「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

600℃以上の熱処理時の熱影響を受けない耐熱強度に優れ、しかも、高温酸素雰囲気下での酸素との反応がない耐酸化性に優れた特性を有する薄膜をスパッタリング法等により形成するイリジウム合金ターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide an iridium alloy target material for forming a thin film with sputtering or the like, which has such excellent heat resistance as not to be affected by heat treatment under 600°C or higher, and such excellent oxidation resistance as not to react with oxygen under a high-temperature oxygen atmosphere. - 特許庁

このような薄膜形成用スパッタリングターゲット材を用いることにより、従来技術の課題を解決し、Ａｇの保有する優位性を活かして各種電子部品や電子機器、電子光学部品、光学記録媒体の構成要素として諸特性に優れた技術を実現しようとするものである。例文帳に追加

The use of such a sputtering target material for forming the thin film solves the problems in a prior art, and realizes a technology having various superior characteristics as the components of the various electronic components, electronic devices, optoelectronic components and optical recording media, while utilizing the advantages of Ag. - 特許庁

真空プロセスの中でも比較的安定成膜がしやすく、容易に利用できる材料をターゲットとした反応性スパッタリング法を用いて、反射防止膜や各種フィルターの多層膜を構成する材料のひとつとして利用可能な、中間屈折率薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide an intermediate refractive index thin film which can be utilized as one of a material constituting a multilayer in an antireflection film and various kinds of filters by using a reactive sputtering method used for a material that can be comparatively stably film-deposited even in a vacuum process and can be easily utilized. - 特許庁

電子ビーム励起プラズマ装置を利用し、一部の成分についてガスの代わりに固体ターゲットを利用することにより必要な成分の薄膜を表面に堆積させて高性能材料を製造するプラズマスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a plasma sputtering system by which a thin film of required components is deposited on a surface, and a high capacity material is produced by utilizing an electoron beam exciting plasma system and utilizing a solid target in place of gas as for a part of components. - 特許庁

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成されたＦｅ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓ及びＳｉから選択された１種類以上の金属で構成された薄膜からなる不純物拡散防止層、及び、不純物拡散防止層上に形成されたインジウムターゲットを備える。例文帳に追加

The laminated structure includes: a backing plate; an impurity diffusion-preventive layer which comprises a thin film composed of at least one metal selected from Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S and Si, and is formed of the backing plate; and an indium target formed on the impurity diffusion-preventive layer. - 特許庁

このようなスパッタリングターゲットを、酸素を含むガス中でスパッタリングすることによって、主成分としてＳｉとＯとを含有し、かつ主成分以外の第三元素を合計量で10〜2000ppmの範囲で含む光学薄膜を成膜する。例文帳に追加

By subjecting the sputtering target to sputtering in an oxygen-containing gas, an optical thin film comprising Si and O as the main components, and also comprising a third element other than the main components in the range of 10 to 2,000 ppm in the total content is deposited. - 特許庁

発光特性のばらつきが小さい均一な薄膜の成膜により、高品質および高輝度の発光層を備える無機ＥＬ素子を製造可能とし、さらに、加工時やスパッタリング時に、割れが生じにくい、チオアルミネートを成分とするＢａＡｌ_2Ｓ_4系のスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a BaAl_2S_4-based sputtering target containing thioaluminate as a component, which is used for manufacturing an inorganic electroluminescent device provided with a luminescent layer of high quality and high brightness by forming a uniform thin film having a narrow range of variation in luminescent properties, and further causes little cracking when machined or sputtered. - 特許庁

まず、金属酸化物などとシリカの混合物をターゲットとするスパッタリングにより、基板の主面に対して略垂直に配向した柱状の金属含有層を内蔵するシリカ薄膜を形成し、金属含有層を除去し、得られた開口部に固体電解質層を埋め込んで形成する。例文帳に追加

First, a silica thin film incorporating a columnar metal-containing layer oriented almost vertically to the main face of the substrate is formed by sputtering with a mixture of metal oxide or the like and silica as a target, the metal-containing layer is removed, and then, the solid electrolyte layer is buried in the openings thus the electrolyte film is obtained. - 特許庁

ＡｇとＮｉとを含有し、Ｎｉの含有量が０．０７−２０原子％である構成の耐熱性電極耐熱性電極、前記組成の焼結体である耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜ＥＬ素子とした。例文帳に追加

The heat-resistant electrode which has a composition containing Ag and Ni and having 0.07-20 atomic % Ni content, the target composed of a sintered compact with the above composition and used for the heat-resistant electrode, the method for manufacturing the heat-resistant electrode, and the thin film EL element using the same are provided. - 特許庁

