抵抗を許容範囲内に保持しながら導電膜の膜厚を増加させ、その膜厚の許容誤差範囲を広げることができる導電膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a forming method of a conductive film capable of increasing a film thickness of the conductive film and expanding an allowable error range of its film thickness while maintaining original chemical characteristics and retaining electric resistance in an allowable range. - 特許庁

そして、前記第１の表層配線導体２１は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０．２〜１．０ｗｔ％の範囲で含み、第２の表面配線導体２２は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０〜０．１ｗｔ％（０を含まない）の範囲で含むものである。例文帳に追加

Then, the first surface layer wiring conductor 21 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0.2-1.0 wt.%, and the second surface wiring conductor 22 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0-0.1 wt.% (without including 0). - 特許庁

Ｓｉ半導体層の表面が露出している半導体装置には、マーキングを形成する範囲のＳｉ半導体層の表面を局所的に加熱し、その範囲にＳｉ半導体層の表面に酸化膜を形成し、酸化膜でマークを形成する。例文帳に追加

In the semiconductor device in which the surface of the Si semiconductor layer is exposed, the surface of the Si semiconductor layer in the range for forming the marking is heated locally, an oxide film is formed on the surface of the Si semiconductor layer in the range, and a mark is formed by an oxide film. - 特許庁

半導体レーザの数を増やすことなく広い範囲の発振波長のレーザ光を発することができる変調器集積半導体レーザ及び変調器集積半導体レーザを使用した半導体レーザ装置を得る。例文帳に追加

To obtain a modulator-integrated semiconductor laser for emitting a laser beam with an oscillation wavelength over a wide range, without the number of semiconductor lasers, and a semiconductor laser device using the modulator integrated semiconductor laser. - 特許庁

半導体エピタキシャル層の主面の所定範囲から第２導電型不純物を第２導電型半導体領域１０８より深くまで拡散させて素子分離領域１０９を形成する。例文帳に追加

An element separating region 109 is formed by diffusing the impurity in the epitaxial semiconductor layer to a depth deeper than a second-conductivity semiconductor region 108 from a prescribed extent on the main surface of the semiconductor layer. - 特許庁

半導体薄膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、粒径の大きな結晶相の半導体の範囲の所定の領域に、容易に半導体能動素子を形成可能とする。例文帳に追加

To easily form a semiconductor active device in a predetermined region of a semiconductor having a crystalline phase of a big particle size in subsequent processes of a process of obtaining the semiconductor having the crystalline phase of the big particle size from a semiconductor thin film. - 特許庁

この誘導板による深層水の上昇流は誘導板の幅全体に沿って生じるので、この誘導板の幅を数百メートルにすることで、一つの誘導板で広範囲の湧昇海域を形成する。例文帳に追加

Because the uprising flow of the deep current produced by the guide plate forms along the overall width of the guide plate, the width of the guide plate is set at several hundred meters so that a wide upwelling area of sea is formed using one guide plate. - 特許庁

導電性ローラ作製時に、１０^3〜１０^10Ωの導電性領域において、導電性ローラに一定範囲内の電気抵抗を持たせる制御を容易に行い、耐電圧性に優れた電子写真装置用の導電性ローラを提供する。例文帳に追加

To provide an electrically conductive roller which is easily controlled to have electric resistance within a fixed range in an electrically conductive region of 103 to 1010 Ω when manufactured and is excellent in the property of withstanding voltage. - 特許庁

１のサブマウントに複数の半導体レーザチップが搭載された半導体素子が組み込まれた半導体レーザ装置における複数の半導体レーザチップからの発光光軸のいずれも所定の角度範囲に収める。例文帳に追加

To accommodate the luminous optical axes of a plurality of semiconductor laser chips within a prescribed angle range, in a semiconductor laser device in which a semiconductor element is built in such a way that a plurality of semiconductor laser chips are mounted on a single submount. - 特許庁

動作温度範囲内での温度対する光の透過率が適切で、動作温度範囲内で動作特性に優れる光半導体装置、その光半導体装置を備える通信装置、および、その光半導体装置を備える電子機器を提供すること。例文帳に追加

