「絶縁物」に関連した英語例文の一覧と使い方(166ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明に係るパワー半導体モジュールは、放熱板１と、放熱板１上に取り付けられた回路基板２と、回路基板２上に設けられた導電パターン１０と、導電パターン１０を覆う低誘電率膜１１と、回路基板２を囲うように放熱板１上に設けられたケース７と、ケース７内に充填された柔軟絶縁物９とを有する。例文帳に追加

The power semiconductor module according to the present invention comprises: a radiating plate 1; a circuit substrate 2 mounted on the radiating plate 1; a conductive pattern 10 provided on the circuit substrate 2; a low dielectric constant film 11 covering the conductive pattern 10; a case 7 provided on the radiating plate 1 covering the circuit substrate 2; and a flexible insulator 9 filled in the case 7. - 特許庁

厚さ方向に貫通して導電性のプローブをそれぞれ収容する複数の貫通孔を有する導電性のベース部材と、熱硬化性樹脂と樹脂粉末とを含む混練物を用いて形成され、プローブを挿通可能なプローブ挿通孔を有する中空円柱状をなし、各貫通孔に設けられる複数の絶縁性の保持部材と、を備える。例文帳に追加

This holder is formed with a conductive base member having a plurality of through-holes which penetrate into the thickness direction and install conductive probes therein respectively and a plurality of insulating holding members, formed with a kneaded material containing a thermoset resin and the resin powder, forming a hollow cylindrical shape having probe insertion through-holes through which the probes are inserted, and provided to the through-holes, respectively. - 特許庁

各熱電対素線３１，３２の外周面３４，３４における他の熱電対素線が存在しないシース内壁２０に対向する側の領域Ｒ１を、該内壁２０の面に略平行な曲面形状に構成し、当該領域Ｒ１と前記シース内壁２０との間に介在する無機絶縁物の層の厚みｄ１が略均等となるように形成した。例文帳に追加

A region R1 of the side facing a sheath inner wall 20 with no other thermocouple element wire in outer peripheral faces 34, 34 of each thermocouple element wire 31, 32 is constituted on the surface of the inner wall 20 approximately in parallel curved surface shape and is formed so that the thicknesses of inorganic insulators interposed between the region R1 and the sheath inner wall 20 may be approximately equal. - 特許庁

ビルドアップ多層プリント配線板において、耐熱性や電気絶縁特性、ならびに導体層の接着強度を同時に満足し、しかも保存安定性に優れる熱硬化性エポキシ樹脂組成物とその成形体、およびこららを用いて作製した高密度化に対応できるビルドアップ多層プリント配線板を提供すること。例文帳に追加

To provide a thermosetting epoxy resin composition satisfying heat resistance, electrical insulating characteristic, and at the same time adhesion strength of a conductive layer on a built-up multilayer printed wiring board, and also excellent in storage stability, its molding, and a build-up multilayer printed wiring board made therefrom and capable of complying to high density. - 特許庁

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。例文帳に追加

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable. - 特許庁

この構造物により電極パッドが支持されているため、ボンディングを行った際に電極パッドの下方に存在する構成要素に大きなストレスが加わるのを防止することができ、多層配線構造の一部に、機械的強度が比較的弱い層間絶縁膜を用いた場合であっても、微細な配線パターンの変形や断線等、トランジスタの破壊等を防止することができる。例文帳に追加

The support of the electrode pad by the structure can prevent addition of large stress to components under the electrode pad during bonding, thereby preventing destruction of a transistor such as deformation of fine wiring pattern and breaking even if an interlayer insulating film having a relatively low mechanical strength is used in a portion of the multilayer wiring structure. - 特許庁

回路パターンを形成後パラジウム２０が現れた積層体１０を、溶解化剤としての１Ｖ％アンモニア水に硫化化合物を１重量％溶解したパラジウム不活性化処理液に浸漬することによって、絶縁層１８の表面のパラジウムイオン２０が不活性化されて触媒としての機能を失うことになる（図２の工程Ａ）。例文帳に追加

