「絶縁物」に関連した英語例文の一覧と使い方(164ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、芯金と、該芯金の外周に周設されたゴム層とを備えてなる電子写真装置用ゴムローラーであって、前記ゴム層は、カーボンブラックが配合され且つ絶縁性無機微粒子の配合量がゴム成分１００重量部に対して５重量部以下であるゴム組成物からなり、前記カーボンブラックの平均粒子径が４０ｎｍ以上であることを特徴とする電子写真装置用ゴムローラーを提供する。例文帳に追加

The roller has a core metal and the rubber layer disposed at an outer periphery of the core metal, the rubber layer composed of a rubber composition in which a carbon black is compounded and a compound amount of insulative inorganic microparticles is ≤5pts.wt. against 100pts.wt. rubber component, and an average particle diameter of the carbon black is ≥40nm. - 特許庁

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。例文帳に追加

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21. - 特許庁

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、トンネルバリアとなる絶縁層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、記憶層１７が、酸化物層１８を介して、下地層或いは上層の保護層１９に接している記憶素子３を構成する。例文帳に追加

The storage medium 3 is configured in such a way that it has a storage layer 17 holding information by a magnetic state of a magnetic body, a magnetized fixed layer 31 is provided via an insulating layer 16 being a tunnel barrier for this storage layer 17, and the storage layer 17 contacts a base layer or an upper protective layer 19 via an oxide layer 18. - 特許庁

シリコンウェハ等の半導体層と、二酸化ケイ素等からなる絶縁膜と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化ニオブ及び酸化モリブデンのうちの少なくとも１種の酸化物を含む中間層と、Ｐｄ、Ｐｔ等の金属からなる感応膜とが、この順に積層されてなるガス感応性積層体とする。例文帳に追加

In the gas-sensitive laminate, a semiconductor layer, such as a silicon wafer or the like, the insulating membrane composed of silicon dioxide or the like, an intermediate layer containing at least one kind of oxide from among titanium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, tungsten oxide, niobium oxide and molybdenum oxide and the sensitive membrane composed of a metal such as Pd, Pt or the like are laminated in this order. - 特許庁

耐熱性や熱寸法安定性、層間剥離強度、高湿度下における電気絶縁性などに優れ、特に電気回路板用積層物の製造工程における変形（捩じれ、反り、波打ち等）が改良され、樹脂ワニスとの接着性や熱寸法変化による信頼性不足の問題が解消可能な芳香族ポリアミド繊維紙を提供すること。例文帳に追加

To provide aromatic polyamide fiber paper which has excellent heat resistance, thermal dimensional stability, plybond strength, electric insulation under high humidity and so on, suppresses deformation (distortion, curvature, waving and so on) especially during a process for producing laminates for electric circuit boards, and can eliminate the problems comprising the poor adhesivity to resin varnishes and the poor reliability by the thermal change of dimension. - 特許庁

銅配線と比誘電率３．０以下の低誘電率絶縁膜を用いた加工線幅０．１８μｍ以下の半導体チップの製造工程において、特に環境気体中の粒子濃度、湿度、有機物濃度、イオン性ガス濃度を少なくとも１つ一定値以下に維持する基板搬送容器の構成を備えた。例文帳に追加

The manufacturing process of a semiconductor chip of 0.18 μm or less of a working line width using the copper wiring and the low dielectric constant insulation film whose dielectric constant is 3.0 or less is provided with the constitution of the substrate carrying container maintaining, particularly, particle concentration in environmental gas, humidity, organic matter concentration and ion gas concentration at least a constant value or less. - 特許庁

感度、解像度ともに優れ、アルカリ水溶液のみによって迅速に現像することができ、しかも、基材との密着性に優れ、さらには、イミド化後に淡色のポリイミド樹脂の皮膜を得ることのできる感光性樹脂組成物から得られる絶縁層および／または表面保護層の製造方法、および、それらを備える回路基板の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide methods for manufacturing an insulating layer and/or a surface protection layer obtained from a photosensitive resin composition, excellent in both sensitivity and resolution, allowing quick development by only an aqueous alkali solution, excellent in tightness with respect ot a base material, and further capable of obtaining a light-colored coating film of a polyimide resin after imidized, and a method for manufacturing a circuit board provided therewith. - 特許庁

