「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、ハードディスク等に使用されるＲｕ薄膜を形成するために用いるＲｕターゲット材およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a RU target material used for depositing a RU thin film used for a hard disk or the like, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜例文帳に追加

Ni-W-B-BASED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR PRODUCING INTERMEDIATE LAYER FILM IN VERTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND THIN FILM PRODUCED USING THE SAME - 特許庁

スパッタターゲットに使用することができ、スパッタして薄膜を形成することができる、多重成分の酸化物を含有する合金を提供する。例文帳に追加

To provide an alloy containing a multi-component oxide which is used for a sputter target, and capable of depositing a thin film by the sputtering. - 特許庁

密着性に優れたＡｇ合金薄膜からなる電極、この薄膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット、及びこの薄膜を用いた有機ＥＬ素子の提供。例文帳に追加

To provide an electrode consisting of an Ag alloy thin film having excellent adhesion, a target for sputtering for depositing the thin film, and an organic EL(electro luminescence) element using the thin film. - 特許庁

Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石薄膜などの永久磁石薄膜の磁気特性を向上させることができる、永久磁石薄膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a sputtering target for a permanent magnet thin film which can improve the magnetic properties of a permanent magnet thin film such as an Nd-Fe-B based permanent magnet thin film, and a method for producing the same. - 特許庁

薄膜ウエハ工程において上層に不透明膜を形成した場合にもその下のターゲット及びアドレスを参照可能となる薄膜処理方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film processing method and a manufacturing method for a thin film magnetic head by which a target and an address under a non-transparent film can be referred to even when the non-transparent film is formed at an upper layer in a thin film wafer process. - 特許庁

薄膜の品質に問題を生じたりターゲットの損傷を招くことなく透明性と成膜速度との両立を図り、透明薄膜を安定成膜することのできる透明薄膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for stably forming a transparent thin film, which makes transparency compatible with a film forming speed, without causing problems on quality of the thin film and damages of a target. - 特許庁

その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット２２に入射させることによりターゲット２２をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板２１の表面に堆積させることもできる。例文帳に追加

At that time, by irradiating a part of the ion beam not incident on the surface of the substrate on a target 22 consisting of the thin film raw material and sputtering the target 22, the thin film raw material thus sputtered can be deposited on the surface of the substrate 21. - 特許庁

高い反射率を維持しながら、耐食性、特に、耐ハロゲン性、耐酸化性、耐硫化性が改善されたＡｇ合金からなる薄膜形成用のスパッタリングターゲット材および該スパッタリングターゲット材を用いて形成された薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a sputtering target material for thin film deposition composed of an Ag alloy in which corrosion resistances, particularly halogen resistance, oxidation resistance and sulfidization resistance are improved while keeping high reflectance and also to provide a thin film deposited using the sputtering target material. - 特許庁

Ａｒ^+は、ターゲットホルダ１１に負電圧が印加されるときにはターゲットをスパッタして基板１０表面に薄膜を成膜させ、基板ホルダ９に負電圧が印加されるときには基板１０表面をスパッタしてスパッタ粒子を活性化し、薄膜を緻密にする。例文帳に追加

When the negative voltage is applied to the target holder 11, Ar+ is allowed to sputter a target to deposit a thin film onto the surface of a substrate 10; when the negative voltage is applied to the substrate holder 9, Ar+ is allowed to sputter the surface of the substrate 10 to activate sputtered particles and densify the thin film. - 特許庁

本発明のは、赤外波長領域で透過率の低下が非常に少なく、しかもＩＴＯ係ターゲットで得られる透明導電性薄膜と同等の低抵抗値を有する透明導電性薄膜をスパッタリング法で再現性良く安定に製造でしうるターゲットの提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a target for stably manufacturing a transparent electroconductive thin-film, of which the transmittance decreases very little in an infrared wavelength region, and which has an low resistance equal to that of a transparent electroconductive thin-film obtained by ITO based target, by a sputtering method with an adequate reproducibility. - 特許庁

触媒金属の混入量を制御したターゲット材料、これを用いたターゲットを形成し、これらを用いて、触媒金属の混入量が制御されているために移動度が高く均一な、薄膜およびこれを用いた薄膜素子を作成する。例文帳に追加

To produce a target material in which the amount of catalytic metals to be intruded is controlled, to form a target using the same, to provide a thin film in which the moving degree is high and uniform because the amount of catalytic metals to be intruded is controlled by using the same and to produce a thin film element using the same. - 特許庁