To provide an optical semiconductor device exhibiting appropriate light transmittance for a temperature within an operating temperature range and excellent operational characteristics within the operating temperature range, and to provide a communication apparatus equipped with the optical semiconductor device, and an electronic apparatus equipped with the optical semiconductor device. - 特許庁

半導体装置１のリーク電流を検出する検出部１１と、リーク電流が許容範囲から外れる場合、リーク電流を許容範囲内にするように半導体装置の温度を制御する温度制御部１２とを有して、半導体装置１の温度を制御する温度制御装置を構成する。例文帳に追加

The temperature control device which controls the temperature of a semiconductor device 1 consists of a detecting part 11, which detects the leakage current of the semiconductor device 1, and a temperature control part 12 which controls the temperature of the semiconductor device to cause the leakage current to return within the allowable range, when leakage current is off the allowable range. - 特許庁

少なくとも導電性粉体と焼成除去可能な有機成分からなり、導電性粉体を６０〜９０重量％の範囲、及び焼成除去可能な有機成分を１０〜４０重量％の範囲で含有する光硬化型導体インキである。例文帳に追加

The photo-curable conductor ink at least comprises a conductive powder and an organic component removable by burning, wherein the conductive powder is included in the range of 60-90 wt.% and the organic component removable by burning in the range of 10-40 wt.%. - 特許庁

通信装置Ｔ１，Ｔ２に直流電流を供給するプラス導体とマイナス導体の電流の大きさの差を求めて、その差が所定の範囲内に収まっているか否かを判定し、範囲外の場合には、プラス導体のインピーダンスを調節して電圧降下を発生させる。例文帳に追加

A difference between magnitudes of currents of a positive conductor and a negative conductor for supplying DC currents to communication apparatuses T1, T2 is calculated to determine whether or not the difference is settled within a predetermined range and when the difference is out of the range, the impedance of the positive conductor is adjusted to generate a voltage drop. - 特許庁

１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａが６ｎｍ未満の導電性基体３０１上にａ−Ｓｉを含む光導電層３０２が成膜形成され、光導電層３０２の１０μｍ×１０μｍの範囲における表面粗さＲａは１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。例文帳に追加

A photoconductive layer 302 containing a-Si is formed on a conductive substrate 301 having <6 nm surface roughness Ra in a 10 μm×10 μm area, and the surface roughness Ra of the photoconductive layer 302 in a 10 μm×10 μm area is 15 nm to 100 nm. - 特許庁

シリコーン樹脂と、熱伝導性フィラと、炭素繊維とを含有し、上記炭素繊維が厚み方向に配向されている熱伝導性シートにおいて、熱伝導性フィラが、４０〜５５体積％の範囲で含有され、炭素繊維が、１０〜２５体積％の範囲で含有されている。例文帳に追加

The heat-conductive sheet includes a silicone resin, a heat-conductive filler, and carbon fibers and the carbon fibers are oriented in the thickness direction, and the heat-conductive sheet contains the heat-conductive filler in the range of 40-55 vol.% and the carbon fibers in the range of 10-25 vol.%. - 特許庁

モース硬度が５以上であり、その長軸長が０．１５〜０．４μｍの範囲であり、前記長軸長と短軸長との比が１０〜４０の範囲である非導電性粉末と、導電性粉末と、バインダーと溶剤とを混合することにより、導電性ペーストが得られる。例文帳に追加

A conductive paste is obtained by mixing non-conductive powder with a Mohs hardness of 5 or more, a major axis being 0.15-0.4 μm long and the length ratio of a major axis to a minor axis being 10-40, conductive powder, a binder and a solvent together. - 特許庁

非接触充電装置は、充電対象機器を電磁誘導方式により充電する本体部と、前記充電対象機器を前記本体部の充電可能範囲に誘導する誘導部材と、を備え、前記誘導部材が湾曲部を有していることを特徴とし、前記誘導部材の湾曲部に沿って、前記充電対象機器を充電装置本体部の充電可能範囲に誘導できる。例文帳に追加

