1016万例文収録!

「絶縁物」に関連した英語例文の一覧と使い方(162ページ目) - Weblio英語例文検索


小窓モード

プレミアム

ログイン
設定

設定

Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 絶縁物に関連した英語例文

セーフサーチ:オン

不適切な検索結果を除外する

不適切な検索結果を除外しない

セーフサーチについて

絶縁物の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 8325



例文

金型成形時に表面に平滑な非晶質(スキン)層が形成されにくい樹脂成形品であり、しかもその表面への平滑で親水性のシリカ/ポリスチレン膜の形成により油性の異が付着しにくく絶縁などの電気特性にも優れた親水性シリカ膜樹脂成形品を提供することにある。例文帳に追加

To provide a hydrophilic silica film resin molded product having a smooth hydrophilic silica/polystyrene film formed on a surface thereof and therefore excellent in electrical characteristics, such as insulation properties, by preventing oily foreign matter from adhering to the surface, although a smooth amorphous (skin) layer is difficult to be formed on the surface of the resin molded product, when the product is molded in a mold. - 特許庁

分離絶縁膜上の配線と、この配線の側面上に形成されたサイドウォールと、配線と活性領域上の不純拡散とを接続するシェアードコンタクトを備えた半導体装置であっても、シェアードコンタクから半導体基板へのリーク電流の発生を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof wherein the generation of its leakage current can be prevented from a shared contact into a substrate, even though it has a wiring present on a separative insulating film, side walls formed on the side surfaces of the wiring, and the shared contact whereby the wiring and an impurity diffusion layer are connected on an active region. - 特許庁

前記拡散抵抗領域3は第二トレンチ6および一導電型の不純領域により電気的に分離される構成を有し、さらに、前記第二トレンチ6の側壁に絶縁膜7を介して設けられている導電性ポリシリコン5が、前記拡散抵抗領域3のいずれかの端部4aと短絡接続されている半導体装置とする。例文帳に追加

In the semiconductor device, the diffusion resistance region 3 has a constitution which is electrically separated by a second trench 6 and an impurity region of one conductivity type, and a conductive polysilicon 5 provided at a sidewall of the second trench 6 via an insulating film 7 is short-circuited and connected to either of ends 4a of the diffusion resistance region 3. - 特許庁

露光後放置安定性に優れ、熱硬化中にパターンだれが生じることなく、熱硬化後に高解像度、高耐熱性、高透明性の特性を有する、TFT基板用平坦化膜、層間絶縁膜、光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる感光性シロキサン組成を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive siloxane composition which excels in stability when allowed to stand after exposure, causes no pattern drooping during heat curing, has such properties as high resolution, high heat resistance and high transparency after heat curing, and is used for forming a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film and a core or clad material of an optical waveguide. - 特許庁

例文

処理剤の入った容器を真空雰囲気中に置かれる抵抗加熱体上に載置して、容器を直接加熱することにより処理剤を蒸散させて被蒸着に蒸着を行う真空蒸着装置において、前記抵抗加熱体と抵抗加熱体上に置かれる容器との間に絶縁層を設けた。例文帳に追加

In the vacuum vapor deposition apparatus in which the vessel containing the treating agent is placed on a resistance heater placed in a vacuum atmosphere, and directly heated, and vapor deposition is performed on a work to be vapor-deposited by transpiring the treating agent, an insulation layer is provided between the resistance heater and the vessel placed on the resistance heater. - 特許庁


例文

少なくとも表面が絶縁性である基板36上に銅層(銅配線)40aを形成し、該銅層(銅配線)40aをリン化銅、ホウ化銅、シュウ化銅のうちから選択されるいずれかの銅化合層40bによって被覆したことを特徴とする電子機器用基板31を用いた液晶表示装置(電子機器)30。例文帳に追加

A liquid crystal display device (electronic equipment) 30 uses the substrate 31 for electronic equipment characterized in that a copper layer (copper wiring) 40a is formed on a substrate 36 having insulating property at least on its surface and coated with a copper compound layer 40b of a copper compound selected out of copper phosphide, copper boride, and copper bromide. - 特許庁