そして、直流電源２６により薄膜電極２０にプラスの電圧を印加し、基板電極２２から半導体層１６に注入された電子を高電界強度の薄膜絶縁層１８において加速し、薄膜電極２０をトンネルして被帯電物１０に向かわせる際に、バイアス電源２８によるバイアス電圧を調整して、電子の運動エネルギーが２４．３ｅＶ未満になるようにする。例文帳に追加

In the case of applying plus voltage to the electrode 20 by a DC power supply 26, accelerating electrons injected from the electrode 22 into the layer 16 on the layer 18 having high field strength and directing the accelerated electrons to the object 10 through the electrode 20 acting as a tunnel, bias voltage from a bias power supply 28 is adjusted so that the kinetic energy of electrons becomes <24.3 eV. - 特許庁

本来ポリイミド樹脂が有する耐熱性、電気絶縁性、機械強度特性、不燃性等の優れた特性を維持したまま、スクリーン印刷用オーバーコート材等の耐熱電子部品用途に適したポリイミド前駆体組成物及びこれを用いた電子部品並びに被膜形成方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a polyimide precursor composition that is useful for a heat-resistant electronic component such as an overcoat material for screening printing while maintaining excellent properties such as heat resistance, electrical insulating properties, mechanical strength properties, nonflammability, etc., which a polyimide resin essentially has and an electronic component using the same and to provide a method for forming a film. - 特許庁

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。例文帳に追加

Further, it is provided with a SiO2 layer 118 to electrically insulate the upper electrode 107 from a wiring 105, a contact hole 103a for forming a W plug 113 to electrically connect the doped layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b to electrically connect the lower electrode 111 and the wiring 105. - 特許庁

長期間安定して良好な画像を得ることができ、マシンの長寿命化を達成するとともに、アモルファスシリコン感光体上に絶縁破壊による黒点の発生を抑制し、アモルファスシリコン感光体に付着した放電生成物を強固に研磨できる電子写真用トナーと、このトナーを用いる画像形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a toner for electrophotography which forms images which are stable and good for a long period of time, realizes the long life of a machine, prevents the occurrence of a dark spot due to dielectric breakdown on an amorphous silicone photosensitive material, and firmly polishes a discharge product adhering to the amorphous silicone photosensitive material, and to provide an image-forming device using the toner. - 特許庁

電荷転送装置１００は、フォトダイオード１２２と電荷転送路１２０とが設けられた半導体基板１０１と、前記半導体基板に設けられ、フォトダイオード１２２と電荷転送路１２０とが配置された領域を他の領域から分離する分離領域であるＰ^＋領域１０４と、Ｐ^＋領域１０４上に設けられ、珪素化合物を堆積して形成された堆積絶縁層１０６と、を含む。例文帳に追加

The charge transfer device 100 comprises: a semiconductor substrate 101 provided with a photodiode 122 and a charge transfer passage 120; a P^+ region 104 provided on the semiconductor substrate and isolating the region arranged with the photodiode 122 and the charge transfer passage 120 from other regions; and an insulation layer 106 formed on the P^+ region 104 by depositing a silica compound. - 特許庁

次にビット線及び該パッドを含む全体の上に第２層間絶縁膜２１０を形成し、その上に下部電極用、強誘電体及び上部電極用の各物質を順次成膜後、パターニングして下部電極２１１Ａ、強誘電体膜２１１Ｂ及び上部電極２１１Ｃからなるキャパシタ２１１を形成する。例文帳に追加

Then, a second interlayer insulating film 210 is formed on the whole that includes the bit line 208 and the pad 209, and material films for a lower electrode, a ferroelectric body, and an upper electrode are successively formed thereon and patterned for the formation of a capacitor 211 composed of a lower electrode 211A, a ferroelectric film 211B, and an upper electrode 211C. - 特許庁

薄膜トランジスタ１２５、薄膜トランジスタ１２５を駆動する金属配線、薄膜トランジスタ１２５と連結される画素電極１３０及び画素電極１３０上に形成された発光層１３６を備える絶縁基板１００上に、画素電極１３０と重ならないように、低反射率と実現する物質からなるパターン１０４を形成する。例文帳に追加

