「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

また、Ａｇ、Ｃｕの少なくとも１種を主成分とし、３００℃における窒化物の生成自由エネルギーが負の値である元素を添加元素として含むスパッタリングターゲットを用いて配線用薄膜を形成する。例文帳に追加

Also, the thin film for wiring is formed by using the sputtering target consisting of at least one kind of Ag and Cu as essential components and containing the elements of the negative value in the free energy for forming the nitride at 300°C as the additive elements. - 特許庁

ダストの発生などが抑制された状態で、より早い速度でスパッタ法によりＢｉ_4Ｔｉ_3Ｏ_12などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜形成を可能とするターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a target which enables to deposit a thin film of a metal oxide comprising bismuth and titanium such as Bi_4Ti_3O_12 at a higher speed by a sputtering process in a state where the generation of dust is suppressed. - 特許庁

スパッタリング装置のターゲット用カソード冷却水の温度を３０℃〜８０℃の間で一定に設定して光学薄膜を成膜することを特徴とするスパッタリング膜の製造方法。例文帳に追加

In the method for manufacturing sputter film, the optical thin film is deposited while setting the temperature of the cooling water for a cathode for target in the sputtering system to the predetermined value between 30 and 80°C. - 特許庁

スパッタ装置２０においては、真空チャンバ２１の中に、スパッタガン３５と、ターゲット３２、さらに、その上に薄膜を形成するための基材３１が配置されている。例文帳に追加

The sputtering system 20 is provided with a sputtering gun 35 and a target 32 and further a substrate surface 31 for forming thin films thereon in a vacuum chamber 21. - 特許庁

スパッタリング法で薄膜を形成する際に、ターゲットを指示するバッキングプレート上の付着物によるダストの発生を簡便に低減できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method capable of easily reducing the generation of dust by deposits on a backing plate indicating a target when forming a thin film by a sputtering method. - 特許庁

基板表面に対してターゲット表面を任意の角度で傾斜することができ、材料に適した傾斜角度を見出し、良質の薄膜を再現性良く作製し、生産に結びつけることができるスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus capable of inclining a target surface with respect to a substrate surface at an arbitrary angle, finding the angle of inclination suitable for a material, manufacturing a thin film of excellent quality with excellent reproducibility, and achieving production of the thin film. - 特許庁

電気化学測定用の電極３本体の表面に、有機固体材料をターゲットとして高周波スパッタ法により作製された高分子薄膜４が修飾されていることを特徴とする。例文帳に追加

The surface of the main body of an electrochemical measuring electrode 3 is modified by a polymeric thin film 4 manufactured by a high frequency sputtering method using an organic solid material as a target. - 特許庁

耐候性の改善、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性及び簡易性を図った合金材及び薄膜を得る。例文帳に追加

To obtain an alloy material in which the improvement of weather resistance and stability and facilitation in a sputtering stage when used as a sputtering target are attained and to obtain a thin film. - 特許庁

ターゲットの利用効率の向上と薄膜の良好な膜厚均一性とを両立させながら安価、且つ生産性良く成膜することのできるスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering method capable of inexpensively forming a film with high productivity while both the improvement of the utilizing efficiency of a target and the good film thickness uniformity of the thin film are achieved and to provide a sputtering device. - 特許庁

半導体素子に薄膜を物理的蒸着する上で使用、かつ再使用するようスパッタターゲットを作り、かつ改修する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a sputtering target and for repairing it so that it can be used and reused in the physical vapor deposition of thin film onto a semiconductor device. - 特許庁

薄膜形成装置において、ターゲット材料の利用率向上、タクトタイムの向上、メンテナンス性の向上、および成膜精度の向上を図る。例文帳に追加

To attain the improvement of the utilization factor in a target material, the improvement of cycle time, the improvement of maintainability and the improvement of film deposition accuracy in a thin film deposition system. - 特許庁

表面抵抗が低く、酸素を含む雰囲気下で加熱しても加熱前後の表面抵抗の変化率が小さく耐熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a target for ion plating for producing a zinc oxide-based thin film which has low surface resistance, in which, even if being heated in an oxygen-containing atmosphere, the rate of a change in the surface resistance is small before and after the heating, and which has excellent heat resistance. - 特許庁

窒素ガス等の反応性ガスによるターゲット自体の反応を防止し、所望の光学的・物理的特性を有する窒化物含有薄膜を形成することを可能にする。例文帳に追加

To provide a thin film deposition method, and a thin film deposition apparatus capable of depositing a nitride containing thin film having the desired optical/physical characteristic by preventing the reaction of a target itself caused by a reactive gas such as nitrogen gas. - 特許庁