絶縁表面上に膜厚が1nm以上10nm以下の第1の材料膜(六方晶の結晶構造を有する膜)を形成し、第1の材料膜を核として、六方晶の結晶構造を有する第2の材料膜(結晶性酸化半導体膜)を形成し、第1の材料膜と第2の材料膜の積層を形成する。例文帳に追加

A first material film (film having a hexagonal crystal structure) is formed on an insulation surface with a film thickness of 1 nm or more and 10 nm or less and a second material film (crystalline oxide semiconductor film) having the hexagonal crystal structure is formed using the first material film as a nucleus to form a laminate of the first material film and the second material film. - 特許庁

絶縁層1上に配線パターン2aが形成された配線層2に対し、熱硬化性樹脂を含有する接着性シート12が多孔質膜13に接着又はその少なくとも一部が含浸された複合シート10を少なくとも積層した状態で、その積層を加熱加圧又は加圧後に加熱加圧して一体化させる工程を含む配線基板の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a wiring board comprises a step for laying a composite sheet 10, where an adhesive sheet 12 containing thermosetting resin is boded to or impregnated partially with a porous film 13, on a wiring layer 2 having a wiring pattern 2a formed on an insulation layer 1 and then integrating the multilayer by hot press or hot press following to press. - 特許庁

有機溶剤を使用しない水系の現像液で現像が可能で、基材への密着性など多層配線板の絶縁層に必要とされる諸特性に優れ、且つ、特に優れた耐熱性を持つ、回路層間接着剤用感光性樹脂組成、及びそれを用いた信頼性の高いプリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition for a circuit layer-to- layer adhesive developable with an aqueous developing solution using no organic solvent, excellent in various characteristics necessary for the insulating layer of a multilayer wiring board, e.g. adhesion to a substrate and having particularly superior heat resistance and to provide a high reliability printed wiring board using the composition. - 特許庁

例文

微結晶半導体膜のうち、成膜を開始した当初に形成される結晶性の劣った層ではなく、その後に形成される結晶性の高い層においてチャネル形成領域が形成されるように、結晶性の高い層のうちゲート絶縁膜に近い層に、一導電型を付与する不純元素を含ませる。例文帳に追加

An impurity element that gives one conductivity-type is contained in a layer closer to a gate insulating film out of highly crystalline layers so as to form a channel formation region in a highly crystalline layer to be formed later, not in a poorly crystalline layer to be formed at an initial stage when deposition is started, out of the microcrystal semiconductor films. - 特許庁

例文

セラミック基板2の上面に金属回路板3を、下面に金属回路板3と対向するダミー金属回路板4を取着して成り、ダミー金属回路板4が伝熱性組成6を介して放熱部材7に実装されるセラミック回路基板1であって、金属回路板3の回路間に対応するダミー金属回路板4の隙間に、ヤング率が20GPa以下の絶縁性樹脂5が充填されている。例文帳に追加

The ceramic circuit board 1 is composed of a metal circuit board 3 fixed onto the upside of a ceramic board 2 and a dummy metal circuit board 4 fixed onto the other side opposite to the circuit board 3, and the dummy board 4 is mounted on a heat radiating member 7 through a heat conductive composition 6. - 特許庁

本発明は集電体が非絶縁性の酸化膜を形成したアルミニウムからなっているので、電解液または電極中の水分と集電体との反応を抑制することによって、電解液及び集電体の劣化を抑制し、85℃以上での使用が可能となり、さらに長寿命特性を実現するという効果を有する。例文帳に追加

A current collector is made of aluminum having an oxide film formed, so that deterioration in an electrolyte and the current collector are suppressed by suppressing reaction between water in the electrolyte or an electrode and that the current collector provides the effect that the electric double-layer capacitor is used at85°C and has long-life characteristics. - 特許庁

特定のMFRを有するポリ4−メチル−1−ペンテンを含む樹脂組成を含む絶縁層および導電体層を有する積層板が、低誘電率、低誘電正接、耐熱性、穴あけ加工性に優れ、さらに表面が滑らかで厚薄精度の安定した積層板および高周波回路用積層板を提供することができる。例文帳に追加

A laminate having an insulating layer and an electric conductor layer including a resin composition including poly 4-methyl-1-pentene having a specific MFR is excellent in low dielectric constant, low dielectric loss tangent, heat resistance, and drilling workability, and further a laminate and a laminate for a high frequency circuit having a smooth surface and stable accuracy of thickness are provided. - 特許庁

