「薄膜ターゲット」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

各成膜源２１〜２３は電極３１〜３６と、ターゲット４１〜４６とを２個ずつ有しており、電極には１０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下の周波数で交互に負の電位がかかるようになっているので、絶縁性薄膜を成膜する場合であっても、ターゲット４１〜４６表面に電荷集積が起こらずスパッタ効率が高い。例文帳に追加

Each film deposition source 21 to 23 has electrodes 31 to 36 and targets 41 to 46 two by two, respectively, and negative potentials are alternatively applied to the electrodes at the frequency of 10 to 100 kHz, so that, electric charges do not accumulate on the surfaces of the targets 41 to 46 even when insulating thin films are deposited, and sputter efficiency is high. - 特許庁

ポリマーをターゲットとして使用するパルスレーザーデポジション法によって基板上にダイヤモンド様炭素薄膜を形成する方法において、分子内にベンゼン環を有する線状構造ポリマーをターゲットとして使用し、これにパルス幅が５０ｎｓ以下の紫外光パルスレーザーを照射することを特徴とするダイヤモンド様炭素皮膜の形成方法。例文帳に追加

The method for forming the thin film of diamond-like carbon on the substrate by a pulsed laser deposition method using the polymer as a target, is characterized by employing a linear structured polymer having a benzene ring in the molecule as a target, and irradiating the target with an ultraviolet-light pulsed laser having a pulse width of 50 ns or less. - 特許庁

電子デバイスに要求される低い電気抵抗と、耐熱性、耐食性、そして基板への密着性を兼ね備えたＡｇ合金膜を安定的かつ大面積のＦＰＤ基板に均一に形成するための薄膜形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット材およびそのＡｇ合金スパッタリングターゲット材で形成するＡｇ合金膜を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering target material made of an Ag alloy, for stably and uniformly forming an Ag alloy thin film having all of low electrical resistance, heat resistance, corrosion resistance and adhesiveness to a substrate on a FPD (flat panel display) substrate having a large area, which are required in electronic devices, and to provide the Ag alloy film formed by using the sputtering target material of the Ag alloy. - 特許庁

本発明によって、真空チャンバー内においてターゲット物質にイオン照射を行い該ターゲット物質の構成物質を基板に堆積させて薄膜作製を行う成膜法であって、イオン照射とイオン非照射とからなる断続的なイオン照射の第１の動作周期の１周期内に少なくとも１秒以上の非照射時間を設ける、ことを特徴とする成膜方法が提供される。例文帳に追加

In the deposition method performing thin-film formation by irradiating a target material with ions in a vacuum chamber to deposit the constitution material of the target material on a substrate, at least one or more seconds of non-irradiation time is set within one period of a first operation period of intermittent ion irradiation consisting of ion irradiation and ion non-irradiation. - 特許庁

薄膜形成装置１を、ターゲット２と基板３との間にエロージョン領域７ａ，７ｂを発生させるマグネット４をターゲット２の平面方向に移動する際に、エロージョン領域７ａ，７ｂに対応する基板３上の領域が開口された開口部５ａ，５ｂを有するマスク５がマグネット４と共に移動するように構成する。例文帳に追加

The thin film deposition system 1 is so constituted that a mask 5 having apertures 5a and 5b opened with the regions on the substrate 3 corresponding to erosion regions 7a and 7b moves together with a magnet 4 for generating the erosion regions 7a between a target 2 and the substrate 3 when the magnet 4 moves to the plane direction of the target 2. - 特許庁

多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット１４を有し、ターゲット１４の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置１を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。例文帳に追加

The production method of the multilayer films comprises forming the multilayer films laminated with the layers varying in at least one among constitution elements, compositions, and crystal structures by using a magnetron sputtering apparatus 1 which has a target 14 composed of thin film raw materials as base materials and performs sputtering by concentrating a plasma by the effect of a magnetic field near to the surface of the target 14. - 特許庁