After a circuit pattern is formed, a laminated body 10 in which a palladium appears is dipped in a palladium inactivating treatment liquid where 1 V% ammonium liquid as a dissolving agent is dissolved by 1 wt.% sulfide compound, so that palladium ions on the surface of an insulation layer are inactivated and their catalytic function is lost. - 特許庁

本願発明は、ＣＭＯＳ集積回路デバイスの製造方法において、Ｎチャネル領域およびＰチャネル領域において、ゲート電極膜形成前の高誘電率ゲート絶縁膜の電気的特性を調整するためのチタン系窒化物膜を下方のチタンを比較的多く含む膜と、上方の窒素を比較的多く含む膜を含む構成とするものである。例文帳に追加

The present manufacturing method of CMOS integrated circuit device comprises forming a titanium nitride film for adjusting electrical characteristics of a high dielectric gate insulation film before forming a gate electrode film at an N channel region and a P channel region, the titanium nitride film being composed of a lower film containing relatively rich titanium and an upper film containing relatively rich nitrogen. - 特許庁

このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。例文帳に追加

The conductive film, the film having the n-type conductivity, and the oxide semiconductor film containing In, Ga and Zn are etched using the channel protective layer and gate insulating films as etching stoppers with the resist mask, so that source and drain electrode layers, a buffer layer, and a semiconductor layer are formed. - 特許庁

実質的にグラファイト及び金属酸化物より形成された外部保護体を有する熱電対チューブとその内部に配置された熱電対とを有し、前記熱電対チューブが前記外部保護体内で隙間を置いて配置されて中間スペースを形成しており、該中間スペースには絶縁材と酸素還元材が配置されている、金属溶融物特に鉄又は鉄鋼溶融物中の温度を測定するための温度測定装置において、前記絶縁材と前記酸素還元材とは、粉末混合物の形で、前記熱電対チューブ（３）の周りを隙間を保って取り囲むか又は前記外部保護体（１）により隙間を保って取り囲まれている管（２）を形成していることを特徴とする温度測定装置。例文帳に追加

The insulating material and the redox material surround the periphery of the thermocouple tube 3 with a clearance, in a form of a powdery mixture, or form a tube 2 surrounded with a clearance by the outer protection body 1, in the temperature measuring instrument. - 特許庁

容量素子（１０）は、シリコンを主成分として形成された第１電極（１）と、アルミニウム化合物により、第１電極（１）を被覆するように形成されたアルミニウム化合物膜（３）と、酸化物であり、且つ、アルミニウム化合物膜（３）よりも誘電率が大きい絶縁体により、前記アルミニウム化合物膜（３）を被覆するように形成された酸化物誘電体膜（４）と、導電体により、前記酸化物誘電体膜（４）を被覆するように形成された第２電極（５）とを含む。例文帳に追加

This element 10 comprises a first electrode 1 containing silicon as a main component, an aluminum compound film 3 covering the first electrode 1, an oxide dielectric film 4 having a higher dielectric constant than the aluminum compound film 3 and covering this film 3, a second conductor-made electrode 5 covering the oxide dielectric film 4, etc. - 特許庁

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層と、アクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びアクセプターとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。例文帳に追加

In the thin-film transistor, the buffer layer has film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer. - 特許庁

ゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するドナーとなる不純物元素を添加した半導体層と、ドナーとなる不純物元素を添加した半導体層上に重ねて設けられたバッファ層と、バッファ層の上面と、バッファ層及びドナーとなる不純物元素を添加した半導体層の側面を被覆する非晶質半導体層と、一端部がバッファ層と重なり、非晶質半導体層上に設けられ、ソース領域及びドレイン領域を形成する一導電型を付与する不純物元素を添加した一対の不純物半導体層とを有し、バッファ層の膜厚が、非晶質半導体層の膜厚よりも厚い薄膜トランジスタである。例文帳に追加

In the thin-film transistor, the buffer layer has a film thickness thicker than the film thickness of the amorphous semiconductor layer. - 特許庁