扉体9裏面に設けられたアルミニウム製の収納トレイ8上面に絶縁物であるアルミナセラミックス板7を貼付して、プリント基板6を前記アルミナセラミックス板7を介して積載した前記収納トレイ8を下部電極3の上方に所定間隔を存するように、真空チャンバー1内に扉体9を介して出し入れ可能に構成する。例文帳に追加

An insulation article alumina ceramic plate 7 is stuck on the upper face of an aluminum-made storing tray 8 provided on the rear face of a door 9, and the tray 8 placed with a printed circuit board 6 via the alumina ceramic plate 7 is set above a lower electrode 3 keeping a given space, allowing putting in and drawing out from a vacuum chamber 1 through the door 9. - 特許庁

次に、76Torrに減圧したCVDチャンバ内で、上記ダイヤモンド結晶層1に、酸素ガス、水素ガス、トリメチルアルミニウムを供給し、ソース電極2とドレイン電極3との間のゲート部に厚さ8nmのAl(OH)_3またはAl_1-x-yO_xH_y化合からなる絶縁層4を形成する。例文帳に追加

Then, an oxygen gas, a hydrogen gas, and trimethyl aluminum are supplied to the diamond crystal layer 1 in a CVD chamber having been reduced in pressure to 76 Torr to form an insulating layer 4 of an Al(OH)_3 or Al_1-x-yO_xH_y compound at a gate portion between the source electrode 2 and drain electrode 3 into a thickness of 8 nm. - 特許庁

チャネル形成領域を具備する半導体膜と、半導体膜のチャネル形成領域上に絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲートとを形成し、浮遊ゲートを半導体膜と仕事関数が異なる材料で設け、チャネル形成領域に不純元素を導入することによって、書き込み電圧と消去電圧を概略同一とする。例文帳に追加

A semiconductor film having a channel forming region and a floating gate provided on the channel forming region of the semiconductor film through an insulating film are formed, the floating gate is provided by a material whose work function is different from the semiconductor film, and by introducing impurity elements to the channel forming region, a writing voltage and an erasing voltage is made roughly the same. - 特許庁

絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、連続発振レーザ光を走査して帯状多結晶領域を形成するに際の対レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形(短軸幅)の変化による結晶状態の変動を防止する。例文帳に追加

To prevent a variation of a crystal state due to a change of a collecting beam shape (width of minor axis) of radiating laser beam caused from a heat lens effect of an objective lens produced when forming a belt polycrystal, by scanning a continually oscillating laser beam onto a desired area of an amorphous or granular polycrystal silicon film formed on an insulating substrate. - 特許庁

導波路型半導体光デバイス20は、半絶縁性基板1上に、n型クラッド層2、3、i型吸収層4及びp型クラッド層6とからなるpin型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記i型吸収層における不純濃度が10^16cm^−3以下である。例文帳に追加

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less. - 特許庁

静電容量型センサ10は、検知対象との間の静電容量を検知する検知電極11と、検知電極11の所定方向の検知をシールドするシールド電極12と、これらの電極11,12を所定間隔Lだけ離間配置した状態で覆うとともに、ドア2の縁部2aに取り付けられる絶縁性の被覆部材13とを備える。例文帳に追加

A capacitance type sensor 10 includes: a sensing electrode 11 for sensing a capacitance between the electrode and an object to be sensed; a shield electrode 12 for shielding sensing of the sensing electrode 11 in a predetermined direction; and an insulative covering member 13 that covers these electrodes 11, 12 separated with a predetermined interval L and are mounted on an edge 2a of a door 2. - 特許庁

放電加工装置は、絶縁性の加工液10と、加工液を蓄える加工槽11と、加工槽の加工液中で加工対象13に放電加工を行う移動可能な加工電極15と、加工電極の近傍に接近させて付近の加工液を振動させ波動を生じさせる超音波振動子16を備える。例文帳に追加

This electric discharge machining device is provided with insulating working fluid 10, a machining vessel 11 storing the working fluid, a movable machining electrode 5 performing the electric discharge machining on the workpiece 13 in the working fluid in the machining vessel, and an ultrasonic vibrator 16 approached to the adjacent to the machining electrode, vibrating the working fluid nearby, and producing wave motion. - 特許庁

