「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

チャンバー１内のターゲット２にパルスレーザ光４を照射することでターゲット材料を瞬間的に蒸発させ、相対する基板３上に蒸発材料の薄膜を成長させる際に、ターゲット２にレーザ光４を照射した時に発生するプルーム５の大きさおよび形状を、光強度のデジタル情報としてマトリックス状に取得する。例文帳に追加

When a target material is instantaneously evaporated by irradiating a target 2 in a chamber 1 with pulse laser beams 4, and a thin film of an evaporation material is deposited on a substrate 3 facing the target, the size and the shape of the plume 5 generated when irradiating the target 2 with the laser beams 4 are acquired in a matrix form as digital information of the light intensity. - 特許庁

陰極ターゲット２に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ１０を生成し、蒸着用プラズマ１０中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板４に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源３で生成されたイオンビーム９を陰極ターゲット２に照射して蒸着用プラズマ１０を生成する。例文帳に追加

In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3. - 特許庁

ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。例文帳に追加

To provide a discharge electrode and a discharge method, wherein a uniform parallel magnetic field distribution is formed on a target regardless of whether the target is a magnetic body or a nonmagnetic body, uniform erosion can be obtained, and effects for widening the target, enhancing a sputtering thin film forming speed, or enhancing a CVD film forming speed can be obtained. - 特許庁

半導体、磁気ディスク、液晶等の平面表示装置（フラットパネルディスプレイ）等の製品の製造に用いられている薄膜形成用のターゲットの大型化に対応するために適用されている多分割ターゲットで問題となっている、スパッタリング時に発生するパーティクルを抑制するための低コストなターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive target capable of reducing particles produced during the sputtering that is a problem in a multi-fraction target applied to cope with the jumboizing of the target for thin film deposition used in manufacturing products of flat panel displays such as semi-conductor, magnetic disk and liquid crystal at low cost. - 特許庁

磁性薄膜のマグネトロン陰極スパッタリングに使用するための非平面スパッタターゲットで、高価な強磁性材料を浪費せず且つターゲット交換頻度を低下し、異質粒子を被着しないターゲットを、この強磁性材料の少なくとも一部の透磁率をこの材料の固有透磁率より低くすることによって提供すること。例文帳に追加

To provide a non-planar sputtering target for magnetron cathode sputtering of magnetic thin film, capable of eliminating waste of expensive ferromagnetic material, reducing the frequency of replacement of target, and causing no deposition of foreign particles, by reducing the magnetic permeability of at least part of the ferromagnetic material to a value lower than the intrinsic magnetic permeability of the material. - 特許庁

Ｃｏ−Ｔａ系合金磁性材ターゲットを溶解法によって作製し、ターゲットの製造工程及を短縮化するとともに、ユニフォ−ミティ−を良好にし、さらに高い保磁力を有する磁性スパッタリング薄膜を得ることができるＣｏ系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を得る。例文帳に追加

To produce a Co alloy sputtering target and a method for producing it in which a Co-Ta alloy magnetic material target is produced by a melting method, the producing process of the target is reduced, its uniformity is made satisfactory as well, and a magnetic sputtering thin film having higher coercive force can be obtained. - 特許庁

雰囲気ガスとして窒素および酸素が導入された真空容器内において、ＡｌＮターゲットおよびグラファイト等の炭素ターゲットのそれぞれに対しレーザービームを照射し、アブレーションすることにより、加熱された基板上に炭素および酸素含有の低抵抗性ＡｌＮ薄膜を形成する。例文帳に追加

In a vacuum container where nitrogen and oxygen are introduced as atmospheric gas, a laser beam is applied to an AlN target and a carbon target such as graphite for aberration, thus forming the low-resistance AlN thin film containing carbon and oxygen on a heated substrate. - 特許庁

複数のスパッタリング電極のそれぞれと基板との間をそれぞれのシャッターにより閉じた状態で、電極の全てを同時に放電させ、ターゲットのうち使用するターゲットと基板との間のシャッターのみを選択的に開くことにより、基板上に薄膜が形成される。例文帳に追加

This method and apparatus comprise discharging all electrodes simultaneously in a state in which each shutter closes a circuit between each of several sputtering electrodes and a substrate, and selectively opening only a shutter between a used target out of targets and the substrate, to form a thin film on the substrate. - 特許庁

