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閾値電流の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1040件
発振効率を高め、閾値電流を低減することが可能な窒化物半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加
To provide a nitride semiconductor laser diode which can raise oscillation efficiency and reduce threshold current. - 特許庁
コンパレータ80は、加算回路70の出力と所定の閾値電圧とを比較することにより過電流の発生をモニタする。例文帳に追加
A comparator 80 monitors the generation of an eddy current by comparing the output of the addition circuit 70 with specified threshold voltage. - 特許庁
レーザ発振効率を高め、閾値電流を低減することが可能な半導体レーザダイオードを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser diode that can improve laser oscillation efficiency and reduce a threshold current. - 特許庁
レギュレーション回路電流リミット閾値は、半導体スイッチがオンの時間の間第1レベルから第2レベルに変化する。例文帳に追加
The regulation circuit current limit threshold is varied from a first level to a second level during the time when the semiconductor switch is on. - 特許庁
高いスロープ効率を有し、低消費電力(低閾値電流)動作が可能な半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser element having a higher slope efficiency for enabling low power consumption (low threshold current) operation. - 特許庁
半導体レーザ100は、パルス発光間の期間において、レーザ発振閾値以下の電流にて自然放出光を発光する。例文帳に追加
A semiconductor laser 100 emits spontaneous emission light of a laser oscillation threshold value or less during the period of pulse emission. - 特許庁
動作電圧の増加を抑制しつつ閾値電流を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。例文帳に追加
To provide a gallium nitride-based semiconductor light-emitting device capable of reducing threshold current while suppressing an increase in an operating voltage. - 特許庁
制御装置は、過電流が発生したと判断すると(ステップS1;YES)、インバータ電圧Vhを、過電圧閾値Vth以下に制限する。例文帳に追加
The control device limits an inverter voltage Vh at equal to or smaller than an overcurrent threshold value Vth, if it decides that an overcurrent has occurred (step S1:YES). - 特許庁
トランジスタの動作時に半導体基板から制御ゲート電極に抜けるリーク電流を低減して閾値のばらつきを低減させる例文帳に追加
To reduce variation in threshold by reducing a leak current flowing from a semiconductor substrate to a control gate electrode during operation of a transistor. - 特許庁
レーザ発振の閾値電流が低く、発光効率の大きいリッジ型分布帰還半導体レーザを提供する。例文帳に追加
To provide a ridge-type distribution feedback semiconductor laser with low threshold current of laser oscillation and large light emission efficiency. - 特許庁
各メモリセルにおける書き込み電流閾値の温度依存性のばらつきに対応することが可能な半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor integrated circuit apparatus which is adaptable to dispersion in temperature dependency of a write current threshold value in each memory cell. - 特許庁
入力電圧Vinが閾値を越えると、トランジスタM1、M2をオフ状態に制御して電流を減少させた後、リレーをオフする。例文帳に追加
When an input voltage Vin exceeds a threshold, the current is reduced by turning the transistors M1 and M2 off and then the relay is turned off. - 特許庁
閾値電圧のロールオフを抑制しつつ飽和ドレイン電流の最大化を図るCMOS半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a CMOS semiconductor device that maximizes saturation drain current, while restraining roll-off in threshold voltage. - 特許庁
各画素の閾値電圧の変動及び各画素の電流増幅率のばらつきによる表示画質の低下を抑制する。例文帳に追加
To suppress degradation of display quality due to variation in threshold voltage of respective pixels and variation in current amplification factor of the pixels. - 特許庁
電子ユニットはこの電圧信号を評価し、負荷電流閾値を超えた場合に、継電器がターンオフされる。例文帳に追加
An electronic unit evaluates this voltage signal and when the voltage signal exceeds the load current threshold value, the relay is turned off. - 特許庁
発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することである。例文帳に追加
To provide a nitride semiconductor light-emitting element improving light-emitting efficiency and having low threshold current density. - 特許庁
次に、サージ電流が流れた回数、すなわちサージ発生回数Nと、交換時期判定閾値Ncとを比較する(ステップS104)。例文帳に追加
