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範導の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2891件
導電体領域16はp型ボディ領域24と対向していない範囲に形成されている。例文帳に追加
The conductor region 16 is formed in a range not opposing a p-type body region 24. - 特許庁
広範囲の導電率の水を電解することのできる電解水生成装置を提供する。例文帳に追加
To provide an electrolyzed water production device in which water in a wide range of electrical conductivity is electrolyzed. - 特許庁
透明導電層212Cは、5〜30nmの範囲内の厚さを有することが好ましい。例文帳に追加
The transparent conductive layer 212C preferably has a thickness within 5-30 nm range. - 特許庁
浮島状の導体パターンを板厚範囲で封止する回路基板の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a process for producing a circuit board in which a floating island conductor pattern is sealed within the range of plate thickness. - 特許庁
ばね鋼板の上部及び下部縁範囲は、電気導体にそれぞれ密に隣接して位置せしめられる。例文帳に追加
Upper and lower edge ranges of the spring steel plate are positioned so as to be closely adjacent to the electrical conductor. - 特許庁
可変遅延回路10の採る複数の遅延量の各遅延量ごとに一つの動作範囲が許容され、半導体装置はその全動作範囲で動作するので動作範囲が広くなる。例文帳に追加
One operation range is permitted for each of a plurality delay quantities that the variable delay circuit 10 employs, and the semiconductor device operates over all the operation ranges and then has the wide operation range. - 特許庁
ブレード32a〜32eはそれぞれ、ピックアップ角度範囲βの手前の導入角度範囲θでは、展開姿勢となり、ベッド21に当接して用紙Sの先端がピックアップ角度範囲β内に入ることを規制する。例文帳に追加
The blades 32a-32e become a deployment attitude in an introduction angle range θ in front of a pick up angle range β and restricts that it is abutted on a bed 21 and a leading end of the paper S enters with the pick up angle range β respectively. - 特許庁
前記第一の導体配線の厚みが10〜30μmの範囲、ライン幅が50μm〜1mmの範囲、ライン間隔が50μm〜1mmの範囲である。例文帳に追加
The thickness of the first conductor wiring is in a range of 10-30 μm, the line width is in a range of 50 μm to 1 mm, and the line interval is in a range of 50 μm to 1 mm. - 特許庁
配合割合は、高分子ゲル(A)を100重量部としたとき、化合物(B)を5〜240重量部の範囲、熱伝導性フィラー(C)を100〜10000重量部の範囲とするのが好ましく、軟化温度は35〜105℃の範囲とするのが好ましい。例文帳に追加
Preferably, from 5 to 240 pts.wt. compound (B) and from 100 to 10,000 pts.wt. thermally conductive filler (C) are compounded based on 100 pts.wt. polymer gel (A), and the softening point is set preferably from 35 to 105°C. - 特許庁
導電性微粒子と極性溶媒とを含む透明導電性被膜形成用塗布液において、導電性微粒子が、アスペクト比が2〜200の範囲にあり、平均長さが5〜100nmの範囲にある棒状導電性微粒子であることを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。例文帳に追加
In the application liquid for forming the transparent conductive coat including conductive particulates and polar solvent, the conductive particulates are rod-shaped conductive particulates which have an aspect ratio of 2-200 and an average length of 5-100 nm. - 特許庁
タップ密度が2.5〜6g/cm^3の範囲内であり、かつ、平均粒径が0.02〜1μmの範囲である導電性粉体を60〜90重量%の範囲で含有し、有機成分を10〜40重量%の範囲で含有するものとした。例文帳に追加
This conductor ink comprises 60-90 wt.% of an electrically conductive powder, whose tap density is in the range of 2.5-6 g/cm3 and whose average particle size is in the range of 0.02-1 μm, and 10-40 wt.% of an organic component. - 特許庁
回折格子31は、半導体レーザ素子11のビーム可能範囲内かつビーム有効範囲内のレーザービームを回折透過する回折格子部311と、半導体レーザ素子11のビーム可能範囲内かつビーム有効範囲外のレーザービームを半導体レーザ素子11の光軸に関する側方に向けて迂回させるバイパス部312とを備えている。例文帳に追加