脂環式オレフィン重合体又は芳香族ポリエーテル重合体を含有する硬化性樹脂組成が硬化してなる電気絶縁層の表面を、あらかじめ50〜250℃に加熱し温度を保持しながらプラズマと接触させ、次いで乾式メッキし、次いで湿式メッキ又は乾式メッキすることによって、導電体層を形成することを含む多層回路基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the multilayer circuit board, the surface of the electrical insulating layer, where a curing resin composition containing an alicyclic olefin polymer or aromatic series polyether polymer is cured is heated to 50-250° for retaining the temperature and brought into contact with plasma, then is subjected to dry plating, and then wet plating or dry plating, thus forming the conductor layer. - 特許庁

多層プリント配線基板を構成する基板、接続ピン、絶縁層等の材料を環境、リサイクル性を考慮した材料としてポリカーボネート、ポリエチレン、ポリフェニレンサルファイド、フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂、あるいは、脂肪族ポリエステル、セルロース混合、乳酸、デンプン等の生分解性樹脂によって構成する。例文帳に追加

The materials for boards, connecting pins, insulating layers and the like, which constitute a multilayer printed wiring board, are constituted of a thermoplastic resin, such as a polycarbonate, a polyethylene, a polyphenylene sulfide and a fluororesin, or a biodegradable resin, such as an aliphatic polyester, a cellulose mixture, a lactic acid and a starch, as a material formed in consideration of a recycle property. - 特許庁

半導体装置は、埋め込み酸化膜によって支持基板から絶縁分離されるとともに、埋め込み酸化膜にまで達する厚さを有するフィールド酸化膜によって、第1および第2の領域を含む複数の領域に分離された活性層を有するSOI基板の、第1の領域に形成された不純拡散領域をドレイン領域とするMOSトランジスタと、第1の配線層とを有する。例文帳に追加

The semiconductor device includes: an MOS transistor whose drain region is an impurity diffusion region formed in the first region of the SOI substrate with an active layer insulated and separated from a support substrate by a buried oxide film and separated into a plurality of regions including the first and the second regions by a field oxide film having a thickness reaching the buried oxide film; and a first wiring layer. - 特許庁

アルカリ可溶性樹脂成分(A)及び感光剤(B)を含む層間絶縁膜用感光性樹脂組成であって、前記アルカリ可溶性樹脂成分(A)が酸性基含有構成単位(a1)、架橋性基含有構成単位(a2)及びアルコキシシリル基含有構成単位(a3)を含む共重合体(A1)を含む。例文帳に追加

The photosensitive resin composition for the interlayer dielectric comprises an alkali-soluble resin component (A) and a photosensitive agent (B), wherein the alkali-soluble resin component (A) comprises a copolymer (A1) comprising a constitutional unit (a1) containing an acidic group, a constitutional unit (a2) containing a crosslinking group and a constitutional unit (a3) containing an alkoxysilyl group. - 特許庁

本発明は窒化半導体発光素子及びその製造方法に関し、本発明による発光素子は望まぬ方向に向かって消失される光を効果的に集束させ、発光効率を極大化させるばかりでなく、素子の側面にまで形成された電気的絶縁層により保護されるのでESD特性を大幅に向上させることができる。例文帳に追加

To maximize light-emitting efficiency by effectively converging light that is lost toward an undesired direction and to remarkably improve ESD characteristics by protecting an element by an electrically insulating layer formed to side surfaces of the element. - 特許庁

電気的に絶縁性のキャリア液中にトナーを分散させた電子写真用液体現像剤において、トナーは、着色剤としてColor Index Pigment Yellow 180に分類される化合及び(又は)その誘導体を含むとともに、体積平均粒径が0.5μm〜5μmである電子写真用液体現像剤。例文帳に追加

In an electrophotographic liquid developer by disperding a toner in an electrically insulating carrier liquid, the electrophotographic liquid developer is constituted in such a way that the toner contains a compound and/or the derivative classified into Color Index Pigment Yellow 180 as a coloring agent and the volume average particle size is 0.5 μm to 5 μm. - 特許庁