電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマでターゲットをスパッタリングして基板Ｓ上に複数の元素から成る薄膜を形成するＥＣＲスパッタリング装置において、薄膜を構成する複数の元素Ａ，Ｂに対応して複数のターゲット１１Ａ，１１Ｂを配設する。例文帳に追加

In the ECR sputtering apparatus for depositing the thin film comprising a plurality of elements on a substrate S by generating plasma by electron cyclotron resonance and sputtering a target with the generated plasma, a plurality of targets 11A, 11B corresponding to the plurality of elements A, B constituting the thin film are arranged. - 特許庁

Ｉ−VI族化合物ターゲット、III−VI族ターゲット、ＲＦ電源およびＤＣ電源を用いることによって、組成の制御性および生産性よく、Ｉ−III−VI族化合物半導体薄膜を製造することができる化合物半導体薄膜の製造装置および製造方法を提供する。例文帳に追加

To obtain a manufacturing device and a method capable of manufacturing a I-III-VI compound semiconductor thin film, while keeping it high in composition controllability and productivity by the use of a I-VI compound target, a III-VI target, an RF power supply, and a DC power supply. - 特許庁

主ターゲット２１からのスパッタ粒子で成膜される薄膜３３は成膜面１２の中央で厚く、縁部分で薄くなるようになっており、該薄膜３３の薄い部分には補助ターゲット２２からのスパッタ粒子が多く到達する。例文帳に追加

A thin film 33 deposited by sputtering particles from the main target 21 is thick at the center of the film deposition face 12 and is thin at the edge parts, and sputtering particles from the auxiliary target 22 reach the thin parts in the thin film 33 with a large quantity. - 特許庁

シリコンを含有するスパッタリングターゲット１４であって、ターゲットの硬度が、ビッカース硬さで９００ＨＶ以上であるスパッタリングターゲットを用いて、基板１上にマスクパターンを形成するための薄膜をスパッタリング法で形成し、欠陥発生を抑えた高品位のマスクブランクを製造し、さらに、薄膜をパターニングすることで転写マスクを製造した。例文帳に追加

By using a sputtering target 14, containing silicon and having a hardness of 900 HV or more in Vickers' hardness, a thin film for forming the mask pattern on a substrate 1 is formed by sputtering, and the high-quality mask blank that suppresses generating of defects is manufactured; and further, the transfer mask is manufactured by patterning the thin film. - 特許庁

薄膜形成装置は、減圧雰囲気下で、トリガー電極３とターゲット材料１との間でトリガー放電を起こさせ、トリガー放電をきっかけとしてターゲット材料１とアーク電極４との間でアーク放電を発生させ、アーク放電によりターゲット材料１の外周面に発生したプラズマを基板８に照射して、基板８上に薄膜を形成する。例文帳に追加

The thin film forming equipment induces a trigger discharge between a trigger electrode 3 and the target material 1 in a reduced pressure atmosphere, generates an arc discharge between the target material 1 and an arc electrode 4 with the trigger discharge as a start and forms the thin film on a substrate 8 by irradiating the substrate 8 with the plasma generated on the outer peripheral surface of the target material 1 by the arc discharge. - 特許庁

反応性スパッタリング法により、基材５面上に薄膜を形成する方法において、Ｎｂを主成分とするスパッタリングターゲット３ｂとＡｌを主成分とするスパッタリングターゲット３ａをそれぞれ１枚以上用いて、該反応性スパッタリング法を行い、２種の該スパッタリングターゲット由来の成分を該基材５面上に同時に成膜することを特徴とする薄膜の形成方法。例文帳に追加

A method for depositing a thin film on a surface of a base material 5 by the reactive sputtering method uses one or more sputtering targets 3b containing Nb as a principal element and one or more sputtering targets 3a containing Al as a principal element for reactive sputtering to simultaneously deposit films of the components derived from two kinds of sputtering targets on the surface of the base material 5. - 特許庁

電子放出素子において、電子放出部を、ターゲット材にレーザ光を照射して、ターゲット材からの脱離・射出物質を対向基板に堆積させて薄膜を形成するレーザアブレーション法を用い、電子放出性材料の結晶配向性薄膜を自己整合的に形成させて成る薄膜状電子源とする。例文帳に追加

In this electron emitting element, an electron emitting part is formed as a thin film-like electron source by self-conformably forming a crystal orienting thin film of an electron emitting material by using a laser abrasion method for forming a thin film by accumulating a separating-ejecting substance on an opposed base board from a target material by irradiating a laser beam to the target material. - 特許庁