Subsequently, the number of times the surge current has flowed, namely a surge occurrence number N, and a replacement time judging threshold Nc are compared (step S104). - 特許庁
低い閾値電流を有し、信頼性が高く、単一横モード発振が可能な面発光レーザ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a highly reliable surface emission optical laser element having a low threshold current in which single transverse mode oscillation can be realized. - 特許庁
ブレーカ52は、商用電力系統61からブレーカに供給される電流が閾値を超えるとオフする。例文帳に追加
When a current supplied from a commercial power system 61 to a circuit breaker 52 exceeds a threshold value, the circuit breaker 52 is turned off. - 特許庁
また、井戸層の歪を1%よりも小さく且つ0.25%よりも大きい0.65%の圧縮歪として、閾値電流を低減する。例文帳に追加
The compressive strain of the well layer is set smaller than 1% but larger than 0.25% and equal to 0.65% so as to reduce a threshold current. - 特許庁
高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser capable of achieving a high-output single-mode oscillation at a low-threshold current with a simple configuration. - 特許庁
ジャンクションダウン方式でマウントを行なっても閾値電流I_thが大きくならない半導体発光装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor light emitting device in which a threshold current I_th does not increase even if mounting is performed by junction down system. - 特許庁
狭い遠視野像を得ることができると共に、閾値電流を十分に小さくできる半導体レーザを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser capable of obtaining a narrow far-field pattern and also sufficiently reducing a threshold current. - 特許庁
不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser element that can lower diffusion temperature of impurities and prevent a decrease in light emission efficiency and an increase in threshold current. - 特許庁
長波長領域で発振し、閾値電流が小さく高効率な半導体レーザ装置及びそれを用いた光通信装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser device which oscillates in the long wavelength region and provides a small threshold current with high efficiency, and also to provide an optical communication device using the laser device. - 特許庁
発光素子に駆動電流を供給するドライバー素子の閾値電圧のバラツキを効果的に補償する。例文帳に追加
To effectively compensate variations of a threshold voltage of a driver element for supplying a driving current to a light emitting element. - 特許庁
そして検出される電源電流I0が、この第2の閾値Ith2以上となった場合には、モータに対する印加電圧を低減すべく制御する。例文帳に追加
When the power current IO to be detected is the second threshold value Ith2 or more, control is performed to lower a voltage to be applied to the motor. - 特許庁
閾値電流を小さくするとともに、発光効率を向上することが可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser element capable of reducing a threshold current and also improving luminous efficiency, and to provide its manufacturing method. - 特許庁
各メモリセルにおける書込電流閾値のばらつきに対応でき、かつ、書込みマージンを確保することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which can cope with unevenness of write current thresholds in memory cells and secure write margins. - 特許庁
そのため、伝導帯の不連続性が大きくなり、レーザ構造(100)の閾値電流を増大させることなく、高温性能を向上させることができる。例文帳に追加
Therefore, discontinuity of the conduction band becomes large, and high-temperature performance is improved, without increasing the threshold current of the laser structure (100). - 特許庁
NDMOSは閾値電圧が負に設定されているので、ゲート電圧が0Vでもドレイン電流が流れて完全なオフ状態とはならない。例文帳に追加
Since a threshold voltage set negative is given to the NDMOSes, the NDMOSes are not completely turned off because of flowing of a drain current even when a gate voltage is 0V. - 特許庁
そして、その発生電圧V1 が閾値よりも上か否かに基づいて(S13)、第2面目の転写電流を設定している(S15,S17)。例文帳に追加
Then, a transfer current to the 2nd side is set (S15 and S17) based on whether or not the voltage V1 is higher than a threshold (S13). - 特許庁
素子寿命を延ばすことが出来、且つ、発振閾値電流を低減出来る信頼性に優れた酸化物半導体発光素子を提供する。例文帳に追加
