「絶縁物」に関連した英語例文の一覧と使い方(167ページ目) - Weblio英語例文検索

リチウム電池本体の正極および負極の各々に接続された金属端子を外側に突出した状態で挟持して熱接着して密封するタイプのリチウム電池等の電池用包装材であって、密封性、耐突刺し性、絶縁性、耐熱・耐寒性、耐腐蝕性等の諸物性においても優れることは元より、スリップ剤を用いることなく良好な滑り性を得ることができ、結果としてプレス成形時の成形安定性やラミネート強度の安定性に優れる電池用包装材を提供することである。例文帳に追加

To provide a packing material for a battery, not only excellent in a sealing property, an anti-piercing property, insulation, heat and cold resistance, corrosion resistance or the like, but also capable of obtaining an excellent slip property without using a slipping agent, and as a result, excellent in molding stability at press molding and stability of laminating strength. - 特許庁

接着剤にポリエステルアミドとフェノール樹脂を必須成分として含有し、該接着剤層のヘイズが４０以下であることを特徴とする半導体装置用接着剤組成物および少なくとも一層の有機絶縁フィルム層と接着剤層からなる半導体装置用接着剤シートであり、接着剤にポリエステルアミドとフェノール樹脂を必須成分として含有し、該接着剤層のヘイズが４０以下であることを特徴とする半導体装置用接着剤シート。例文帳に追加

An adhesive composition for a semiconductor device contains a polyester amide and a phenol resin in the adhesive as the indispensable components and the adhesive layer manifests ≤40 of haze, and the adhesive sheet for the semiconductor device comprises the adhesive layer and at least an organic insulating film layer and contains the polyester amide and the phenol resin as the indispensable components and the adhesive layer manifests ≤40 of haze. - 特許庁

プラズマ励起用のガスを用いてプラズマを発生させ、処理用ガスを前記プラズマ内に導入して被処理物を処理するプラズマ処理方法で、処理用ガスは亜酸化窒素ガスを含み、かつ前記亜酸化窒素ガスを電子温度が２．２４ｅＶ未満のプラズマ中に導入することで絶縁膜にダメージを与えるイオンの発生を軽減させることで、高品質な酸窒化を実現できるプラズマ処理方法、及びこのプラズマ処理方法を使った電子装置の製造方法を実現できる。例文帳に追加

The manufacturing method of an electronic device can be realized using the plasma processing method. - 特許庁

本発明のトランジスタ構造体は、横方向で対向する第１及び第２の側面と縦方向で対向する第３及び第４の側面を有する半導体パターンと、半導体パターンの第１及び第２の側面に隣接して配置されるゲートパターンと、半導体パターンの第３及び第４の側面に直接接触しながら配置される不純物パターンと、ゲートパターンと半導体パターンとの間に介在されるゲート絶縁膜パターンと、を備える。例文帳に追加

The transistor structure comprises: a semiconductor pattern having first and second sides facing in a transverse direction, and third and fourth sides facing in a longitudinal direction; gate patterns disposed adjacent to the first and second sides of the semiconductor pattern; impurity patterns directly contacting the third and fourth sides of the semiconductor pattern; and a gate insulating pattern interposed between the gate patterns and the semiconductor pattern. - 特許庁

ポリマー電解質、セパレーター及び電極材料からなるリチウムポリマー電池であって、前記ポリマー電解質が、溶媒、電解質塩及びラジカル重合性官能基を有する化合物を含む溶液を、活性放射線の照射及び／又は加熱により架橋して得られたポリマー電解質であり、前記セパレーターが非導電性多孔質材料と電気絶縁性の粒子からなるセパレーターであるリチウムポリマー電池。例文帳に追加

The lithium polymer battery is composed of a polymer electrolyte, a separator and electrode material, and the polymer electrolyte is obtained by crosslinking a solution containing a solvent, an electrolyte salt, and a compound having a radical polymerizing functional group by applying active radiation rays and/or heating, and the separator is composed of a non-conductive porous material and electrically insulating particles. - 特許庁