A diffraction grating 31 has a diffraction grating section 311 which diffracts and transmits the laser beam within a beam possible range and beam effective range of the semiconductor laser element 11 and a bypass section 312 which bypasses the laser beam within the beam possible range and outside the beam effective range of the laser element 11 toward the lateral side with respect to the optical axis of the laser element 11. - 特許庁
ただし実際には武器術を指導する師範の割合は多くなく、体術のみを指導する稽古が大半である。例文帳に追加
However, in reality the percentage of grandmasters instructing in the art of weaponry isn't high, so most training includes instruction in taijutsu only. - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
第2の酸化物半導体層543は、Zn酸化物半導体よりなり、0.1〜1.0nmの範囲内の厚みを有している。例文帳に追加
The second oxide semiconductor layer 543 is composed of a Zn oxide semiconductor, and has a thickness within a range of 0.1-1.0 nm. - 特許庁
第1の酸化物半導体層542は、Ga酸化物半導体よりなり、0.5〜2.0nmの範囲内の厚みを有している。例文帳に追加
The first oxide semiconductor layer 542 is composed of a Ga oxide semiconductor, and has a thickness within a range of 0.5-2.0 nm. - 特許庁
広い温度範囲で高いプロトン伝導度を示し劣化の少ないプロトン伝導性複合膜及びそれを用いた燃料電池を提供する。例文帳に追加
To provide a proton conductive composite membrane having a high proton conductivity in a wide temperature range, and to provide a fuel cell using it. - 特許庁
その半導体基板12の表面において隣接する半導体素子領域30、50を分離している範囲にトレンチ100が形成されている。例文帳に追加
A trench 100 is formed within a range wherein adjacent semiconductor element regions 30 and 50 are separated on the upper surface of the semiconductor substrate 12. - 特許庁
さらに、第1の半導体素材と第2の半導体素材との熱膨張係数の違いは所定の範囲内である。例文帳に追加
Moreover, the difference of the thermal expansion coefficient between the first semiconductor material and the second semiconductor material is within a predetermined range. - 特許庁
液体窒素では、対応できない冷却温度範囲でも超電導部材を確実に冷却できる超電導機器の運転方法を提供する。例文帳に追加
To provide an operation method of a superconducting apparatus capable of surely cooling a superconducting member even to a cooling temperature range which liquid nitrogen cannot create. - 特許庁
1つの半導体レーザで2つの波長を発生させ、測定範囲が広く、構成がシンプルな2波長型半導体レーザ光源を提供する。例文帳に追加
To provide a two-wavelength type semiconductor-laser light source wherein two wavelengths are generated by a semiconductor laser, and its measurement scope is made wide, and further, its constitution is made simple. - 特許庁
この半導体材料層は導電性を示す範囲内、ドーパントの不純物ボーア半径と金属材料層の波動関数の広がりとの和程度とする。例文帳に追加
When the dopant material uses Bi, the semiconductor layer 15 pref. uses Si. - 特許庁
調整ネジ23により、内側導体5bを、外側導体5aに触れない範囲内で移動させることが可能である。例文帳に追加
The inner conductor 5b is moved by the adjusting screw 23 in a range wherein the inner conductor 5b is not in contact with the outer conductor 5a. - 特許庁
簡便なプロセスで、閾値電圧を広範囲にわたって制御することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor device that controls a threshold voltage in a wide range in a simple process, and to provide the semiconductor device. - 特許庁
半導体装置のリーク電流を用いて、リーク電流値を許容範囲内に制御することで、半導体装置の温度を制御する。例文帳に追加
To control the temperature of a semiconductor device by controlling a leakage current value to be within the allowable range, using the leakage current of the semiconductor device. - 特許庁
広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性に優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor element which has a composition ratio controlled over a wide range and uses a compound semiconductor film with excellent crystallinity. - 特許庁