新規かつ高感度な光重合開始剤として利用可能なケトオキシムエステル系化合物であり、層間絶縁膜、カラーフィルターの画素及びブラックマトリックス、フォトスペーサー、リブ（液晶配向制御突起）等の液晶表示装置に備えられる各種部材の形成等に有用な光重合性組成物及び該光重合性組成物により形成された硬化物及び該硬化物を備える液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a ketoxime ester compound usable as a new and highly sensitive photopolymerization initiator, a photopolymerizable composition useful for forming various kinds of members, etc., installed in a liquid crystal display, such as interlayer insulation films, pixels and black matrices of color filters, photo spacers, ribs (liquid crystal alignment control ribs), etc., and to provide a cured product formed of the photopolymerizable composition, and a liquid crystal display including the cured product. - 特許庁

バイオセンサーにおいて生体成分中の目的とする被検出物質を捕捉して検出するセンサーチップは陽電極及び陰電極が所定の間隔をおいて相対配置され、該陰電極上に被検出物質からなるチップ素材が電気的絶縁状態で配置された反応容器内に有機又は無機化合物の原料ガスを導入して所定のガス圧に調整した状態で陽電極及び陰電極間に印加された電圧により発生するグロー放電により原料ガス中の有機又は無機物質をプラズマ化してチップ素材に付着堆積させて製膜した後、チップ素材を溶解除去して被検出物質に一致する凹部を有して形成する。例文帳に追加

Organic or inorganic substance in the material gas, in the form of plasma, is deposited on the chip material to form a film and then the chip material is dissolved and removed to form a recess matching the substance being detected. - 特許庁

ソースまたはドレインの一方となる第１の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第２の電極と、第１のチャネル形成領域に絶縁膜を介して重畳して設けられた第１のゲート電極と、を有する第１のトランジスタと、ソースまたはドレインの一方となる第３の電極と、ソースまたはドレインの他方となる第４の電極と、第２のチャネル形成領域が第２のゲート電極と第３のゲート電極との間に絶縁膜を介して設けられた第２のトランジスタと、を有するメモリセルを複数有し、第１のチャネル形成領域及び第２のチャネル形成領域は、酸化物半導体を含んでおり、第２の電極は、第２のゲート電極に直接接続されている記憶装置とする。例文帳に追加

The first channel formation region and the second channel formation region include an oxide semiconductor, and the second electrode is directly connected to the second gate electrode. - 特許庁

成分（Ａ）：式（１）で示される化合物を重合して得られる樹脂であって、ＧＰＣ分析における樹脂を検出するピークＰ、残存する式（１）で示される化合物を検出するピークＭとしたとき、ピークＰのポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上５０００００以下であり、かつピークＰ、ピークＭの面積値をそれぞれＡｐ、Ａｍとしたとき、面積比Ａｍ/（Ａｍ＋Ａｐ）が０〜１０％である樹脂；成分（Ｂ）：空孔形成用化合物；［２］上記［１］記載の組成物を基板に塗布し、加熱処理する工程を含む絶縁膜の製造方法。例文帳に追加

[2] The method for producing an insulating film comprises a process for coating a substrate with the composition [1] and heat-treating the substrate. - 特許庁

本発明は、上記要求を満たすためのポリアリーレン及び／またはポリアリーレンエーテルの製造方法およびそれを用いた膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、金属不純物の含有量が少なく、比誘電率特性、低リーク電流特性に優れた膜形成用組成物、および工業的に安定性の高い製造方法および該組成物から得られる有機膜を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for producing a polyarylene and/or a polyarylene ether which is useful as an interlayer insulating film in a semiconductor element, etc., has a low metal impurity content, excellent dielectric constant characteristics and low leakage current characteristics and has high industrial stability and to obtain a compound for film formation using the same. - 特許庁

基材に第１活物質がコーティングされた第１活物質コーティング部と第１無地部で構成された第１極板と、第２活物質がコーティングされた第２活物質コーティング部と第２無地部で構成された第２極板、及び前記第１及び第２極板の間に介在されるセパレーターを含むが、前記第１及び第２極板は積層されて整列され、前記第１無地部は、第２極板と対応する部位に絶縁部材が備えられる電極組立体を含む。例文帳に追加

