「閾値電流」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

ローラ制御部２４は、画像形成期間において、感光体ドラム２の回転駆動を行う駆動モータ３０の駆動電流が予め定められた閾値より大きくなった場合に、その画像形成期間終了後の非画像形成期間において、クリーニングローラ１０の回転速度を所定の速度に上げるようにした。例文帳に追加

In the cleaning device, when the driving current of a driving motor 30 for driving and rotating a photoreceptor drum 2 becomes greater than a predetermined threshold during an image formation period, a roller controller 24 increases rotation speed of a cleaning roller 10 to a prescribed speed during a non-image formation period after the end of the image formation period. - 特許庁

スイッチングデバイスの閾値電圧がばらついた時でも、スイッチング速度のばらつきを抑制し、スイッチングデバイスの定常的なＯＮ動作状態で不要なゲート電流によるパワー損失を防止して、所望のスルーレートを容易に設定できるスイッチングデバイス駆動装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a switching device driving unit that, even in a case where a threshold voltage of a switching device is varied, can suppress variations in switching speed, and prevent a power loss caused by an unnecessary gate current in a constant ON operation state of the switching device, so that a desired slew rate can be easily set. - 特許庁

内部事故判定回路１３０は、電流差動保護回路１１０のリレー動作判定手段１１５により動作判定され、かつ、位相比較回路１２０の重なり位相判定手段１２２により全ての自端子と相手端子間において位相の重なり度合いが所定の閾値以上であると判定された場合に内部事故であると判定する。例文帳に追加

An internal accident determination circuit 130 determines an internal accident when an operation is determined by the relay operation determining means 115 of a current differential protection circuit 110, and when the overlapped phase determining means 122 of the phase comparison circuit 120 determines that the degree of overlap of phases is equal to or higher than the predetermined threshold value between all the terminals on one side and the terminals on the other side. - 特許庁

誘導ブリルアン散乱が発生する閾値以下の複数の発振縦モードのレーザ光を出力する半導体レーザ装置５１をモジュール化するとともに、第２レンズ５４の焦点を矢印Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に適宜ずらすことで、光結合効率を意図的に低下させ、大きな駆動電流での動作を確保しつつ、レーザ光強度を小さくする。例文帳に追加

A semiconductor laser device 51 outputting a laser light of plurality of longitudinal oscillation modes lower than a threshold level generating Brillouin scattering is provided in a module and the focal point of a second lens 54 is shifted appropriately in the arrow directions X, Y and Z in order to lower the optical coupling efficiency intentionally thus lowering the laser light intensity while ensuring the operation with a large driving current. - 特許庁

保護回路１０２において、放電ランプ１０１の未接続、破損を検出する第１のコンパレータＩＣ１−１と保護回路を動作させる判定を行う第２のコンパレータＩＣ１−２とを分けることにより、ランプ未接続、破損を判定する閾値電圧を低管電流仕様の放電灯点灯装置においても容易に行えるようにした。例文帳に追加

By dividing a first comparator IC1-1 for detecting un-connecting and breakage of lamp of a discharge lamp 101 and a second comparator IC1-2 for determining operation of the protection circuit in the protection circuit 102, operation of the threshold voltage which determines un-connecting and breakage of the lamp can be made to perform even for the discharge lamp lighting device of low tube current specifications. - 特許庁

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ下部クラッド層１７は、Ｂｅの濃度が、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１６側端が１．８×１０^18ｃｍ^-3であり、エッチングストップ層１８側端が１．０×１０^18ｃｍ^-3であるので、閾値電流が比較的低く、高温および高出力時においても良好な信頼性を有する。例文帳に追加

The p-type AlGaInP lower clad layer 17 has a relatively low threshold current and has improved reliability also at high temperature and in high output since Be concentration is 1.8×1018 cm-3 at the side end of the AlGaInP light guide layer 16, and 1.0×1018 cm-3 at the side end of the etching stop layer 18. - 特許庁

制御回路２４は、ホイップアンテナ８が故障したことに応じて、エンベロープ検波回路２０から判定回路２２に出力される電流レベルが閾値以上となったと判定すると、送信切換スイッチ１５を第１の送信切換状態（図中、実線にて示す）から第２の送信切換状態（図中、破線にて示す）に切換制御する。例文帳に追加

When a discrimination circuit 22 that receives a current level from an envelope detection circuit 20 discriminates the current level reaching a threshold or over resulting from the defective whip antenna 8, a control circuit 24 controls a transmission changeover switch 15 to be thrown from a 1st transmission switching state (show in solid lines) into a 2nd transmission switching state (shown in broken lines). - 特許庁