スパッタリング装置１は、真空チャンバー２内に、表面に薄膜が形成される基板７を保持する基板取り付けホルダー６と、基板取り付けホルダー６に対向する位置に設置されたターゲット３と、基板取り付けホルダー６とターゲット３との間に配置された膜厚補正板９とを有している。例文帳に追加

Sputtering equipment 1 has, in a vacuum chamber 2, a substrate- fixing holder 6 for holding a substrate 7 where a thin film is to be formed on the surface, a target 3 set in a position opposite to the substrate-fixing holder 6, and a film thickness correcting plate 9 disposed between the substrate- fixing holder 6 and the target 3. - 特許庁

スパッタリングにより２つのターゲットを用いて基板上に光学薄膜を形成する光学製品の製造方法であって、前記スパッタリング用の２つのターゲットが、Ｓｉおよび、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒ、ＨｆおよびＭｏから選ばれた少なくとも一種の遷移金属とＳｉからなる混合固溶体である。例文帳に追加

In the method for producing an optical product where an optical thin film is formed on a substrate using two targets by sputtering, the two targets for the sputtering are each composed of Si, and a mixed solid solution composed of at least one transition metal selected from Ti, Nb, Ta, Zr, Hf and Mo, and Si. - 特許庁

本発明は、金属ターゲットと反応性ガスとによるリアクティブスパッタリングを行うに際し、ターゲットの使用時間と共に金属フッ化物薄膜のフッ素含有量が化学量論組成から乖離することに起因して光学特性がばらつくことがない金属フッ化物光学素子及びその製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a metal fluoride optical element, at the time when reactive sputtering is performed with a metal target and reactive gas, free from variation in optical properties caused by the phenomenon that the content of fluorine in a metal fluoride thin film deviates from a stoichiometric composition in accordance with the using time of the target, to provide its production method, and to provide a production device therefor. - 特許庁

ＭｇＦ_２等の金属フッ化物をターゲットとしスパッタリング法で成膜するにあたり、光吸収がなくかつ十分な機械的強度を有する薄膜を、ターゲット材料を繰り返し使用することによりエロージョン形状が変化しても、膜厚再現性良く作製可能にする成膜方法および成膜装置を提供する。例文帳に追加

To provide a film deposition method and a film deposition system where, when a metal fluoride such as MgF_2 is used as a target, and film deposition is performed by a sputtering process, a thin film free from light absorption and also having sufficient mechanical strength can be produced with high film thickness reproducibility even if an erosion shape is changed by the repeated use of a target material. - 特許庁

ターゲットとサセプタとの間の電界に対して交差する磁界を印加するマグネットをターゲットと平行な方向に往復移動させつつスパッタリングを行いサセプタ上に載置した基板に薄膜を形成する際に、基板の両端部と中央部とに関わらず膜厚均一性を高くする。例文帳に追加

To increase the thickness uniformity of a thin film independently of its position, whether it is on the both ends or on the central part of a substrate in performing sputtering while allowing a magnet for applying a magnetic field which intersects an electric field between a target and a susceptor to perform a reciprocating motion in a direction parallel to the target to deposit a thin film onto the substrate placed on the susceptor. - 特許庁

Ｃｏ系金属磁性相と金属酸化物非磁性相よりなるスパッタリングターゲット材において、該非磁性相が融点１４００℃以下の金属酸化物からなり、かつ、相対密度が９７％以上であることを特徴とする低融点金属酸化物を含むＣｏ系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材またはその製造方法。例文帳に追加

The high density target material for producing a Co based magnetic thin film comprising a low melting point metal oxide and the production method are characterized in that, in a sputtering target material composed of a Co based metal magnetic phase and a metal oxide nonmagnetic phase, the nonmagnetic phase is composed of a metal oxide having a melting point of ≤1,400°C, and also, relative density is ≥97%. - 特許庁

配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。例文帳に追加

A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas. - 特許庁

本発明の長尺の薄膜線材の製造方法は、ターゲット３とテープ状基材１との間に複数のテープ材２を組合せて配置し、複数のテープ材２の組合せにより構成される粒子通過口２ａを通じてターゲット３から発生させた粒子の一部を選択的にテープ状基材１に堆積させることを特徴とする。例文帳に追加