The first and second polar plates are aligned with each other so as to be laminated, and the first plain part includes an electrode assembly in which an insulation member is provided in a part corresponding to the polar plate. - 特許庁

絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンまたは／およびキセノンの表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。例文帳に追加

The method of etching a substance film on a semiconductor wafer set in a reactor chamber, using a surface wave plasma etching system having an insulation plate and a glass plate for transmitting a surface wave generated by a microwave to the reactor chamber, comprises a step of generating a surface wave plasma of Ar or/and Xe to preheat the glass plate and a step of etching the substance film. - 特許庁

積層セラミックコンデンサの誘電体層として使用される誘電体磁器組成物において、微細な誘電体粒子から構成され、かつコンデンサを薄層化した場合においても、良好な電気特性や温度特性を有し、絶縁不良率が低く、高温負荷寿命に優れ、信頼性の高い誘電体磁器組成物、およびこのような誘電体磁器組成物を誘電体層として有する積層セラミックコンデンサ等の電子部品を提供すること。例文帳に追加

To provide a dielectric porcelain composition, which is used as a dielectric layer of a layered ceramic capacitor, comprising minute dielectric particles, having good electric characteristics and temperature characteristics even if a capacitor is thin-layered, low in poor insulation rate, excellent in high temperature load life, and high in reliability, and electronic parts such as a layered ceramic capacitor having such dielectric porcelain composition as its dielectric layer. - 特許庁

電子源を備えたカソード基板と、電子源から放出された電子を受けて発光する蛍光体を備えたアノード基板と、カソード基板とアノード基板の間に配置され両基板を支持するスペーサを有する画像表示装置において、スペーサを、ガラス基材の側面に、半導体的な電気伝導性を有する金属酸化物と絶縁体的な電気伝導性を有する金属酸化物の固溶体からなる複合金属酸化物よりなる皮膜を備えたもので構成する。例文帳に追加

In the image display device with a cathode substrate with an electron source, an anode substrate with a phosphor emitting light by receiving electron emitted from the electron source, and a spacer arranged between the cathode substrate and the anode substrate for supporting the both substrates, the spacer is structured with one equipped with a coating made of complex metal oxide consisting of metal oxide having electric conductivity like a semiconductor and metal oxide having electric conductivity like an insulator. - 特許庁

カソード配線１２０を表面上に含む基板１０と、基板上に形成され、カソード配線１２０と電気的に絶縁されたアノード電極１３０と、アノード電極上に形成され、複数の単位画素を形成する有機物質層１４０と、有機物質層を覆うカソード電極１６０と、カソード配線とカソード電極とを電気的に連結する少なくとも一つの電気的連結部１５０と、を備える有機発光表示装置である。例文帳に追加

The organic light-emitting display comprises a substrate 10 including cathode wiring 120 on a surface thereof; an anode electrode 130 formed on the substrate, and electrically insulated from the cathode wiring 120; an organic material layer 140 formed on the anode electrode, and forming a plurality of unit pixels; a cathode electrode 160 covering the organic material layer; and at least one electric coupling portion 150 electrically coupling the cathode wiring and the cathode electrode. - 特許庁

フレキシブル銅張積層板、カバーレイフィルム、接着剤並びにフレキシブルプリント配線基板等のフレキシブルプリント配線基板関連製品に使用する接着性の樹脂混和物であって、ノンハロゲンの難燃性であり、接着強度が高く絶縁抵抗が優れ、かつマイグレーション性に優れたノンハロゲン難燃接着性樹脂混和物、およびそれを用いたフレキシブルプリント配線基板関連製品を提供することにある。例文帳に追加

To provide a non-halogen flame-retardant adhesive resin admixture used for flexible printed circuit board-related products such as flexible copper-clad laminates, cover-lay films, adhesives or flexible printed circuit boards which is non-halogen and flame-retardant and exhibits high adhesive strength and excellent insulation resistance and migration properties, and flexible printed circuit board-related products using the same. - 特許庁