The non-contact charger includes a body to charge the charge object device by an electromagnetic induction system and an induction member to induce the charge object device in the chargeable range of the body, the induction member has a bend portion, and the charge object device is induced in the chargeable range of the charger body along the bend portion of the induction member. - 特許庁

電磁誘導加熱器により誘導電流を発生させて、電磁誘導加熱器の利用範囲を広げ、電磁誘導加熱器用でない家庭用電気器具にも適用可能な誘導電流電源装置および誘導電流電気器具を提供する。例文帳に追加

To provide an induced current power supply device and induced current electric appliances, expanding the usage of an electromagnetic induction heater by generating induced current by an electromagnetic induction heater to be applicable to the domestic electric appliances not for the electromagnetic induction heater. - 特許庁

半導体膜形成用塗料は、平均粒子径が０．５〜１０μｍの範囲にあり、細孔容積が０．１〜０．８ｍｌ／ｇの範囲にある多孔質酸化チタン微粒子集合体と、平均粒子径が５〜４００ｎｍの範囲にある非集合体酸化チタン微粒子とを含んでいる。例文帳に追加

The paint for forming the semiconductor film contains a porous titanium oxide particulate aggregate of which the average particle size is in the range 0.5-10 μm and the pore volume is in the range 0.1-0.8 ml/g and a non-aggregate titanium oxide particulate of which the average particle size is in the range 5-400 nm. - 特許庁

操作部４は、可動範囲設定部４６によって作成された可動範囲テーブルに基づいて、可動範囲外、即ち、誘導経路に沿わない方向にスクロールを行おうとした際には、操作部４の操作に所定の抵抗力を発生する。例文帳に追加

A predetermined resisting force to the operation of an operating part 4 is produced if, according to the table of the movable ranges originated by the movable range setting portion 46, scrolling is performed outside of the movable range, that is, in a direction not matching the guided route. - 特許庁

前記水蒸気により加熱する工程は、前記リグノセルロースを高圧ボイラー内に収容し、該高圧ボイラー内に２００〜２２０℃の範囲の温度の水蒸気を導入して、１８０〜２００℃の範囲の温度に１５〜６０分の範囲の時間維持して加熱する。例文帳に追加

The step of heating with the steam is carried out by housing the lignocellulose in a high-pressure-boiler, introducing the steam at a temperature within the range of 200-220°C into the high-pressure-boiler, maintaining the lignocellulose at a temperature within the range of 180-200°C for a time within the range of 15-60 min, and carrying out heating. - 特許庁

この加熱は、極細導電繊維含有熱可塑性樹脂組成物のガラス転移温度の温度から融点温度よりも３０℃高い温度の温度範囲にするか、粘度が５．０×１０^3Ｐａ・ｓ以上１．０×１０^7Ｐａ・ｓ未満の範囲となる温度範囲で加熱することでなされる。例文帳に追加

This heating is implemented by making the temperature of the molded product raised from the glass transition temperature of the thermoplastic resin composition containing very fine conductive fibers to be in the temperature range 30°C higher than the melting temperature of the composition, or heating at a temperature within the range where the viscosity is 5.0×10^3 to lower than 1.0×10^7 Pa s. - 特許庁

電着の際、導電性粉末及びガラス粉末は平均粒径が１０μｍ以下であり、導電性粉末及びガラス粉末の平均粒径はともに１μｍから３μｍの範囲にあり、導電性粉末とガラス粉末は９：１から３：７の範囲の体積比で混合し、保護皮膜の膜厚を１μｍ乃至２０μｍの範囲にする。例文帳に追加

At electrodeposition, the conductive powder and the glass powder, each having an average particle size of 10 μm or smaller, in a grange of 1 μm to 3 μm, are mixed at a volume ratio in the range of 9:1 to 3:7, to make the protective coating 1 μm to 20 μm thick. - 特許庁