電極層、その電極層上に形成された多孔質半導体層に色素を吸着させた光電変換層、キャリア輸送層および対極が順次積層された色素増感太陽電池において、電極層と光電変換層の接触していない電極層部分が、高抵抗な半導体もしくは絶縁性物質からなる短絡防止層により覆われていることを特徴とする色素増感太陽電池により、上記の課題を解決する。例文帳に追加

In the pigment sensitized solar cell successively laminating an electrode layer, a photoelectric transduction layer which adsorbs pigments on a porous semiconductor layer formed on the electrode layer, a carrier transportation layer and a counter electrode, an electrode layer portion to which the electrode layer and the photoelectric transduction layer not in contact is covered with a short-circuit proofing layer composed of a high-resistance semiconductor or insulating material. - 特許庁

半導体基板１１上及び素子分離部上にゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を形成し、ある１つのゲート電極に対しその両側に隣接するようにゲート電極を形成し、隣接するゲート電極の陰がソース又はドレイン領域１９に重なるように、斜めイオン注入を行うことにより、ゲート電極下のシリコン基板領域１３に選択的にチャネル不純物を注入することが可能になる。例文帳に追加

Gate electrodes 15 are formed through a gate insulation film 14 on a semiconductor substrate 11 and element isolations, the gate electrodes are formed so as to adjoin both sides of a certain one gate electrode, and a skew ion implanting is made so that the shadows of adjacent gate electrodes overlie source or drain regions 19, thus making it possible to selectively implant a channel impurity in Si substrate regions 13 beneath the gate electrodes. - 特許庁

本発明の有機電界効果トランジスタは、有機半導体材料からなる有機半導体膜２にゲート絶縁膜３を介して設けられたゲート電極８と、前記ゲート電極８をはさんで前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極６およびドレイン電極７とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極６および前記ドレイン電極７の少なくとも１方が、無機物からなるバッファ層４、５を介して前記有機半導体膜２と当接していることを特徴とする。例文帳に追加

The organic field effect transistor comprises a gate electrode 8 provided on an organic semiconductor film 2 of organic semiconductor material through a gate insulation film 3, a source electrode 6 and a drain electrode 7 provided to abut on the organic semiconductor film through the gate electrode 8 wherein at least one of the source electrode 6 and the drain electrode 7 abuts on the organic semiconductor film 2 through buffer layers 4 and 5 of inorganic substance. - 特許庁

本発明の有機電界効果トランジスタは、有機半導体材料からなる有機半導体膜２にゲート絶縁膜３を介して設けられたゲート電極８と、前記ゲート電極８をはさんで前記有機半導体膜に当接するように設けられたソース電極６およびドレイン電極７とを備えた有機電界効果トランジスタにおいて、前記ソース電極６および前記ドレイン電極７の少なくとも１方が、無機物からなる電荷注入層４、５を介して前記有機半導体膜２と当接していることを特徴とする。例文帳に追加

The organic field effect transistor comprises a gate electrode 8 provided on an organic semiconductor film 2 of organic semiconductor material through a gate insulation film 3, a source electrode 6 and a drain electrode 7 provided to abut on the organic semiconductor film through the gate electrode 8 wherein at least one of the source electrode 6 and the drain electrode 7 abuts on the organic semiconductor film 2 through buffer layers 4 and 5 of inorganic substance. - 特許庁

保持面５５ｃと絶縁領域５５ｄ、５５ｅとから構成されるチャックテーブル５５に、第一のセラミックス治具１００、第二のセラミックス治具１０１のいずれかを介して被加工物が保持される場合において、第一のセラミックス治具１００と第二のセラミックス治具１０１とを判別する治具判別手段８０を配設することにより、チャックテーブル５５にどちらのセラミックス治具が搭載されているかを予め把握する。例文帳に追加