フレキシブル銅張積層板、カバーレイフィルム、接着剤並びにフレキシブルプリント配線基板等のフレキシブルプリント配線基板関連製品に使用する接着性の樹脂混和物であって、ノンハロゲンの難燃性であり接着強度が高く、特に耐マイグレーション性並びに絶縁抵抗をより向上させたノンハロゲン難燃接着性樹脂混和物、並びにそれを用いたフレキシブルプリント配線基板関連製品を提供することにある。例文帳に追加

To provide a non-halogen flame-retardant adhesive resin mixture to be used in products relating to flexible printed circuit board such as flexible copper-clad laminate, coverlay film, adhesive and flexible printed circuit board, and having flame-retardance without using halogen, high adhesive strength and especially improved migration resistance and insulation resistance and provide products relating to flexible printed circuit board produced by using the resin mixture. - 特許庁

この方法は、ＩｎＰ系化合物半導体を含む第１及び第２の半導体領域２０，３０を有する基板生産物１０Ａの第２の半導体領域３０上に、所定方向に延びるエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスクを用いてドライエッチングを行い、その後にウェットエッチングを行うことによりストライプメサ構造４０を形成する工程と、絶縁膜４２を形成する工程と、リフトオフ法により電極５０を形成する工程とを備える。例文帳に追加

This method includes the steps for: forming an etching mask extending in a predetermined direction on a second semiconductor region 30 of a substrate product 10A having first and second semiconductor regions 20, 30 including an InP based compound semiconductor; forming a stripe mesa structure 40 by performing dry etching using an etching mask, and then performing wet etching; forming an insulation film 42; and forming an electrode 50 by the lift-off method. - 特許庁

酸化物半導体物質から形成されたチャンネル層、チャンネル層上に互いに対向して位置するソース電極及びドレイン電極、ソース電極及びドレイン電極の下で、チャンネル層をカバーするように形成された保護層、チャンネル層に電界を印加するためのゲート電極、及びゲート電極とチャンネル層との間に介在されたゲート絶縁層を備えることを特徴とする薄膜トランジスタである。例文帳に追加

The thin film transistor includes a channel layer formed of oxide semiconductor material, a source electrode and drain electrode facing each other on the channel layer, a protective layer formed to cover the channel layer under the source electrode and drain electrode, a gate electrode to apply an electric field on the channel layer, and a gate insulating layer interposed between the gate electrode and the channel layer. - 特許庁

透明性樹脂組成物を成形してなる車両用ランプ成形品において、 導通パターンを印刷された透明な電気絶縁性のシート状部材が、レンズ成形品にインモールド成形によって固着されてなり、 該導通パターンが、貴金属粉および溶剤可溶な熱可塑性樹脂とを含む組成物から形成されてなり、 前記の導通パターンに給電するとランプ成形品が加熱されるようになっていることを特徴とする車両用ランプ成形品。例文帳に追加

A molded lamp for vehicle is molded of a transparency resin composite, where a transparent electrical insulating sheet member having a printed conduction pattern is stuck to a molded lens by in-mold molding, the conduction pattern is formed out of a noble metal powder and a solvent soluble thermoplastic resin, and when a power is supplied to the conduction pattern, the molded lamp for vehicle is heated. - 特許庁

半導体基板１１と、この半導体基板１１の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されて半導体基板１１中での電荷の移動を電気的に制御する少なくとも１つのゲート電極１３とを備えた半導体装置であって、半導体基板１１は、不純物が添加された半導体で構成され、不純物の濃度が表面の位置で最も低く表面から深い位置となるほど高くなるようにされている。例文帳に追加

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 11, and at least one gate electrode 13 formed on the surface of the semiconductor substrate 11 through a gate insulating film and controlling movement of charges in the semiconductor substrate 11 electrically wherein the semiconductor substrate 11 is composed of a semiconductor added with impurities and the concentration of impurities is set to become lowest at the surface position and increase toward the deeper position. - 特許庁