軟化工程では、被覆後における絶縁心線の線状導体の伸びが24パーセント以下となる範囲で、線状導体を軟化する。例文帳に追加
In a softening process, the linear conductor is softened in such a range that the elongation of the linear conductor of the insulated core wire after covered is 24 percents or less. - 特許庁
特に、該Ni導電粒子表面を被覆する金めっきの膜厚が、0.001μm〜1μmの範囲である異方性導電接着剤である。例文帳に追加
Especially the thickness of the gold plating to coat the Ni conductive particle surface is set in the range of 0.001 μm-1 μm. - 特許庁
誘導部材120は、フック118、119の少なくとも一方が中に係合される、誘導通路の範囲を定める。例文帳に追加
The guiding member 120 delimits a guide passage in which at least one of the hooks 118, 119 is engaged. - 特許庁
広い範囲で制御された組成比を有し、結晶性が優れる化合物半導体の膜を用いた半導体素子を製造する方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a semiconductor element which has a composition ratio controlled over a wide range and uses a compound semiconductor film which is superior in crystallinity. - 特許庁
本発明に係る異方性導電材料100重量%中、該導電性粒子の含有量は1〜19重量%の範囲内である。例文帳に追加
A content of the conductive particles is within the range of 1-19 wt.% in 100 wt.% of the anisotropic conductive material. - 特許庁
導電性樹脂皮膜(A)は、10〜60質量%の導電性粒子を含有し、且つ、厚さ:3〜50μmの範囲である。例文帳に追加
The electric conductive resin film (A) contains 10-60 mass% of an electric conductive particle and has a thickness of 3-50 μm. - 特許庁
又、前記導電性ゴム組成物を押出し成形温度が70℃〜90℃の範囲で導電性芯軸と一体的に押し出し成形する。例文帳に追加
The conductive rubber composition is extrusion-molded at one with the conductive core shaft at an extrusion molding temperature within the range of 70-90°C. - 特許庁
この導電性可視光感応型酸化チタンは、全可視光領域で作用し、100μΩcm〜100kΩcmの範囲の電気伝導度を有する。例文帳に追加
The conductive and visible light sensitive titanium oxide operates within the whole visible light region and has an electric conductivity of 100 μΩcm-100 kΩcm. - 特許庁
導電性粒子4の含有量が導電性接着剤層3全体の15〜25重量%の範囲である。例文帳に追加
The content of the conductive particles 4 is in the range of 15 to 25 wt.% of the whole conductive adhesive layer 3. - 特許庁
加えて、熱伝導性組成物を硬化して得られる熱伝導性ホルダー11の硬度(タイプAデュロメータ)は、20〜70の範囲になっている。例文帳に追加
In addition, hardness (type A durometer) of the holder 11 obtained by curing the composition ranges between 20 and 70. - 特許庁
誘導性負荷の電流を広範囲に精度良く制御可能で、しかも安価な誘導性負荷制御装置を提供する。例文帳に追加
To provide an inexpensive inductive load controller capable of accurately controlling the current of an inductive load in a wide range. - 特許庁
微粒化、均粒化され、且つ黒色度と高電気導電性に優れ、広範な用途に使用可能な導電性黒色顔料を提供すること。例文帳に追加
To provide a conductive black pigment which is substantially fine and uniform, has high blackness and electrical conductivity, and can be used for wide applications. - 特許庁
所定の範囲内に分子量分画されたフミン質または当該フミン質の誘導体に、酸分解性基を導入する。例文帳に追加
An acid-decomposable group is introduced into a humic substance subjected to molecular weight fractionation within a predetermined range or a derivative of the humic substance. - 特許庁
さらに、LEDから発せられる光を導光部によって天頂面と中腹面に導くことで、広範囲からの視認が可能となった。例文帳に追加
By guiding light emitted from the LEDs to a top surface and a middle surface by a light guiding part, the light can be visually recognized from a wide range. - 特許庁
樹脂中に混入した異物を広範囲に検出することができる樹脂中導電性異物評価用の半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device for evaluating conductive foreign matters in resin, capable of detecting foreign matter mixed with resin over a wide range. - 特許庁
