「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目)

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薄膜ターゲットの部分一致の例文一覧と使い方

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例文

セラミックターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、上記ターゲットの発熱による温度上昇を抑えるために上記ターゲットの近傍に循環させる冷却水の温度Ｔを３００Ｋ≦Ｔ≦３６０Ｋに設定し、この状態で上記ターゲットの面積当り４Ｗ／cm^2 以上のスパッタリング電力を印加することを特徴とする薄膜の成膜方法。例文帳に追加

In the thin film deposition by the sputtering method using the ceramic target, the temperature T of cooling water for circulating near the target to suppress temperature rise due to the heat generation of the target is set to 300 K≤T≤360 K and ≥4 W/cm^2 sputtering power is applied in this condition. - 特許庁

ターゲット、成膜方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ付パネル、薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ付パネルの製造方法例文帳に追加

TARGET, FILM FORMING METHOD, THIN FILM TRANSISTOR, PANEL WITH THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD FOR THIN FILM TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD FOR PANEL WITH THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

テフロンターゲットにＳＲ光を照射して薄膜を作製する薄膜作製装置に関し、平坦性もしくは結晶化度を制御したテフロン薄膜の成長に適した薄膜作製装置を提供する。例文帳に追加

To provide a thin film producing device suitable for the growth of a 'Teflon(R)' thin film in which flatness and crystallinity are controlled as for a thin film producing device producing a thin film by irradiating a 'Teflon(R)' target with an SR beam. - 特許庁

セラミツクターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、スパッタリング電力を増加させても、上記ターゲットに亀裂が入りにくく、成膜速度の増大による薄膜の生産性の向上を容易にはかれる薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of thin film deposition, by which a target is hardly cracked even if sputtering voltage is increased and the improvement of the productivity of a thin film is easily attained by increasing the film deposition speed in the thin film deposition by a sputtering method using a ceramic target. - 特許庁

例文

ターゲット３にレーザ光を照射してプルームを発生させ該プルームを結晶基板２に付着させて薄膜を作成する際、ターゲット３と結晶基板２間に磁界を印加した状態でレーザ光をターゲット３に照射してプルームを発生させ、該プルームを結晶基板２に衝突させる。例文帳に追加

At this time, the target 3 is irradiated with the laser beam in a state where the magnetic field is applied to the space between the target 3 and the crystal substrate 2 to cause the plume, and the plume is collided against the crystal substrate 2. - 特許庁

例文

成膜室の内部にマグネトロン磁場形成手段１２２を備えた円筒状ターゲット１２３と、該ターゲットの一方の開口部を塞ぐように設置されたアノード１２５と、を有し、前記円筒状ターゲットと対向する基板上に薄膜を堆積させるスパッタ装置を、つぎのように構成する。例文帳に追加

The sputtering apparatus has a cylindrical target 123 equipped with a magnetron magnetic field forming means 122 and an anode 125 provided so as to plug one opening part of the target at the inside of a film deposition chamber, and deposits the thin film on a substrate opposing to the cylindrical target 123. - 特許庁

ターゲット４０２に対向して配置された基板１１０の表面に、ターゲット４０２をスパッタリングすることによって薄膜を形成する際、ターゲット４０２の表面と基板１１０の表面との間隔（ＴＳ）が１００ｍｍ以上となるようにする。例文帳に追加

When depositing a thin film by sputtering a target 402 on a surface of a substrate 110 arranged facing the target 402, the spacing (TS) between the surface of the target 402 and the surface of the substrate 110 is set to be ≥100 mm. - 特許庁

タンタル酸カリウムターゲット１７を用いてスパッタリングによって、ガラス基板１２上にタンタル酸カリウム薄膜を作製するタンタル酸カリウム薄膜の作製方法であって、タンタル酸カリウムターゲットとは、別に、タンタルターゲット１８を同時にスパッタリングし、ガラス基板上にタンタル酸カリウム薄膜を堆積する。例文帳に追加

The method of preparing a potassium tantalate thin film includes a process of preparing the potassium tantalate thin film on the glass substrate 12 according to sputtering using a potassium tantalate target 17, wherein, apart from the potassium tantalate target, a tantalum target 18 is sputtered simultaneously to deposit a potassium tantalate thin film on the glass substrate. - 特許庁

本発明の酸化物薄膜の形成方法は、ターゲット３から発生したプラズマプルーム１３により基板６上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の形成方法であって、アルゴンガスと酸素ガスとを供給した真空チャンバ２内において、ターゲット３と基板６との間に磁場を加えた状態で、ターゲット３からプラズマプルーム１３を発生させる。例文帳に追加