最上部から底部まで組成勾配を有する単一のチタン−タンタル薄膜は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、均一な組成のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積及び複数のスパッタリングターゲットを用いたスパッタ堆積を含む各種の技術を用いて形成してよい。例文帳に追加

The single titanium-tantalum thin film, having a compositional gradient from the top to the bottom, can be formed by various techniques including PVD, CVD, sputter deposition using a sputtering target having a uniform composition, and sputter deposition using a plurality of sputtering targets. - 特許庁

酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用する直流スパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法である。例文帳に追加

There is provided a method of producing a direct-current sputtering target material for use in formation of a boron-doped titanium oxide-based transparent thin film by blending titanium oxide powders and boron elemental powders or titanium boride powders to sinter. - 特許庁

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target. - 特許庁

また、第一の処理室１１の内部に、スパッタガスを導入して、スパッタガスのプラズマが第一〜第三のターゲットのうち、いずれか一つのターゲットをスパッタすることにより基板７０の表面に薄膜を形成することができる。例文帳に追加

Moreover, sputtering gas is introduced into the interior of the first treatment chamber 11, and either one out of first to third targets is sputtered by plasma of the sputtering gas, thereby capable of forming a thin film on the surface of the substrate 70. - 特許庁

金属基板を、互いに平行に配置された２つのターゲットの間に、ターゲットと９０度回転した位置に配置して、オフアクシススパッタ法を用いて、金属基板の両面に中間層を成膜する薄膜超電導線材用金属基材の製造方法。例文帳に追加

In the step, the metal substrate is set in a position between two targets placed in parallel with each other so that the metal substrate is rotated by 90 degrees with respect to faces of the targets, and the intermediate layer is formed on both the faces of the metal substrate by off-axis sputtering. - 特許庁

投入される電力を有効にターゲットのスパッタに費やすことが可能で、且つターゲットの利用効率を高く保ち、基板上に形成される薄膜の厚さ分布を所定の範囲内に収めることが可能なマグネトロンスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering device capable of effectively consuming the electric power to be supplied to the sputtering of a target, also highly retaining the utilizing efficiency of the target and capable of controlling the thickness distribution of the thin film to be formed on a substrate to a prescribed range. - 特許庁

薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a barium tantalate based target material capable of stably sputter-film depositing a dielectric layer film of high quality by increasing the density of a sputtering target material for forming a dielectric layer of a thin film EL (electro luminescence) element, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

Ｃｕ系高温超伝導薄膜を構成する電荷供給層と超伝導層を、電荷供給層の組成を有する電荷供給層用ターゲットと超伝導層の組成を有する超伝導層用ターゲットとを、それぞれ交互に膜厚を制御してスパッタする。例文帳に追加

Charge supplying layers and superconducting layers constituting the Cu-based high temperature superconducting thin film are formed by alternately sputtering a target for the charge supplying layers having a composition of the charge supplying layers and a target for superconducting layers having a composition of the superconducting layers while controlling the thickness of each film. - 特許庁

フラットパネルディスプレイの透明電極等に用いられるＩＴＯ薄膜のスパッタリングにおいて、膜中欠陥の発生原因となるターゲット表面のノジュールが発生しない高密度ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for preparing a high-density ITO sputtering target particularly relating to sputtering of ITO thin film used for transparent electrodes of flat panel display, in which nodules on the surface of the target, giving a cause to faults in a film, are not formed. - 特許庁

電子ビームの結像位置の変更により、電子ビームはターゲット３６の新しいタングステン薄膜の位置に衝突することになり、Ｘ線はターゲット３６の新しい位置で初期性能と等しいＸ線量を発生する。例文帳に追加

The electron beam is collided with the position of a new tungsten thin film of the target 36 by the change of the focusing position of the electron beam, and the X-ray of the amount equal to an initial performance is generated at the new position of the target 36. - 特許庁

ターゲット１から叩き出されるＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ等の金属原子の平均自由工程がターゲット−基板間距離より長くなるように、成膜チャンバー１０内のスパッタリングガス圧を制御することで、後焼成により極めて高配向に結晶化しやすい酸化物薄膜を成膜する。例文帳に追加

Then, the crystals in the formed oxide thin film are easily oriented to the same direction when baked later. - 特許庁