本発明の課題は、出力段ＭＯＳＦＥＴのドレイン・ソース間のリーク電流を低減するためベースの不純物濃度を高くしても、ゲート閾値電圧Ｖｔやオン抵抗Ｒｏｎが増加せず、その結果、スイッチング時間が増加したりオン抵抗が増加したりすることがない半導体リレーを提供することである。例文帳に追加

To provide a semiconductor relay in which even when the impurity concentration of a base is increased for reducing a leak current between the drain and source of an output stage MOSFET, a gate threshold voltage Vt or ON resistance Ron is not increased and a switching time is not increased or ON resistance is not increased, as a result. - 特許庁

本発明は、入力電圧が所定の閾値に達してから対象回路に起動をかける起動回路と、入力電圧の検出判定を行う入力電圧検出回路と、を有して成る半導体装置において、入力電圧検出精度を低下させることなく、チップサイズ縮小や消費電流低減を図ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device including a starting circuit for starting an object circuit when input voltage reaches a designated threshold and an input voltage detecting circuit for detecting and determining the input voltage, that can reduce the chip size and consumption current without lowering of input voltage detection accuracy. - 特許庁

駆動用トランジスタのソース電極に印加される電圧に応じて、リセット期間３６１におけるリセット電圧を変化させ、特性補正開始前の駆動用トランジスタのゲート−ソース間電圧を、階調によらず大きく取れるようにし、ドレイン電流を確保することで、閾値キャンセルを全階調にわたって行えるようにした。例文帳に追加

By changing reset voltage in a reset period 361 in accordance with voltage applied to the source electrode of the transistor for driving, the gate-to-source voltage of the transistor for driving before starting characteristic correction is ensured to be high without depending on the gradation, and then the drain current is secured, thereby performing the cancellation of the threshold all over the gradation. - 特許庁

ここで、ＶＴＰは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の閾値電圧、αｐは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１の動作電圧、βｐはＰチャンネルＭＯＳトランジスタ１のゲートＧｐ・ソースＳｐ間にバイアス電圧（ＶＴＰ＋αｐ）が印加されているときにドレン電流Ｉｄｐが飽和するのに必要なドレン電圧である。例文帳に追加

In such a case, VTP is threshold voltage of the P channel MOS transistor 1, αp is operating voltage of the P channel MOS transistor 1, and βp is drain voltage needed to saturate drain current Idp when bias voltage (VTP+αp) is applied between the gate Gp and the source Sp of the P channel MOS transistor 1. - 特許庁

このｐ−ｎトンネル接合２２０により、窒化物系半導体レーザ構造２００におけるｐ型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。例文帳に追加

The number of p-type semiconductor layers in the nitride based semiconductor laser structure 200 is decreased by the p-n tunnel junction 220 to reduce dispersion loss, threshold current density thereby decreases to lower total series resistance, and higher growth temperature is obtained to improve structural quality of a laser. - 特許庁

そして、一端部と第２電極との間に一端部の方が電位が高くなるように電圧が印加された状態で、第３電極に付与される電位の変化に応じて、一端部と他端部との間の電圧が発光素子の閾値電圧を超える場合は、一端部と他端部との間に電流が流れて発光素子が発光する。例文帳に追加

While a voltage is applied between one end and the second electrode so that potential is higher at one end in the case that the voltage between one end and the other end exceeds a threshold voltage of the light emitting element according to a change in potential applied to the third electrode, an electric current flows between one end and the other end to cause the light emitting element to emit light. - 特許庁

オルタネータ２の発電出力により、バッテリ４が充電され、かつ、キャパシタ５も一定電圧（高電圧側の閾値電圧）以上に充電されると、自動的に、オルタネータ２はフィールド電流がオフされて発電停止状態（いわゆるオルタカットの状態）になり、キャパシタ５の蓄積エネルギが負荷に給電される。例文帳に追加

A battery 4 is charged based on the power generation output of the alternator 2 and a capacitor 5 is also charged at a constant voltage (threshold voltage of a high voltage side), and then, a field current is turned off to stop the alternator 2 (so-called alternator-cut state), and the energy stored in the capacitor 5 is supplied to the load. - 特許庁

これと共に、パルス遅延回路１０よりＡ／Ｄ変換回路全体に対する占有面積が大きく、高速動作の必要がないラッチ＆エンコーダ１２を、リーク電流の少ない高閾値電圧Ｖth4 （＞Ｖth1 ）のトランジスタを用いて構成することにより、Ａ／Ｄ変換回路全体で見た消費電力の増大を抑制する。例文帳に追加