On an insulating substrate 100 which is provided with a thin film transistor 125, a metal wire for driving the thin film transistor 125, a pixel electrode 130 connected to the thin film transistor 125 and a luminous layer 136 formed on the pixel electrode 130, a pattern 104 is formed of a material for achieving low reflectance while avoiding the overlap with the pixel electrode 130. - 特許庁

補助容量２０は、接続孔３０ａが形成された層間絶縁膜３０を間にして、画素トランジスタ４０の略下方位置に設けられると共に、補助容量２０の下部電極層２１は接続孔３０ａに形成された接続電極３１を介して画素トランジスタ４０の不純物領域４１Ａと電気的に接続される。例文帳に追加

An auxiliary capacitor 20 is disposed in approximately a position below a pixel transistor 40 with an interlayer insulating film 30 formed with a connecting hole 30a in-between and a lower electrode layer 21 of the auxiliary capacitor 20 is electrically connected through a connecting electrode 31 formed in the connecting hole 30a to an impurity region 41A of the pixel transistor 40. - 特許庁

液晶表示器に関し、基板と、この基板の上に形成された金属層と、この金属層の上に形成されたカラー・フィルタ層と、感光材からなり、該金属層と該カラー・フィルタ層との間に形成されることにより、物理的にかつ電気的に該金属層及び該カラー・フィルタ層を隔離する絶縁膜と、該カラー・フィルタ層の上に形成された画素電極と、を備えてなる。例文帳に追加

The liquid crystal display comprises a substrate, a metal layer formed on the substrate, a color filter layer formed on the metal layer, and a photosensitive material and includes an insulating film which is formed between the metal layer and color filter to physically and electrically insulate the metal layer and color filter layer from each other and a pixel electrode formed on the color filter layer. - 特許庁

（１）一般式（Ａ）で表わされる繰り返し単位を有するポリアミドと該ポリアミド構造中のカルボキシ基、アミノ基又はヒドロキシ基と反応し得る置換基を有する反応性オリゴマ−とを反応させて得られた共重合体、（２）少なくとも１個のアセチレン基を含む官能基を有するアセチレン化合物、および（３）有機溶媒、を必須成分とすることを特徴とする絶縁膜用コーティングワニス。例文帳に追加

The coating varnish for insulation film contains (1) a copolymer produced by reacting a polyamide containing a repeating unit expressed by general formula (A) with a reactive oligomer having a substituent reactive with the carboxy group, amino group or hydroxy group in the polyamide structure, (2) an acetylene compound having a functional group containing at least one acetylene group and (3) an organic solvent as essential components. - 特許庁

半導体素子５を搭載するためのものであって、前記半導体素子の搭載部が少なくとも絶縁性樹脂９で封止される導体基材１において、前記導体基材の最表層が銅もしくはその合金からなるとともに、前記導体基材が、該導体基材の表面処理に由来して形成された水酸化物を含む酸化銅の皮膜２で部分的もしくは全体的に覆われているように構成する。例文帳に追加

In a conductor substrate 1 for mounting a semiconductor element 5, at least a portion thereof mounting the semiconductor element is sealed with insulating resin 9, an uppermost surface layer of the conductor substrate is formed of copper or an alloy thereof, and the conductor substrate is partly or entirely covered with a film 2 of a copper oxide containing hydroxide formed on the surface treatment of the conductor substrate. - 特許庁

絶縁基板上に一対の対向する素子電極１０２，１０３と、素子電極１０２，１０３間に形成された導電性薄膜１０４と、この導電性薄膜１０４に通電処理により電子放出部１０５を形成し、更に機化合物を有する雰囲気下で素子電極１０２，１０３間に電圧を印加する。例文帳に追加

A pair of element electrodes 102, 103 facing to each other and a conductive thin film 104 to be formed between the element electrodes 102, 103 are formed on an insulation substrate, an electron emission part 105 is formed by performing a current-carrying process to the conductive thin film 104, and a voltage is applied between the element electrodes 102, 103 in an atmosphere containing an organic compound. - 特許庁