電気絶縁油、熱媒体、有機性排液等に含有されているポリ塩化ビフェニル等の有機ハロゲン化合物を脱ハロゲン化して分解処理する方法とその装置に関し、金属ナトリウムを微粒子化するための設備を必要とせず、微粒子化の工程が不要となり、微粒子化タンクの攪拌作業や窒素パージも不要となり、しかも反応効率を従来より低下させず且つ添加されるナトリウムを再利用させうるような有機ハロゲン化合物の分解処理方法及び装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for decomposing an organic halogen compound such as polychlorobiphenyl contained in an electrical insulating oil, a heating medium, an organic waste liquid or the like by dehalogenation, that do not require a device and a step for atomizing metallic sodium as well as agitation and nitrogen purge in an atomizing tank, and can reuse the added sodium without impairing a reaction efficiency of prior arts. - 特許庁

被めっき物にアルミニウムめっき皮膜を形成する第一段電解アルミニウムめっき工程と、前記アルミニウムめっき皮膜の表面に電気絶縁層を形成する不導体化工程と、第一段電解アルミニウムめっき工程でアルミニウムめっき皮膜が形成されない被めっき物の表面にアルミニウムめっき皮膜を形成する第二段電解アルミニウムめっき工程とを備える電解アルミニウムめっき方法。例文帳に追加

The aluminum electroplating method includes a first stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the material to be plated, a non-conducting step for forming an electric insulating layer on the surface of the aluminum plating film and a second stage aluminum electroplating step for forming the aluminum plating film on the surface of the material where the aluminum plating film is not formed in the first stage aluminum electroplating step. - 特許庁

シリカ充填剤を含むエポキシ樹脂成分と該シリカ充填剤及び水酸化アルミニウムを含む硬化剤成分に二液化したエポキシ樹脂組成物の前記水酸化アルミニウムの最大粒径を特定して硬化剤成分のシリカ充填剤の沈降防止とエポキシ樹脂成分と混合した時の低粘度化の両立を可能にして注型作業性の向上を図ると共に、該エポキシ樹脂組成物を用いて絶縁信頼性に優れたモールドコイルを提供する。例文帳に追加

To provide a mold coil excellent in insulating reliability using an epoxy resin composition as well as to improve pouring and molding by enabling both preventing sedimentation of a silica filler of a curing agent component and lowering viscosity when mixing the epoxy resin component, specifying the maximum particle size of aluminum hydroxide in the epoxy resin composition liquefied with two of the epoxy resin component containing a silica filler and the curing agent containing the silica curing agent and aluminum hydroxide. - 特許庁

加水分解性が低く、はんだ耐熱性、耐薬品性、密着性、電気絶縁性等に優れ、ハロゲンフリーで安定した難燃性を有するアルカリ水溶液により現像可能な光硬化性・熱硬化性樹脂組成物、更に、テープキャリアーやフレキシブルプリント配線板に好適に用いられる耐屈曲性に優れ、かつ硬化後の反りが少ないアルカリ水溶液により現像可能な光硬化性・熱硬化性樹脂組成物、及びその硬化塗膜を提供する。例文帳に追加

To provide a photosetting/thermosetting resin composition developable with an aqueous alkali solution, having low hydrolyzability, excellent in solder thermal resistance, chemical resistance, adhesion, electric insulation, etc., free from halogen, and having stable flame retardancy, and suitable for use in a tape carrier and a flexible printed wiring board, excellent in bending resistance, and ensuring little warpage after curing, and to provide a cured film of the composition. - 特許庁

導体１を、低密度ポリエチレンおよびメタロセン型触媒を用いて重合された直鎖状低密度ポリエチレンの少なくとも一種と、スチレン成分を含有する水添ポリマーとのポリマーアロイをシラン架橋してなる絶縁体２で被覆し、その上をさらにオレフィン系樹脂に金属水酸化物を配合したノンハロゲン難燃性オレフィン系樹脂組成物からなるシース３で被覆したことを特徴とする被覆電線・ケーブル。例文帳に追加

Conductors 1 are coated with an insulation layer 2 obtained by silane cross-linking a polymer alloy composed of a straight-chain low density polyethylene polymerized with a low density polyethylene and a metallocene catalyst, with water added polymer containing a styrene component, which is covered with a non-halogenous flame-retardant olefinic resin sheath 3 composed of a mixture of an olefinic resin and metal hydroxide to produce the coated wires and cables. - 特許庁

