「耐サージ電圧」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

パワー素子において、オン電圧の低減および高サージ耐量を両立する。例文帳に追加

To combine reduction of on voltage and high surge tolerance dose in a power element. - 特許庁

巻線間の耐サージ電圧を向上することをができる回転電機の検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide an inspection method of a rotating electrical machine capable of improving an anti-surge voltage between windings. - 特許庁

電源供給時における過電圧サージ耐量を向上した半導体保護装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor protection device that has improved withstand amount against overvoltage surge during power supplying. - 特許庁

外部装置とこの外部装置を制御する制御装置のように、サージ電圧に対する耐圧がそれぞれ異なる複数の装置をサージ電圧から適切に保護することができるサージ保護回路及びサージ保護方法を提供すること例文帳に追加

To provide a surge protection circuit and method, capable of properly protecting a plurality of devices from surge voltages such as external devices and a control device for controlling the external devices which are different in breakdown voltages with respect to the surge voltages. - 特許庁

素子耐圧とサージ電圧との差分が所定のしきい電圧を超えておりサージ電圧に余裕があると判定した場合、ゲート電圧制御部２２に対して通常値（基準値）よりも高いゲート電圧を指令して定常損失を低減する。例文帳に追加

If it is determined that the difference between the element withstand voltage and the surge current exceeds a predetermined threshold voltage and the surge voltage has a margin, the gate voltage control section 22 receives a command of a gate voltage higher than a normal value (reference value) to reduce steady loss. - 特許庁

ＲＦ信号ラインとサージアブソーバの間に介在した１／４波長長さのマイクロストリップ線路の線路幅を変えずに、従来技術より耐サージ電圧値を向上させた雷サージ保護回路を提供する。例文帳に追加

To provide a lightning surge protection circuit more improved in a surge-proof voltage value than that of a conventional technology without changing the line width of a microstrip line having a length of a quarter wavelength interposed between an RF signal line and a surge absorber. - 特許庁

低静電容量、低バリスタ電圧で、かつ、静電容量、耐サージ特性のばらつきの少ない積層型バリスタを提供する。例文帳に追加

To provide a laminated varistor which has low electrostatic capacity and low varistor voltage, and is kept uniform in electrostatic capacitance and surge resistance. - 特許庁

よって、トランジスタＴＲ１やツェナーダイオードＺＤ１としてサージ電圧に耐えることができる大電力用のものを用いる必要がない。例文帳に追加

Therefore, there is no necessity to use ones for large power that can withstand the surge voltage as the transistor TR1 and the Zener diode ZD1. - 特許庁

このような形状にすることにより、静電気等の高い電圧に対するサージ耐圧を向上することができる。例文帳に追加

By such a form, the surge breakdown voltage for a high voltage such as static electricity, etc., is improved. - 特許庁

サージ電圧やＥＭＩなどの外部環境に対して十分な耐性を有するアナログデジタル変換器を提供する。例文帳に追加

To provide an analog-digital converter which has a sufficient tolerance to a surge voltage and an external environment such as EMI. - 特許庁

よって、サージ電圧の上昇が抑制され、耐圧の低い整流素子（整流ダイオード）を使用することできる。例文帳に追加

Thus, rise in the surge voltage is suppressed, and the rectifying element (rectifier diode) with a low breakdown voltage can be used. - 特許庁

順方向電圧降下の増大が抑制され、且つ順方向サージ耐量の高い、整流機能を有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a rectification function with a suppressed increase in forward voltage drop and high forward surge resistance. - 特許庁

雷サージ電圧の除去と絶縁耐圧・漏れ電流対策を、少ない回路部品で安価に省スペースで行うこと。例文帳に追加

To remove the lightning surge voltage, maintain the dielectric breakdown voltage and take a countermeasure against leakage current inexpensively with a small number of circuit components while saving the space. - 特許庁

オン抵抗の増加を抑制しつつ，サージ電圧に対する破壊耐量を向上させた絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an insulated-gate semiconductor device which can suppress on-resistance and improve breakage resistance to surge voltage. - 特許庁

ＡＣ入力からのサージ電圧や熱的ストレスに耐え、安定した照度を確保しうるＬＥＤを用いた表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device using light-emitting diodes (LEDs), which endures a serge voltage from an AC input and thermal stress, while assuring stable illuminance. - 特許庁