ターゲット材１表面から成膜材料を飛散させ、その飛散した成膜材料を基材２表面上に堆積させる単結晶性薄膜の製造方法において、まず、基材２をターゲット材１の表面に対してほぼ平行となるように対向して配置する。例文帳に追加

In a method for depositing a single crystalline thin film, which is comprised of scattering a film depositing material from the surface of a target material 1 and depositing the scattered material on the surface of a substrate 2, the substrate 2 is arranged in nearly parallel and opposingly to the surface of the target material 1. - 特許庁

ＥＣＲスパッタ装置におけるターゲットにＳｉターゲット材２３を用い、流量が３０ｃｃ／ｍｉｎのアルゴンガス及び流量が４．５ｃｃ／ｍｉｎで堆積時よりも少量の酸素ガスを薄膜堆積室２２に導入しながらＥＣＲプラズマを生成する。例文帳に追加

With an Si target material 23 used as a target for an ECR sputter device, argon gas of flow rate 30 cc/min and an oxygen gas of flow rate 4.5 cc/min which is less than at deposition are introduced in a thin-film deposition chamber 22 for generating an ECR plasma. - 特許庁

酸化チタン薄膜３１は、酸素ガスが添加されたスパッタリングガスにより、酸化チタンターゲットをスパッタリングすると、形成される酸化チタン薄膜中の欠損酸素を補充できるので、光触媒機能を有する酸化チタン薄膜３１を形成することができる。例文帳に追加

When titanium oxide targets are sputtered by a sputtering gas added with an oxygen gas, the titanium oxide thin film 31 can replenish deficit oxygen atoms, and thereby the titanium oxide thin film 31 having a photocatalyst function can be formed. - 特許庁

フッ化物をターゲットとする場合の問題を解決して煩雑な作業を伴うことなくフッ化物薄膜をスパッタリングにより製造することを可能とし、よりフッ素の欠乏が少なく目的とする組成に近いフッ化物薄膜を成膜し得るフッ化物薄膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fluoride thin film manufacturing method capable of manufacturing a fluoride thin film by sputtering without complicated works by solving a problem when forming a target of fluoride, and depositing the fluoride thin film of the desired composition with less lack of fluorine. - 特許庁

金属Ａｌ領域と金属Ｍｇ領域に分割されたターゲットを用いて、パルスレーザーデポジション法により、樹脂基材表面にＡｌ及びＭｇを含む高抵抗金属薄膜を形成する薄膜形成工程を備えた高抵抗金属薄膜被覆樹脂材料の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the resin material coated with high resistivity metallic thin film includes a thin film formation process for forming the high resistivity metallic thin film containing Al and Mg on the surface of the resin base materia by a pulse laser deposition method using a target divided into a metal Al region and a metal Mg region. - 特許庁

蛍光体用薄膜や通信素子用薄膜のＧａＮ薄膜のスパッタ法による形成において、スパッタリングターゲットを、白色ＧａＮ原料粉末の焼結により得られ、酸素濃度が１．５％以下であり、Ｚｎ含有量が０．１％以下である白色ＧａＮ焼結体により構成する。例文帳に追加

In forming the GaN thin film for thin films of the fluorophor and communication element by the sputtering method, the sputtering target is composed of a white GaN sintered body which is obtained by sintering a white GaN raw material powder, and has oxygen concentration of 1.5% or less and Zn content of 0.1% or less. - 特許庁

ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜並びに高純度ハフニウムの製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム、同ハフニウムからなるターゲット及び薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a high-purity hafnium which is obtained by an efficient, stable production method and in which the zirconium content contained in hafnium is reduced, and also to provide a target and a thin film comprising the hafnium, and a production method of the high-purity hafnium. - 特許庁

光情報記録媒体の特性の向上及び薄膜の品質を大幅に改善しかつ安定化するため、スパッタリングターゲットの強度が高く、スパッタ膜の非晶質性が安定であり、青色波長領域で透過率が高く、また屈折率も高い膜を形成できるスパッタリングターゲット及び光情報記録媒体用薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target having high strength and capable of forming a sputtered film having a stable amorphous property, high transmittance in a blue wavelength region and high refractive index in order to enhance characteristics of an optical information recording medium and to improve and stabilize quality of a thin film and to provide the thin film for the optical information recording medium. - 特許庁