The method for forming the thin oxide film is a method for forming a thin oxide film on a substrate 6 by a plasma bloom 13 generated from a target 3, wherein the plasma bloom 13 is generated from the target 13 in the state of applying a magnetic field between the target 3 and the substrate 6 in a vacuum chamber 2 to which gaseous argon and gaseous oxygen are supplied. - 特許庁

例文

ターゲット特性（飽和磁化）に優れた使用効率の高いスパッタリングターゲット、かつ、電極膜特性（導電性および密着強度）に優れた薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target having excellent target characteristics (saturation magnetization) and high utilization efficiency and a thin film having excellent electrode film characteristics (conductivity and adhesion strength). - 特許庁

例文

高純度バナジウム、同バナジウムからなるターゲット、同バナジウム薄膜、同バナジウムの製造方法及び同バナジウムスパッタリングターゲットの製造方法例文帳に追加

HIGH PURITY VANADIUM, TARGET COMPOSED OF VANADIUM, THIN FILM OF VANADIUM, METHOD OF PRODUCING VANADIUM, AND METHOD OF PRODUCING SPUTTERING TARGET OF VANADIUM - 特許庁

高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得るスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに高純度Ｒｕ粉末の製造方法例文帳に追加

HIGH-PURITY Ru POWDER, SPUTTERING TARGET OBTAINED BY SINTERING THE HIGH-PURITY Ru POWDER, THIN FILM OBTAINED BY SPUTTERING THE TARGET, AND METHOD FOR PREPARING HIGH-PURITY Ru POWDER - 特許庁

高純度バナジウムの製造方法、高純度バナジウム、同高純度バナジウムからなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PURITY VANADIUM, HIGH- PURITY VANADIUM, SPUTTERING TARGET COMPOSED OF THE HIGH- PURITY VANADIUM, AND THIN FILM DEPOSITED USING THE SPUTTERING TARGET - 特許庁

基板５とターゲット３との間の放電領域内において電離するガス分子の圧力を均等化し、これにより電離した荷電粒子をターゲット３に均等の衝突させて、基板５上に均等な膜厚の薄膜を形成する。例文帳に追加

To deposit a thin film of a uniform thickness on a substrate by unifying the pressure of gas molecules ionized in a discharge area between a substrate 5 and a target 3, and uniformly colliding the ionized charged particles with the target 3. - 特許庁

また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。例文帳に追加

The sputtering target material is obtained by solidification molding of a raw material powder manufactured by a gas atomizing method, and the Ni-W-P,Zr-based thin film is manufactured by using the sputtering target material. - 特許庁

高周波マグネトロンスパッタリング法においては、ターゲット２上にチップ３を置き、ターゲット２と基板１の間に電圧を印加することにより、基板１上に薄膜を形成する。例文帳に追加

The thin film is formed on the substrate 1 by putting a chip 3 on a target 2, and applying a voltage between the target 2 and the substrate 1. - 特許庁

高純度金属の製造方法、高純度金属、同高純度金属からなるスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットにより形成した薄膜例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING HIGH-PURITY METAL, HIGH-PURITY METAL, SPUTTERING TARGET CONSISTING OF THIS HIGH-PURITY METAL AND THIN FILM FORMED BY THIS SPUTTERING TARGET - 特許庁

薄膜形成に用いられるスパッタリングにおいて、ターゲット及びバッキングプレート部とターゲット押さえとの間での異常放電を防止することを目的としている。例文帳に追加

To prevent any abnormal discharge between a target and a backing plate part and a target holder in the sputtering used for the forming of a thin film. - 特許庁

合金作製にあたっての製造容易さ、スパッタリングターゲットとして使用する場合のスパッタリング工程における安定性、簡易性を向上させた薄膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target material for forming a thin film, which improves manufacturing easiness in a step of manufacturing an alloy, and stability and simplicity in a sputtering step when using it for a sputtering target. - 特許庁

密度が高く、かつ、比抵抗の低い透明導電性薄膜形成用錫−アンチモン酸化物焼結体ターゲット、及びこのターゲットの製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a target of a tin - antimony oxide sintered compact for forming a transparent conductive thin film, with high density and low resistivity, and provide a method for manufacturing such a target. - 特許庁

これによれば、反応性ガスが金属ターゲットに移動するのを最小化して金属ターゲットの酸化を防止できるため、基板上に金属酸化物薄膜を高速で蒸着できる。例文帳に追加

Thus, a metal oxide thin film can be deposited at high speed on the substrate since the oxidation of the metallic target is prevented by minimizing the movement of a reactive gas to the metallic target. - 特許庁