本装置は、低電圧で位相二次電力系統につき１，０００,０００アンペア以上までのサージ電流に耐えるように設計される。例文帳に追加

This device is designed so as to be made resistant to surge currents up to 1,000,000 A for a phase secondary power system with a low voltage. - 特許庁

初期値及び伸長後のＶ−ｔ特性（電圧−絶縁破壊寿命特性）が優れた耐インバータサージエナメル線を提供することにある。例文帳に追加

To provide an inverter surge resistant enameled wire superior in an initial value and V-t characteristics (voltage/dielectric breakdown service life characteristics) after extension. - 特許庁

トレンチゲート構造を有する半導体装置において、高耐圧化およびサージ電圧の抑制の双方をバランスよく実現する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a trench gate structure which achieves both of an increase in a breakdown strength and a suppression of a surge voltage in good balance. - 特許庁

しきい値電圧の変動を防止し、サージ耐圧が高くできると共にパンチスルーの発生を防止できるようにする。例文帳に追加

To make feasible of avoiding the fluctuation in the threshold value voltage also raising the surge resistance level as well as avoiding the defective punch through. - 特許庁

よって、サージ電圧の上昇が抑制され、耐圧の低い整流素子（整流ダイオード）を使用することできる。例文帳に追加

Thus, it is possible to use a rectifier element (the rectifier diode) having a lower breakdown voltage while suppressing the rise of the surge voltage. - 特許庁

サージ耐量や制限電圧比等の特性が向上したビスマス系酸化亜鉛バリスタを提供する。例文帳に追加

To provide a bismuth-based zinc oxide varistor having improved characteristics in surge resistance, a clamping voltage ratio, or the like. - 特許庁

サージアブソーバとしての破壊耐量を高くするとともに、放電開始電圧を小さく設定して応答性を高める。例文帳に追加

To improve destruction resistance as a surge absorber, and improve response by setting a discharge starting voltage small. - 特許庁

測定されたインパルス電圧印加に伴う電流変化に基づいて試験対象１３のインパルス電圧（サージ電圧）に対する耐性の良否判定が行われる。例文帳に追加

Quality determination of tolerance to impulse voltage (surge voltage) of the test object 13 is performed on the basis of the measured current change accompanying impulse voltage application. - 特許庁

ゲート電圧算出部２０は、インバータの各ＩＧＢＴの温度、電流、直流側電圧に基づいてサージ電圧を算出し、素子耐圧と比較する。例文帳に追加

A gate voltage calculating section 20 calculates a surge voltage based on the temperature of each of IGBTs of the inverter, current and DC side voltage thereof, and compares the calculated voltage with an element withstand voltage. - 特許庁

回路全体を小型化し、かつ全周波数領域で高インピーダンス特性を維持して高調波漏れ電流を抑制して、雷サージ印加時には絶縁耐圧試験電圧よりも小さい電圧値で動作し、絶縁耐圧試験時は動作しないサージ吸収回路を得る。例文帳に追加

To provide a surge absorbing circuit which is reduced in size over the entire circuit, suppresses a higher harmonic leak current by keeping a high impedance characteristic over the whole frequency region, operates at a voltage smaller than an insulation test voltage when a lightning surge is applied and does not operate during an insulation test. - 特許庁

外部に保護回路を形成することなく、また製造工程を複雑にすることなく窒化物半導体を用いたＨＦＥＴのゲートをサージ電圧から保護し、サージ耐性が高いＨＦＥＴを実現できるようにする。例文帳に追加

To obtain a HFET with high surge resistance by protecting the gate of the HFET using a nitride semiconductor from a surge voltage without forming a protection circuit outside and a complicated manufacturing processes. - 特許庁

耐圧の低いツェナーダイオードを用いても電子回路に過大な電圧がかからず、サージ吸収時のサージ吸収エネルギーを低減することが可能になる。例文帳に追加

No excessive voltage is impressed to the electronic circuit even when the Zener diode 4 with low-voltage resistance is used so that surge absorbing energy at the time of surge absorption can be reduced. - 特許庁