基板上に形成された金属薄膜と、該金属薄膜上にターゲット分子を固定化するために設けられた、金属及び第二の固定化剤と結合する部位を有する化合物からなる第一固定化剤と、ターゲットと結合可能な官能基と親水性側鎖を有する第二固定化剤の層を表面プラズモン共鳴センサー用測定チップに形成させた。例文帳に追加

The metal membrane formed on a substrate, the layer of a first fixing agent provided in order to fix a target molecule on the metal membrane, which is constituted of a compound having the region bonded to a metal and a second fixing agent, and that of a second fixing agent which has a functional group bondable to a target and that of a hydrophilic side chain are formed to the measurement chip for the surface plasmon resonance sensor. - 特許庁

基板上に形成された金属薄膜と、該金属薄膜上にターゲット分子を固定化するために設けられた、金属及び第二の固定剤と結合する部位を有する化合物からなる第一固定剤と、ターゲットと結合可能な官能基と非特異吸着阻止のためのアルキレングリコール鎖を持つ第二固定剤の層を表面プラズモン共鳴センサー用測定チップに形成させた。例文帳に追加

The metal membrane formed on a substrate, the layer of a first fixing agent provided in order to fix a target molecule on the metal membrane which is constituted of a compound having the region bonded to a metal and a second fixing agent, and that of a second fixing agent which has a functional group bondable to a target and an alkylene glycol chain for obstructing non-specific adsorption, are formed to the measuring chip for the surface plasmon resonance sensor. - 特許庁

２種類以上の結晶相を含む磁性薄膜作製用ターゲットであって、前記結晶相のうちの少なくとも１種類の結晶相がＦｅＮｉ系合金からなり、前記ＦｅＮｉ系合金が、Ｆｅの含有量が６０ａｔ％以上８０ａｔ％以下、Ｎｉの含有量が２０ａｔ％以上４０ａｔ％以下のものである磁性薄膜作成用ターゲットとする。例文帳に追加

In the target for forming a magnetic thin film including two kinds or more of crystal phase, at least one kind of crystal phase is composed of an FeNi based alloy, and the FeNi based alloy contains 60-80 atom% of Fe and 20-40 atom% of Ni. - 特許庁

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same. - 特許庁

よって、薄膜トランジスタの製造方法では、基板を準備し、所定の不純物を含むシリコンターゲットを形成し、そのターゲットから物理的気相成長法によってアモルファスシリコン層を堆積し、そのアモルファスシリコン層を結晶化することによって、閾値電圧を制御した薄膜トランジスタを得ることができる。例文帳に追加

In a method of manufacturing thin film transistor, the thin film transistor having a controlled threshold voltage can be obtained by preparing a substrate and forming the silicon target containing the impurity, and then, causing an amorphous silicon layer to deposit from the target by the physical vapor growth method and crystallizing the amorphous silicon layer. - 特許庁

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sintered compact used for a target on which a PZT thin film is deposited by suppressing the local variation of Pb concentration to eliminate the variation of the characteristics of the thin film itself and which is prevented from the breaking even under high voltage and is suitable for high speed film deposition, and a manufacturing method of the sintered compact and the sputtering target using the sintered compact. - 特許庁

本発明の酸化物超電導薄膜の製造方法は、ターゲット１にレーザー光３を照射することによりターゲット１から飛散した物質４を基板１０上に蒸着させるレーザー蒸着法により、サファイア単結晶基板１１を含む基板１０上に酸化物超電導薄膜１３をクラックなしに０．７μｍを超える膜厚で形成することを特徴とする。例文帳に追加

In the process for producing the oxide superconductive thin film, an oxide superconductive thin film 13 is deposited on a substrate 10 including a sapphire single crystal substrate 11 so as to have the film thickness exceeding 0.7 μm without any crack, by a laser beam vapor deposition method in which the substance 4 scattered from a target 1 by irradiating the target 1 with laser beams 3 is vapor-deposited on the substrate. - 特許庁

第一薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び０．５〜１０．０ｗｔ％のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜され、第二薄膜が、Ａｇに０．１〜４．０ｗｔ％のＡｕ及び２．０ｗｔ％以下のＳｎを添加してなるＡｇ合金ターゲットを用いてスパッタ成膜される。例文帳に追加