DLC薄膜とターゲット基板との密着性を向上し、また、レーザーアブレーション法で問題となる溶融再凝固粒子（ドロップレット）や固体ターゲットのかけらなどの粗大粒子の混入によるなどによるDLC薄膜の品質低下の回避できるダイヤモンドライクカーボン薄膜の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a diamond-like carbon thin film where adhesion between a DLC film and a target substrate is improved, and in which deterioration in the quality of the DLC thin film caused by the intrusion of melted resolidified particles (droplets) and coarse particles such as the fragments of a solid target which becomes a problem in a laser ablation process can be evaded. - 特許庁

スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。例文帳に追加

A nitrogen-substituted lithium phosphate thin film as a solid electrolyte thin film is manufactured by a sputtering method by supplying a rare gas and nitrogen gas under pressure of 0.1-1.0 Pa by using a target made of lithium phosphate sintered body. - 特許庁

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。例文帳に追加

The laminated structure is provided with a backing plate, an alloy thin film which is formed on the backing plate and comprises an alloy of indium and gallium whose concentration is 1.0-30 atom%, and the indium target formed on the alloy thin film. - 特許庁

本発明に係る触媒スパッタリングによる薄膜形成方法では、真空容器１中において、基板１０とターゲット４との間に熱触媒体５を配置して、スパッタリングにより基板に薄膜を形成する。例文帳に追加

This thin film deposition method by catalyst sputtering consists in arranging a thermal catalyst body 5 between the substrate 10 and target 4 in a vacuum vessel 1 and depositing the thin films on the substrate by sputtering. - 特許庁

スパッタリングによってシリコン薄膜を製造する方法であって、製造されるべきシリコン薄膜より結晶性が良いシリコンをターゲット物質とする。例文帳に追加

In this method for manufacturing a silicon thin film by sputtering, silicon whose crystallinity is made more satisfactory than that of a silicon thin film to be manufactured is used as a target substance. - 特許庁

イオンビーム１１６をターゲット１１５に照射し、スパッタリングによって被処理物１１９に多層膜による光学薄膜を成膜する光学薄膜の製造方法を、つぎのように構成する。例文帳に追加

The method for manufacturing optical thin film in which an ion beam 116 is applied to a target 115 and an optical thin film made of multilayer film is formed on a body 119 to be treated by sputtering has the following process. - 特許庁

Ｌｉ−Ｓｎ−Ｍｎ化合物正極薄膜を備えるリチウム二次電池、並びにＬｉ−Ｓｎ−Ｍｎ化合物ターゲットの製造方法及びこれを用いた正極薄膜形成方法例文帳に追加

LITHIUM SECONDARY BATTERY WITH Li-Sn-Mn COMPOUND POSITIVE ELECTRODE THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF Li-Sn-Mn COMPOUND TARGET AND POSITIVE ELECTRODE THIN FILM DEPOSITION METHOD USING THIS - 特許庁

デュエルターゲット同時パルスレーザ蒸着手法による炭化ケイ素のｎ及びｐ型半導体の結晶薄膜の作製方法及び同法で作製した薄膜例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTAL THIN FILM OF N AND P TYPE SEMICONDUCTOR OF SILICON CARBIDE BY DUAL TARGET SIMULTANEOUS PULSE LASER VAPOR DEPOSITION TECHNIQUE AND THIN FILM MANUFACTURED BY SAME TECHNIQUE - 特許庁

本発明に係る重陽子発生ターゲット１は、含ハロゲン有機化合物を主成分とする薄膜１０を基材とし、この薄膜１０に重水素化された有機化合物層２０が積層されることにより構成される。例文帳に追加

The deuteron generating target 1 uses a thin film 10 made mainly of an organic compound containing halogen as a base and is constituted by laminating a deuterated organic compound layer 20 on the thin film 10. - 特許庁

薄膜を形成すべき基板に対し対向して配設されたターゲットから薄膜形成用のスパッタリング粒子を発生させるための各磁石ユニットを各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに設ける。例文帳に追加

Each magnet unit for generating sputtering particles for forming a thin film from a target arranged oppositely to the substrate to be thin film- formed is provided on each magnet fitting boards 50a, 50b and 50c. - 特許庁

非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット例文帳に追加

AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM, ITS FORMING METHOD, MANUFACTURING PROCESS OF THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY AND SPUTTERING TARGET - 特許庁

蛍光体や通信素子としての特性に優れたＧａＮ薄膜を得るために、スパッタ法により、低コストで高純度かつ結晶性が良好なＧａＮ薄膜が形成可能なスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target that can form a GaN thin film having high purity and excellent crystallinity at low cost by a sputtering method to obtain the GaN thin film excellent in properties as a fluorophor and communication element. - 特許庁