雷サージ閃絡特性を圧下させることなく、ＺｎＯ素子が破壊された故障時においても平均値＋２σに耐える開閉サージ電圧特性を持たせることができる避雷碍子装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lightning insulator device that can be provided with opening and closing surge voltage characteristics that can withstand the average value + 2σ even at the time of a failure in which ZnO element is destroyed, without degrading the lightning surge flashover characteristics. - 特許庁

耐圧の低いツェナーダイオードを用いても電子回路に過大な電圧がかからないように構成され、発生したサージを吸収して負荷回路を保護するサージ保護回路を提供する。例文帳に追加

To provide a surge protection circuit that is structured so as not to cause an excessive voltage to be impressed to an electronic circuit even when a Zener diode with low-voltage resistance is used, and that protects a load circuit by absorbing a generated surge. - 特許庁

前記課題を解決する為に本発明は、サージ電圧の立上がり時間と耐サージ電圧との関係から、インバータによって駆動されるモータの巻線ターン間に発生する部分放電の発生を抑制するのに最適な立上がり時間を決定し、サージ電圧の立上がり時間と挿入リアクトルのインダクタンスの関係から最適リアクトル容量を決定する。例文帳に追加

For solving the problem, an optimum rising time is determined for suppressing partial discharge generated between the turns of the winding of the motor driven by an inverter from a relation between a rising time of the surge voltage and a surge-resistant voltage, and an optimum reactor capacity is determined from a relation between the rising time of the surge voltage and the inductance of an inserted reactor. - 特許庁

無機質充填材料の重量部を低く抑えて、インバータのサージ電圧に対する耐電圧寿命及び耐熱劣化寿命の向上を達成し得るエナメル線を提供する。例文帳に追加

To provide an enameled wire wherein an voltage resistance life to a surge voltage of an inverter and a heat deterioration resistance life are elongated by suppressing the weight percentage of an inorganic filling material. - 特許庁

サージ電圧による内部回路の破壊を防ぐと共に、サージ保護回路における耐圧のばらつきの影響を受けることなく、半導体集積回路装置の特性を向上させる容量素子をサージによる破壊から保護できるようにする。例文帳に追加

To prevent a breakdown of internal circuit due to a surge voltage and protect a capacitive element for improving the performance of a semiconductor integrated circuit device against breakdown due to the surge voltage without being influenced by variations in withstanding voltage in surge protection circuits. - 特許庁

従来の送信機では、雷サージに伴って発生するスパークに由来する急激な立ち下がり波形に基づく高周波ノイズを除去できず、雷サージ耐性が不十分であるという問題点があり、スパークによる急激な電圧変化を緩和して高周波ノイズの発生を抑制し、雷サージ耐性を向上させて増幅素子の破損を防ぐことができる雷サージ低減機能付き送信機を提供する。例文帳に追加

To provide a transmitter with a thunder surge reduction function capable of easing rapid voltage change by the spark, suppressing a generation of high-frequency noise, raising thunder surge proof level, and preventing a breakage of amplifer elements by solving problem that the conventional transmitter cannot remove the high-frequency noise based on a rapid falling waveform originating in the spark generated in connection with thunder surge and has an inadequate thunder surgeproof level. - 特許庁

基板上のスペース（面積）の有効利用により素子自体の小型化を図りながら、過電圧の印加（ＥＳＤやサージ電圧等）に対する耐性についてもこれを高く維持することのできるダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a diode that miniaturizes an element itself by making effective use of substrate space (area) and maintaining a tolerability against an applied excess voltage (ESD or surge voltage). - 特許庁

オン電圧や耐圧を犠牲にしないで、半導体装置がターンオフした過渡的な期間において発生するサージ電圧を低減することを目的としている。例文帳に追加

To reduce a surge current generated in a transitional period in which a semiconductor device is turned off without sacrificing an on-voltage or breakdown voltage. - 特許庁

200 μm にも達する巨大粒径を成長させ、サージ耐量の大きく、V1mA/tの低い、低電圧回路用ZnO −Pr_6O_11系の電圧非直線抵抗体とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a ZnO-Pr6O11 voltage nonlinear resistor for low-voltage circuit having a high surge resistance and a low V1 mA/t by growing gigantic grains up to 200 μm in diameter. - 特許庁