安価な金属ターゲット材を使用できるとともに、ターゲット材の利用効率も大幅に改善することにより低コストで酸化物透明導電膜を形成しうる薄膜作製方法及びその装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for making thin film capable of using an inexpensive metalic target material and forming oxide transparent conductive film at low cost by improving utility efficiency of the target materials. - 特許庁

３価のＦｅと、Ｌｉと、ＰＯ_４と、を少なくとも含む組成のターゲットを用い、希ガス（例えばアルゴン）等のイオンでターゲットをスパッタリングすることにより、３価のＦｅを含むリン酸鉄リチウムの薄膜を得る。例文帳に追加

The target having the composition contains at least trivalent Fe, Li, and PO_4 is used, and the target is sputtered by an ion such as a rare gas (for example an argon gas), thereby obtaining a thin film of iron lithium phosphate containing trivalent Fe. - 特許庁

３つ以上のターゲットを同時にスパッタ可能とするのみならず、任意の１つのターゲットのみをスパッタして所望の薄膜を形成することが可能なスパッタ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering system in which sputtering is carried out not only on 3 targets or more simultaneously but on an optional one target to form a prescribed thin film. - 特許庁

ノズル７からガスを吹き付けることにより基板５を回転させながらターゲット１〜４のいずれか１つに電力を投入することにより、当該ターゲット材料の薄膜が基板５上に成膜される。例文帳に追加

A thin film formed of a material of the targets is formed on the substrate 5 by charging the power to either one of the targets 1-4 while rotating the substrate 5 by blowing a gas from a nozzle 7. - 特許庁

ＬＳＩなどの半導体装置における配線となる薄膜をメッキにより形成する際の下地層となるシード層形成用スパッタリングターゲットおよびそのターゲットを用いて形成したシード層に関するものである。例文帳に追加

To provide a sputtering target for forming a seed layer becoming an underlying layer when a thin film becoming an interconnect line in a semiconductor device, e.g. an LSI, is formed by plating, and to provide a seed layer formed by using that target. - 特許庁

ＴｉＯ_２薄膜を被覆するＤＣスパッタ蒸着用ターゲットにおいて、ＴｉＯ_２とＴｉを混合した構成からなり、溶射法で形成されたＤＣスパッタ蒸着用ターゲットとする。例文帳に追加

The target for DC sputter deposition for TiO_2 thin film coating is constituted of a mixture of TiO_2 and Ti and formed by a thermal spraying process. - 特許庁

前記透明薄膜形成用材料は、成膜用ターゲットであり、気孔率が理論密度比で５％以下のスパッタリングターゲットであり、体積抵抗が１０^−２Ω・ｃｍ以下である。例文帳に追加

The material for forming the transparent thin film produced from the composite oxide sintered compact is a target for forming a film, is a sputtering target having a porosity of 5% or less in a theoretical density ratio and has a volume resistance of 10^-2 Ω cm or less. - 特許庁

基材２の表面がターゲット材１の表面に対して角度をなすように基材２とターゲット材１との位置を決定して、基材２表面上に単結晶性薄膜を形成する。例文帳に追加

Further, the positions of the substrate 2 and the target material 1 are determined so that the surface of the substrate 2 forms an angle with respect to the surface of the target material 1, and then the single crystalline thin film is deposited on the surface of the substrate 2. - 特許庁

２台のこのような対向ターゲット式スパッタ装置１０ａ、１０ｂを用い、基板１３０の両面に異なる材料のターゲット１２１ａ、１２１ｂから薄膜を交互に形成する。例文帳に追加

The method also comprises employing two such facing target-type sputtering apparatuses 10a and 10b, and alternately forming the thin films on both sides of the substrates 130 from the targets 121a and 121b made of different materials. - 特許庁

焼結密度の高い焼結体ターゲットを提供し、この焼結体ターゲットを利用することによって、誘電体薄膜のリーク電流量の低減や高耐圧化を図る。例文帳に追加

To provide a sintered compact target which has a high sintered density, so as to reduce the amount of leak current of a dielectric thin film and improve the resistance to pressure of the thin film by utilizing the sintered compact target. - 特許庁

アークイオンプレーティング等により形成した薄膜にターゲット成分からなるドロップレットが形成しにくいＴｉ−Ａｌ系合金ターゲット及びその粉末冶金法による製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Ti-Al-based alloy target with which droplets composed of target components are hard to be formed on a thin film formed by arc ion plating or the like, and to provide its production method by a powder metallurgical process. - 特許庁

マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、異常放電が発生し難く、良好な薄膜形成ができるようにする。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering system where the outer circumferential edge part of a target can be uniformly eroded, the utilizing efficiency of the target is high, further, abnormal discharge is hard to be generated, and satisfactory thin film deposition can be performed. - 特許庁