At the same time, a latch & encoder 12 which has a larger occupation area in the entire A/D conversion circuit than the pulse delay circuit 10 and does not require high-speed operation, is configured using a transistor with little leak current and high threshold voltage Vth4 (>Vth1), thereby suppressing increase in power consumption in the entire A/D conversion circuit. - 特許庁

前記電圧勾配は、各画素部における放電ガスに流れる電流を一定の低いレベルに維持し、各画素部における放電ガスに印加される電圧を一定に維持して、電圧勾配の印加が終了した後において、放電ガスに印加される固定的で最終的な電圧を、各画素部における放電閾値電圧よりわずかに低く設定するようなレベルを有する壁電圧を形成する。例文帳に追加

The voltage slope maintains a current flowing to discharge gas at each pixel site at fixed low level and keeps a voltage applied to the discharge gas at the pixel site constant, thereby generating a wall voltage having such a level that a fixed final voltage applied to the discharge gas is set a little lower than a discharge threshold voltage at each pixel site after the application of the voltage slope ends. - 特許庁

抵抗Ｒ3は電流地に応じた電圧を両端に発生し、異なる閾値を有するインバータＩｎｖ１〜２によって、低電位の回路にて入力された信号の正負のエッジが復元され、パルス検出回路１２ａ、ＲＳ（Reset-Set）フリップフロップ１３、スイッチング素子Ｑ5〜6、抵抗Ｒ13〜14によって、入力された信号が復元される。例文帳に追加

The resistor R3 generates voltage corresponding to current ground at both edges, inverters Inv1 and 2 having different thresholds restore the positive and negative edges of a signal inputted at a low potential circuit, and by a pulse detection circuit 12a, an RS (reset-set) flip-flop 13, switching elements Q5 and 6 and resistors R13 and 14 the inputted signal is restored. - 特許庁

この発明に係る溶接用電源装置１０によれば、負荷としての電極３４および母材３６が互いに離れており、これら両者の間にアークが発生していない、いわゆる無負荷状態にあるとき、厳密には出力電流Ｉｏが所定の閾値Ｉｂ以下であるとき、インバータ２０は、間欠的に駆動される。例文帳に追加

According to the power unit 10 for welding, when an electrode 34 and a base metal 36 as loads are separated each other, and an arc is not generated between both, i.e., in an unloaded state, strictly, when output current Io lies in a prescribed threshold Ib or below, an inverter 20 is intermittently driven. - 特許庁

二次転写高圧回路、二次転写電流検出回路、転写ローラ、転写ローラ駆動ユニット、転写ローラ駆動回路環境センサから構成され、環境センサの出力により、当接離間並びに、故障検知閾値を可変することにより高精度高信頼性の二次転写ユニット検知を行う。例文帳に追加

The image forming device is constituted of a secondary transfer high-voltage circuit, a secondary transfer current detection circuit, a transfer roller, a transfer roller driving unit, and a transfer roller driving circuit environment sensor to perform highly accurate and highly reliable detection of a secondary transfer unit, by varying the abutting/separation interval and a failure detection threshold according to the output from an environment sensor. - 特許庁

トランジスタＤＮ１０は、外部電源電圧ＶＥＸＴが供給される端子と電圧生成回路１３の出力端との間、及び外部電源電圧ＶＥＸＴが供給される端子と基準電圧発生回路１１の出力端との間の少なくとも一方に電流通路が接続され、ゲートに一定の電圧が供給された負の閾値電圧を有する。例文帳に追加

A transistor DN10 has a current passage connected to at least one between a terminal to which the external power supply voltage VEXT is supplied and the output end of the voltage generation circuit 13 and between the terminal to which the external power supply voltage VEXT is supplied and the output end of the reference voltage generation circuit 11, and a negative threshold voltage in which a certain voltage is supplied to a gate. - 特許庁

半導体回路１は、出力端子１５に閾値を越える過電圧が印加されると、補助トランジスタ１２がオンすることにより制御信号のレベルに関わらず入力トランジスタ１２がオフし、これにより出力トランジスタ６が確実にオンして過電圧によるサージ電流が接地部４に放電され、出力トランジスタ６は保護される。例文帳に追加

When an over voltage exceeding a threshold is impressed to an output terminal 15 in a semiconductor circuit 1, an input transistor 12 is turned off regardless of the level of a control signal by turning on an auxiliary transistor 12 so that an output transistor 6 can be surely turned on and a surge current caused by the over voltage can be discharged to a ground part 4, and the output transistor 6 is protected. - 特許庁