この磁極板１６，１８により、ターゲット８と基板１４の間に基板１４の薄膜が形成される面に平行な磁界が発生している。例文帳に追加

By the pole boards 16 and 18, between the target 8 and the substrate 14, the magnetic field parallel to the face on which a thin film shall be formed in the substrate 14 is generated. - 特許庁

薄膜形成に用いられるスパッタリングにおいて、スパッタリングターゲットの利用効率を大幅に向上し、材料ロスを削減することを目的とする。例文帳に追加

To considerably improve the efficiency of utilizing a sputtering target, and to reduce material losses in the sputtering used in the forming of a thin film. - 特許庁

ここで、公転テーブル１３の上面には、基板載置台１５の一部分を覆うことによって基板１９上のターゲット材料の堆積量をコントロールし、薄膜の膜厚を均一にするための膜厚補正板１７を設ける。例文帳に追加

It also comprises a film-thickness correcting plate 17 on a top face of the revolution table 13, for making the thickness of the thin film uniform by controlling a depositing quantity of a target material on the substrate 19 with covering a part of the substrate mounting tables 15. - 特許庁

太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Cu-Ga-based alloy powder with a low oxygen content for producing a light-absorbing thin film layer of a solar cell and a method for producing a sputtering target material. - 特許庁

交流型プラズマディスプレイパネルにおける誘電体層の保護膜であるＭｇＯ薄膜を反応性スパッタリング法により製造するときに用いるＭｇスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a Mg sputtering target used when manufacturing a thin film of MgO with a reactive sputtering method, which is a protective coating of a dielectric layer for the plasma display panel of an alternating current type. - 特許庁

酸化チタン系薄膜の成膜において、スパッタリング中における、異常放電の発生、クラックや割れの発生を抑制しうるスパッタリングターゲット、およびその原料となる酸化チタン系焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target suppressing the generation of abnormal electric discharge and the occurrence of cracks and breakage during sputtering in forming a titanium oxide-based thin film and a titanium oxide-based sintered compact to be used as its raw material. - 特許庁

ターゲットの有効利用をはかり、最後まで高品質の薄膜形成を行うことの可能なスパッタリング方法およびスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus for depositing a thin film of high quality to the last by effectively utilizing a target. - 特許庁

垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−（Ｓｉ，Ｂ）系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜例文帳に追加

SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR PRODUCING Ni-W-(Si, B)-BASED INTERMEDIATE LAYER FILM IN VERTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND THIN FILM PRODUCED USING THE SAME - 特許庁

固体の焼結体ではなく、この焼結体の原料である粉体自体をターゲット２１ａとして用い、スパッタリング法等の物理的蒸着法により薄膜を形成させる。例文帳に追加

The method for forming a thin film uses a raw material powder for a sintered compact as a target 21a without using the solid sintered compact and forms a thin film by a physical vapor-deposition method such as a sputtering method. - 特許庁

ＳｉＧｅ半導体薄膜を、スパッタ蒸着方法により作製する方法であって、ターゲット上に発生するプラズマの周辺に、高周波コイルを設置し、電流を流すことで、良質のプラズマを発生させて、スパッタ蒸着後の半導体特性が優れている薄膜を作製することからなるＳｉＧｅ半導体薄膜の作製方法、及びＳｉＧｅ薄膜。例文帳に追加

With regard to a method of producing an SiGe semiconductor thin film by sputter deposition, a high frequency coil is installed around plasma generated on a target, and a current is made to flow to generate high-quality plasma, thereby producing a thin film having excellent semiconductor characteristics after sputter deposition. - 特許庁

本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスが各ターゲットのスパッタゾーンに入り込むことによって起きる異常放電を防止し、欠陥のない薄膜を得ることができる金属化合物の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a device for forming a thin film of a metallic compd., in a sputtering technology for obtaining a metallic compd. thin film, capable of preventing abnormal discharge caused by the intrusion of reactive gas such as oxygen into the sputtering zone of each target and capable of obtaining a thin film free from defects and to provide a thin film forming method thereof. - 特許庁

ターゲット１２は、Ｘ線を発生させるロジウム微粒子３１と、そのロジウムよりも原子番号が小さいベリリウムからなる軽元素のベリリウム薄膜３２とを備え、そのベリリウム薄膜３２によってロジウム微粒子３１を電子ビームＢ側の所定箇所に固定して保持している。例文帳に追加

