「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

前記標識分子がヘモシアニンであり、かつ前記抗ターゲット化合物抗体が、基板表面の金薄膜表面にスペーサー及びプロティンＡまたはプロティンＧを介して基板表面に固定化されている。例文帳に追加

The labeled molecule is hemocyanin, and the anti-target compound antibody is immobilized on the substrate surface through the spacer, the protein A or the protein G on the metal film surface on the substrate surface. - 特許庁

供給された電力の総和である積算電力の異なる複数種類のターゲット１２ａ〜１２ｃを用いてバイアススパッタリングすることにより薄膜を形成する。例文帳に追加

A thin film is formed by performing bias sputtering by using a plurality of types of targets 12a to 12c which differ in integral electric power being the total sum of supplied electric powers. - 特許庁

スパッタリング法により原子を放出するターゲット８と、この原子により薄膜が形成される基板１４の間に磁極板１６と磁極板１８が配置されている。例文帳に追加

The space between a target 8 emitting atoms by a sputtering method and a substrate 14 on which a thin film has been formed by the atoms is deposited with a pole board 16 and a pole board 18. - 特許庁

薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制及びパーティクルや異常放電現象が生じないスパッタリングターゲット等に有効であるコバルト粉末とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a cobalt powder effective for a sputtering target which restrains pollutants caused by interdiffusion of substances constituting thin films and does not cause particles or abnormal discharge phenomenon, or the like, and to provide a method for producing the cobalt powder. - 特許庁

異方性付与層９２は、例えばクロムニオブ合金製ターゲットを窒素を含むプロセスガスによってスパッタして作成した薄膜であり、成膜後に０．５〜１０Ｐａ程度の圧力の酸素ガスに晒す。例文帳に追加

The anisotropy forming layer 92 is, for example, a thin film made by sputtering a chrome niobium alloy target with a process gas containing nitrogen, and exposed to an oxygen gas with about 0.5-10 Pa after forming this film. - 特許庁

マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。例文帳に追加

At the time when the minus DC bias is fed, constitutive elements are sputtered from the chalcogen compound target and are combined with reactive gas, so as to deposit a chalcogen compound thin film on the substrate. - 特許庁

薄膜７は、カソード電極ライン２に所定の電位を印加しながら、炭素を主体とするターゲット基板にレーザ光を照射して成膜を行うことにより形成する。例文帳に追加

The thin films 7 are formed by irradiating a target substrate mainly containing carbon with laser light while applying a prescribed electric potential to the cathode electrode lines 2. - 特許庁

パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Ｍｏ薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Ｍｏ焼結ターゲット例文帳に追加

HIGH-PURITY HIGH-DENSITY METAL Mo SINTERING TARGET FOR SPUTTERING WHICH ENABLES FORMATION OF HIGH-PURITY METAL Mo THIN FILM PRODUCING EXTREMELY FEW PARTICLE - 特許庁

それぞれの直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。例文帳に追加

The DC power of 1 kW is supplied to the cathodes 54a, 54b and 54c from each DC power source 72, a chromium target 78 is sputtered to form a chromium oxide thin film on a substrate 10. - 特許庁

また、当該ターゲットを使用して、スパッタリング法によりセラミック基板上にＮｉ合金薄膜を形成することにより、２層電極膜を作製する。例文帳に追加

A two-layered electrode film is produced by forming a thin Ni alloy film on a ceramic substrate by a sputtering method which uses the target. - 特許庁

窒素含有不活性ガス雰囲気および基板温度４００℃以上の条件下、ターゲットを酸化チタンとするＲＦマグネトロンスパッタ法により窒素置換型酸化チタン薄膜を製造する。例文帳に追加

A nitrogen-substituted titanium oxide thin film is produced by RF magnetron sputtering process with a target as titanium oxide under the conditions in a nitrogen-containing inert gas atmosphere and at a substrate temperature of 400°C or higher. - 特許庁