それぞれアンテナ6に一体にして接続され、かつ、アンテナ6のループ長さ方向に間隔を取って配置された複数のアンテナ側の面状導体7と、それぞれ絶縁物質Aを介してアンテナ側の面状導体7に対応配置されて互いに非接続の独立したパターンである複数の対向側の面状導体8とからなるキャパシタンス調整手段3を備える。例文帳に追加

This antenna is provided with a capacitance control means 3 composed of a plurality of antenna side planar conductors 7 individually and integrally connected to the antenna 6 and arranged with intervals in the loop length direction of the antenna 6 and a plurality of opposite side planar conductors 8 of mutually non-connected independent patterns respectively arranged corresponding to the antenna side planar conductors 7 through an insulating material A. - 特許庁

ポリオレフィン系重合体と二重結合を有する重合体とが架橋してなる架橋を含有する多孔質フィルムよりなり、炭酸エチレン/炭酸エチルメチル=1/2(重量比)の混合溶媒を含浸させたときの断面厚み方向の絶縁破壊強度が50KV/mm以上である非水電解液電池用セパレータ。例文帳に追加

The non-aqueous electrolyte separator is made of a porous film that contains a cross-linking substance made by cross-linking polyolefine system polymer and a polymer having a double bond and that has a dielectric breakdown of 50 kV/mm or more in the direction of sectional thickness during impregnation of a mixed solvent made of carbonic acid ethylene/carbonic acid ethylmethyl = 1/2 (weight ratio). - 特許庁

積層の一体化工程を同時に行うことで、積層数の多い多層配線基板でも簡易に製造でき、得られる多層配線基板も、絶縁層間の接着強度の問題や積層の位置合わせ精度の問題が生じにくい多層配線基板の製造方法、及びそれによって得られる多層配線基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a multilayer wiring substrate, with which even a multilayer wiring substrate having a high count of laminated layers can be easily manufactured by simultaneously performing a unifying process to form a laminate, and problems on adhesion strength between insulating layers and problems on aligning accuracy in lamination hardly occur in the obtained multilayer wiring substrate, and to provide a multilayer wiring substrate obtained by the method. - 特許庁

本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ge吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってCMOSデバイスとの共存性を、達成する。例文帳に追加

The device achieves high bandwidth by utilizing a buried insulating layer to isolate carriers generated in the underlying substrate, high quantum efficiency over a broad spectrum by utilizing the Ge absorbing layer, low voltage operation by utilizing a thin absorbing layer and narrow electrode spacings, and compatibility with CMOS devices by virtue of its planar structure and use of the group IV absorbing material. - 特許庁

炉壁を貫通して取付けられるMoSi_2製棒状ヒーターにおいて、端子部に純度が高く低抵抗のMoSi_2を、発熱部に絶縁性酸化等を含有する高抵抗MoSi_2を使用し、かつ端子部の径を小さくして端子部の熱放散を抑制したことを特徴とする均熱性に優れたMoSi_2製モジュールヒーター。例文帳に追加

For the rod-shaped heater made of MoSi2 mounted by penetrating a furnace wall, MoSi2 with high purity and low resistance is used for a terminal part, and MoSi2 including an oxide with insulation property with high resistance is used for a heat radiation part, and hat radiation at terminal part is restrained by making the radius of the terminal part small. - 特許庁

二酸化炭素冷媒と共に用いた場合に、潤滑性、シール性、冷媒相溶性、熱・化学的安定性、電気絶縁性等をバランスよく十分に満足し、圧縮機の潤滑不良や冷凍効率の低下を十分に防止することが可能な冷凍機油、並びにその冷凍機油を用いた冷凍機用流体組成を提供すること。例文帳に追加

To provide a refrigerating machine oil having sufficiently satisfactory lubricity, sealing performance, compatibility to refrigerant, thermal and chemical stability, electrical insulation, etc., in balanced state in the case of using together with carbon dioxide refrigerant and capable of sufficiently preventing the deficient lubrication of a compressor and the lowering of the refrigeration efficiency and to provide a fluid composition for refrigerating machine using the refrigerating machine oil. - 特許庁

HFC冷媒及び二酸化炭素やハイドロカーボン等の自然系冷媒と共に用いた場合に、潤滑性、熱・加水分解安定性、冷媒相溶性、電気絶縁性等の要求性能全てをバランスよく十分に満たし、冷凍システムの効率の向上と高い信頼性の維持とを可能にする冷凍機油組成を提供すること。例文帳に追加