The first thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and 0.5 to 10.0wt% Sn to Ag and the second thin film is sputter deposited by using an Ag alloy target prepared by adding 0.1 to 4.0wt% Au and ≤2.0wt% Sn to the Ag. - 特許庁

導電薄膜１０３は、ルテニウムよりなるターゲットを、アルゴンガス（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）ガス、窒素ガスからなるＥＣＲプラズマを用いてスパッタリングして形成すればよい。例文帳に追加

The electroconductive thin film 103 may be formed by sputtering a target made from ruthenium with the use of ECR plasma including argon (Ar) gas, xenon (Xe) gas and nitrogen gas. - 特許庁

また、窒化アルミニウム金属板６４３及びガドリニウム金属板６４２をターゲット材料とし、アルゴンガス６８の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。例文帳に追加

An aluminum nitride thin film, to which gadolinium is added, is manufactured by performing sputtering in the atmosphere of argon gas 68 with an aluminum nitride metal plate 643 and the gadolinium metal plate 642 target materials. - 特許庁

アルミニウム金属板６４１とガドリニウム金属板６４２とをターゲット材料とし、アルゴン、窒素混合ガス６７の雰囲気中でスパッタリングを行うことでガドリニウム添加の窒化アルミニウム薄膜を製造する。例文帳に追加

An aluminum nitride thin film to which gadolinium is added is manufactured, by performing sputtering in the atmosphere of gas 67 where argon and nitrogen are mixed with an aluminum metal plate 641 and a gadolinium metal plate 642 as target material. - 特許庁

ガラス化物質中に、少なくとも目的とするフッ化物を構成する元素が含まれたターゲットを用いて、フッ素ガス又はフッ素を含むガスを反応ガスとして、スパッタリングによりフッ化物薄膜を成膜する。例文帳に追加

A fluoride thin film is deposited by sputtering with fluorine gas or gas containing fluorine as reaction gas by using a target containing elements to constitute at least desired fluoride in vitrified substance. - 特許庁

本発明の酸化インジウム系透明導電性薄膜作製用燒結体ターゲットは、共存するゲルマニウム元素がビックスバイト型結晶構造の酸化インジウムのインジウムサイトに固溶していることを特徴としてもつ。例文帳に追加

In the sintered compact target for producing an indium oxide based transparent electrically conductive film, a coexistent germanium element is allowed to enter into solid solution in the indium site of indium oxide with a bixbyte type crystal structure. - 特許庁

酸化物を含むアップコンバージョン材料をターゲットとして、反応ガスとして酸化物に対するエッチングガスを用いてスパッタリングを行うことにより、基材上にアップコンバージョン薄膜を成膜する。例文帳に追加

The method for forming the upconversion thin film on a substrate includes sputtering the upconversion material containing oxides as a target with the use of the gas capable of etching the oxide as a reactant gas. - 特許庁

本発明のレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜は、Ｔｉを１０〜１３原子％含有し、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットで得ることができる。例文帳に追加

The Ni alloy thin film for laser processing is obtainable from a sputtering target that contains 10-13 atom% of Ti and the balance consisting of Ni and inevitable impurities. - 特許庁

Ｎｉの持つ耐湿性、耐候性に優れた特性を維持しながら、レーザー光吸収特性を改善したレーザー加工用Ｎｉ合金薄膜、およびこれに用いるＮｉ合金スパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a Ni alloy thin film for laser processing having improved laser beam absorption property while maintaining the characteristics superior in moisture resistance and weatherability deriving from Ni and a Ni alloy sputtering target material using the same. - 特許庁

イオンビームをターゲットに照射して発生させたアブレーションプラズマを、基板を加熱することなく、基板上に堆積させて、結晶質の硬質薄膜を形成する。例文帳に追加

Aberration plasma generated by irradiating ion beam on a target is accumulated on the substrate without heating the substrate to form the hard crystalline thin film. - 特許庁

回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体、それを用いたスパッタリングカソード組立体及びスパッタリング装置並びに薄膜作成方法例文帳に追加

TARGET ASSEMBLY FOR ROTARY CYLINDER TYPE MAGNETRON SPUTTERING CATHODE, SPUTTERING CATHODE ASSEMBLY, AND SPUTTERING SYSTEM AND THIN FILM PRODUCING PROCESS USING THE SAME - 特許庁