「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

高反射率を有し、基板との密着性、耐蝕性にも優れたＡｇ合金反射膜、スパッタリングターゲットおよびＡｇ合金薄膜製造方法の提供。例文帳に追加

To provide an Ag-alloy reflective film having high reflectance, and superior adhesiveness to a substrate and corrosion resistance as well, and to provide a sputtering target and a method for manufacturing an Ag-alloy thin film. - 特許庁

酸素導入Ａｌ薄膜１２ａは、純Ａｌターゲットを用い、グロー放電を利用した物理蒸着法を用い、その成膜雰囲気において希ガス流量に対して酸素流量を制御することにより成膜される。例文帳に追加

The oxygen introduced Al thin film 12a is deposited by using a physical vapor deposition method utilizing glow discharge using a pure Al target, and controlling an oxygen flow rate with respect to a rare gas flow rate in its deposition atmosphere. - 特許庁

ターゲットの製造時およびスパッタリング時に割れを生じることのない高強度な酸化亜鉛焼結体および高抵抗な酸化亜鉛薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a high-strength zinc oxide sintered compact not generating a crack when manufacturing and sputtering a target, and to provide a high-resistance zinc oxide thin film. - 特許庁

このスパッタ・ターゲットでは、相互連結で望まれる電気的特性を有し、また最小限パーティクルの高均一性薄膜がスパッタリング形成できる。例文帳に追加

By using this sputtering target, electric properties necessary for interconnection can be provided and a high uniformity thin film of minimal particle can be formed by sputtering. - 特許庁

Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との合計に対するＳｎＯ_２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用いるスパッタリング法により成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜。例文帳に追加

An ITO transparent electroconductive thin film 5 is deposited by a sputtering method using an ITO target in which the weight ratio of SnO_2 to the total of In_2O_3 and SnO_2 is ≤6%. - 特許庁

本発明に係る金属化合物の薄膜形成装置Ｓは、ターゲット２９，４９が配設された真空槽１１と、この真空槽１１に接続された排気ポンプ８２と、を備える。例文帳に追加

This device for forming a thin film of a metallic compd. is provided with a vacuum tank 11 provided with a target 29 and an exhaust pump 82 connected to the vacuum tank 11. - 特許庁

スパッタターゲット43に入射イオン45を衝突させ、圧電セラミックス41の表面に銅成分を一定量含有する均一膜厚の薄膜電極を形成する。例文帳に追加

The sputter target 43 is made to collide with incident ions 45, so that a thin-film electrode of a constant thickness which contains a copper component by a specified amount is formed on the surface of the piezoelectric ceramics 41. - 特許庁

相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target having high relative density, low resistance, and capable of producing uniform and excellent oxide thin films such as an oxide semiconductor and a transparent conductive film. - 特許庁

スパッタされたターゲット２の原子がステージ１１上に載置された試料１０に付着することにより試料表面上に導電性薄膜が形成される。例文帳に追加

A conductive thin film is formed on the sample surface by allowing adhesion of atoms of a sputtered target 2 onto a sample 10 placed on a stage 11. - 特許庁

低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属薄膜の形成に有用であり、好ましくはスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide an Al-based alloy sputtering target which is useful for forming a metal thin film excellent in low wiring resistance and hillock resistance and which preferably suppresses the occurrence of splash during sputtering. - 特許庁

ＩＴＯと同等以上の導電性を有する透明な酸化チタン系薄膜を工業的に製造するのに適したターゲット材を提供すること。例文帳に追加

To provide a target material suitable for industrial production of a transparent titanium oxide-based thin film having electrical conductivity equal to or more than that of ITO. - 特許庁

スパッタリングの初期段階で発生する問題（スプラッシュの個数の増加や、成膜された薄膜の電気抵抗の上昇）を解消でき、プリスパッタ時間を短縮可能なＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide an Al-based sputtering target capable of dissolving problems (increase of the number of splashes, rise of electric resistance of deposited thin film) occurring on the initial stage of sputtering and shortening pre-sputtering time. - 特許庁

ターゲット長や幅を増大させることなく、基板上に成膜される薄膜の膜厚分布を容易に調整できる磁石ユニットを提供する。例文帳に追加

To provide a magnet unit capable of easily regulating the film thickness distribution of a thin film to be deposited on a substrate without increasing the length or the width of a target. - 特許庁

大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なＩｎ−Ｇｎ−Ｚｎ系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target composed of a In-Ga-Zn-based oxide sintered compact with which a uniform thin-film transistor panel with large area can be manufactured. - 特許庁

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

本発明は、低固有抵抗および高耐食性を有し、成分不均一の小さい薄膜を製造できるＣｕ系スパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a Cu-based sputtering target material which has low specific resistance and high corrosion resistance, and from which a thin film having uniform component distribution can be produced. - 特許庁