To obtain a refrigerating machine oil composition which sufficiently meets all required performances such as lubricity, heat/hydrolysis stability, refrigerant compatibility, and electrically insulating properties well in balance when used together with a hydrofluorocarbon(HFC) refrigerant or a natural refrigerant such as carbon dioxide and a hydrocarbon, and enables the improvement of the efficiency of a refrigerating system and the high reliability maintenance. - 特許庁

酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜55上にジルコニウムからなる密着層56を形成する工程と、密着層56上に第1電極60を形成する工程と、第1電極60上にビスマスを含む複合酸化からなる圧電体層70を形成する工程と、圧電体層70上に第2電極80を形成する工程と、を具備する。例文帳に追加

A manufacturing method of a piezoelectric element comprises: a step of forming an adhesion layer 56 composed of zirconium on an insulator film 55 composed of zirconium oxide; a step of forming a first electrode 60 on the adhesion layer 56; a step of forming a piezoelectric layer 70 composed of complex oxide containing bismuth on the first electrode 60; and a step of forming a second electrode 80 on the piezoelectric layer 70. - 特許庁

浸水検知構造31は、金属保護管32と、この金属保護管32の内部に収納される複数本の浸水検知機能付きケーブル33と、金属保護管32の外側を覆う絶縁物34と、金属保護管32に接続される接地線35と、この接地線35に接続される電流検出手段36とを備えて構成されている。例文帳に追加

The water infiltration detection structure 31 is composed of a metal protecting tube 32, a plurality of cables with water infiltration detection function 33 housed inside the metal protecting tube 32, an insulator 34 covering an outside of the metal protecting tube 32, a grounding wire 35 connected to the metal protecting tube 32, and a current detecting means 36 connected to the grounding wire 35. - 特許庁

透明性、滑り性、耐摩耗性に優れ、磁気記録媒体用、電気絶縁用、一般工業用、食品包装用等に好適に使用でき、特には食品包装用および飲料、食料用金属缶等のための金属板貼り合わせ用フィルムとして好適なフレーバ性、接着性、耐衝撃性等の各種特性を兼備したポリエステル組成を得る。例文帳に追加

To provide a polyester composition which is excellent in transparency, slipperiness and wear resistance, can be used adequately for magnetic recording media, electrical insulation, general industries, food packaging and the like, and particularly combines various characteristics such as flavoriness, adhesion and impact resistance suitable as a film for food packaging and a metal plate laminating film for metallic cans for beverages and foods. - 特許庁

この半導体膜221は、ゲート絶縁膜105上の上記積層膜の一部からなる第1導電型領域111と、第2導電型の浅いウェル領域104の接続領域120上の第2の半導体薄膜107からなる第2導電型領域112と、それらの間に位置する上記積層膜からなる非不純導入領域117とからなる。例文帳に追加

The semiconductor film 221 comprises: a first conduction type region 111 composed of part of the laminated film on a gate insulation film 105; a second conduction type region 112 composed of the second semiconductor thin film 107 on a connection region 120 of a second conduction type shallow well region 104; and a non impurity introducing region 117 composed of the layered film placed between them. - 特許庁

半導体シリコン基板上に形成した配線に起因する不良原因を解析する半導体装置の不良解析方法において、下層配線2や上層配線4との間で高いエッチング選択比を有するエッチングガス(例えば、CHF_3)を用いて、半導体シリコン基板上の層間絶縁膜3をエッチング除去して、不良原因(異5)を解析する。例文帳に追加

In the failure analysis method of a semiconductor device for a failure cause made by wiring formed on a semiconductor silicon board, a layer insulation film 3 is etched and removed on the semiconductor silicon board by using etching gas (for instance, CHF3) having a high etching selection ratio between a lower layer wire 2 and upper layer wiring 4, and the failure cause (foreign matter 5) is analyzed. - 特許庁

LDD構造を有するMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の形成において、P型シリコン基板101上にゲート絶縁膜102を介して、ゲート電極103を形成後、ゲート電極103等をイオン注入マスクとして、イオン注入を行い、さらに熱処理によって、n−低濃度不純領域106を形成する。例文帳に追加