これら半導体層20、光反射層30および保護層31は、当該半導体層20、光反射層30および保護層31が形成されたのち、所定の時間範囲内の時間の間、雰囲気の温度を基板加熱時の温度範囲よりも高い温度範囲内の温度にして熱処理されたものである。例文帳に追加
The semiconductor layer 20, the light reflection layer 30, and the protection layer 31 are heat-treated by forming the semiconductor layer 20, the light reflection layer 30, and the protection layer 31; and then setting ambient temperature in a temperature range that is higher than that when heating the substrate during a prescribed time range. - 特許庁
幅広い湿度範囲および温度範囲における電解質膜のイオン導電率を、簡便かつ正確に測定することのできる電解質膜の導電率測定方法を提供することにある。例文帳に追加
To provide a conductivity measuring method of an electrolyte membrane capable of simply and accurately measuring the ion conductivity of the electrolyte membrane within a wide humidity range and a wide temperature range. - 特許庁
一方、所定範囲18以外の範囲において、所定周波数以外のノイズとなる電磁波が入力導波路13と出力導波路14との間で授受されることは抑制される。例文帳に追加
On the other hand, it is suppressed that electromagnetic waves other than the prescribed frequency which become noise are transferred between the waveguide 13 and the waveguide 14 in the extents other than the prescribed extent 18. - 特許庁
半導体レーザの発光ピーク波長を検出し、所望の色範囲から逸脱している場合には、逸脱の方向に応じて半導体レーザへの電流供給量を増減させ、所望の色範囲を得る。例文帳に追加
The light emission peak wavelength of the semiconductor lasers is detected and when the light emission peak wavelength deviates from a desired color range, the amount of current to semiconductor lasers is increased or decreased according to the direction of the deviation to obtain a desired color range. - 特許庁
そして、隣接する導光部の間隔は可視光の波長範囲の最短波長の半分以下であり、導光部の高さは可視光の波長範囲の最長波長の2倍以上である。例文帳に追加
Then, the spacing of adjoining light guide portions is set to half or shorter of the shortest wavelength in a wavelength range of visible light, and the height of the light wave portions is set to twice more of the longest wavelength of the wavelength range in the visible light. - 特許庁
また、III族窒化物半導体膜21の水素濃度は1.0×10^17cm^−3以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜21の水素濃度は1.5×10^18cm^−3以下の範囲にある。例文帳に追加
Additionally, the hydrogen concentration of the group III nitride semiconductor film 21 is in the range of 1.0×10^17 cm^-3 or more and 1.5×10^18 cm^-3 or less. - 特許庁
III族窒化物半導体膜21の酸素濃度は、1.0×10^17cm^−3以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜21の酸素濃度は、1.5×10^18cm^−3以下の範囲にある。例文帳に追加
The oxygen concentration of the group III nitride semiconductor film 21 is in the range of 1.0×10^17 cm^-3 or more and 1.5×10^18 cm^-3 or less. - 特許庁
幅広い温度範囲において、照射される範囲の照度バラツキを低減する導光体を提供し、この導光体を使用することで文字盤の視認性に優れた表示装置を提供する。例文帳に追加
To provide a light guide which reduces illuminance nonuniformity in an irradiated range in a wide temperature range and to provide a display device which is made excellent in the visibility of a dial by using the light guide. - 特許庁
半導体素子11と冷却水流路30の間に位置している上側壁部材21の厚みd1は、半導体素子11中央領域に対応する範囲で薄く、周辺領域に対応する範囲で厚い。例文帳に追加
A thickness d1 of an upper sidewall member 21 positioned between the semiconductor element 11 and a cooling water channel 30 is thin in a range corresponding to a center region of the semiconductor element 11 and thick in a range corresponding to a peripheral region. - 特許庁
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