被吸着物に着脱自在に吸着可能な吸盤部１１と、この吸盤部１１上に設けられた挟持部１２と、この挟持部１２内に設置され、電気絶縁性の基板上にアンテナコイルとこのアンテナコイルを介して情報の送受信を行うＩＣチップとを配設してなる非接触式データキャリアインレット１３とを具備する。例文帳に追加

The noncontact data carrier device comprises a sucker part 11 that is freely detachably stuck to a sucked object; a pinch section 12 placed on the sucker 11; and a contactless data carrier inlet 13, placed within the pinch section 12 and comprising an antenna coil and an IC chip for transmitting and receiving information via the antenna coil, both being disposed on an electrically insulated substrate. - 特許庁

表示装置１は、酸化物半導体よりなる半導体層１２上の選択的な領域（チャネル領域１２Ａ）に、ゲート絶縁膜１３を介してゲート電極１４が設けられ、そのチャネル領域１２Ａに隣接する領域（ソース・ドレイン接続領域１２Ｂ）にソース・ドレイン電極層１６が電気的に接続される。例文帳に追加

A display device 1 has a structure in which a gate electrode 14 is provided via a gate insulation film 13 in a selective region (a channel region 12A) on a semiconductor layer 12 composed of an oxide semiconductor, and a source and drain electrode layer 16 electrically connected to a region (a source and drain connection region 12B) adjacent to the channel region 12A. - 特許庁

さらに、上部電極１０７と配線１０５とを電気的に絶縁するＳｉＯ2層１１８と、不純物層１１７と下部電極１１１とを電気的に接続するためのＷプラグ１１３を形成するコンタクトホール１０３ａと、下部電極１１１と配線１０５とを電気的に接続するためのコンタクトホール１０３ｂとを備える。例文帳に追加

Further, the capacitor 102 is provided with an SiO_2 layer 118 for electrically insulating the upper electrode 107 and wiring 105, a contact hole 103a to form a W-plug 113 for electrically connecting an impurity layer 117 and the lower electrode 111, and a contact hole 103b for electrically connecting the lower electrode 111 and wiring 105. - 特許庁

油密式電力機器の容器と油量調整装置とを接続する油導管のバルブが不要となり、油量調整装置を低コスト、かつ容易に取り付けることができ、容器内に充填されている絶縁油の上層にあるプラスチックの析出物が油量調整装置に侵入することを防ぐことができる油密式電力機器を提供する。例文帳に追加

To provide an oiltight power apparatus capable of installing an oil controller at low cost and with ease by eliminating use of a valve of an oil conduit for connecting a container of the oiltight power apparatus with the oil controller and preventing plastic deposit on a top layer of insulation oil charged into the container from invading into the oil controller. - 特許庁

従来のポリベンゾオキサゾール樹脂に比べ低温でも充分硬化できるとともに、空気雰囲気下で硬化でき、かつ、引張強度および伸びなどの優れた機械的特性、吸水率および誘電率などの絶縁特性、ならびに超耐熱性を有する硬化膜が得られる皮膜形成用樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition for forming a film which can satisfactorily be cured at a lower temperature compared with that for the conventional polybenzoxazole resin and also can be cured under the air ambience and which gives a cured film having excellent mechanical characteristics such as typified by tensile strength and elongation, excellent insulating characteristics such as water absorption and dielectric constant, and super heat resistance. - 特許庁

アレイ状に配置された検出電極２２を覆って絶縁保護膜４２が形成されたセンサ部を有する静電容量検出方式の指紋検出装置であって、検出電極２２、より好ましくは検出電極２２及びその直下の配線（２６，２７，３６Ｓ，３６Ｄ）が高融点金属、または高融点金属の化合物で形成されて成る。例文帳に追加

The finger print detection device of an electrostatic capacity detection system is provided with a sensor section that forms an insulation protective membrane 42 covering a detection electrode 22 arranged in an array style, where the detection electrode 22, more preferably, the detection electrode 22 and wiring directly therebelow (26, 27, 36S, 36D) are composed of refractory metals or the compounds of refractory metal. - 特許庁