In a method of manufacturing a semiconductor device, when forming source and drain regions of a MOS transistor having LDD structure, after forming a gate electrode 103 on a p-type silicon substrate 101 via a gate insulation film 102, ion injection is performed with the gate electrode 103 and the like being an ion injection mask, and an n-type low concentration impurity region 106 is formed by thermal treatment. - 特許庁

上下に配置しているガラス112,114の間に、PEM(固体高分子イオン伝導膜)160,触媒電極152,154,SiO_2又はSi_3N_4の絶縁膜140,ポーラス(多孔性)であるシリコン又はシリコン酸化のガス拡散層130,シリコン層120で、燃料電池を構成している。例文帳に追加

The fuel cell is constructed by glass sheets 112, 114 arranged at the top and the bottom, and a PEM (solid polymeric ion-conductive membrane) 160, the catalyst electrodes 152, 154, an insulating film 140 composed of SiO_2 or Si_3N_4, a porous gas diffusing layer 130 composed of silicon or silicon oxide and a silicon layer 120 arranged between the glass sheets. - 特許庁

フレキシブルプリント配線板用ソルダーレジストやエレクトロルミネッセントパネル用保護膜に有用な、加水分解性が低く、はんだ耐熱性、耐薬品性、密着性、電気絶縁性等に優れ、ハロゲンフリーで安定した難燃性を有し、かつ耐屈曲性に優れ、硬化後の反りが少ない熱硬化性組成、及びハロゲンフリーで安定した難燃性を有する硬化塗膜を提供する。例文帳に追加

To provide a thermosetting composition useful for a solder resist for flexible print circuit boards and a protective coat for electroluminescent panels, having low hydrolyzability, excellent in solder heat-resistance, chemical resistance, adhesiveness, electric insulation and the like, having halogen-free stable flame-resistance, excellent in flexing resistance and causing little warpage after curing, and to provide a halogen-free cured film having stable flame resistance. - 特許庁

従来、絶縁性の高い熱可塑性樹脂に帯電防止性を付与する方法では、永久帯電防止性、耐水性および機械特性等を共に満足する成形品を得ることができなかったため、成形性に優れ、優れた永久帯電防止性、耐水性および機械特性を有する成形品を与える帯電防止性樹脂組成を提供する。例文帳に追加

To provide an antistatic resin composition being excellent in moldability and giving a molded product that excels in permanent antistatic property, water resistance and mechanical characteristics, whereas a conventional method for providing an antistatic property for a highly insulative thermoplastic resin heretofore has not produced a molded product that satisfies all of a permanent antistatic property, water resistance, mechanical characteristics and the like. - 特許庁

半導体基板表面にP型領域を形成する工程と、該P型領域上にAl電極を形成する工程と、該Al電極と接し、Alと比較してSiと反応しづらい質からなる層間膜を形成する工程と、該層間膜上にSiを含有する半絶縁性膜を形成する工程とを備えることを特徴とする。例文帳に追加

This method of manufacturing the semiconductor device includes processes of: forming a P-type region on a surface of a semiconductor substrate; forming an Al electrode on the P-type region; forming an interlayer film contacting with the Al film and formed of a substance hardly reacting with Si relative to Al; and forming a semi-insulating film containing Si on the interlayer film. - 特許庁

本願発明の課題は、感光性を有するため微細加工が可能であり、希アルカリ水溶液で現像可能であり、低温(200℃以下)で硬化可能であり、柔軟性に富み、電気絶縁信頼性、ハンダ耐熱性、耐有機溶剤性に優れ、硬化後の基板の反りが小さく、封止剤との密着性に優れる感光性樹脂組成を提供することにある。例文帳に追加

To provide a photosensitive resin composition that can be micro-processed since it has photosensitivity, is developable with a diluted alkali aqueous solution and curable at a low temperature (200°C or lower), has high flexibility, excellent electric insulation reliability, solder heat resistance and organic solvent resistance, has little warpage of a substrate after being cured and excellent adhesiveness with a sealing agent. - 特許庁