When the work to be processed is held by any of first and second ceramic jigs 100 and 101 on a chuck table 55 having a holding surface 55c and insulating regions 55d, 55e, a jig identifying means 80 for discriminating between the ceramic jigs 100 and 101 is provided to previously know one of the jigs mounted on the chuck table 55. - 特許庁

脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成物が硬化してなる電気絶縁層の表面を、１）過マンガン酸塩又はプラズマと接触させ、次いで乾式メッキすることによって、２）乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メッキすることによって、３）乾式メッキを複数回繰り返した後、湿式メッキをすることによって、又は４）メッキした後、アニーリングすることによって導電体層を形成することを含む多層回路基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

The method of manufacturing a multilayer circuit board comprises 1) bringing the surface of an electric insulation layer formed by hardening a hardening resin composition containing alicyclic olefin polymer or aromatic polyether polymer in contact with permanganate or plasma, 2) dry plating it by dry plating, 3) repeating the dry plating several times by wet or dry plating, or 4) plating by wet plating and then annealing to form a conductor layer. - 特許庁

所定形状を有するコイル形成用の基材と、基材に絶縁被膜付き高電導性線材を巻き付けて形成される電磁コイルとを有し、電磁コイルをコーキング材により密閉してなる電磁コイル構造体を、対象物を保持する保持具にまたがるように、あるいは囲むように、あるいは挟み込むように設け、さらに電磁コイル構造体を保持具に沿って並行、直行または交叉するように複数個配設する。例文帳に追加

A plurality of electromagnetic coil structures which have a coil forming base of a given shape and an electromagnetic coil formed by a winding of a highly conductive wire with an insulating film about the base and in which the electromagnetic coil is enclosed with a caulking compound, are arranged so that they straddle, enclose or sandwich a holder for holding an object and that they are parallel to, perpendicular to or across the holder. - 特許庁

層間絶縁膜２６に対して高食刻選択比を有する物質からなるスペーサ２０ａをゲート電極１６の側壁に形成し、ゲート電極１６の上部とソース及びドレイン領域が形成される基板の上部を高融点金属シリサイド膜１８ａ，２２として形成することにより、ゲート電極１６とゲート電極１６との間を露出させるコンタクトホールを自己整合方式で形成可能とする。例文帳に追加

A spacer 20a comprising a substance having a high corrosion selection ratio for an interlayer insulation film 26 is formed on the side wall of a gate electrode 16, and the contact hole exposed between the gate electrodes 16 can be formed by a self matching method by forming the upper part of the gate electrode and the upper part of the substrate forming the source and drain areas in high melting point metal silicide films 18a, 22. - 特許庁

平均絶縁皮膜厚み（Ｘμｍ）とその皮膜厚みの標準偏差（σ）とが、下式 式および 式を満たす鋼板で、クロム酸塩、重クロム酸塩、リン酸塩、縮合リン酸塩、二酸化ケイ素およびケイ酸塩から選ばれる少なくとも１種の無機成分、または前記の無機成分と有機成分（エポキシ系、メラミン系他の樹脂）との混合物が溶解もしくは分散した薬液を鋼板表面に塗布した後、板温が２００℃まで達するまでの平均昇温速度を２５℃／ｓとし、最高到達板温Ｔを２００〜４００℃、乾燥時間ｔを１０〜１２０秒として乾燥処理を行うことにより製造することができる。例文帳に追加

The steel sheet has a mean thickness (X μm) of an insulation film and a standard deviation of the film thickness (σ) satisfying the expressions (1) and (2): 0.1≤X≤1.5...(1), and 0≤σ/X^0.25≤0.25...(2). - 特許庁