ゲート電極膜を形成する工程において放電領域をターゲット上で揺動させながら成膜し、放電領域が一往復するごとに成膜する膜厚を２ｎｍ以下とすることにより、電圧印加時の素子特性の変化が小さく、信頼性の高い薄膜半導体素子を実現する。例文帳に追加

In a process for forming a gate electrode film, the gate electrode film is formed while oscillating a discharge region on a target so that a film being formed every time when the discharge region reciprocates has a thickness of 2 nm or less thus suppressing variation in the characteristics of the device when a voltage is applied and realizing a highly reliable thin film semiconductor device. - 特許庁

金属ターゲットを用いフッ素を含むガスに加えて基板近傍にＨ_2ＯガスまたはＨ_2ガスを導入し、基板表面でＨＦを形成し、スパッタされて基板に入射する金属をフッ化し、良質な金属フッ化物薄膜を形成する。例文帳に追加

A metallic target is used, and gaseous H2O or gaseous H2 is introduced into the vicinity of a substrate in addition to fluorine-contg. gas to form HF on the surface of the substrate, and a metal to be incident on the substrate by sputtering is fluorided to form a metallic fluoride thin film of high quality. - 特許庁

積層薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制、及びスパッタリングによる成膜に際しては、異常放電現象やパーテイクルを極力制限することができるターゲット等に使用できる高純度チタン及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To produce high purity titanium used for a target or the like capable of suppressing contaminated materials caused by the mutual diffusion of materials composing a laminated thin film, and of limiting an abnormal discharging phenomenon and particles as much as possible in the case of film formation by sputtering and to provide a method for producing it. - 特許庁

スパッタリング法により抵抗薄膜を成膜するに際して、２０質量％以上、６０質量％以下のＴａと、８質量％を超え、１５質量％以下のＡｌを含み、残部はＣｒおよびＮｉからなり、Ｎｉに対するＣｒの質量比Ｃｒ／Ｎｉが０．５〜１．２であるスパッタリングターゲットを用いる。例文帳に追加

When forming a resistive thin film by a sputtering method, a sputtering target comprising, by mass, 20-60% Ta, >8% but ≤15% Al and the balance being Cr and Ni and having a mass ratio (Cr/Ni) of Cr to Ni of 0.5-1.2 is used. - 特許庁

電気的、光学的な耐熱性の低さを、高価な貴金属を使用することなく解決し、低コストで電気抵抗が低く、垂直反射率の高い耐熱性電極、耐熱性電極用ターゲット、耐熱性電極の製造方法、およびこれを用いた薄膜ＥＬ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a low-cost heat-resistant electrode in which the problem of electrical and optical low heat resistance can be solved without using expensive noble metal and which has low electrical resistance and high vertical reflectivity, a target for the heat-resistant electrode, a method for manufacturing the heat-resistant electrode, and a thin film EL(electroluminescence) element using the same. - 特許庁

基板ホルダ３００は、磁気記録ディスク用基板１０の表面に下地層、磁性層、保護層などの薄膜を物理気相成長法により成膜する際に、複数枚の磁気記録ディスク用基板１０を保持した状態でターゲット２３１、２３２、２３３および２４４に対向配置される。例文帳に追加

The substrate holder 300 is arranged facing targets 231, 232, 233 and 244 in the state of holding the plurality of substrates 10 for the magnetic recording disk when forming a thin film such as a base layer, a magnetic layer and a protective layer on the surface of the substrate 10 for the magnetic recording disk by a physical gas phase growth method. - 特許庁

複数枚の磁気記録ディスク用基板１０は成膜中、基板ホルダ３００上で自転するため、磁気記録ディスク用基板１０では、ターゲット２３１、２３２および２３３の半径方向において薄膜の膜厚に偏りが発生しない。例文帳に追加

Since the plurality of substrates 10 for the magnetic recording disk autorotate on the substrate holder 300 while forming the film, the deviation of the film thickness of the thin film is not generated in the radial direction of the targets 231, 232 and 233 on the substrates 10 for the magnetic recording disk. - 特許庁

ガラス基板１６０Ａ，１６０Ｂ上に薄膜を形成する成膜装置において、ガラス基板１６０Ａ，１６０Ｂと対向するように配置されたターゲット５０に対してガラス基板１６０Ａ，１６０Ｂを所定角度傾ける外側保持枠１９５Ａ，１９５Ｂを採用した。例文帳に追加