半導体薄膜形成用等の用途に適した、不純物含有量が低く、特にはパーティクル発生を低減した高純度ルテニウムスパッタリングターゲットを提供すること。例文帳に追加

To provide a highly pure ruthenium sputtering target suitable for forming semiconductor thin films and having a low impurity content, which enables to reduce the formation of particles when it is used. - 特許庁

其々の直流電源７２からカソード５４ａ、５４ｂ、５４ｃに１ｋＷの直流電力を供給して、クロム製のターゲット７８をスパッタリングし、基板１０上に酸化クロム薄膜を形成する。例文帳に追加

Direct current power of 1 kW is fed from respective direct current power sources 72 to the cathodes 54a, 54b, 54c, and a target 78 made of chromium is sputtered, so as to form a chromium oxide thin film on a substrate 10. - 特許庁

粉末ターゲットを用いて、酸素の含有率の少ない高品質なシリコン薄膜を高速で成膜することができるスパッタリング方法及び装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a sputtering method and a sputtering apparatus capable of rapidly depositing a high quality silicon thin film having a low oxygen content by using a powder target. - 特許庁

バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide sintered compact and a sputtering target having a low bulk resistance and a high density, and a transparent amorphous oxide semiconductor film wherein a metal thin film can be etched selectively. - 特許庁

高純度Ｎｉ−Ｖ合金、同Ｎｉ−Ｖ合金からなるターゲット及び同Ｎｉ−Ｖ合金薄膜並びに高純度Ｎｉ−Ｖ合金の製造方法例文帳に追加

HIGH-PURITY NI-V ALLOY, TARGET COMPOSED OF THE NI-V ALLOY, THIN FILM OF THE NI-V ALLOY, AND METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY NI-V ALLOY - 特許庁

反射光の黄色化を抑制したスパッタリングターゲット及びその製造方法、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target and its producing method suppressing yellowing of reflected light, a reflector for LCD, reflection wiring electrodes, and thin film and its manufacturing method. - 特許庁

本発明の量子ビームモニタ用電極１は、複数のリボン状のカーボングラファイト薄膜２１０が所定間隔おきに一方向に沿って並設されたモニタターゲット２１を備えている。例文帳に追加

The electrode 1 for quantum beam monitor of this invention includes a monitor target 21 on which a plurality of ribbon shape carbon graphite thin films 210 are put with a specific interval along a direction. - 特許庁

前記抗ターゲット化合物抗体は、前記基板表面の金薄膜表面にスペーサー及びプロティンＡまたはプロティンＧを介して、基板表面に固定化されている。例文帳に追加

The anti-target compound antibody is immobilized on the substrate surface through a spacer, protein A or protein G on the metal film surface on the substrate surface. - 特許庁

誘電体薄膜１８は、一般式Ｒ_ｘＭ_ｙＯ_ｚであらわされるペロブスカイト構造を主成分とする焼結体ターゲットを用いて気相成長法により形成される。例文帳に追加

The dielectric membrane 18 is made with the vapor-phase growth method using the sintered compact target whose main component is a perovskite structure expressed with a general formula R_xM_yO_z. - 特許庁

シリコンターゲットは、その抵抗値が薄膜トランジスタの所望の閾値電圧に基づいて決定された抵抗値となるように、不純物の添加量が制御されて形成される。例文帳に追加

A silicon target is formed by controlling the adding amount of an impurity so that the resistance value of the target may become a value decided based on the desired threshold voltage of the thin film transistor. - 特許庁

酸化ガリウム系薄膜の成膜において、スパッタリング中における、異常放電の発生、ノジュールの発生、クラックの発生を抑制しうるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target suppressing the occurrence of abnormal discharge, nodule and crack during sputtering in the film deposition of a gallium oxide-based thin film. - 特許庁

薄膜固体リチウム二次電池製造工程中の、負極（活物質層および集電体層）形成部分において、同一ターゲットで連続的に成膜することにより、装置の小型化および製造工程の簡素化を提供する。例文帳に追加