The target 12 comprises rhodium particulates 31 which generate X-rays and a beryllium thin film 32 of a light element consisting of beryllium having an atomic number smaller than rhodium, and by the beryllium thin film 32, the rhodium particulates 31 are fixed and held at the prescribed place on electron beam B side. - 特許庁

インジウム又は亜鉛を主成分とするターゲットを用い、酸化物薄膜又は窒化物薄膜から成る透光層５４、７４と、インジウム又は亜鉛を主成分とする金属反射層５５、７５とで積層構造のＢＭ膜５１、７１を形成させる。例文帳に追加

The BM films 51 and 71 of a laminated structure are formed of light transmissive layers 54 and 74 consisting of oxide thin films or nitride thin films and metallic reflection layers 55 and 75 consisting essentially of indium or zinc by using a target consisting essentially of the indium or the zinc. - 特許庁

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴンガス、オゾンガス雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。例文帳に追加

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed by high-frequency sputtering in an argon gas/ozone gas atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer. - 特許庁

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴン−オゾン混合ガスの雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。例文帳に追加

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed through high-frequency sputtering of argon-ozone mixed gas in an atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer 3. - 特許庁

チオアルミネート系やチオガレート系などの三元系硫化物蛍光体薄膜をスパッタリング法により形成する際に用いられ、高輝度の蛍光体薄膜の形成が可能であり、緻密であり、安定性が高いターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a fine and stable target used when a ternary system sulfide phosphor thin film, such as a thioaluminate system or a thiogallate system is formed by a sputtering method, and capable of forming a high intensity phosphor thin film. - 特許庁

比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a target for ion plating for producing a zinc oxide-based thin film having extremely low specific resistance, extremely small rate of change of the specific resistance after a wet heat resistance test, and excellent wet heat resistance, and the zinc oxide-based transparent conductive thin film produced by using the target. - 特許庁

粒子の目詰まりを防止することにより、ターゲットからの粒子が容易に基板に到達でき、粒子の選択性を容易に向上でき、かつ長尺材への均一な薄膜の形成が可能な長尺の薄膜線材の製造方法および製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a long-length wire rod by which particles from a target can easily arrive at a substrate by preventing the clogging of the particles, the selectivity of the particles can easily be improved, and a uniform thin film can easily be formed on a long-length material, and to provide a production system therefor. - 特許庁

本発明は、ターゲットにＤＣ電圧とＲＦ電圧を重畳させて印加する放電方式において、異常放電の発生を抑制し、正規の放電状態への迅速な復帰が可能な薄膜形成装置及び薄膜形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thin film forming device, in a discharge system in which DC voltage and RF voltage are applied to a target in a superposing way, capable of suppressing the generation of abnormal discharge and swiftly returning the condition to the normal discharge one and to provide a thin film forming method. - 特許庁

高い表面平滑性を有するとともに比抵抗の小さい透明導電性薄膜を安定的に形成することを可能とする酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよびこれを用いて得られる透明導電性薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact capable of stably forming a transparent electrically conductive thin film having a high surface smoothness and a low specific resistance, a sputtering target and the transparent electrically conductive thin film obtained by using it. - 特許庁

薄膜磁気記録媒体１００を形成するにさいし 磁性材料のターゲットから磁性ナノクラスターを発生させること、磁性ナノクラスターを結晶化すること、および磁性ナノクラスターを基材上に堆積させ、基材上に磁性粒子の薄膜を形成することを含んでなる。例文帳に追加

The process of forming a thin-film magnetic recording medium 100 includes a step of generating magnetic nano-clusters from a target of a magnetic material; a step of crystallizing the nano-clusters; and a step of depositing the nano-clusters on a substrate to form a thin film of magnetic particles on the substrate. - 特許庁

このような酸化物薄膜は、蛍石型構造を持つ酸化物からなるターゲットを用いて、スパッタガス圧が１．０×１０^−２〜３×１０^−１Ｔｏｒｒ（１．３〜４０．０Ｐａ）、基板温度が２００〜９００℃の条件下でスパッタリングすることにより、基板上に薄膜を成膜することにより得られる。例文帳に追加

The film is prepared by forming a thin film on a substrate by using a target comprising an oxide having a fluorite structure and sputtering under a sputter gas pressure of 1.0×10^-2-3×10^-1 Torr (1.3-40.0 Pa) at a substrate temperature of 200-900°C. - 特許庁