ポリウレタン系エナメル線用塗料の樹脂分１００重量部に、ポリオレフィン系または脂肪酸エステル系のワックスを添加すると共に、１〜２０重量部のシランカップリング剤を添加した自己潤滑性ポリウレタン系エナメル線用塗料を、線状の導体１に直接または絶縁物であるポリウレタン系エナメル皮膜層２を介して塗布したのち焼き付けする。例文帳に追加

Paint for a self-lubricating polyurethane base enameled wire prepared by adding polyolefin base or fatty ester base wax and further adding a 1-20 pts.wt. silane coupling agent to the 100 pts.wt. resin content of the paint for the polyurethane base enameled wire is applied to a wire-like conductor 1 directly or through a polyurethane base enamel film layer 2, and then baked. - 特許庁

一般式：Ｒ^1_xＳｉ（ＯＲ^2 ）_4-x （但し、Ｒ^1 はフェニル基又はビニル基であり、Ｒ^2 はアルキル基であり、ｘは１〜３の整数である。）で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。例文帳に追加

A material mainly containing an organic Si compound R^1_xSi(OR^2)_4-x (where R^1 is a phenyl or a vinyl group, R^2 is an alkyl group, and x is an integer of 1-3.) is plasma polymerized or reacted with an oxidizer to form an organic-containing Si oxide interlayer insulation film. - 特許庁

配線層間絶縁膜３４を、Ｓｉ−Ｈ結合を有するアルコキシ化合物、又はＳｉ−Ｈ結合を有するシロキサンの何れか一と、Ｏ_2、Ｎ_2Ｏ、ＮＯ_2、ＣＯ、ＣＯ_2、又はＨ_2Ｏの何れか一の酸素含有ガスとからなる成膜ガスをプラズマ化し、反応させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法による。例文帳に追加

In this method for manufacturing a semiconductor device, the wiring interlayer insulating film 34 is formed by making either alkoxy compound having a Si-H bond or siloxane having a Si-H bond and a film forming gas composed of either one of oxygen-containing gas, O2, N2O, NO2, CO, CO2 or H2O into plasma and react each other. - 特許庁

ガラス転移温度が高く、かつ、熱膨張率が低く、プリント配線板に用いた場合に、総合的にプリント配線板の反りを抑え、プリント配線板の更なる薄型化に対応し、薄型のプリント配線板に適用した場合に絶縁信頼性等の信頼性に優れるエポキシ樹脂前駆体組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin precursor composition which has a high glass transition temperature and a low coefficient of thermal expansion, suppresses warpage of a printed wiring board in a comprehensive manner when used in the printed wiring board, meets the demand for further thinning of a printed wiring board, and ensures superior reliability such as insulation reliability when applied to a thin printed wiring board. - 特許庁

シリコン基板２、二酸化シリコン層３、単結晶シリコン層４、二酸化シリコン層５、Ｎ＋ドープ・ポリシリコンのスペーサ１３、導電性拡散防止物質のコンフォーマル層１５、金属シリサイド層１６、ＣＶＤ二酸化シリコン層１７、絶縁体スペーサ１８、酸化シリコン層１９、ポリシリコン２１を備える。例文帳に追加

This embodiment comprises a silicon substrate 2, a silicon dioxide layer 3, a monocrystal silicon layer 4, a silicon dioxide layer 5, a spacer 13 of N+ doped polysilicon, a conformal layer 15 of a conductive diffusion preventing substance, a metal silicide layer 16, a CVD silicon dioxide layer 17, an insulator spacer 18, a silicon oxide layer 19, and a polysilicon 21. - 特許庁

ＴＦＴ液晶パネル等の絶縁層５上の異物６を含む修正部位よりも広い面積に、予め、インクジェットヘッド１により前処理用インクを塗布して前処理塗布部７を形成した後、修正する部位を除去して凹部８を形成し、その後、必要な膜厚にインクジェットヘッド１により修正用インクを１回或いは数回に分けて塗布して修正塗布部９を形成する。例文帳に追加

Thereafter, recessed part 8 is coated once or several timed with the correction ink by the ink jet head 1 to required film thickness to form a correction coating part 9. - 特許庁