The film-forming apparatus for forming the thin films on glass substrates 160A and 160B has targets 50 arranged so as to face the glass substrates 160A and 160B, and external holding frames 195A and 195B for tilting the glass substrates 160A and 160B against the targets 50 by a predetermined angle. - 特許庁

ＤＲＡＭやＦＲＡＭに搭載される薄膜キャパシタの電極形成などに用いられるＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｒｕ膜やＲｕ合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地に対する付着力を向上させる。例文帳に追加

To improve a uniformity of a film thickness distribution and film quality of an Ru film or an Ru alloy film and an adhering force to a base material, at a sputtering target made from Ru or a Ru alloy used for formation of an electrode of a thin-film capacitor mounted on a DRAM or a FRAM. - 特許庁

薄い膜厚（２００ｎｍ以下）で抵抗率が低いＺｎＯ系薄膜を、安定したＤＣスパッタで得られるＺｎＯ系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いＺｎＯ系透明導電膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a ZnO-based target with which a ZnO-based thin film having a thin film thickness (200 nm or less) and a low resistivity is obtained through a stable DC sputtering, and to provide a ZnO-based transparent conductive film having a low resistance, which is formed by using the same. - 特許庁

この活性種を用いて、ターゲット材料８表面の酸化膜の還元や真空チャンバ壁及び部材についた堆積膜の除去を行うことで、スパッタ成膜中の酸素量を低減させ、高品質なシリコン薄膜を形成する。例文帳に追加

By performing reduction of an oxide film of a surface of the target material 8 and removing deposition film attached to a wall and a member of the vacuum chamber with the active species, oxygen amount during sputter film depositing is reduced and the high quality silicon thin film is formed. - 特許庁

銀合金、スパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラス例文帳に追加

SILVER ALLOY, SPUTTERING TARGET, REFLECTOR FOR REFLECTION LCD, REFLECTION WIRING ELECTRODE, THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL RECORDING MEDIUM, ELECTRO MAGNETIC WAVE SHIELD, METAL MATERIAL FOR ELECTRONIC PART, WIRING MATERIAL, ELECTRONIC PART, ELECTRONIC APPLIANCE, PROCESSING METHOD OF METAL FILM, ELECTRON OPTICAL PART, LAMINATE, AND GLASS OF BUILDING MATERIAL - 特許庁

Ｐｔ ４０〜６０ａｔ％、Ｆｅ ４０〜６０ａｔ％およびＰ ０．０５〜１．０ａｔ％ならびにさらに場合によりＣｕおよび／またはＮｉ ０．４〜１９．５ａｔ％より構成される磁性薄膜およびスパッタリングターゲットまたは蒸着材料。例文帳に追加

The magnetic thin film and a sputtering target or a deposition material is constituted by Pt of 40 to 60 at%, Fe of 40 to 60 at%, and P of 0.05 to 1.0 at%, and further in some cases Cu and/or Ni of 0.4 to 19.5 at%. - 特許庁

第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。例文帳に追加

In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn. - 特許庁

高反射率の維持、耐候性の改善、合金作製にあたっての製造容易さ、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性、簡易性を図った合金材及び薄膜、光学記録媒体を提供する。例文帳に追加

To provide an alloy material which maintains high reflectance, has enhanced weather resistance, is easily produced as the alloy and has stability and simplicity in a sputtering stage when used as a sputtering target and to provide a thin film and an optical recording medium. - 特許庁

本発明は、反応性ガス中でターゲットをスパッタしてその材料を放出させて基板上に薄膜を形成する反応性スパッタリングに関し、生産効率の良い制御が可能な反応性スパッタリングの制御方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide a control method for reactive sputtering which deposits a thin film on a substrate by sputtering targets in a reactive gas to emit the material, and can be controlled with excellent production efficiency. - 特許庁

二酸化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようとするスパッタリングターゲット。例文帳に追加

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of titanium dioxide and having a high index of reflection is formed by DC (Direct Current) sputtering process, which solves the conventional defect that a film deposition rate is extremely slow and productivity is extremely inferior. - 特許庁

ＤＣスパッタリング法を用いて、透明基板上に少なくともシリコンを含有する薄膜を成膜する工程を有するリソグラフィーマスクブランクの製造方法において、前記工程において、比抵抗が０．１Ω・ｃｍ以下のシリコンターゲットを用いたことを特徴とする。例文帳に追加

In the method for producing a lithography mask blank including a step of depositing a thin film comprising at least silicon on a transparent substrate by DC sputtering, a silicon target having ≤0.1 Ω.cm specific resistance is used in the step. - 特許庁

