「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット例文帳に追加

TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND SPATTERING TARGET USED IN THE MANUFACTURING METHOD - 特許庁

また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＣｒ−Ｍｎ−Ｂ系薄膜。例文帳に追加

Also disclosed is a Cr-Mn-B-based thin film produced using the above sputtering target material. - 特許庁

酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化亜鉛系薄膜例文帳に追加

ZINC-OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND ZINC-OXIDE-BASED THIN FILM - 特許庁

酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化亜鉛系薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a zinc-oxide-based sputtering target; a manufacturing method therefor; and a zinc-oxide-based thin film. - 特許庁

箱型対向ターゲット式スパッタ装置及び化合物薄膜の製造方法例文帳に追加

BOX TYPE FACING TARGET SPUTTERING SYSTEM, AND METHOD OF PRODUCING COMPOUND THIN FILM - 特許庁

集積回路に薄膜を付着するための延長された寿命を有するスパッタターゲットの開発。例文帳に追加

To develop a sputtering target having a prolonged life for depositing a thin film on an integrated circuit. - 特許庁

酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法例文帳に追加

OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, AND THEIR PRODUCTION METHOD - 特許庁

ターゲット膜４２は、化学機械研磨法により薄膜化されたタングステン圧延膜である。例文帳に追加

The target film 42 is a tungsten-rolled film, of which the thickness is reduced by chemical machinery polishing method. - 特許庁

酸化亜鉛焼結体、それから成るスパッタリングターゲットおよび酸化亜鉛薄膜例文帳に追加

ZINC OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE SAME, AND ZINC OXIDE THIN FILM - 特許庁

反応性スパッタリング用ターゲットおよびそれを用いて成膜した光学薄膜例文帳に追加

REACTIVE SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL THIN FILM DEPOSITED BY USING THE TARGET - 特許庁

さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。例文帳に追加

Also disclosed is an Ni-W-B-based thin film produced using the sputtering target material. - 特許庁

スパッタリングターゲット、それを用いた光学薄膜とその製造方法、および光記録媒体例文帳に追加

SPUTTERING TARGET, OPTICAL THIN FILM USING THE SAME, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM - 特許庁

透明導電性薄膜作製用焼結体ターゲットおよびその製造方法例文帳に追加

SINTERED TARGET FOR MANUFACTURING TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

スパッタリングターゲット、光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法例文帳に追加

SPUTTERING TARGET, THIN FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

高純度Ｃｏ−Ｆｅ合金スパッタリングターゲット及び同スパッタリングターゲットを用いて形成した磁性薄膜並びに高純度Ｃｏ−Ｆｅ合金スパッタリングターゲットの製造方法例文帳に追加

HIGH PURITY Co-Fe ALLOY SPUTTERING TARGET, MAGNETIC THIN FILM DEPOSITED BY USING SAME SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING SAME HIGH PURITY Co-Fe ALLOY SPUTTERING TARGET - 特許庁

ターゲット部材とバッキングプレートから成るスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットのバッキングプレート表面にメッキ法によって銅薄膜を形成する。例文帳に追加

A sputtering target comprises a target member and a backing plate, and a copper thin film is formed by a plating method on the surface of the backing plate of the sputtering target. - 特許庁

ターゲットの消耗によりターゲットと基板間の距離が変化し、ターゲットと基板間に生じるプラズマ状態が変化し、薄膜形成速度が低下する。例文帳に追加

To solve such a problem that a forming speed of a thin film drops with a condition change of plasma formed between the target and the substrate, which is caused by a changing distance between the target and the substrate, according to the exhaustion of the target. - 特許庁

このスパッタ用ターゲット２９ｂによって、第１ターゲット材２９ｂ_２，２９ｂ_３，２９ｂ_４と第２ターゲット材２９ｂ_１との数の比率に応じた組成比の薄膜を形成する。例文帳に追加

The thin-film-forming apparatus forms the thin film so as to give it a composition ratio corresponding to the number ratio of the first target materials 29b_2, 29b_3 and 29b_4 to the second target material 29b_1, when using the sputtering target 29b. - 特許庁

ターゲットの飽和磁束密度を小さくすることでターゲットの厚みを厚くし、該ターゲットを用いて作成した磁性薄膜を備える磁気記録媒体の生産性の向上すること。例文帳に追加

To enhance productivity of a magnetic recording medium having a magnetic film formed using a target by reducing saturation magnetic flux density of the target thereby increasing the thickness of the target. - 特許庁