To provide a highly reliable oxide semiconductor light emitting element that can be lengthened in life and can be reduced in oscillation threshold current. - 特許庁
リッジ形状のばらつきに起因するFFPや閾値電流のばらつきを低減することの可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor light emitting device capable of reducing dispersion of FFP and a threshold current caused by dispersion of a ridge shape. - 特許庁
ブレイクダウン電圧が高く、閾値電圧が安定で、かつゲート電極についての遷移電流が小さい電界効果トランジスタを提供すること。例文帳に追加
To provide a field effect transistor wherein a breakdown voltage is high, a threshold voltage is stable and a transition current for a gate electrode is small. - 特許庁
横方向に光閉じ込め増加により、発振閾値電流が小さい、放射光のアスベクト比は低い半導体レーザアレイを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser array, small in the threshold current of oscillation and low in the aspect ratio of radiation light by the increase of optical confinement in longitudinal direction. - 特許庁
発振閾値が低く、消費電力の少ない電流注入型半導体ファセットレーザを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor facet laser of a current injection type wherein oscillation threshold value is low and consumption power is small. - 特許庁
D−FETに適用可能で且つ閾値変動に対して耐性の高い定電流回路を実現すること。例文帳に追加
To realize a constant current circuit allowed to be applied to a D-FET and having high resistance against the variation of a threshold. - 特許庁
制御装置15は、カレント・トランス14に流れる電流が閾値を超えるときは、電気掃除機本体1全体の動作を停止する。例文帳に追加
When the current flowing the current transformer 14 exceeds a threshold, the control device 15 stops the whole operation of the electric blower body 1. - 特許庁
そして、その電流偏差が閾値を超える場合には、システムに何らかの異常が発生したものと判定する。例文帳に追加
If the current deviation exceeds the threshold value, a judgment is made that an abnormality occurs in the system. - 特許庁
高い移動度、大きな電流オン/オフ比を有し、さらに閾値電圧が改良された保存安定性に優れた有機トランジスタを提供する。例文帳に追加
To provide an organic transistor having high mobility and a large current on/off ratio, and further having an improved threshold voltage and excellent storage stability. - 特許庁
起動回路2は、入力電圧を検出し、入力電圧が検出閾値に達すると、電流制限回路3を起動する。例文帳に追加
The starting circuit 2 detects the input voltage, and starts the current limit circuit 3 when the input voltage reaches the detecting threshold. - 特許庁
活性層におけるInの偏析及びInの組成むらを抑制し、閾値電流密度が低い窒化物半導体発光装置を実現できるようにする。例文帳に追加
To provide a nitride semiconductor light-emitting device which suppresses segregation of In and composition unevenness of In in an active layer and has a low threshold current density. - 特許庁
閾値電圧が低く、かつ、ゲート絶縁膜のリーク電流を抑制可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device that has a low threshold voltage and is capable of suppressing a leakage current from a gate insulating film, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁
そして、被選択酸化層の厚さは30nmから40nmの範囲内であり、発振の閾値電流が最小となるときの温度は60℃以下である。例文帳に追加
The thickness of a selection object oxide layer is 30-40 nm, and the temperature when an oscillation threshold current is minimized is ≤60°C. - 特許庁
切替制御部46では、このノルムが閾値未満である場合に、電流フィードバック制御部20による制御に切り替える。例文帳に追加
A switch control part 46 switches control by the current feedback control part 20 when the norm is below a threshold. - 特許庁
▲2▼電流密度が抵抗上昇によりある閾値まで低下したならば、デュティの変更を行い負電圧の印加を開始する(図5(▲2▼))。例文帳に追加
[2] When the current density is lowered to the threshold value due to the increase of resistance, the duty is changed to start applying negative voltage (fig.5 (2)). - 特許庁
放熱性が良く、閾値電流が低く、静電容量が小さい構成の半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor laser element arranged to have an excellent heat dissipation properties, a low threshold current, and a capacitance. - 特許庁
ピーク検出回路111および比較器112は、受信電流における閾値以上のピークを検出する。例文帳に追加
A peak detecting circuit 111 and a comparator 112 detect a peak which is equal to or more than a threshold in the received current. - 特許庁
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