スズの分散性を向上させることにより空孔を減少させ、ＩＴＯ薄膜形成に好適なノジュール発生が少ないＩＴＯ焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによって膜の品質の低下や生産性の低下を抑制する。例文帳に追加

To reduce the number of pores by improving dispersibility of tin and to efficiently manufacture a target of ITO sintered compact reduced in the occurrence of nodules and suitably used for deposition of ITO thin film and, hereby, to suppress deterioration in film quality and reduction in the productivity of film. - 特許庁

製造コストの増大を招くことなく、磁性薄膜の保磁力及びＳ／Ｎ比を高くすることができ、これによって記録密度を飛躍的に向上させることが可能な下地膜用が得られる下地膜用ターゲット及び磁気記録媒体を提供すること。例文帳に追加

To make it possible to obtain a ground surface film which allows the enhancement of the coercive force and S/N ratio of a magnetic thin film and the improvement of a recording density without entailing an increase of a production cost. - 特許庁

ターゲット１とそれに対向する位置に配設されるＧＭＲ膜被形成基板との位置関係を、成膜する材料の種類により最適な位置に配設して成膜することで、各薄膜層に要求される特性を実現する。例文帳に追加

Film deposition is performed by regulating the positional relationship between a target 1 and a substrate as an object of GMR film deposition provided to the position facing the target 1 in such a way as to locate them in the optimum positions according to the kind of film deposition materials to attain the characteristics required of respective thin film layers. - 特許庁

スパッタリングの際のガス放出やパーティクルの発生が少なく、耐食性に優れ、磁気特性も良好な反磁性膜を形成するための磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an Mn-Ir alloy sputtering target for forming a magnetic thin film, which emits little gas and generates little particles in sputtering, and is used for forming a diamagnetic film superior in corrosion resistance and magnetic property. - 特許庁

ターゲットとしてアルミニウムを１％添加した酸化亜鉛焼結体を用いて、高濃度のアルミニウム成分が亜鉛面の表面となる酸化亜鉛の核形成を促すことによって、表面が平坦な亜鉛表面を有する酸化亜鉛薄膜が得られる。例文帳に追加

The zinc oxide thin film with a flat zinc surface is provided by promoting the nuclear formation of the zinc oxide to cause a high concentration aluminum composition to be the surface of the zinc by using the zinc oxide sintered compact to which 1% of the aluminum is added as a target. - 特許庁

Ｔａを３０〜６０質量％含み、かつ、残部はＣｒおよびＮｉを含み、ＣｒのＮｉに対する質量比が０．５〜１．１である金属抵抗体材料をスパッタリングターゲットとして用いてスパッタリングを実施し、絶縁材料基板上に抵抗薄膜を形成する。例文帳に追加

A resistance thin film is formed on an insulating material substrate by conducting the sputtering using, as a sputtering target, a metal resistance material where Ta is included in 30 to 60 mass%, the remaining part includes Cr and Ni, and mass ratio to Ni of Cr is 0.5 to 1.1. - 特許庁

低コストで不純物、特にＣ、Ｃｌ、Ｓ及びＰｂ不純物を効率的に除去した高純度酸化亜鉛及びその製造方法及びこれを焼成して得たターゲット並びにスパッタリングによって得られる高純度酸化亜鉛薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide high purity zinc oxide powder and a production method thereof in which impurities, particularly C, Cl, S and Pb impurities, are removed efficiently at a low cost and to provide a target obtained by firing the high purity zinc oxide and a high purity zinc oxide thin film obtained by sputtering the target. - 特許庁

基板サイズの大型化に伴うターゲットサイズの大型化により問題となる膜厚と比抵抗の基板内分布で該特性の良好な薄膜を形成することを可能とするスパッタリング装置のマルチカソード構造を提供する。例文帳に追加

To provide a multicathode structure of a sputtering system capable of forming a thin film in which the distributions of film thickness and specific resistance in a substrate causing a problem by the enlargement of a target size accompanying the enlargement of a substrate size are satisfactory. - 特許庁

真空の炉体２内でターゲット８（蒸着原料）をプラズマ化させ、試料４の表面に膜を形成する薄膜の成膜装置１で、試料４の表面に窒素ガス（不活性ガス）を供給するガス供給装置６を備える。例文帳に追加

Regarding the thin film deposition system 1 where a target 8 (vapor deposition raw material) is made into plasma in a vacuum furnace body 2, and a film is deposited on the surface of each sample 4, a gas feeding apparatus 6 for feeding nitrogen (inert gas) to the surface of each sample 4 is provided. - 特許庁