本発明による多結晶半導体層を有するトランジスタを用いた画像表示装置は、多結晶半導体層は上面に絶縁膜を介してゲート電極が形成されており、このゲート電極の一方の側の多結晶半導体層をドレイン領域、他方の側の多結晶半導体層をソース領域とするもので、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側の領域には活性化されたｐ型不純物が注入されており、多結晶半導体層の前記ゲート電極の下側以外の領域には活性化されたｎ型不純物が注入されているというものである。例文帳に追加

An activated p-type impurity is doped to a region underlying the gate electrode of the polycrystalline semiconductor layer, and the activated n-type impurity is doped to a region excluding an area underlying the gate electrode. - 特許庁

電界効果トランジスタ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成されたチャネル層１０２と、チャネル層１０２上に形成された電子供給層１０３と、電子供給層１０３内に形成され、Ｐｔを含む半導体層１０６と、半導体層１０６上に形成され、ゲート絶縁膜として機能するペロブスカイト型酸化物層１０７と、ペロブスカイト型酸化物層１０７上に形成されたゲート電極１０８とを備える。例文帳に追加

The field effect transistor 100 includes a semiconductor substrate 101, a channel layer 102 formed on the semiconductor substrate 101, an electron supply layer 103 formed on the channel layer 102, a semiconductor layer 106 formed in the electron supply layer 103 and containing Pt, a perovskite type oxide layer 107 formed on the semiconductor layer 106 and functioning as a gate insulating film, and a gate electrode 108 formed on the perovskite type oxide layer 107. - 特許庁

基板１と、その基板１の上面に形成した絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、前記チャネルが超微細繊維で構成され、そのチャネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする。例文帳に追加

In this method for detecting a substance to be detected in a sample by a sensor including a substrate 1, and a channel having a source electrode 3 and a drain electrode 4 provided oppositely at a prescribed interval on an insulating thin film 2 formed on the upper surface of the substrate 1, the channel is constituted of ultrafine fibers, and after dropping sample solution onto the channel, a solvent in the sample solution is vaporized. - 特許庁

活物質を備えた正極板および負極板を多孔質絶縁体を介して巻回し加圧により扁平形状に成形した電極群を非水電解液とともに電池ケースに封入してなる扁平形非水系二次電池において、電極群として長軸方向に平行なストレート部と、半楕円状に形成したコーナー部とで構成することにより、電池の膨れを抑制して安全性の高い扁平形非水系二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a flat nonaqueous secondary battery with high safety through restraint of battery swelling by structuring an electrode group with straight parts parallel with a major axis and corner parts formed in a half-elliptical shape, in one made by sealing in a battery case together with nonaqueous electrolytic solution an electrode group winding a positive electrode plate and a negative electrode plate equipped with an active material around a porous insulator and molding it in a flat form by pressurization. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレート樹脂と芳香族ポリカーボネート樹脂から主としてなる熱可塑性樹脂とある特定範囲の粒径を有した大粒径粒子よりなる樹脂組成物から形成された熱収縮性熱可塑性樹脂チューブを電気、電子部品に被覆後、耐衝撃性、透明性に優れ且つ収縮特性および機械加工性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性熱可塑性樹脂チューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thermoshrinkage thermoplastic tube formed of resin composition made of thermoplastic resin mainly comprising polyethylene terephthalate resin and aromatic polycarbonate and large diameter grains having grain diameter in a specified range which gives availability to general purpose electrical insulating material and heat generating body coating material, which are excellent in shock resistance, transparency, shrinkage property and machinability, after coating the tube on an electric or electronic parts. - 特許庁

耐熱性絶縁フィルムの片面に、熱可塑性樹脂層Ａを介して金属層を有し、もう片方の面に耐熱性樹脂層Ｂを有する金属層付き積層フィルムであって、耐熱性樹脂層Ｂが少なくとも酸二無水物残基とジアミン残基を有するポリイミド系樹脂を含み、該ポリイミド系樹脂が一般式（１）で示される芳香族ジアミンの残基を全ジアミン残基中２５〜６０モル％含むことを特徴とする金属層付き積層フィルム。例文帳に追加

