「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target which adopts a material containing an SiO_2 based oxide, hardly causes deterioration in an adjacent reflection layer and a recording layer, has satisfactory adhesion and achieves high speed film-deposition, and to provide a method for producing the same and to provide a thin film (especially used as a protective film) for an optical information recording medium and a method for producing the same. - 特許庁

予め実験によって、薄膜の堆積速度とイオンビーム電流値との相関関係等をデータテーブル化しておき、そのデータと前記ターゲット種類、膜厚とから積算イオンビーム電流値を算出し、その算出結果を設定して、イオンビーム電流値をモニタして、積算イオンビーム電流値から減算しながらイオンビームの照射を行う。例文帳に追加

In advance, the correlation between the deposition rate of the thin film and ion beam current value or the like are data-tabled by an experiment, an integrated ion beam current value is calculated from the data, the type of the target and the film thickness, the calculated result is set, the ion beam current value is monitored, and, while performing subtracting from the integrated ion beam current value, the emission of an ion beam is performed. - 特許庁

誘電率の低下を抑制し、リーク電流や誘電損失の増加を抑制することによって、キャパシタ絶縁膜の誘電特性を向上させ、半導体メモリ素子又は薄膜コンデンサの高速化、微細化に寄与するＢＳＴ膜、このＢＳＴ膜を用いたキャパシタ絶縁膜、及びこのＢＳＴ膜を作製する際に用いるスパッタリングターゲットの提供。例文帳に追加

To provide a BST film, a capacitor insulating film using the BST film, and a sputtering target used for manufacturing the BST film, which make it possible to improve dielectric characteristics of the capacitor insulating film, and to contribute to improving speed and fineness of a semiconductor memory element or a thin-film capacitor by inhibiting deterioration of permittivity, and inhibiting increase of leakage of current and dielectric loss. - 特許庁

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。例文帳に追加

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less). - 特許庁

光源１０から出力されたレーザ光９１は、レーザ光入射窓３１を通過して容器３０の内部へ入力され、第１反射鏡３３および第２反射鏡３５により反射され、ＸＹステージ３７上の結晶９０の表面に形成された金属薄膜ターゲット８０に集光照射される。例文帳に追加

The laser beam 91 outputted from a light source 10 passes a laser beam incident window 31 to be inputted inside a container 30, is reflected by a first reflecting mirror 33 and a second reflecting mirror 35, and is condensed and irradiated on a metal thin film target 80 formed on a crystal 90 on a XY stage 37. - 特許庁

Ｃａ：０．００１〜０．５原子％を含有し、さらにＡｇ：０．００２〜１．０原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生が少なくかつ表面状態の良好なＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The flat panel display wiring and electrode using the TFT transistor that scarcely generates thermal defects and is excellent in the surface state including the copper alloy thin film having a composition containing calcium of 0.001 to 0.5 atom% and silver of 0.002 to 1.0 atom% and the remaining portion including copper and unavoidable impurities and the sputtering target for forming them are provided. - 特許庁

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなるＩＴＯ焼結体とバッキングプレートとを半田により接合してなるＩＴＯターゲットを用いてスパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造する方法において、半田層の側面部が、スパッタリング時にプラズマが存在する領域と隔てられている。例文帳に追加

In a method for producing an ITO thin film by a sputtering method using an ITO target obtained by joining an ITO sintered body substantially consisting of indium, tin and oxygen and a backing plate by solder, the side part of the solder layer is separated from a region in which plasma is present at the time of sputtering. - 特許庁

スパッタ室内に配置されたカソードに対向した位置を移動する基板に対し、カソード表面に設置されたターゲット材をスパッタすることにより連続的に薄膜を形成する装置において、同電位のカソード背面に２つのマグネトロン磁気回路を配置し、それぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを２つ発生させるように構成される。例文帳に追加

In the system where the thin film is continuously deposited onto a substrate moving in the position facing a cathode arranged in a sputtering chamber by sputtering a target material located on the surface of the cathode, two magnetron magnetic circuits are arranged on the back side of the cathode of equipotential and constituted in such a way that two magnetron plasmas each having a closed loop can be generated. - 特許庁

スパッタされたターゲット材料を基板上に堆積させるためのプラズマ堆積装置において、ＲＦコイルのインピーダンス整合ボックス内のキャパシタンスを、堆積プロセス中に、ＲＦコイルと基板の加熱、及び薄膜の堆積が、ＲＦコイルに沿ったＲＦ電圧分布の「時間平均」によってより均一になるように、変化させる。例文帳に追加