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of producing a Ge-Sb-Te sputtering target of a thin film medium for recording information by utilizing the phase transformation of a recording layer material. - 特許庁

大強度パルスイオンビームを高融点化合物ターゲットに照射し、室温に保持した基板上に堆積させることにより、低融点、低分解温度基板の使用を可能にした結晶質薄膜の作製方法。例文帳に追加

This method for making a crystalline thin film is the one in which the use of a low-melting low-decomposition-temperature substrate is possible by impinging a high-strength pulse ion beam against a high-melting compound target and building up the compound on the substrate. - 特許庁

突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target manufacturing method capable of reducing unexpected generation of particles, and enhancing the film quality and the thin film manufacturing efficiency. - 特許庁

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。例文帳に追加

To stably and continuously produce a transparent electrically conductive thin film on a transparent plastic substrate for a long time by reactive sputtering method using a metallic target. - 特許庁

ホットプレス法を用いて、その表面に割れが発生せず、成膜中にノジュールやアーキングが発生しない、透明導電性薄膜作製用のスパッタリングターゲットを、安定的に製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for stably manufacturing a sputtering target for producing a transparent conductive thin-film by a hot pressing method, which does not produce crack on the surface and a nodule and arcing during film formation. - 特許庁

スパッタ時に形成される薄膜の組成分布を均一性を確保しつつ、従来よりもさらに利用効率を高めることができる希土類−強磁性金属系ターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a rare earth-ferromagnetic metallic target capable of increasing the utilizing efficiency more than the conventional case while securing the uniformity of the compositional distribution of a thin film to be formed at the time of sputtering. - 特許庁

環境汚染の原因となるＣｒを含んでおらず、かつ、パーティクルが少ない薄膜を形成することができるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target which is free from Cr causing environmental pollution and can deposit a thin film reduced in the number of particles. - 特許庁

高い軟磁気特性を持つ磁性薄膜をマグネトロンスパッタリングなどで作製するのに用いることのできるターゲット材などを、高保磁力を持つ金属バルク材として作製することのできる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a producing method, e.g. capable of producing a target material usable for production of a magnetic thin film having high soft magnetic properties by magnetron sputtering or the like as a metallic bulk material having high coercive force. - 特許庁

また、本発明の磁気記録媒体は、上記ターゲットで成膜したＢ２規則格子でなる薄膜を、Ｃｏ系磁性膜と非磁性基板の間に形成する下地膜の少なくとも１層とする磁気記録媒体である。例文帳に追加

The magnetic recording medium is formed by a thin film consisting of the B2 rule lattice deposited by the target as at least one layer of the ground film to be formed between a Co-based magnetic film and a nonmagnetic substrate. - 特許庁

ターゲット３と基板ホルダ２との間には、位置による薄膜の厚さのばらつきを補正するための膜厚補正板８が、非接地の状態で設けられている。例文帳に追加

A film thickness correction plate 8 for correcting the variability in the thickness of a thin film depending on the position is provided in an ungrounded state between the target 3 and the substrate holder 2. - 特許庁

成膜処理作業の効率を低下させることなく、製品である薄膜電子材料の表面の汚染を防止することを可能にするスパッタリング成膜用のターゲットユニットを提供すること。例文帳に追加

To provide a target unit for sputtering film deposition by which the contamination of the surface of a thin film electronic material as a product can be prevented without reducing the efficiency of film deposition treating operation. - 特許庁

本発明は、主に磁気記録媒体における下地膜など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＭｏＶＢ系ターゲット材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing an MoVB-based target material used for forming a thin film for an electronic component such as a substrate film mainly in a magnetic recording medium. - 特許庁

本発明は、主に磁気記録媒体における下地膜など電子部品用の薄膜を形成するために用いられるＷＶ系ターゲット材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a WV-based target material used for forming a thin film for an electronic component such as a substrate film mainly in a magnetic recording medium. - 特許庁

薄膜配線に要求される耐食性、耐熱性、基板との密着性に優れた高融点金属膜を、有害物を発生させることなく、再現性良く形成できるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target, which can reproducibly form a film of high melting point metal, superior in corrosion resistance, heat resistance, and adhesiveness to a substrate, all of which are required for thin film wiring, without generating a deleterious material. - 特許庁

精度よく薄膜の膜厚を制御することができる、回転円筒ターゲットを備えたスパッタ源、該スパッタ源を備えたスパッタ成膜装置、および該スパッタ成膜装置を用いたスパッタ成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide: a sputtering source which has a rotary cylindrical target and with which the film thickness of a thin film can be controlled with a good precision; a sputtering film deposition apparatus equipped with the sputtering source; and a sputtering film deposition method using the sputtering film deposition apparatus. - 特許庁