インバータ３１に、このインバータ３１の温度Ｔｃを検出する温度センサＳａを設け、温度センサＳａで検出される温度Ｔｃが閾値を超えたとき、温度Ｔｃを時間ｔで微分したｄＴｃ／ｄｔが０以下になるまでインバータ３１に与える電流指令に制限を加えるインバータ制限手段９５を設けた。例文帳に追加

The electric vehicle has a temperature sensor Sa that detects temperature Tc of the inverter 31 installed in the inverter 31 and includes an inverter limiting means 95 that sets a limit to the current instruction given to the inverter 31 until dTc/dt obtained by differentiating the temperature Tc by the time t becomes 0 or less when the temperature Tc detected by the temperature sensor Sa exceeded the threshold value. - 特許庁

過電流保護装置は、電源２と負荷３とを接続する線路１４の近傍の線路温度を検出する温度検出部２０と、上記線路１４の間に接続され、上記電源２から上記負荷３への電力の供給を開閉する半導体スイッチと、上記線路温度が予め定める閾値を超えたとき上記半導体スイッチを遮断する制御回路と、を備える。例文帳に追加

This overcurrent protective device is provided with a temperature detection portion 20 that detects line temperature near lines 14 connecting a power supply 2 and a load 3, a semiconductor switch that is connected between the lines 14 to change over the supply of electric power from the power supply 2 to the load 3, and a control circuit that interrupts the semiconductor switch if the line temperature exceeds a predetermined threshold value. - 特許庁

本発明によれば、包装動作再開後に、そのまま横シール手段によって筒状包装材に縦シール部を横断する横断方向に横シールを施す際には、閾値が変更されているので、冷却された状態にある縦シール部を押し潰す際の駆動電流が高くなっても、縦シール部が異物であると判定されることを未然に回避することができる。例文帳に追加

After re-starting the packaging operation, when transverse sealing is directly applied to a cylindrical packaging material by a transverse sealing means in the crossing direction across the longitudinal seal part, the threshold is changed, and it is avoided to be determined that the longitudinal seal part is a foreign matter even if a driving current is increased when crushing the longitudinal seal part in a cooled state. - 特許庁

また、素子分離領域等から受けるストレスを考慮したとき、それによる論理閾値電圧の変動を抑制すべき回路には、そのようなストレスによるドレイン・ソース間電流の変動がｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタとｎチャンネル型ＭＯＳトランジスタとの間でバランスするようにゲート長方向の素子分離領域間の距離を選べばよい。例文帳に追加

When stress affected by the element separation region is considered, the distance between the element separation regions in the gate lengthwise direction may be selected for a circuit where fluctuation of logical threshold voltage is to be suppressed so that fluctuation of current between the drain and the source by stress is balanced between a p-channel MOS transistor and an n-channel MOS transistor. - 特許庁

本発明に係る半導体試験装置１は、プローバ２、測定装置３、電子制御装置４を備えており、半導体素子１０のゲート漏れ電流測定、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の逆耐圧測定、ゲート・ソース間の降伏電圧測定、およびゲート閾値電圧測定が可能である。例文帳に追加

The semiconductor testing device 1 includes a prober 2, the measuring device 3 and an electronic control device 4, and can perform gate leakage current measurement of a semiconductor element 10, reverse withstand voltage measurement between a gate and a drain, and between the gate and a source, breakdown voltage measurement between the gate and the source, and gate threshold voltage measurement. - 特許庁

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、半導体レーザ駆動ＩＣがＣＭＯＳからなる回路を用いる事により、システム全体の消費電力の低減及び低コスト化を可能とする光通信システムを提案することにある。例文帳に追加

To provide an optical communication system which can reduce power consumption at a low-cost on the whole by using a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., as a light emitting source and using a circuit formed of a CMOS for a semiconductor laser drive IC. - 特許庁

内部に、空洞が、表面側を単結晶シリコン層として残すように形成されている単結晶シリコン基板を、絶縁型電界効果トランジスタを有する半導体集積回路装置を構成するのに用いた場合に絶縁型電界効果トランジスタが高い閾値電圧と小さいリーク電流とを有するものに構成され得るものとして製造する。例文帳に追加

To manufacture a single crystal silicon substrate which has a hollow inside with leaving a single crystal silicon layer at the surface side and can form insulation type field effect transistors each having a high threshold voltage and a low leak current, when used in constitution of a semiconductor integrated circuit device having the insulation type field effect transistors. - 特許庁

画素スイッチング素子のオフ領域の漏洩電流によって駆動トランジスタのゲート電圧が変化して発生するクロストークを認識不可能な程度に減少させ、駆動トランジスタの閾値電圧を相殺して補償することによって、高階調を実現できる画素回路及びそれを用いた有機発光表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a pixel circuit which can realize a high gradation by reducing the crosstalk generated by a change in a gate voltage of a driving transistor by a leakage current of an off region of a pixel switching element to an unrecognizable extent to offset and compensate the threshold voltage of the driving transistor. - 特許庁