In the method of producing a long-length thin film wire rod, a plurality of tape materials 2 are combinedly arranged on the space between a target 3 and a tapelike base material 1, and a part of particles produced from the target 3 through a particle passing port 2a composed by the combination of the plurality of tape materials 2 is selectively deposited on the tapelike base material 1. - 特許庁

金属材料からなる保持部の上にガリウムあるいはガリウムを含む材料が配置されてなるターゲット構造であって、前記ガリウムあるいはガリウムを含む材料との界面にあたる前記保持部の表面上に、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料との接触角が３０°以下である薄膜が形成されていることを特徴とするターゲット構造。例文帳に追加

The target structure constituted by arranging the gallium or gallium-containing material on the holding section of a metal material is characterized in that a thin film having a contact angle of not more than 30° to the gallium or gallium-containing material in a molten state is formed on the surface of the holding section corresponding to the interface with the gallium or gallium-containing material. - 特許庁

基板上にＭｏ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、その組成が、ＶとＮｂから選ばれる１種以上を合計で２〜５０原子％含有し、残部Ｍｏおよび不可避的不純物からなり、相対密度が９５％以上、好ましくは、抗折力が３００ＭＰａ以上である薄膜形成用スパッタリングターゲットである。例文帳に追加

The sputtering target for forming the thin film of a Mo alloy on the substrate has a composition comprising 2-50 atom.% of one or two selected from V and Nb, and the balance Mo with unavoidable impurities, has relative density of 95% or higher, and preferably has deflection strength of 300 MPa or higher. - 特許庁

プラスチックフィルムよりなる基体１上に、少なくともコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなる磁性層３とが形成された構成を有し、コバルト含有マグヘマイト薄膜は、対向ターゲット式スパッタ法により形成されたコバルト含有マグネタイト薄膜を酸化処理することによって形成された磁気記録媒体１０を提供する。例文帳に追加

In the magnetic recording medium 10, the magnetic layer 3 made of a maghemite thin film at least containing cobalt is formed on the substrate 1 made of plastic film; and the maghemite thin film containing cobalt is formed by subjecting the maghemite thin film containing cobalt formed by a facing target sputtering method to oxidation treatment. - 特許庁

２成分系分解性窒化物セラミックスあるいは窒化物半導体のパルスレーザー蒸着において、ターゲットの化学量論比に近い薄膜を形成させることができ、且つ、生成膜への不純物混入を極力抑えることができる、アブレーション放出イオンを用いた良質の窒化物薄膜を作製する方法および作製装置並びに窒化物薄膜を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for producing a nitride thin film for producing a high-quality nitride thin film using ablation released ions, by which a thin film close to the stoichiometric ratio of a target can be formed in pulse laser vapor deposition of a two-component decomposable nitride ceramic material or a nitride semiconductor, and intrusion of impurities into a produced film can be suppressed as far as possible, and to provide the nitride thin film. - 特許庁

本発明のフッ化物薄膜の形成方法は、金属ターゲットを用い、少なくともフッ素を含むガスで反応性スパッタを行うことにより、基板上に金属フッ化薄膜を形成する薄膜形成方法において、フッ素を含むガスのイオン化エネルギー以下で電子を該フッ素を含むガスに照射することにより該フッ素を含むガスを活性化して導入しスパッタを行うことを特徴とする。例文帳に追加

The fluoride thin film depositing method is characterized in that gas containing fluorine is activated and introduced to perform sputtering by irradiating electrons on the gas containing fluorine at the energy below the ionization energy of the gas containing fluorine in a thin film depositing method to deposit a metal fluoride thin film on a substrate by performing the reactive sputtering with the gas containing at least fluorine by using a metal target. - 特許庁

籠状分子集合体の結晶構造を有するクラスレート化合物薄膜を基板１６上に製造する方法であって、ターゲット２０をヘリコン励起スパッタ法によりスパッタし、基板１６上に前記クラスレート化合物薄膜を形成することを特徴とするクラスレート化合物薄膜の製造方法。例文帳に追加