基板とターゲットの間隔が変化しても、磁場状態の変化を従来に比べて抑制することができるとともに、基板とターゲットの間隔を精度よく設定できる薄膜形成装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a thin film deposition apparatus which can suppress a change in the state of the magnetic field more even when the space between a substrate and a target is changed, and can highly accurately set the space between the substrate and the target. - 特許庁

また、いずれか２以上の複数のターゲットに同時に電力を投入することにより、各ターゲット材料が複合された複合組成の薄膜が基板５上に成膜される。例文帳に追加

A thin film of the composite composition in which the respective target materials are complicated, is formed by simultaneously charging the power to a plurality of, at least two targets. - 特許庁

薄膜形成装置は、真空槽２１中に、ターゲット２２、基板２３、基板２３の外周を取り囲むマスク３７及びターゲット２２上に磁界を形成するための磁気回路ユニット２６を備えている。例文帳に追加

As to this thin film deposition system, in a vacuum tank 21, a target 22, a substrate 23, a mask 37 surrounding the outer circumference of the substrate 23 and a magnet circuit unit 26 for forming the magnetic field on the target 22 are provided. - 特許庁

この状態で、ドラムの周囲に配設されたターゲットの電源を時間制御でオンして、スパッタによりターゲットの粒子を基板に付着させることにより、複数の薄膜を基板に積み重ねて層を形成する。例文帳に追加

In such a state, the power source of a target arranged around the drum is turned on by time control, and the particles of the target are stuck to the one or more substrates by sputtering, thus a plurality of thin films are laminated on the substrates, so as to form layers. - 特許庁

ターゲット使用開始時から消費しきるまで成膜条件を変更することなく、合金ターゲットの組成と同じ組成（組成の変化率３％以内）の合金薄膜を基体に形成させることを可能にする。例文帳に追加

To form an alloy thin film having the same composition (the fluctuation degree of the composition is within 3%) as that of an alloy target on a base body without changing film deposition conditions until the target is completely used after the start of use of the target. - 特許庁

ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering electrode with which the efficiency of utilizing a target is enhanced, the life of the target is prolonged, and further, a prescribed thin film having a uniform film thickness can be formed onto a substrate to be processed having a prescribed surface area. - 特許庁

薄膜形成用チタンシリサイドターゲットにおいて、ターゲット組成がＴｉＳｉ_x（ここでｘ＝2.0〜2.7）と表され、ターゲット中のＷ含有量が50ppm未満であり、かつＷ化合物の析出物を含まないことを特徴とするチタンシリサイドターゲットによって、パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜をスパッタリングによって得る。例文帳に追加

By the titanium silicide target for thin film deposition having a target composition expressed by TiSi_x (wherein, x=2.0 to 2.7), having a W content of <50 ppm, and also comprising no precipitates of W compounds, a TiSi_x film having reduced generation of particles is obtained by sputtering. - 特許庁

シリコンを主成分とするメインターゲット１ｍ上に該ターゲットと同様にシリコンを主成分とし、かつ面積が該メインターゲットより小さいサブターゲット１ｓを複数個配置したスパッタリングカソードをマグネトロン放電させ、かつ基板ホルダ７に載置した基板８に薄膜を形成することで解決できる。例文帳に追加

A sputtering cathode on which multiple sub-targets 1s, mainly composed of silicon similarly to a main target 1m mainly composed of silicon and having an area smaller than that of the main target, are arranged is subjected to magnetron discharge, and a thin film is formed on a substrate 8 mounted on a substrate holder 7. - 特許庁

スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。例文帳に追加

In a sputtering apparatus, the target 3 is arranged in a vacuum chamber 1, gas is fed into the vacuum chamber 1 to form a lean gas atmosphere, the lean gas is ionized, ionized charged particles are collided with the target 3, and thus, the particles generated from the target 3 are deposited on the substrate 5 opposing the target 3 to deposit a thin film. - 特許庁

スパッタリングとは、真空中に不活性ガス（主にアルゴンガス）を導入しながら基板とターゲット（成膜させる物質で金属や酸化物等）間に高電圧をかけ、イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、ターゲット表面の原子をはじき飛ばして基板にターゲットと同物質の薄膜を得る方法。例文帳に追加

Sputtering is a method wherein high voltage is applied to the gap applied between substrate and target while introducing inert gas into a vacuum, and bombarding the target with a beam of ionized inert gas to eject atoms from the target surface to form a thin layer of the same substance on the substrate. - 厚生労働省