In a plasma deposition device for depositing a sputtered target material on a substrate, capacitance in an impedance-matching box for an RF coil is varied during the deposition process in such a manner that heating of the RF coil and the substrate and the film deposition become more uniform according to "time-averaging" of the RF voltage distribution along the RF coil. - 特許庁

基板上に積層膜を連続して形成する薄膜形成装置であって、複数のターゲットを有するスパッタ室２つと、鉛直方向に移動可能な基板加熱処理部と基板冷却処理部とを有するロードロック室２つとが、スパッタ室及びロードロック室との間で基板の移送を行う２つの基板把持ハンドを有するロボットを配置した基板移送室の周りに、連結されていることを特徴とする。例文帳に追加

In this thin film deposition system continuously depositing laminated films on substrates, two sputter chambers having plural targets and two load lock chambers having substrate heating treating parts and substrate cooling treating parts movable in the vertical direction are connected to the circumference of a substrate transferring chamber arranged with a robbot having two substrate clamping hands performing the transfer of the substrates between the sputter chamber and the load lock chamber. - 特許庁

薄膜形成装置１０が、チャンバ１２内に配設された２つ以上の同一材料と２つ以上の異なる材料とのうち少なくとも一方を含むターゲットを有する複数のスパッタリング源を有し、それぞれのスパッタリング源に異なる成膜条件を設定可能な成膜条件設定部を備える構成とした。例文帳に追加

The thin film deposition apparatus 10 has a plurality of sputtering sources having targets comprising at least either selected from two or more same materials and two or more different materials and disposed inside a chamber 12, and is provided with a film deposition condition set part capable of setting different film deposition conditions to the respective sputtering sources. - 特許庁

酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The interconnection and an electrode for flat panel display using a thin-film transistor having superior adhesiveness, formed by a copper alloy thin film having a composition containing oxygen by 0.4 to 6 atomic%, one or more of Ni, Co and Zn by 0.001 to 3 atomic% in total, and the rest consisting of Cu and unavoidable impurities, and is also relates to a sputtering target for forming interconnections and the electrode. - 特許庁

少なくとも下部電極、圧電膜および上部電極を積層させてなる弾性共振膜を有する薄膜バルク音響共振子の製造する方法であり、まず、基板１０に下部電極１２を形成し、下部電極１２の上層に圧電性を発現する化合物材料をターゲットとする非反応性スパッタリングにより圧電膜１３を形成する。例文帳に追加

In a thin-film bulk acoustic resonator manufacturing method having an elastic resonant film in which at least a lower part electrode, a piezoelectric film and an upper part electrode are laminated, a lower part electrode 12 is firstly formed on a substrate 10, and a piezoelectric film 13 is formed by a non-reactive sputtering which targets compound materials expressing piezoelectric property on an upper layer of the lower part electrode 12. - 特許庁

処理基板Ｓと処理基板Ｓに対向するターゲット６とを配置した真空チャンバー１内にスパッタガスと反応ガスとを供給する手段を備える反応性スパッタリング装置において、処理基板Ｓが大径化しても、処理基板Ｓの全域に亘り均質な化合物の薄膜を形成できるようにする。例文帳に追加

To provide a reactive sputtering apparatus in which the inside of a vacuum chamber 1 where a substrate S to be processed and a target 6 confronted with the substrate S are arranged includes a means feeding a sputtering gas and a reaction gas, the reactive sputtering apparatus forming a homogeneous compound thin film over the whole region of the substrate S even if the substrate to be processed S has a large diameter. - 特許庁

反応性ガスの使用によるスパッタリング法にて透明薄膜を成膜する方法において、反応性ガスの濃度変化に伴い成膜形態に金属モードと化合物モードとの間で移行を生ずる遷移領域が異なる２種以上の元素を含む化合物および／または混合物をターゲットとして用いる。例文帳に追加

The method for forming the transparent thin film with a sputtering method using a reactive gas, is characterized by employing a compound and/or a mixture including two or more elements having different transition regions as a target, where transition of a film forming mode between a metal mode and a compound mode occurs as the concentration of the reactive gas changes. - 特許庁