To provide miniaturization of a device and simplification of manufacturing processes by continuously depositing with the same target at a negative electrode (an active material layer and a collector layer) formation section in a thin film solid lithium secondary battery manufacturing process. - 特許庁

得られた酸化物焼結体をスパッタリングターゲットに用いて、スパッタリング法を行うことで、表面が平滑で、かつ、比抵抗の小さい透明導電性薄膜を得ることができる。例文帳に追加

The transparent electrically conductive thin film having the high surface smoothness and the low specific resistance can be obtained by a sputtering method using the obtained oxide sintered compact as the sputtering target. - 特許庁

プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。例文帳に追加

To continuously manufacture a transparent conductive film having a transparent conductive thin film on a transparent substrate made of a plastic film at a high speed and stably for a long period by a reactive sputtering film deposition method using a metal target. - 特許庁

成膜速度を低下させることなく、ターゲット原子と反応性ガスとが十分に反応した薄膜を基板の表面に形成することのできる反応性スパッタリング装置とその方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reactive sputtering device capable of forming a thin film in which target atoms and reactive gas are sufficiently reacted on the surface of a substrate without reducing the film forming rate and to provide a method therefor. - 特許庁

パーティクル発生のきわめて少ない高純度金属Ｍｏ薄膜の形成を可能とするスパッタリング用高純度高密度金属Ｍｏ焼結ターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a high-purity high-density metal Mo sintering target for sputtering which enables the formation of a high-purity metal Mo thin film producing extremely few particle. - 特許庁

この状態で、スパッタリングすることにより、ターゲット１２から粒子が放出され、粒子が基板保持部材１３に保持された半導体基板２の処理面２１に付着し、その処理面２１に薄膜が形成される。例文帳に追加

Under this condition, particles are released from the target 12 by sputtering and the particles are adhered to the treating surface 21 of the semiconductor substrate 2 retained by the substrate retaining member 13 whereby the thin film is formed on the treating surface 21. - 特許庁

マグネトロンスパッタリング装置は、表面に薄膜が形成される基板４を保持する基板ホルダー３と、基板４に対向配置されたターゲット１２とを真空容器１内に収容している。例文帳に追加

The magnetron sputtering system has a substrate holder 3 for holding a substrate 4 where a thin film is to be deposited on the surface and a target 12 disposed to be opposed to the substrate 4 in a vacuum vessel 1. - 特許庁

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること例文帳に追加

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it. - 特許庁

ターゲットの周縁領域に形成される絶縁膜の影響を受けずに、高いスパッタレートを維持したまま薄膜形成ができる反応性スパッタリング方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reactive sputtering method capable of performing athin film formation while keeping a high sputter rate without being affected by an insulating film formed on the peripheral area of a target. - 特許庁

低抵抗でテーパ加工が可能であると共に、層間絶縁膜やＩＴＯ等のエッチャントに対して高耐性を有する配線形成用材料、配線形成用ターゲットおよび配線薄膜が求められている。例文帳に追加

To provide a material for wiring formation, having low resistivity and capable of tapering and having high resistance to etchant, such as interlayer insulator and ITO, a target for wiring formation, and a wiring thin film. - 特許庁

例えば、試料ターゲット１０を二重細孔構造を有するシリカモノリスプレートから成る基体２０と該基体のレーザー被照射面を被覆するPt薄膜３０とで構成する。例文帳に追加

For example, the sample target 10 is constituted of a substrate 20 comprising a silica monolithic plate having a double pore structure and the Pt thin film 30 which covers the surface to be irradiated with the laser beam of the substrate 20. - 特許庁

新たな電源設備の追加を必要とせずに、スパッタ時におけるアーキングの発生や薄膜の膜質低下を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target capable of suppressing occurrence of arcing and degradation of the quality of a thin film during the sputtering without additionally providing any new power supply equipment. - 特許庁