ターゲット材料の局所消耗の低減を図り、ターゲット材料の長寿命化が得られる薄膜形成用のターゲット組立体を提供する。例文帳に追加

To provide a target assembly for depositing a thin film, that can reduce local consumption of a target material and extend the service life of the target material. - 特許庁

スパッタリングターゲットの強度を向上させることができ、スパッタリングターゲットの割れがなく、高密度のスパッタリングターゲットを製造することが可能な透明導電性薄膜製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a sputtering target for producing a transparent electrically conductive thin film where the strength of a sputtering target can be improved, the cracking of the sputtering target is not caused, and the sputtering target of high density can be produced. - 特許庁

半導体デバイス電極用Ａｌ合金薄膜及び半導体デバイス電極用Ａｌ合金薄膜形成用のスパッタリングターゲット例文帳に追加

ALUMINA ALLOY THIN FILM FOR SEMICONDUCTOR DEVICE ELECTRODES AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME - 特許庁

液晶表示装置における配線および電極用銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット例文帳に追加

COPPER ALLOY THIN FILM FOR WIRING AND ELECTRODE OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN FILM - 特許庁

マイクロマシンスイッチの接触電極用薄膜およびこの接触電極用薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット例文帳に追加

THIN FILM FOR CONTACT ELECTRODE OF MICRO-MACHINE SWITCH, AND SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING THIN FILM FOR CONTACT ELECTRODE - 特許庁

フラットパネルディスプレイ用Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット例文帳に追加

THIN ALUMINUM ALLOY FILM FOR FLAT PANEL DISPLAY, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN ALUMINUM ALLOY FILM - 特許庁

該薄膜層は例えば該土類塩をターゲットとして、該フイルムの表面にスパッタリングして透明薄膜層を形成して製造する。例文帳に追加

For example, the membrane layer is manufactured by using alkaline earth metal fluoride as a target by sputtering the same on the surface of the polyimide film. - 特許庁

酸化亜鉛薄膜形成用スパッタターゲットと、それを用いて得られる酸化亜鉛薄膜を有する表示素子及び太陽電池例文帳に追加

SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING ZINC OXIDE THIN FILM, AND DISPLAY DEVICE AND SOLAR CELL HAVING ZINC OXIDE THIN FILM OBTAINED BY USING THE TARGET, - 特許庁

薄膜形成用スパッタリングターゲット材、薄膜、電極配線層、光学記録媒体、電子部品、電子光学部品及び電子機器例文帳に追加

SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING THIN FILM, THIN FILM, ELECTRODE-WIRED LAYER, OPTICAL RECORDING MEDIUM, ELECTRONIC COMPONENT, OPTOELECTRONIC COMPONENT AND ELECTRONIC DEVICE - 特許庁

薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体例文帳に追加

SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION, THIN FILM FORMED BY USING IT AND OPTICAL RECORDING MEDIUM - 特許庁

対向ターゲット式スパッタ法による化合物薄膜の作成において、薄膜の組成比を制御することのできる装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus capable of controlling the composition ratio of a thin film when forming a compound thin film by the facing target type sputtering method. - 特許庁

薄膜形成用スパッタリングターゲット材、それを用いて形成されて成る薄膜及び光学記録媒体例文帳に追加

SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR THIN FILM DEPOSITION AND THIN FILM AND OPTICAL RECORDING MEDIUM USING THE MATERIAL - 特許庁

透明導電性薄膜作製用焼結体ターゲット、その製造方法、並びに透明導電性薄膜例文帳に追加

TARGET OF SINTERED BODY FOR MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM - 特許庁

透明導電性薄膜用ターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法、ディスプレイ用電極材料、有機エレクトロルミネッセンス素子例文帳に追加

TARGET FOR TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE THIN-FILM, TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE THIN-FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ELECTRODE MATERIAL FOR DISPLAY, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT - 特許庁

高密度ガスをターゲットとするレーザ・アブレーションを利用した新しい薄膜形成装置並びに薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film deposition system and a thin film deposition method, that utilize the laser aberration with high density gas as a target thereof. - 特許庁