Ｘ線光電子分光分析法による炭素の化学結合状態の分析で、表面のＣ１ｓピーク面積におけるカルボキシル基に起因する面積の割合が７〜１８％である液晶ポリマー層１の上下面にポリフェニレンエーテル系有機物から成る被覆層２を形成して成ることを特徴とする絶縁フィルム３。例文帳に追加

In the analysis of the chemical bond of carbon by an X-ray photoelectron spectroscopic analysis method, coating layers 2 of polyphenylene ether-based organic matter are formed on the upper and lower surfaces of a liquid crystal polymer layer 1 of 7-18% area ratio caused by carboxy groups in the C1s peak area of the surface. - 特許庁

絶縁膜をマスクとした半導体基板を、ＨＢｒおよびＣＨＦ３からなるガスを用いてエッチングし、マスク側壁に半導体基板との反応生成物を徐々に付着させることにより、トレンチ上端部に十分な丸みを持つトレンチを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。例文帳に追加

In the manufacturing method for a semiconductor device, a semiconductor substrate, with an insulating film taken as a mask, is etched using a gas comprising HBr and CHF3, and a reaction product with the semiconductor substrate is deposited gradually on a mask side wall, to form a trench having sufficient radius on the upper end of the trench. - 特許庁

誘導加熱式炊飯器専用の内容器であって、該内容器は、非金属製で、少なくとも底部に発熱体及び該発熱体を覆って絶縁性のカバーコート、例えば、釉薬を有し、誘導加熱式炊飯器での炊飯後、前記内容器を電子レンジに入れ内容物の温め直しを可能にする誘導加熱式炊飯器専用の内容器。例文帳に追加

This inner container dedicated for the induction heating type rice cooker is formed of nonmetal, has the heating element and the insulating cover coat, for example glaze, covering the heating element, at least at the bottom part, and, after the rice cooking by the induction heating type rice cooker, is put in the microwave oven to reheat the contents. - 特許庁

耐熱性及び高湿度下における電気絶縁性に優れ、特に電気回路用積層物の基材として好適で、従来の芳香族ポリアミド繊維紙における前記の問題点、とりわけ紙自体の強力の向上を図り、積層板を成形する際の紙の取扱い性や積層板の耐変形性が向上された新規な芳香族ポリアミド繊維紙を提供すること。例文帳に追加

To provide a new aromatic polyamide fibrous paper excellent in heat resistance and electrical insulation in a high humidity, suitable particularly as a base of laminates for electric circuit, freed from the problems involved in conventional aromatic polyamide fibrous paper, among others improved in mechanical strength of the paper itself, handleability in forming laminates and the deformation resistance of such laminates. - 特許庁

シールド板３０をプリント基板１０に取り付けるとき、該シールド板３０は該プリント基板１０には絶縁物４０を介して密着されるようにすると共に、該プリント基板１０のグラウンドパターンと前記シールド板３０とを電気的に導通させるようにしたことを特徴とするプリント基板のシールド方法。例文帳に追加

When a shield plate 30 is fixed to a printed board 10, the shield plate 30 is fixed tightly to the printed board 10 through an insulator 40 and the ground pattern of the printed board 10 communicates electrically with the shield plate 30. - 特許庁

上記課題を解決するために、本発明は、支持体１と、該支持体１上に蒸着法により形成された第１の金属層２と、該第１の金属層２上に形成された第２の金属層３と、該第２の金属層３上に形成された絶縁性の樹脂組成物からなる樹脂層４とを備える樹脂付き金属薄膜１００を提供する。例文帳に追加

The metal thin film with plastic 100 has a support body 1, a first metal layer 2 formed on the support body 1 by a vapor deposition method, a second metal layer 3 formed on the first metal layer 2, and a resin layer 4 comprising an insulating resin composition formed on the second metal layer. - 特許庁

ポリウレタンポリウレア樹脂（Ａ）とエポキシ樹脂（Ｂ）と特定量の導電性フィラーとを含有する硬化性導電性ポリウレタンポリウレア接着剤層（Ｉ）と、ポリウレタンポリウレア樹脂（Ｃ）とエポキシ樹脂（Ｄ）とワックス（Ｅ）とを含有するフィルム状硬化性絶縁性ポリウレタンポリウレア樹脂組成物（II）とを有する。例文帳に追加