導電性微粒子と極性溶媒とを含む透明導電性被膜形成用塗布液において、導電性微粒子が、棒状微粒子表面に１〜１００ｎｍの範囲の粒子径を有する導電性微粒子が接合した棒状導電性微粒子群であり、かつ、該棒状導電性微粒子群のアスペクト比が２〜２００の範囲にあり、平均長さが５〜１００ｎｍの範囲にあることを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。例文帳に追加

In the application liquid for forming the transparent conductive coat including the conductive particulates and the polar solvent, the conductive particulates are such a rod-shaped conductive particulate group that the conductive particulates having particle sizes of 1-100 nm are bonded to the surface of rod-shaped particulates, the rod-shaped conductive particulate group having an aspect ratio of 2-200 and an average length of 5-100 nm. - 特許庁

方位角において、光源の中心を含み、かつ、誘導路中心線を含む鉛直面から左右それぞれ三・五度までの範囲及び光源の中心を含む水平面の上方一度から八度までの範囲例文帳に追加

In azimuth angles, a range comprising the light source center, and 3.5 degrees each leftward and rightward from a vertical plane comprising the runway centerline, and another range of 1 to 8 degrees upward from a horizontal plane comprising the light source center  - 日本法令外国語訳データベースシステム

師範は剣術、居合道、剣道、合気道、空手などの武道、その他、芸道における指導者の職位或いは免許、称号を意味し、師範号とも称される。例文帳に追加

Shihan (grand master) is a job title, a license, or a title of an instructor of martial arts including swordplay, iaido (art of drawing the Japanese sword), kendo (Japanese art of fencing), aikido (art of weaponless self-defense), and karate (traditional Japanese martial art), and other accomplishments, and it is also called shihan go (title of grand master.)  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

低い範囲にあるイオン化電位を有する金属原子および高い範囲にあるイオン化電位を有する気体原子を含む原料物質は、その室に導入される。例文帳に追加

Source material containing metal atoms with ionization potential within a lower range and gas atoms with ionization potential within a higher range is introduced into the chamber. - 特許庁

更に、分割地図画像の画像座標及び地理座標から座標系参照情報を算出し、その座標系参照情報に基づいて、経路に経路範囲地理座標から経路範囲画像座標を導出する。例文帳に追加

The proxy server calculates coordinate system reference information from the image coordinates and geographical coordinates of the divided map image and, based on the coordinate system reference information, derives, on the route, route range image coordinates from route range geographical coordinates. - 特許庁

短い外部共振器長で広範な同調範囲を有し、装置全体の小型化が図られ、量産性に優れた外部共振器型波長可変半導体レーザ装置を提供する。例文帳に追加

To provide an external resonator type variable wavelength semiconductor laser device excellent in mass productivity which has an extensive tuning range by a short external resonator length and reduces the whole device in size. - 特許庁

より低い電圧から広範囲の電源電圧範囲で安定に動作することができる、タイマー回路又は発振回路である半導体回路を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor circuit being a timer circuit or an oscillation circuit, which stably operates, from a lower voltage, over a wide power supply voltage range. - 特許庁

インパクトイオン制御層２４は、下地化合物半導体層２３の積層範囲（積層範囲の厚さＴｓｔ）内に積層されてインパクトイオン化現象の発生位置を制御する。例文帳に追加

The impact ion control layer 24 is laminated within a lamination range (thickness Tst of the lamination range) of the ground compound semiconductor layer 23 to control the occurrence position of the impact ionization phenomenon. - 特許庁

半導体層１０の表面には、絶縁膜１２に接する範囲で高くアノード電極１４に接する範囲で低い段差８ｓが形成されている。例文帳に追加

On the front surface of the semiconductor layer 10, a step 8s high in a range contacting the insulation film 12 and low in a range contacting the anode electrode 14 is formed. - 特許庁

その第１のガス層の圧力はある圧力範囲で制御され、この圧力範囲における第１のガス層の熱伝導性は第１のガス層の圧力の変化に対してほぼ一定である。例文帳に追加

The pressure of the first gas layer is controlled within a certain pressure range and the thermal conductivity of the first gas layer is fixed against the pressure fluctuation of the first gas layer in the pressure range. - 特許庁