磁気記録媒体における下地膜として用いる下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a Cr-Mn-Ba-based sputtering target material used as a substrate film in a magnetic recording medium, and to provide a thin film produced by using the same. - 特許庁

ＳｉとＯとを主成分とする薄膜をスパッタ法で作製するにあたって、成膜時における割れやすさを改善すると共に、異常放電の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of Si and O as the main components is produced by a sputtering process, in which easiness to be cracked upon the film deposition is improved, and further, the generation of abnormal discharge can be suppressed. - 特許庁

ターゲット表面を初期状態にするための目標ダミー間枚数Ｎｐを規定し、ダミー間枚数Ｎａが目標ダミー間枚数Ｎｐに到達するまで、誘電体薄膜の成膜処理を継続させた。例文帳に追加

The method has a step of defining the target number Np of films between dummies for bring the target surface into an initial state, and a step of continuing film deposition processing of the dielectric thin film, until the number Na of films between dummies reaches the target number Np of films between targets. - 特許庁

該複合材をターゲット材として、反応性スパッタ法等のドライプロセス蒸着を行い、表面に耐摩耗性又は耐酸化性の優れた硬質薄膜をコーティングした切削工具又は摺動部品等の製品を得る。例文帳に追加

The composite material is used as the target material to perform dry process vapor deposition such as a reactive sputtering method or the like to obtain a product such as a cutting tool, a slide part or the like coated with a hard thin film excellent in abrasion resistance or oxidation resistance. - 特許庁

対をなすターゲットに低い周波数でパルス電位を印加するときでも、基板表面に形成すべき薄膜の膜厚分布の均一化を図り易い電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide an electric power unit which can easily uniformize the thickness distribution of a thin film to be formed on the surface of a substrate, even when a pulse potential of a low frequency is applied to a pair of targets. - 特許庁

本発明に係る薄膜形成用スパッタリングターゲット材は、Ａｇを主成分とし、Ｍｏを０．１ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下含有する金属材料からなることを特徴とする。例文帳に追加

The sputtering target material for forming the thin film is made of a metallic material including Ag as a main component and 0.1-3.0 wt.% Mo. - 特許庁

また、成膜時には、遮蔽板８が移動して防着板７の開口部を開くため、ターゲット３と対向した基板４上に薄膜を形成することができる。例文帳に追加

When the film is formed, the masking shields 8 move to open the opening of the deposition shield 7, so that the thin film can be formed on the substrate 4 which faces to the target 3. - 特許庁

カルーセル型基板ホルダーをもち、上下に軸に平行磁場を有し、上下のターゲットを同時に磁場を反転する事により、２種類の薄膜交互層を効率よく成膜できるスパッター装置。例文帳に追加

This sputtering apparatus has a carousel type substrate holder, and upper and lower magnetic fields parallel to each other, and efficiently deposits two kinds of thin film alternating layers by simultaneously inverting the magnetic fields with respect to upper and lower targets. - 特許庁

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material for a thin film medium which records information by using the phase transformation of a recording layer material. - 特許庁

Ｍｇ素地中に存在する介在物が最大径：５ｍｍ以下(好ましくは１ｍｍ以下)であるパーティクル発生の少ないＭｇＯ薄膜形成用Ｍｇスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The Mg sputtering target for forming the thin film of MgO with little generation of particle has inclusions with a maximum diameter of 5 mm or less (preferably 1 mm or less) in the Mg matrix. - 特許庁

また、本発明の太陽電池の製造方法は、上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、透明電極膜の表面にＺｎ、Ｓｎ及びＯを含有する薄膜を形成する工程を有する。例文帳に追加

In addition, a method of manufacturing the solar cell has a step of forming a thin film containing Zn, Sn and O in a surface of a transparent electrode film by a sputtering method using the sputtering target mentioned above. - 特許庁

本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide an Ni-W-B-based sputtering target material alloy used as an intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium, and to provide a thin film produced using the same. - 特許庁

大型で均質な焼結体を安価に効率良く製造することを可能とし、放電特性や得られる薄膜の特性が良好な大型のスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To produce a large, homogeneous sinter at low cost with high efficiency, and to provide a large sputtering target that is good in discharge properties and properties of a thin film formed therefrom. - 特許庁

Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。例文帳に追加

To adjust specific resistance of a sputtering target comprising In, Ga and Zn to 2.0×10^-2 Ωcm or less so as to enable formation of a Zn_xGa_yIn_zO_(x+3y/2+3z/2) thin film by DC sputtering. - 特許庁