ＩＴＯ膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を形成することに好適なターゲット材の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of producing a target material suitable for depositing an aluminum alloy thin film having an electrode potential equal to that of an ITO film, free form dispersion of silicon, having low specific resistance and excellent heat resistance. - 特許庁

磁性薄膜のマグネトロンスパッターリングにおけるカソードして使用するための平面状強磁性スパッターターゲットであって、その強磁性材料が異なる透磁率の局在化した領域を有するものを提供する。例文帳に追加

In the planar ferromagnetic sputter target to be used as a cathode in the magnetron sputtering of a magnetic thin film, the ferromagnetic material has a localized reasion different in permeability. - 特許庁

スパッタリング成膜時の発塵を抑制して高品質な珪素含有薄膜の成膜を可能とするスパッタリング成膜用珪素ターゲットを提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon target for sputtering film formation, achieving formation of a high-quality silicon-containing thin film by suppressing dust generation during sputtering film formation. - 特許庁

次いで、焼成した低融点ガラス膜２をターゲットとしてスパッタリングを行うことによって、被膜対象物である第二ガラス基板４に低融点ガラス薄膜５を成膜する。例文帳に追加

Subsequently, a low melting glass thin film 5 is formed on a second glass substrate 4 to be coated with a coating by performing sputtering by using the low melting glass film 2 fired as the target. - 特許庁

スパッタリングの際に要求される、高い成膜速度を実現すると同時に、形成される薄膜の膜厚分布をも均質に形成することができるＲｕスパッタリング用ターゲット材を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide a target material for Ru sputtering realizing a high film deposition rate required upon sputtering and simultaneously capable of uniformly forming a film thickness distribution in the thin film to be deposited. - 特許庁

アモルファス性、硬さ、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体用軟磁性合金及び、この合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a soft magnetic alloy for perpendicular magnetic recording medium which has excellent amorphous property, hardness and corrosion resistance, and a sputtering target material for forming a thin film of the alloy. - 特許庁

次に、以上のようにして得た粉末をターゲットとして、ＲＦスパッタリング法により石英ガラス基板上に薄膜を作製する（ステップＳ１８）。例文帳に追加

The powder prepared in this way is used as a target to deposit a thin film on a quartz glass substrate by the RF sputtering method (step S18). - 特許庁

冷陰極となる薄膜７は、カソード電極ライン２に所定の電位を印加しながら、炭素を主体とするターゲット基板のレーザアブレーションで成膜し、冷陰極を形成する。例文帳に追加

The thin film 7 to form a cold cathode is formed into a film by laser ablation of a target base having carbon as a main ingredient while a designated potential is being applied to the cathode electrode line 2, and forms the cold cathode. - 特許庁

パーティクル発生のきわめて少ないＷ（タングステン）薄膜形成用スパッタリング焼結ターゲットおよびこれの製造に原料粉末として用いるのに適したＰ（リン）含有Ｗ粉末を提供する。例文帳に追加

To provide a sintered target for sputtering for depositing a W (tungsten) thin film which extremely reduces the production of particles and a P (phosphorus) containing powder suitable for use as a raw material powder for manufacturing the same. - 特許庁

電子放出部であるエミッタ１３とターゲット１５を備えた除電装置において、粒径が２ｎｍ〜１００ｎｍのダイヤモンド粒子からなる薄膜がエミッタ１３の表面に形成されている。例文帳に追加

In a destaticizer, including an emitter 13 as an electron emitter and a target 15, a thin film made of diamond particles having a particle size of 2 to 100 nm, is formed on a surface of the emitter 13. - 特許庁

これによって、真空容器２０内にてターゲット物質と酸素あるいは窒素とを反応させ、基板上に薄膜を堆積させて酸化膜あるいは窒化膜を成膜する。例文帳に追加

In this way, the target material and oxygen or nitrogen are brought into reaction in the vacuum vessel 20, and thin films are deposited on the substrates to deposit oxidized films or nitrided films. - 特許庁