真空槽１１に設けられた排気口１１ｄからの排気と、成膜プロセスゾーン２０への少なくとも反応性ガスを含むスパッタガスの導入とを行いながらターゲット２９ａ，２９ｂに対するスパッタによって薄膜を形成する薄膜形成方法である。例文帳に追加

The thin-film-forming method includes forming a thin film through sputtering targets 29a and 29b, while exhausting air from an outlet 11d formed in a vacuum chamber 11, and introducing a sputtering gas containing at least a reactive gas into a film-forming zone 20. - 特許庁

Ｃｕに、Ａｇが、０．３〜１０．０重量％含有されたＣｕＡｇ合金に、耐食性向上材料として、例えばＴｉであれば０．０１〜５．０重量％含有されてなる合金を薄膜形成用スパッタリングターゲット材とし、これにより薄膜を作製する。例文帳に追加

An alloy obtained by incorporating a CuAg alloy obtained by incorporating, by weight, 0.3 to 10.0% Ag into Cu, e.g. with Ti of 0.01 to 5.0% as a corrosion resistance improving material is used as a sputtering material for thin film deposition, and a thin film is produced thereby. - 特許庁

光学薄膜に好適なＮｂ酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、Ｎｂ酸化膜の成膜速度を向上させることによって、Ｎｂ酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target with which the production efficiency of an Nb oxide film and eventually an optical thin film etc., can be enhanced by improving the deposition rate of the Nb oxide film when the Nb oxide film appropriate for the optical thin film is deposited by sputtering. - 特許庁

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target for oxide film formation which can increase production efficiency of a metal oxide film, e.g. an optical thin film etc. by inhibiting a decrease in film-forming rate of the metal oxide film at sputter-deposition of the oxide film which is suitably used as an optical thin film. - 特許庁

Ｂｉ_２Ｏ_３系ガラス薄膜を長時間にわたって、安定した組成で製膜でき、屈折率等の物性についても再現性よく製膜できるスパッタリング用ターゲット、その製造方法及び光導波路用薄膜の形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a target for sputtering capable of depositing a Bi_2O_3 based glass thin film in a stable composition for a long time, and also, with high reproducibility even regarding its physical properties such as the index of refraction, to provide its production method, and to provide a method for depositing a thin film for an optical waveguide. - 特許庁

溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide an inexpensive method for producing an indium target, which makes less indium oxide enter into an inner layer of a hot metal, and is suitable particularly for use in forming an indium film which is a light absorption layer formed of a stacked Cu-Ga/In precursor for a thin-film solar cell. - 特許庁

ＦＰＤの反射膜、反射電極、電極および配線等として有用で、反射率が高く安定し、電気抵抗が低いことに加えて、膜密着性、耐久性にも優れた高反射低抵抗薄膜と、その薄膜を成膜するために用いることができるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To prepare a high-reflection and low-resistance thin film which is useful as a reflection film, reflection electrodes, electrode, wiring, or the like, of a flat panel display(FPD), has high reflectivity, is stable, is low in electric resistance and is, in addition, excellent in film adhesion property and durability as well and a sputtering target usable for deposition of this thin film. - 特許庁

前記スパッタリングによって被処理物に光学薄膜を成膜するに際し、前記ターゲットにバイアス印加手段１０５によって正のバイアスを印加して、前記被処理物に光学薄膜を成膜する工程を有する構成とする。例文帳に追加

That is, when the optical thin film made of multilayer film is formed on the body to be treated by sputtering, a positive bias is applied to the target by a bias applying means 105 and the optical thin film is formed on the body to be treated. - 特許庁

従来のＮｉ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金では実現することができなかった高い高温安定性と良好な抵抗温度特性を有する抵抗薄膜、該抵抗薄膜を得るため金属抵抗体材料及びスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a resistance thin film having high high temperature stability and satisfactory resistance temperature properties which have not been realized by the conventional Ni-Cr-Al-Si alloy, to provide a metal resistor material for obtaining the resistance thin film, and to provide a sputtering target. - 特許庁

ターゲットと基板の間にコリメータを配設してスパッタを行うことにより薄膜を形成する場合に、精度よく膜厚を予測することが可能な膜厚予測方法及び膜厚分布が均一な薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for predicting film thicknesses capable of predicting the film thicknesses with good accuracy when a collimator is disposed between a target and a substrate and thin films are formed by sputtering and a deposition method which can form the thin films having a uniform film thickness distribution. - 特許庁