In the clathrate compound thin film manufacturing method for manufacturing a clathrate compound thin film having a crystalline structure of a basket-shaped molecular aggregate on a substrate 16, a target 20 is sputtered by a helicon excitation sputtering method, and the clathrate compound thin film is deposited on the substrate 16. - 特許庁

酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成し、前記薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させたことを特徴とする酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜である。例文帳に追加

The oxide phosphor epitaxial film is obtained by forming a film on a substrate at a temperature of 600-800°C by epitaxial growth using an oxide phosphor material as a target material by the pulse laser accumulation method and subjecting the film thus formed to heat treatment in oxygen or in the air at 900-1,200°C to improve fluorescence properties. - 特許庁

原料ガスには、メタン、エチレン、アセチレンなどの直鎖炭化水素ガスを用いることで、炭素原子ビームを発生させ、シリコン基板などの固体ターゲット表面に共有結合によりダイヤモンドライクカーボン薄膜を形成する。例文帳に追加

By using normal chain hydrocarbon gas such as methane, ethylene and acetylene, a carbon atom beam is generated, and a diamond-like carbon film is formed on the surface of a solid target such as a silicon substrate by a covalent bond. - 特許庁

本発明の配線形成用材料，スパッタリングターゲット及び配線薄膜はクロム，タングステン，コバルト，ロジウム，イリジウム，ニッケル，パラジウム及び白金から選ばれる少なくとも１種の元素を０．１〜２０重量％含有し、残部モリブデン及び不可避不純物よりなることを特徴とする。例文帳に追加

The material for forming wiring, sputtering target and wiring thin film have a composition containing 0.1 to 20 wt.% of at least one kind of element selected from chromium, tungsten, cobalt, rhodium, iridium, nickel, palladium and platinum, and the balance molybdenum with inevitable impurities. - 特許庁

ヒロックおよびボイドなどの熱欠陥の発生がなくかつ表面状態の良好な銅合金薄膜からなるＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにそれらを形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide flat panel display wiring and electrode using a TFT transistor including a copper alloy thin film that scarcely generates thermal defects such as hillock and voids and is excellent in a surface state and a sputtering target for forming them. - 特許庁

この抵抗体は、酸化亜鉛に対し酸化インジウムを５ｗｔ％〜１５ｗｔ％混合させたスパッタリングターゲットを用い、アルゴンガスに対し窒素が３０％以上含まれる雰囲気中でスパッタリングを行なうことにより基板に薄膜を堆積させることにより作製できる。例文帳に追加

A sputtering target obtained, by mixing indium oxide of 5 to 15 wt% with zinc oxide is used for manufacturing the resistor, and a thin film is deposited on a substrate, by performing sputtering in atmosphere containing nitrogen of 30% or higher to argon gas. - 特許庁

このとき、熱触媒体５を加熱し、真空容器１中に、不活性ガスと共に、水素ガス，酸素ガス，窒素ガスのうち少なくとも一種のガスを導入して、ターゲット４に含まれる金属を含む薄膜を前記基板１０上に堆積させる。例文帳に追加

At this time, the thermal catalyst body 5 is heated and at least one kind of gases among gaseous hydrogen, gaseous oxygen and gaseous nitrogen are introduced together with inter gas into the vacuum vessel 1 and the thin films containing the metals included in the target 4 are deposited on the substrate 10. - 特許庁

ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子薄膜製造方法。例文帳に追加

The method of producing a polyperinaphthalene-based polymer thin film comprises chemical vapor deposition of polyperinaphthalene or a polyperinaphthalene derivative on the substrate surface by a laser ablation method using a perylene derivative as a raw material target and applying an extra short pulsed laser. - 特許庁

活性水素に化学的に敏感な化合物半導体表面に、固体炭素をターゲット１６とし、反応室６において、不活性ガス雰囲気下で行うスパッタ法により炭素あるいは炭素を主成分とした炭素系薄膜を形成する。例文帳に追加