In the laminated film with the metal foil constituted so that a metal layer is provided on one side of the heat-resistant insulating film through a thermoplastic resin layer A and a heat-resistant resin layer B is provided on the other side of the heat-resistant insulating film, the heat-resistant resin layer B contains a polyimide resin having at least an acid dihydrate residue and a diamine residue. - 特許庁

本発明の電気絶縁用樹脂組成物は、（Ａ）不飽和ポリエステルと、（Ｂ）１官能または２官能のアクリル酸エステルおよびメタクリル酸エステルならびにそれらの誘導体から選ばれる少なくとも１種の反応性単量体、および（Ｃ）３官能のアクリル酸エステルおよびメタクリル酸エステルならびにそれらの誘導体であって水酸基を有しないものから選ばれる少なくとも１種の反応性単量体をそれぞれ必須成分とする。例文帳に追加

The resin composition for electrical insulation contains as essential components (A) unsaturated polyester, (B) at least one kind of reactive monomer selected from among a group consisting of monofunctional or difunctional acrylic and methacrylic esters and derivatives thereof, and (C) at least one kind of reactive monomer selected from among a group consisting of trifunctional acrylic and methacrylic esters and derivatives thereof that does not have hydroxyl groups. - 特許庁

耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する例文帳に追加

When the protective layer is used as an etching stopper, a TFT having an LDD structure by self-aligned process using a sidewall 126 is arranged in a peripheral drive circuit, and a TFT having an LDD structure by nonself-aligned process using an insulator 125 is arranged in a pixel matrix section. - 特許庁

射出成形用金型に、ホットランナーマニホールド加熱用誘導コイルが巻き付けてあるホットランナーマニホールドが組み込まれているままの状態で、同ホットランナー加熱用誘導コイルとアース間の絶縁抵抗もしくは静電容量をまたはそれらの関数となっている物理量を測定し、測定して得られた測定量を判定基準値と比較してホットランナーマニホールドからの樹脂洩れの有無／程度を判定する。例文帳に追加

In such a state that a hot runner manifold having a hot runner manifold heating induction coil wound therearound is incorporated in an injection mold, the insulation resistance, electrostatic capacity or physical quantity becoming the function thereof between the hot runner manifold heating induction coil and the ground is measured and the measured quantity is compared with a judge reference value to judge the presence/degree of the resin leak from the hot runner manifold. - 特許庁

ポリエチレンテレフタレート樹脂とポリエチレンナフタレート樹脂およびポリエステル系エラストマー樹脂からなる熱可塑性樹脂組成物により形成された熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを電子部品に被覆後、耐熱性、耐衝撃性に優れ且つ収縮特性および開口性に優れた汎用電気絶縁材料や発熱体被覆材料等の利用価値を有する熱収縮性芳香族ポリエステルチューブを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a heat shrinkable aromatic polyester tube having a utility value of a general purpose electrical insulation material, a heater-coating material or the like having excellent heat resistance, impact resistance after an electronic component is covered with the polyester tube formed of a thermoplastic resin composition made of a polyethylene terephthalate resin, a polyethylene naphthalate and a polyester elastomer resin after the component is covered with the polyester tube, and excellent shrinkage characteristics and openability. - 特許庁

ニッケルを主成分とし無水硼酸、酸化リチュウム、酸化ナトリウム系のガラス化合物を添加した電極ペーストを用いて内部電極層４を形成し、誘電体セラミック層２に印刷し、積層し加熱しながら加圧、圧着することで前記誘電体セラミック層２の均質な焼結を促進し、電気的特性のバラツキが少なく耐候性の優れた粒界絶縁型積層半導体コンデンサ１が得られる。例文帳に追加

This semiconductor capacitor 1 with reduced variance in electrical properties and high weatherability is obtained by the following process: an internal electrode layer 4 is made by using an electrode paste predominant in nickel and incorporated with a glass compound based on boric anhydride, lithium oxide and sodium oxide, and printed and laminated on a dielectric ceramic layer 2 followed by pressure contact bonding under heating to promote the uniform sintering of the dielectric ceramic layer 2. - 特許庁