レーザ１１でターゲット１４を照射して生成されたプラズマ微粒子は、開口と開口を接続する流路を有する回転円筒によってフィルタリングされ、所定の大きさの微粒子だけが選択的に基板１６に付着し、薄膜を形成する。例文帳に追加

This laser ablation device filtrates fine plasma particles generated by irradiating a target 14 with a laser 11 by using a rotating cylinder having a duct which connects an opening to an opening, and makes particles having only predetermined sizes selectively adhere to the substrate 16 and form a thin film. - 特許庁

透明基板上に少なくともパターンを形成するための薄膜を有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記薄膜を、前記基板を回転させながら、前記基板の中心軸からその中心軸がずれた位置に対向するターゲットをスパッタリングすることによって成膜することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing a photomask blank having a thin film for forming at least a pattern on a transparent substrate is characterized in that the thin film is formed by sputtering a target facing the position to which the center axis of the substrate shifts while the substrate is rotated. - 特許庁

熱電材料中に分散材ナノ粒子が分散した原料をターゲットとして用いて、該分散材ナノ粒子の粒子サイズより大きいビーム径を有するビーム照射によってスパッタリングして基板上に熱電材料の母相中に分散材のナノ粒子が分散されたナノコンポジット熱電材料薄膜を形成することを特徴とする熱電材料薄膜の製造方法。例文帳に追加

The forming method of the thermoelectric material thin film formes the nanocomposite thermoelectric material thin film in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the mother phase of the thermoelectric material on a substrate by using a material in which the dispersant nanoparticles are dispersed in the thermoelectric material as a target and by sputtering by beam irradiation which has a larger beam diameter than particle sizes of the dispersant nanoparticles. - 特許庁

マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank. - 特許庁

薄膜１１は、薄膜が１．０×１０^8〜１．０×１０^12Ω／□の表面抵抗を呈するように、不活性ガスと窒素の混合物から成るガスの雰囲気の不活性ガスと窒素の混合比を調整しつつ、該ガスの雰囲気中で金属酸化物ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより基板１０の表面に形成される。例文帳に追加

The thin film 11 is formed on the surface of the substrate 10, while the mixing ratio between inert gas and nitrogen in an atmosphere of gas composed of a mixture of inert gas and nitrogen is controlled in such a manner that the thin film shows the surface resistance of 1.0×108 to 1.0×1012 Ω/square, by executing sputtering using a metallic oxide target in the atmosphere of the gas. - 特許庁

第二の金属薄膜３２を成膜する際には、スパッタリング雰囲気中に酸素ガス又は窒素ガスを導入し、導入量を増大しながら金属ターゲット６１をスパッタリングするので、第二の金属薄膜３２は表面側程酸素又は窒素の含有量が多くなり、下部電極層３０の表面の耐摩耗性が高くなる。例文帳に追加

When the second metal thin film 32 is formed, oxygen gas or nitrogen gas is introduced into a sputtering atmosphere, and a metal target 61 is sputtered while increasing the introduction amount, whereby the content of oxygen or nitrogen of the second metal thin film 32 is increased toward the front surface, and wear resistance of the surface of the lower electrode layer 30 is improved. - 特許庁

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。例文帳に追加

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film. - 特許庁

前記薄膜は、ＣａＴｉＯ_３にＢｉ元素を添加したターゲットを用いて、２００ｍＴｏｒｒ以上１０００ｍＴｏｒｒ以下の酸素圧雰囲気、６００℃以上１０００℃以下の温度で、パルスレーザー堆積法により薄膜を形成し、大気中で９００℃以上１１００℃以下の温度で熱処理することが好ましい。例文帳に追加

The thin film is preferably obtained by using a target comprising CaTiO_3 containing the Bi element to form a thin film by a pulsed laser deposition method at a temperature of 600-1,000°C in an atmosphere having an oxygen pressure of 200-1,000 mTorr and by heat-treating the thin film in the atmosphere at a temperature of 900-1,100°C. - 特許庁

漏れ磁束密度を大きくすることができ、スパッタ面内の異方性も透磁率で見られる以上に大きくすることができ、したがって、薄膜の有する機能の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target which can increase leakage flux density, can make an anisotropy in the sputtered surface larger than that considered from magnetic permeability, therefore, can greatly improve a uniformity for a function of a thin film within the surface, and hence can form the thin film of high quality, and to provide an arranging method therefor. - 特許庁