固体酸化物形燃料電池、水蒸気電解装置、水素分離装置、水素センサー等の電解質部材として適用可能な良好なプロトン導電性を有し且つ優れた耐久性を有する高密度焼結体、及び良好なプロトン導電性を有する薄膜電解質材料を形成するために利用し得るスパッタターゲットとして有用な焼結体を提供する。例文帳に追加

To provide a high-density sintered compact which is excellent in durability and has a high proton conductivity suitable as an electrolyte member of a solid oxide fuel cell, a water vapor electrolytic apparatus, a hydrogen separation apparatus, a hydrogen sensor, etc., and a sintered compact useful as a sputtering target for forming a thin-film electrolyte material having a high proton conductivity. - 特許庁

強誘電体薄膜形成用のターゲットに用いる、チタン酸ジルコン酸鉛とＰｂＯの結晶組織からなる組成式：Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_ｙＯ_ｚで表される複合酸化物焼結体であって、前記組織は、ＥＰＭＡ面分析で測定されるＰｂＯ相の大きさが１〜５μｍであり、また前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ及びａは下記の三つの要件を満たしていることを特徴とする焼結体などによって提供。例文帳に追加

The sintered compact is a compound oxide sintered compact used for the target for forming the ferroelectric thin film, comprising a crystal structure of lead zirconate titanate and PbO, and expressed by a composition formula: Pb_x(Zr_1-aTi_a)_yO_z. - 特許庁

電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a copper wiring substrate attaining further reduction of electric resistance and maintenance of adhesive property of a copper thin film to a substrate surface at high levels and attaining cost reduction of a metal target material used in a sputtering process and of the entire manufacturing process mainly in the sputtering process using the target material. - 特許庁

さらには、その結晶粒径が３００μｍ以下であって、あるいは、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂのうちの１種以上の単独相およびこれら元素から選ばれる２種以上で構成される拡散相からなる金属組織、またはＭｏ、Ｖ、Ｎｂから選ばれる２種以上で構成される拡散相からなる金属組織を有する薄膜形成用スパッタリングターゲットである。例文帳に追加

The target further has a crystal particle diameter of 300 μm or less, or has a metal structure comprising a single phase consisting of one or more of Mo, V, and Nb, and a diffusive phase consisting of two or more of the elements, or has a metal structure consisting of a diffusive phase comprising two or more of Mo, V, and Nb. - 特許庁

熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。例文帳に追加

To provide a reflective film, a thin film for wiring or for an electrode and a semi-reflection type semi-transmission film having high reflectivity and low electric resistance while suppressing the reduction of the reflectivity caused by reaction with a trace amount of free halogen by heat and also improving the heat resistance of, and to provide a sputtering target material and a vapor deposition material useful for the production of the films. - 特許庁

基板Ｓと、基板Ｓ上に形成された薄膜トランジスタ１７０と、薄膜トランジスタ１７０上に形成された第1電極１１０と、第1電極１１０上に形成された有機物層１３０と、有機物層１３０上に、ボックスカソードスパッタリング法、または対向ターゲットスパッタリング法を利用してＡｒガスにＡｒより重い非活性ガスを混合させてスパッタ蒸着される第2電極層１５０とを備えている。例文帳に追加

This organic light emitting display includes: a substrate S; a thin film transistor 170 formed on the substrate S; a first electrode 110 formed on the thin film transistor 170; an organic layer 130 formed on the first electrode 110; and a second electrode layer 150 sputter-deposited on the organic layer 130 by mixing Ar gas with an inert gas heavier than Ar using a box cathode sputtering method or a facing target sputtering method. - 特許庁

強誘電体薄膜形成用のターゲットに用いる、チタン酸ジルコン酸鉛とＰｂＯの結晶組織からなる組成式：Ｐｂ_ｘ（Ｚｒ_１−ａＴｉ_ａ）_ｙＯ_ｚで表される複合酸化物焼結体であって、前記組織は、平均結晶粒径が３〜７μｍかつ最大空隙径が２μｍ以下であるとともに、Ｐｂ成分が均一分散されており、また前記組成式中のｘ、ｙ、ｚ及びａは下記の三つの要件を満たしていることを特徴とする焼結体などによって提供。例文帳に追加

The compound oxide sintered body to be used for a target for depositing the ferroelectric thin film has a composition formula : Pb_x(Zr_1-aTi_a)_yO_z consisting of the crystalline structure of lead titanate zirconate and PbO. - 特許庁