サージ電圧等に対するバイパス用の保護部を備え、耐圧性能および低いオン抵抗（低いオン電圧）を実現し、かつ、構造が簡単な、大電流用の、半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for large current that includes a protection portion for bypassing a surge voltage or the like attains voltage withstanding performance and low on resistance (low on voltage), and has a simple structure, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

望ましくは、サージ電圧に対してスイッチングパワーモジュール１の耐電圧値が過剰なマージンを持つことにならないような特性のゲート抵抗３を用いる。例文帳に追加

Preferably, a gate resistor 3 of such properties that the withstand voltage value of the switching power module 1 does not have an excessive margin to the surge voltage should be used. - 特許庁

サージ電圧やインパルス電圧に対するトランジスタのブレークダウン耐力を向上させ、電流増幅率が高くて小型のトランジスタを使用可能にしたレギュレータ回路を提供する。例文帳に追加

To provide a regulator circuit which makes it possible to use a small- sized transistor with a high current amplification factor by improving the breakdown tolerance of a transistor against a surge voltage and an impulse voltage. - 特許庁

サージ電圧等の異常電圧から保護しつつ、回路ブロックを低耐圧素子によって構成可能な保護回路及び半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a protection circuit and a semiconductor device which protect a circuit against an abnormal voltage such as a surge voltage, and at the same time constitute the circuit blocks with low withstand voltage elements. - 特許庁

このようにすれば、外部電源パッド等を介して侵入するサージ電圧に対して大きなサージ耐量が得られ、かつ、半導体装置の信頼性保証上、外来サージに対し適切なスナップバック電圧の値を有する異電源トレラントＩ／Ｏに用いる保護回路を形成することができる。例文帳に追加

By this setup, a protective circuit of this constitution can be enhanced in surge resistance to a surge voltage that penetrates through an outer power supply pad or the like, and a protective circuit which is having a snap-back voltage that is suitable for an adventitious surge for ensuring reliability for a semiconductor device and used for a different power supply tolerant I/O can be formed. - 特許庁

ＥＳＤ耐量、逆方向サージ耐量、順方向電圧降下ＶF特性、逆耐圧特性等の総合バランスに優れ、かつ安価なダイオードを提供すること例文帳に追加

To provide an inexpensive diode exhibiting excellent total balance of ESD resistance, reverse surge resistance, forward voltage drop VF characteristics, reverse breakdown voltage characteristics, and the like. - 特許庁

素子分離拡散層２５とドレイン拡散層２４との離間距離を、素子分離拡散層２５と埋め込み拡散層２２との離間距離よりも小さくするため、素子分離拡散層２５とドレイン電極３３間の降伏電圧が小さくなり、ドレインに印加されるサージ電圧をその降伏電圧で制限することが出来るため、ドレインのサージ耐量を大きくすることができる。例文帳に追加

A separate distance between an element isolation diffusion layer 25 and a drain diffusion layer 24 is made smaller than that between the element isolation diffusion layer 25 and a buried diffusion layer 22, a breakdown voltage between the element isolation diffusion layer 25 and a drain electrode becomes small, and a surge voltage applied to a drain can be restricted by the breakdown voltage, so that the drain can be improved in surge resistance. - 特許庁

信頼性が高い電流—電圧特性、交流課電寿命特性及び直流課電寿命特性を有し、耐水性、経済性及び対環境性が良好であり、雷インパルスや過電圧等のサージに対する保護能力を向上させた電圧非直線抵抗体を提供する。例文帳に追加

To provide a voltage non-linearity resistor that has highly reliable current-voltage characteristics, DC application life characteristics and AC application life characteristics, excellent waterproof, economy, and environmental resistance, and improves protection to surges such as lightening impulse and overvoltage. - 特許庁

避雷器の小型化のために、電流−電圧非直線抵抗体において電流−電圧非直線性、寿命特性およびエネルギー耐量に優れるとともに、雷サージエネルギー吸収後の低電流域非直線抵抗特性の劣化が抑制される優れた電流−電圧非直線性抵抗体を提供する。例文帳に追加

To provide an improved current-voltage nonlinear resistor that has improved current-voltage nonlinearity, life-time characteristics, and energy resistance; and suppresses deterioration in low-current region nonlinear resistance characteristics after absorbing thunder surge energy for miniaturizing a lightning arrester. - 特許庁