このため、赤外レーザ活性層３の光出射端面において、不純物の拡散を用いて、この赤外レーザ活性層３のバンドギャップを実効的に大きくして、発振波長に対する非吸収領域を形成する際に、この不純物の拡散温度を低減できて、発光効率の低下や閾値電流の増加を防止できる。例文帳に追加

Consequently, when a non-absorption region for an oscillation wavelength is formed on a light projection end surface of the infrared laser active layer 3 by effectively increasing the band gap of the infrared laser active layer 3 using diffusion of impurities, the diffusion temperature of impurities can be lowered to prevent the decrease in light emission efficiency and the increase in threshold current. - 特許庁

溝型トランジスタとＰＮゲートで構成されるプレーナ型トランジスタとが共存する半導体装置において、溝型トランジスタの溝ゲートの空乏化現象によるオン電流の低下を抑制し、溝型トランジスタと異なる導電型のＰ又はＮゲートで構成されるプレーナ型トランジスタの閾値電圧のバラツキ増加を防止する。例文帳に追加

To prevent deterioration in ON-current caused by a depletion phenomenon of a groove gate of a groove type transistor, and prevent an increase in variation of the threshold voltage of a planar type transistor comprising P- or N-type gate having conductivity type different from that of the groove type transistor, in a semiconductor device where the groove type transistor and the planar type transistor comprising a PN gate coexist. - 特許庁

アクセスされるメモリセルに接続されたゲイン用トランジスタＴ１１の近傍にダミートランジスタｄＴ１１を配置し、それによって参照用とされるビット線ＢＬを駆動して、そのビット線の電位または電流を読み出し判定の参照信号として使用することでゲイン用トランジスタの閾値ばらつきの影響を相殺する。例文帳に追加

A dummy transistor dT11 is arranged near the transistor T11 for a gain connected to a memory cell to be accessed, a bit line BL made for reference by the dummy transistor dT11 is driven, and the influence of a variation in the threshold of the transistor for a gain is offset by using the potential or current of the bit line as a reference signal of a reading determination. - 特許庁

このコンピュータ実行可能命令は、マイクロプロセッサ８０により実行されると、二次信号を受け取り、その二次信号を詳細係数及び近似係数に分解し、検知した負荷電流が所定の閾値を上回り、且つ、詳細係数及び前記近似係数が共にトリップ信号生成の閾条件を満たしている場合、電気回路の動作を中断させるために用いられるトリップ信号を生成するように、マイクロプロセッサ８０を駆動させる命令である。例文帳に追加

The computer executable instruction, when executed by the microcontroller 80, serves as an instruction which drives the microcontroller 80 so as to receive and decompose the secondary signal into detailed and approximate coefficients, and generate a trip signal for use in interrupting an operation of the electrical circuit when a current of the sensed load is above a predetermined threshold and the detailed and approximate coefficients indicate that threshold conditions for trip signal generation are satisfied. - 特許庁

当該コントローラ５０は、汎用レジスタＲと、予め記憶された主要パラメータＰ１と、受信した当該主要遮断器パーソナリティパラメータＰ２を記憶するメモリ６０と、当該回路遮断装置１内の電流および電圧の少なくとも一方が、予め記憶された当該主要パラメータＰ１と受信した当該主要遮断器パーソナリティパラメータＰ２とによって規定される各既定閾値を上回る場合に、トリップ保護を実行するための構成部品とを含む。例文帳に追加

The controller 50 includes a memory 60 on which a universal register R, previously stored key parameters P1 and the received key breaker personality parameters P2 are stored, and components to execute trip protection when at least one of a current and a voltage within the circuit breaker device 1 exceeds a respective predetermined threshold as defined by the previously stored key parameters P1 and the key breaker personality parameters P2. - 特許庁

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、当該面発光型半導体レーザ素子チップ、もしくは当該チップを収容するモジュールパッケージから引き出される光ファイバーケーブルのファイバーケーブル長を一定長以上とすることで当該パッケージのアセンブリ製作の生産性の向上を図るとともに、容易に光通信システムを構築できるようにすることにある。例文帳に追加

To improve the productivity for manufacturing a module package assembly and to easily structure an optical communication system by making the length of an optical fiber cable, led out of a surface light emitting semiconductor laser element chip which can lessen an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., or the module package storing the chip longer than a certain length by using the surface light emitting semiconductor laser element as the light emitting source. - 特許庁