Solid-state carbon is made a target 16, and carbon or the carbon thin film which is mainly constituted of carbon is formed on the surface of the compound semiconductor which is chemically sensitive to active hydrogen by a sputtering method performed in an inert gas atmosphere in a reaction chamber 6. - 特許庁

基板ホルダ２１によって基板Ｗを回転させつつ第１及び第２ターゲットユニット３３，３４からの成膜物質を基板Ｗ上に交互に堆積することにより、基板Ｗ上に異なる成分の薄膜層が交互に積層されて多層膜が完成する。例文帳に追加

Thin film layers of different compositions are alternately laminated on a substrate W to complete a multilayer film by alternately depositing film deposition substances from first and second target units 33, 34 on the substrate W while rotating the substrate W by a substrate holder 21. - 特許庁

低抵抗で、かつドライエッチングにおいてもテーパー加工が良好に施すことが可能となる配線形成用材料、配線形成用スパッタリングターゲット、配線薄膜、さらには信頼性の高い電子部品を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a material for forming wiring, a sputtering target for forming wiring and a wiring thin film which have low resistance, and can satisfactorily be subjected to taper working even in dry etching, and electronic parts which have high reliability. - 特許庁

スパッタリング法により膜欠点が少なく、かつ光学吸収の小さい高屈折率光学薄膜を形成することを目的としてＴｉＯxとＮｂＯxとを含有する酸化物焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a target for sputtering composed of an oxide sintered compact comprising TiOx and NbOx for the purpose of depositing a high refractive index optical thin film having reduced film defects and also having reduced optical absorption by a sputtering process. - 特許庁

半導体装置において、素子を構成する材料の高純度化と均質性によって回路の微小化を可能とするための、高純度バナジウム、高純度バナジウムからなるターゲット、高純度バナジウム薄膜、及びそれらの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a high purity vanadium, a target composed of the high purity vanadium, the high purity vanadium thin film which enable a circuit to be made fine by achieving high purity and homogenization of materials constituting elements in a semiconductor device, and to provide methods of producing these materials. - 特許庁

配線抵抗が小さく、エレクトロマイグレーション耐性や耐酸化性に優れ、さらには膜組成均質性と膜厚均質性に優れた配線膜を形成することが可能であるような高純度銅合金スパッタリングターゲットと薄膜形成装置部品を提供する。例文帳に追加

To provide a highly pure copper alloy sputtering target capable of forming a wiring film which has small wiring resistance, resistances to electro- migration and oxidation and excellent film compositional uniformity and film thickness uniformity, and to provide parts used in an apparatus for forming the thin film. - 特許庁

任意の固体材料に関して、液体化した材料の蒸発による成分および固体ターゲットアブレーションにおける微粒子の発生を抑えることにより、良好な膜質の薄膜を形成することができるレーザアブレーション成膜装置の提供。例文帳に追加

To provide a laser ablation film deposition apparatus capable of forming a thin film with a good film quality, by suppressing evaporation of a liquefied material when using an arbitrary solid material and suppressing production of particulates in solid target ablation. - 特許庁

陰極アーク放電によりターゲットから発生したプラズマビームＰＢを基板４１上に照射して薄膜を成膜する際に、基板面の法線をプラズマビームＰＢのビーム方向に対して角度αだけ傾けるようにした。例文帳に追加

When irradiating a substrate 41 with a plasma beam PB generated from a target by cathode arc discharge to deposit a thin film, the normal to the substrate surface is tilted by an angle α relatively to the beam direction of the plasma beam PB. - 特許庁

多孔質のセラミック固体電解質層表面にプロトン導電性膜を形成する結晶性の酸化物のターゲットからパルスレーザアブレーション堆積法（ＰＬＤ）により膜厚方向に高いイオン導電性を示す電気伝導度に高い違法性を示す配向性薄膜を形成する方法。例文帳に追加