赤外線信号を受信装置に良好に導き得る高性能のライトガイド、および、赤外線信号を受信し得る距離範囲、角度範囲が広い赤外線受信装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high performance light guide capable of effectively guiding an infrared signal to a receiver and an infrared receiver having a wide distance range and a wide angle range in receiving infrared signals. - 特許庁

本発明においては、該ゴム成分の１００質量部に対して、リグノフェノール誘導体を０．５〜５０質量部の範囲内、フィラーを１０〜１５０質量部の範囲内でそれぞれ含むことが好ましい。例文帳に追加

The composition preferably comprises, based on 100 pts.mass rubber component, 0.5-50 pts.mass lignophenol derivative and 10-150 pts.mass filler. - 特許庁

酸化物半導体粒子１１ａは、粒径が１μｍ未満の範囲にある第１のピークと、粒径が１μｍを超える範囲にある第２のピークとを有する粒径分布を有している。例文帳に追加

The particle size distribution of the oxide semiconductor particles 11a has a first peak, in a range where particle sizes are smaller than 1 μm, and a second peak in a range where the particle sizes exceeds 1 μm. - 特許庁

ベル側音導孔１４を閉塞もしくは開放することにより、イコライザ６０において選択される外界音に対応する周波数範囲の信号と聴診音に対応する周波数範囲の信号との切り替えが行われる。例文帳に追加

By closing or opening the sound guide 14 near the bell, the signal within the frequency corresponding to the external sound and the signal within the frequency corresponding to the auscultatory sound selected in the equalizer 60 can be switched to each other. - 特許庁

尖端又はエッジの範囲に残るラッカ層を回避して、電気的に絶縁する表面範囲によって囲まれた導電性尖端又はエッジをその表面に有するマイクロ電極が製造できる、電極の製造方法。例文帳に追加

To provide a method for producing an electrode by which the micro electrode having electroconductive tip or edge surrounded by an electrically insulating surface range on the surface while avoiding a lacquer layer remaining within the tip or edge range. - 特許庁

電磁弁９２が開閉制御されてＣＯシフト部８０の温度が所定範囲内となり、ＣＯシフト部８０から導出される改質ガス中の一酸化炭素濃度が所定範囲内となる。例文帳に追加

By switching the control of the electromagnetic valve 92, the temperature of the CO shift part 80 comes within a given range, and a carbon monoxide concentration in the reformed gas led out of the CO shift part 80 comes within a given range. - 特許庁

低融点金属でコーティングしたランダム・サイズのマイクロメートル粒径範囲粒子を使用することによって、より広い特性選択可能範囲を有する導電性接着剤を提供する。例文帳に追加

To provide a conductive adhesive having a wide property selective range by using micrometer size range particles of random size coated with a low-melting-point metal. - 特許庁

本発明は、外部電源を通常動作電源電圧範囲より低い低電圧領域の範囲で動作させることで消費電流を抑制することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device that can suppress current consumption by making an external supply operate in the range of a low-voltage region lower than the range of a normal operation power supply voltage. - 特許庁

コア部２８の対向範囲Ｌ１〜Ｌ２を可変して、コイル部による電磁誘導によって加熱される定着部材の幅方向の加熱範囲を調整する。例文帳に追加

The opposition ranges L1 to L2 of the core part 28 are varied to adjust a width-directional heating range of the fixing member heated by electromagnetic induction of the coil part. - 特許庁

貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを０．８ｍｏｌ％以下の範囲、セリウムを０．８ｍｏｌ％以下の範囲で、固溶させてある。例文帳に追加

A semiconductor type gas sensing element is constituted by providing a gas sensing part on a noble metal wire where 0.8 mol% or less of antimony and 0.8 mol% or less of cerium are solid-dissolved in tin oxide in the gas sensing part. - 特許庁

従来技術と比較して、少なくとも低下耐付着性と、より広範な溶接電流の動作範囲と、増大した導電率とを有する合金特性の改善を目的とする。例文帳に追加

To improve properties of alloys having at least a decreased resistance to sticking, a large weld current operating range and increased conductivity in comparison with the prior art. - 特許庁