絶縁性基板1上に多結晶IV族半導体層2を堆積したのち、少なくともソース・ドレイン形成領域及びチャネル形成領域にIV族元素或いは希ガス元素3のいずれかをイオン注入してアモルファス化したのち、アモルファス化したIV族半導体層4のソース・ドレイン形成領域に導電型決定不純5をイオン注入する。例文帳に追加

A polycrystalline group IV semiconductor layer 2 is deposited on an insulating substrate 1, ions of any one of group IV element or rate gas element 3 are implanted at least into a source/drain formation region and a channel formation region in the layer to amorphize the region, and then ions of conduction type determining impurities 5 are implanted into the amorphized source/drain formation region of the group IV semiconductor layer 4. - 特許庁

バルク基板をエッチングして少なくとも一つのフローティングボディーパターンを形成する第1工程と、フローティングボディーパターン下部のバルク領域をエッチングして、バルク基板を基板領域とフローティングボディー領域とに分離する第2工程と、フローティングボディー領域と基板領域との間を絶縁物質で満たす第3工程と、を含む半導体基板の製造方法。例文帳に追加

The manufacturing method includes: a first step to etch a bulk substrate so as to form at least one floating body pattern; a second step to etch a bulk area beneath the floating body pattern so as to divide the bulk substrate into a substrate area and a floating body area; and a third step to fill an area between the floating body area and the substrate area with an insulating material. - 特許庁

陰極となる第一の電極を形成した後で、膜厚の薄い第二の絶縁膜を間に挟み仕事関数の小さい材料からなる緩衝層を設けることで、有機化合層へのキャリアの注入性を向上させることができるだけでなく、緩衝層から生じるアルカリイオンがTFTの特性に影響を与えるのを防ぐことができる。例文帳に追加

This device is provided with a buffer layer consisting of a material having a work function with a second insulating film of a small film thickness in-between after first electrodes acting as cathodes are formed, by which not only the carrier implantability to an organic compound layer can be improved but the influence to be exerted by the alkaline ions generated from the buffer layer on the characteristics of the TFTs can be prevented. - 特許庁

外観が黒色であり、プリント配線板としてガラス転移点(Tg)の低下を起こさず、かつ絶縁性及び信頼性の低下がなく、蛍光を検知する方式による外観検査が可能な積層板を製造するために好適な熱硬化性樹脂組成、プリプレグ、金属張り積層板およびプリント配線板を提供する。例文帳に追加

To provide a thermosetting resin composition which has a black external appearance, does not cause the lowering of the glass transition point (Tg) as a printed wiring board and does not decrease electrical insulating properties and reliability, and is suitable in producing a laminate enabling the examination of external appearance by the system of detecting fluorescence, a prepreg, a metal-clad laminate and a printed wiring board. - 特許庁

窒化アルミニウムを主成分とする耐熱性電気絶縁性の基板2と;基板2上に印刷形成される発熱体3と;発熱体3に電気的に接続されて、ガラスおよび無機酸化を1〜10重量%含有させた導体により基板2上に印刷形成される一対の電極4a,4bと;を具備している。例文帳に追加

This fixing heater includes the heat resistant electrical insulative substrate 2 which essentially consists of aluminum nitride; a heating element 3 which is formed by printing on the substrate 2 and a pair of the electrodes 4a and 4b which are electrically connected to the heating element 3 and are printed and formed on the surface of the substrate 2 by conductors incorporated with 1 to 10 wt.% glass and organic oxide. - 特許庁

例文

静電容量の温度特性がB特性、X7R特性を満足し、室温における4kVDC/mm印加時の絶縁抵抗と静電容量の積が10000Ω・F以上であり、薄層化しても信頼性に優れた、積層セラミックコンデンサ用の誘電体セラミック組成を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric ceramic composition for laminated ceramic capacitor having such a capacitance that its temperature characteristic meets the B characteristic and X7R characteristic and the product of the capacitance and insulation resistance, when 4 kV Dc/mm is impressed upon the composition at a room temperature becomes10,000 Ω.F and has high reliability even when the thickness of the composition is reduced. - 特許庁

索引トップ用語の索引



  
Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する
英→日 日→英
こんにちは ゲスト さん

ログイン

Weblio会員(無料)になると

会員登録のメリット検索履歴を保存できる!

会員登録のメリット語彙力診断の実施回数増加!

無料会員に登録する

©2024 GRAS Group, Inc.RSS