In the method, an oriented thin film exhibiting high anisotropy in electric conductivity that high ion conductivity is shown in a film thickness direction is deposited on the surface of a porous ceramic solid electrolyte layer from a crystalline oxide target depositing a proton conductive film by a pulsed laser ablation deposition method (PLD). - 特許庁

本発明は、薄膜均一性及び高い生産性を維持しつつ低温での成膜を可能とし、さらにはターゲットの使用開始から寿命に至るまで、優れた膜厚均一性を継続できるマグネトロンスパッタリング装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a magnetron sputtering equipment which can form film at a low temperature while keeping thin film uniformity and high productivity, and can maintain superior film thickness uniformity from the beginning to the end of using the target. - 特許庁

回転するディスク基板１１とスパッタターゲット２５との間に、ディスク基板に形成しようとする薄膜の膜厚分布に基づいてその形状が形成された遮蔽部材５０Ａを配置した状態で、ディスク基板１１の記録領域１０ａに対するスパッタリングを行う。例文帳に追加

A recording region 10a of a disk substrate 11 is sputtered while a shielding member 50A whose shape is formed based on film thickness distribution of the thin film to be formed on the disk substrate is disposed between the disk substrate 11 which is rotated and a sputtering target 25. - 特許庁

本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。例文帳に追加

To provide a laser vapor deposition device capable of reducing a film-forming cost by lessening futile use of a target when performing laser deposition and capable of making the heat distribution of deposition area even and forming a thin film having stable film quality. - 特許庁

低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属配線薄膜の形成に有用であり、さらにスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができる、Ｃｕ含有Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製法を提供する。例文帳に追加

To provide a Cu-containing, Al-based alloy sputtering target which is favorable for forming a metal wiring thin film having excellent low wiring resistance and hillock resistance, and capable of suppressing occurrence of splash during the sputtering, and a method for manufacturing the same. - 特許庁

スパッタリング装置において、ターゲットから基板上に飛来するスパッタ粒子に対して基板面を基準にした時の斜め方向から飛来するスパッタ粒子を低減させることにより、基板上に良好な膜質の薄膜を形成することができるスパッタリング装置を提供する。例文帳に追加

To provide a sputtering apparatus capable of depositing a thin film of the excellent film quality on a substrate by reducing the number of sputtering particles flying in the diagonal direction with a substrate surface being a reference with respect to the sputtering particles flying onto the substrate from targets. - 特許庁

搬送中の長尺基材表面に薄膜を生成する反応性スパッタリング装置において、ターゲット汚れを抑制し、成膜速度や膜質の均一性を長時間保てる反応性スパッタリング装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reactive sputtering device which can maintain the uniformity of a film-forming speed and film quality by suppressing the contamination of a target, in the reactive sputtering device which forms a thin film on the surface of a long-length base material during transportation, and a method. - 特許庁

本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成するために用いられる化合物の生成を抑制したＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a CrTi-based alloy and a sputtering target material having suppressed generation of a compound used to form a thin film by sputtering, and a method for producing a perpendicular magnetic recording medium using the same. - 特許庁

薄膜で耐圧特性の優れる透明絶縁膜の製造方法、及び該透明絶縁膜の製造方法により製造される透明絶縁膜を提供し、また前記透明絶縁膜の製造方法に用いられるスパッタリングターゲットを提供する。例文帳に追加

To provide a production method of a transparent insulation film which is thin and has excellent voltage resistance property, and to provide the transparent insulation film produced by the same, and a sputtering target which is used in the production method of the transparent insulation film. - 特許庁

基材に対して７５°以下の角度でスパッタ粒子が入射するように傾斜させてターゲットを配置したマグネトロンスパッタリング装置を用いて、１００℃以下の基材温度でスパッタリングすることを特徴とする金属酸化物薄膜の形成方法。例文帳に追加

The method for forming the metal oxide thin film is characterized by sputtering at a base material temperature of 100°C or less with a magnetron sputtering apparatus in which a target is arranged aslant so that sputtered particles can be launched in an angle of 75 degree or less against the base material. - 特許庁