固体ターゲットパルスレーザ蒸着法によるＧａＮ結晶性薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING GaN CRYSTALLINE THIN FILM BY SOLID TARGET PULSE LASER VAPOR DEPOSITION METHOD, AND THIN FILM MANUFACTURED BY THE METHOD - 特許庁

薄膜トランジスタに使用できる非シリコン系半導体薄膜、及びそれを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a non-silicon series semiconductor thin film usable for a thin film transistor, and to provide a sputtering target for forming the non-silicon series semiconductor thin film. - 特許庁

ターゲット材料の組成と同一の組成の薄膜が成長可能で、品質に優れた薄膜を成長できる装置を得る。例文帳に追加

To obtain a system by which a thin film having the same composition as that of a target material can be grown, and a thin film excellent in quality can be grown. - 特許庁

ＺｎＯ系ターゲット及びその製造方法並び導電性薄膜の製造方法及び導電性薄膜例文帳に追加

ZnO-BASED TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTROCONDUCTIVE THIN FILM, AND ELECTROCONDUCTIVE THIN FILM - 特許庁

スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びにそのスパッタリングターゲットを用いて形成したスパッタリング薄膜及びその薄膜を用いた有機ＥＬ素子例文帳に追加

SPUTTERING TARGET, METHOD FOR PRODUCING SAME, SPUTTERING THIN FILM FORMED BY USING THE SPUTTERING TARGET, AND ORGANIC EL DEVICE USING THE THIN FILM - 特許庁

ターゲット３０、３５をスパッタリングして、基板５０に前記ターゲット３０、３５の材料の薄膜を形成する成膜装置において、薄膜をエッチングするエッチング源６０を有する。例文帳に追加

The deposition system for forming the thin films of the materials of targets 30 and 35 on a substrate 50 by sputtering the targets 30 and 35 has an etching source 60 for etching the thin films. - 特許庁

垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target material for producing a Ni-W-Cr alloy interlayer film and a thin film produced by using the sputtering target material for producing the thin film, in a vertical magnetic recording medium. - 特許庁

グリッド電極9がターゲット3と基板4との間にある状態で、一定時間薄膜を形成した後、ターゲット3と基板4との間にグリッド電極9を介在させない状態で、さらに薄膜形成を行う。例文帳に追加

A thin film is deposited for a fixed time in a state where the grid electrode 9 lies between the target 3 and the substrate 4, and thereafter, a thin film is further deposited in a state where the grid electrode 9 is not interposed between the target 3 and the substrate 4. - 特許庁

次に、薄膜パターン基板とターゲット基板との接合、離間を繰り返すことにより、複数の薄膜パターン３０、３１をターゲット基板に積層、転写して光学素子３Ａ，３Ｂを製造する。例文帳に追加

Subsequently, by repeating joint and separation between the thin-film pattern substrate and the target substrate, the plurality of thin-film patterns 30, 31 are stacked and transferred onto a target substrate and, thereby, optical elements 3A, 3B are manufactured. - 特許庁

薄膜作製を行うマグネトロンスパッタ成膜方法で、ターゲットの一部をマスクして成膜を行う成膜方法において、マスクが、ターゲットのスパッタ量よりもターゲット上への再付着（堆積）量が多い領域を含み、かつ、ターゲットのスパッタ量とターゲット上への再付着（堆積）量とが拮抗する領域を含むことを特徴とする成膜方法。例文帳に追加

In a magnetron sputtering film deposition method for producing a thin film by which the film deposition is performed by masking a part of a target, the mask includes an area where the re-adhesion (deposition) amount on the target is larger than the sputtering amount of the target, and includes an area where the sputtering amount of the target is comparable with the re-adhesion (deposition) amount on the target. - 特許庁

薄膜の製造方法は、レーザ光が入射窓３１を通してターゲット８１に照射される工程と、レーザ光が照射されたターゲット８１からターゲット粒子８９が飛散する工程と、ターゲット粒子８９が基板８２上に堆積することにより、基板８２上に薄膜８３が形成される工程とを備えている。例文帳に追加

The method for producing the thin film comprises the steps of: irradiating a target 81 with a laser beam through an incident window 31; making target particles 89 fly from the target 81 which has been irradiated with the laser beam; and forming the thin film 83 on a substrate 82 by depositing the target particles 89 on the substrate 82. - 特許庁