レーザーアブレーション法やイオンビームスパッタ法などのターゲットからの放出粒子による薄膜作製法において、均一な膜厚分布を有する薄膜を堆積可能とする方法の提供。例文帳に追加

To provide a method capable of depositing a thin film having a uniform film thickness distribution in a thin film production method by emitted particles from a target by a laser abrasion method, an ion beam sputtering method or the like. - 特許庁

Ｂ：５〜２０００ｗｔｐｐｍを含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する液晶表示装置の配線および電極用銅合金薄膜およびその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The copper alloy thin film has a composition that 5 to 2,000 wt.ppm B(boron) is contained in pure copper (especially oxygen free copper having ≥99.99% purity) and the rest comprises Cu and inevitable impurities. - 特許庁

Ｌｉ−Ｓｎ−Ｍｎ化合物正極薄膜を備えるリチウム二次電池、Ｌｉ−Ｓｎ−Ｍｎ化合物ターゲットの製造方法及びこれを用いた正極薄膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium secondary battery with a Li-Sn-Mn compound positive electrode thin film; a manufacturing method of a Li-Sn-Mn compound target; and a positive electrode thin film deposition method using this. - 特許庁

液晶表示装置の配線および電極を形成するための熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a copper alloy thin film for forming a wiring and an electrode for a liquid crystal display, free from occurrence of a thermal defect and having excellent adhesiveness, and to provide a sputtering target for forming the thin film. - 特許庁

極めて平滑で、抵抗が低く、非晶質である透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を安定的に成膜可能な酸化物焼結体、およびこれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a transparent conductive thin film which is remarkably flat, low in resistance and is amorphous, an oxide sintered compact for stably forming the transparent conductive thin film and a sputtering target using the same. - 特許庁

ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a copper alloy thin film for forming an interconnection and an electrode for flat panel display, using a thin film transistor (TFT) that is superior in adhesiveness, and to provide a sputtering target for forming the copper alloy thin film. - 特許庁

これにより、スパッタターゲット２５から射出される粒子の一部が、形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいて遮蔽され、ディスク基板１１上の記録領域１０ａに、所望の膜厚分布の薄膜が形成される。例文帳に追加

Thereby, a portion of particles emitted from the sputtering target 25 is shielded based on the film thickness distribution of the thin film to be formed and the thin film of the desired film thickness distribution is formed in the recording region 10a on the disk substrate 11. - 特許庁

透明導電性薄膜製造用酸化物焼結体ターゲット、透明導電性薄膜、透明導電性基板、表示デバイスおよび有機エレクトロルミネッセンス素子例文帳に追加

OXIDE SINTERED BODY TARGET FOR MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, TRANSPARENT CONDUCTIVE BASE, DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT - 特許庁

薄膜の磁気特性を劣化させることなく、高性能な薄膜の作製を可能にした磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングＣｏ系ターゲット材の製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a Co-type sputtering target material of low magnetic permeability for magnetic recording medium by which the deposition of a high-performance thin film is made possible without deteriorating the magnetic properties of the thin film. - 特許庁

比抵抗が０．５Ωｃｍ以下であるターゲットを用い、膜厚が１００Å以下である薄膜をパルス状の波形を有する直流放電スパッタリングにより成膜することを特徴とする薄膜の製造方法。例文帳に追加

The method for manufacturing the thin film is characterized by forming the thin film having a thickness of 100 Å or less with a discharge sputtering method using a direct current having a pulsed waveform, while using a target having a specific resistance of 0.5 Ωcm or less. - 特許庁

薄膜の面内不均一性を大幅に改善することができ、その結果、欠陥等が無く、高品質の薄膜を形成することが可能なスパッタリングターゲット及びその配置方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target which can extensively improve non- uniformity of a thin film within the surface, and consequently can form the thin film of high quality free from defects, and to provide a layout therefore. - 特許庁

ターゲットと基板の間の距離が短い場合でも、均一な膜厚の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film deposition system by magnetron sputtering in which a thin film with a uniform film thickness can be deposited even in the case that the distance between a target and a substrate is short. - 特許庁

極めて平滑で、仕事関数が高く、非晶質である透明導電性薄膜と、該透明導電性薄膜を安定的に成膜可能な酸化物焼結体およびこれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide an amorphous transparent conductive thin film which is very flat and high in work function, an oxide sintered compact from which the transparent conductive thin film can be stably formed, and a spattering target using the oxide sintered body. - 特許庁

垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide: an alloy for a Ni-W-P,Zr-based intermediate layer film in a perpendicular magnetic recording medium; a sputtering target material for manufacturing a thin film; and a thin film manufactured by using the target material. - 特許庁