The film includes (I) a curable, electroconductive polyurethane polyurea adhesive layer containing (A) a polyurethane polyurea resin and (B) an epoxy resin and a specified amount of an electroconductive filler and (II) a film-like curable insulating polyurethane polyurea resin composition containing (C) a polyurethane polyurea resin, (D) an epoxy resin and (E) a wax. - 特許庁

１つの溶接トーチから送給される互いに電気的に絶縁された２本の溶接ワイヤと被溶接物との間に２つのアークを発生させて溶接する多電極パルスアーク溶接方法において、２つのアークの相互間に作用する力によるアークの相互干渉によってアーク発生状態が不安定になる。例文帳に追加

To improve a method for multi electrode pulse arc welding in which welding is performed by generating two arcs between a welded article and two welding wires which is fed from one welding torch and insulated electrically from each other, and in which mutual arc interference caused by forces that two arcs interact with each other makes generating condition of the arcs unstable. - 特許庁

この目的は、相手物と接触する所要数の電気接点４６を有する電気コネクタ３０において、電解表面処理を行う際には該電気接点４６間を電気的に接続していた接続部分１６を、表面処理後に切断することで、該電気接点４６を電気的に絶縁独立にさせることにより達成できる。例文帳に追加

This object can be accomplished by electrically insulating/ isolating an electric contact points 46 by cutting a connection part electrically connecting the electrical contact points 46 when an electrolytic surface treatment is carried out after the surface treatment in the electric connector 30 having the predetermined number of electric contacts 46 contacted with a partner object. - 特許庁

本発明の全固体電池１０は、Ｌｉを含む酸化物であるＬｉＣｏＯ_2の正極１と、正極の上に位置し、気孔を含む固体電解質２と、固体電解質２の上に位置する金属リチウムの負極１とを備え、正極の表面に、絶縁体の炭酸リチウムＬｉ_2ＣＯ_3５が散在していることを特徴する。例文帳に追加

The all-solid battery 10 is equipped with a cathode 1 made of LiCoO_2 that is an oxide containing Li, a solid electrolyte 2 positioned on the cathode and containing pores, and a metallic lithium anode 1 positioned on the solid electrolyte 2, and carbon lithium Li_2CO_3 5 as insulators is scattered on a surface of the cathode. - 特許庁

本発明は、線状あるいはテープ状の二つ以上の裸線が、それぞれが互いに電気的に絶縁されて芯材の周囲に交互に配置され、これらの二つ以上の裸線が交互にプラス極とマイナス極と接続されるものである複合電線、およびこの複合電線を用いた有害動物侵入防止装置である。例文帳に追加

Two or more bare wires of linear or tape-like shapes are alternately arranged around core materials by being electrically insulated from each other and alternately connected to a positive pole and a negative pole to make up a compound cable, and the noxious animal invasion prevention device uses the compound cable. - 特許庁

プラグ電極を介して半導体基板に接続し、かつペロブスカイト構造を有する導電膜からなる下部キャパシタ電極上に、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物誘電体膜からなるキャパシタ絶縁膜が形成されてなるキャパシタを容易に実現できる構造を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having such a structure that a capacitor can be readily realized, in which a capacitor insulating layer made of a metal oxide dielectric film with perovskite structure is formed, on a lower capacitor electrode which is connected with a semiconductor substrate through a plug electrode and is made of an electric conductive film with perovskite structure. - 特許庁

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。例文帳に追加

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method. - 特許庁

（ａ）シロキサン樹脂と、（ｂ）アルキレングリコールジアルキルエーテル又はジアルキレングリコールジアルキルエーテルと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系被膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、無機砥粒を含まない研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。例文帳に追加

The chemical mechanical polishig method comprises a step of polishing the semiconductor integrated circuit with the silica system film obtained by coating a composite for forming the film including a siloxane resin (a), and an alkylene glycol dialkylehter or a dialkylene glycol dialkylehter (b) used as the interlayer insulating film with the use of a polishing liquid including no inorganic abrasive grain. - 特許庁