少なくともエポキシ硬化成分を含有してなる接着剤を介在せしめて、導体層を有するポリイミド系絶縁材料を積層してなり、導体層間をスルーホールもしくはブラインドビアホールに施した金属めっきにより接続する構造を有する多層配線基板の製造方法において、スルーホールもしくはブラインドビアホールに金属めっきを施す前処理として、少なくともイミダゾール類化合物を含有する処理液にて処理する工程を含む。例文帳に追加

In the method for manufacturing the multilayer wiring boards having structure where an adhesive containing at least an epoxy curing constituent is included, a polyimide-based insulating material having a conductor layer is laminated, and the conductor layers are connected by metal plating provided in the through and blind via holes, a treatment using a liquid containing at least imidazole compound is included in pretreatment for performing metal plating to the through or blind via hole. - 特許庁

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する例文帳に追加

In a picture matrix part, a TFT, provided with an LDD structure, is arranged by performing a non-self-alignment process using an insulator 125. - 特許庁

ハロゲン元素を含まず焼却時にもダイオキシン等の有害ガスを発生することがなく、ＪＩＳ規格Ｃ３００５の６０度傾斜燃焼試験およびＵＬ規格１５８１に規定される垂直燃焼試験ＶＷ−１の両方に合格する難燃性を有し、かつ優れた柔軟性（可撓性）が得られまた電気絶縁特性にも優れた、ノンハロゲン難燃性樹脂組成物およびこれを用いた難燃性電源コードを提供することにある。例文帳に追加

To obtain a nonhalogen flame retardant resin composition containing no halogen, generating no harmful gas such as dioxins, having excellent electric insulation and flame retardance capable of passing both of the 60° inclined combustion test according to JIS C3005 and the vertical combustion test VW-1 according to the UL standard 1581 and forming products having excellent pliability (flexibility), and to provide a flame retardant power cord. - 特許庁

半導体装置は、半導体基板１上に形成され、導電性不純物を含み、エクステンションとなる２つの第１エピタキシャル成長層６と、第１エピタキシャル成長層６上に形成され、ソースあるいはドレインとなる２つの第２エピタキシャル成長層８と、２つの第１エピタキシャル成長層６の間における半導体基板１のチャネル領域上に、ゲート絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device comprises two first epitaxial growth layers 6 to be extended, which are formed on a semiconductor substrate 1 and contain conductive impurities; two second epitaxial growth layers 8 to be a source or a drain, which are formed on the first epitaxial growth layers 6; and a gate electrode 5 formed on the channel region of the semiconductor substrate 1 between the two first epitaxial growth layers 6 through a gate insulation film 4. - 特許庁

対向電極間に、銀、または銀を化学構造中に含む化合物を含有する電解質を有し、銀の溶解析出を生じさせるように該対向電極の駆動操作を行う表示素子であって、ブラックマトリックスまたは透明電極上に画素境界を設ける絶縁部を含まず、かつ、少なくとも１つの画素の黒化銀析出領域を、隣接画素領域とオーバーラップさせるように設けることを特徴とする表示素子。例文帳に追加

In the display element having an electrolyte containing silver or a compound containing silver in its chemical structure between opposed electrodes and performing driving operation of the opposed electrodes so as to generating dissolution and deposition of silver, an insulating part wherein a pixel boundary is provided on a black matrix or a transparent electrode is not included and a blacked silver deposition region of at least one pixel is provided so as to overlap with an adjacent pixel region. - 特許庁

爆発性或いは他の反応性物質がチューブ内に被覆されている導火管付雷管の点火方法において、コンデンサに所定の電圧を充電した後、任意の時刻に放電する充放電手段と、前記放電電圧を受電する手段と、前記受電手段と電気的に接続される２本の金属線から成り、該金属線の少なくとも一方が先端部を除いて電気的に絶縁され、前記充放電手段から受電した電圧によって前記２本の金属線の先端から火花を発生させる火花発生手段とを有し、 前記火花発生手段を前記チューブ内に挿入して点火する。例文帳に追加

The explosive is ignited by inserting the spark generating means into the tube. - 特許庁