「閾値電流」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

オフリーク電流遮断用トランジスタを有する複数段構成の増幅回路において、ノイズの防止による入力感度の向上、及び、各増幅回路間における回路閾値のずれの抑制による信号増幅特性の向上を図る。例文帳に追加

To provide such amplifier circuits adopting a configuration of a plural ity of stages having off-leak current interruption transistors (TRs) that input sensitivity is enhanced by noise prevention and a signal amplification characteris tic is improved by suppressing a deviation in a circuit threshold value among the amplifier circuits. - 特許庁

電池駆動の電子機器においては、電池電圧が所定の閾値を下回った場合、動作を停止させるように制御されているが、入力電流に関係なくストロボ充電を行うことは、電池を可及的に利用する上で妨げとなっているという問題がある。例文帳に追加

The strobe charging circuit has: an input current detection means for detecting an input current from a power supply to the inside of an equipment; a switching means for performing turning on and off control of the charging control signal from the CPU; and a switch control means for controlling the switching means. - 特許庁

左隣のビット線ＢＬｎは接地され、選択ビット線ＢＬｎ＋１は４．５Ｖにバイアスされ、プログラミング電流を制御するために、選択ワードゲートＷＬｎはワードゲート閾値電圧よりも僅かに高い１．２Ｖに上げられる。例文帳に追加

A bit line BLn of left-hand neighbor is grounded, and a voltage of the selection bit line BLn+1 is biased to 4.5 V, and a voltage of the selection word gate WLn is raised to 1.2 V which is slightly higher than a word gate threshold voltage, for controlling a programming current. - 特許庁

劣化状態検出回路１９２により、アクチュエータ１５８に電圧が印加された際にアクチュエータ１５８に流れる電流の大きさが予め定められた複数の異なる閾値の何れかを超えたときに検出信号をローレベル信号からハイレベルに変えて出力する。例文帳に追加

When an electric voltage is applied to an actuator 158 by a deterioration condition detecting circuit 192, and in the case when the magnitude of the electric current energized in the actuator 158 exceeds either one of a plurality of predetermined different threshold values, a detecting signal is output by being changed from a low level signal to a high level signal. - 特許庁

従って、第２の端子Ｐ２とノードＢ間の抵抗の増加によってインバータＩＮＶに流れる貫通電流が低減されて消費電力が削減されるとともに、トランジスタＴ１４、Ｔ１５の閾値電圧のシフトが抑制されて、シフト回路２１_ｋの動作が安定する。例文帳に追加

A through-current flowing into the inverter INV is reduced by increase of a resistance between the second terminal P2 and the node B, and the power consumption is reduced, and also a shift of threshold voltages of the transistors T14, T15 is suppressed to stabilize the operation of a shift circuit 21_k. - 特許庁

第２のノードＰ２と第３のノードＰ３の相互間に一定電圧Ｖｄｄより閾値電圧分以上低い電圧がゲートに供給されたデプレション型のＦＥＴ２を接続し、抵抗Ｒ７、Ｒ３、Ｒ６によりＦＥＴ２の電流通路の両端に制御信号ｆｃを導いている。例文帳に追加

A depression type FET 2 to which a voltage lower than the constant voltage Vdd by a threshold voltage or more is supplied to the gate is connected between the second node P2 and a third node P3, and the control signal fc is guided to both terminals of a current path of the FET2 by using resistors R7, R3, R6. - 特許庁

このような構成を備えることにより、生ゴミ処理装置１は、モータへ流入するモータ電流を計測し、計測結果を所定の閾値データを比較することにより、処理容器４２内に溜まっている生ゴミの量を検出するものである。例文帳に追加

According to these arrangements, the garbage disposer measures the motor electric current which flows into the motor and detects the amount of the garbage pooled in the treatment container 42 by comparing the predetermined threshold data with the measured results. - 特許庁

一方、組み合わせ回路への入力信号が変化しない場合は、Ｃ５，Ｃ６が組み合わせ回路内のＭＯＳトランジスタの動作閾値を通常動作時よりも高くするので、動作スピードを落ちるがリーク電流は少なくなる。例文帳に追加

On the other hand, when the input signal to the combinational circuit does not change, since C5 and C6 make the threshold of the MOS transistor in the combinational circuit of the operation higher than the time of a normal operation, though the speed of the operation is decreased, the leakage current is decreased. - 特許庁

補充電の開始と同時にタイマによる計時が開始され（Ｓ１１）、充電電圧がＶｆに達する前に（Ｓ１２でＮ）計時が閾値Ｔａを超えた場合（Ｓ１３でＹ）には、電解コンデンサの漏れ電流が異常に大きいと判断し、充電を禁止するとともに警報を出力する（Ｓ１４、Ｓ１５）。例文帳に追加

A timer starts time count simultaneously with the start of charging (S11), and if the time count exceeds a threshold Ta (Y in S13) before the charging voltage reaches Vf (N in S12), it is determined that the leakage current of the electrolytic capacitor is abnormally large, and the charging is prohibited and an alarm is outputted (S14, S15). - 特許庁

印刷性については版部材へのインキングが良好で、電気特性については移動度およびオンオフ比が高く、閾値、駆動電圧、オフ電流を低くすることのできる有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an ink for an organic transistor with which a plate member is excellently inked with respect to printability, whose mobility and on/off ratio are high with respect to electric characteristics, and which can be lowered in threshold, driving voltage, and off current, and to provide an electrode of the organic transistor, a method of forming the electrode, and the organic transistor. - 特許庁

二次電池の充放電電流と冷却性能とから計算される推定温度Ｔｅと実際の電池温度Ｔｂとの偏差ΔＴが閾値Ｔｒより大きいときには（Ｓ１００〜Ｓ１０６）、まず冷却用のファンをＨｉモードで駆動して（Ｓ１１２）、二次電池の温度の異常な上昇を抑制する。例文帳に追加

When a deviation ΔT between a presumed temperature Te calculated from a charge/discharge electricity current and a cooling performance of a secondary battery and an actual cell temperature Tb, is larger than a threshold Tr (S100 to S106), a fan for cooling is driven in Hi mode at first (S112), and an unusual rise of the temperature of the secondary battery is suppressed. - 特許庁

駆動用トランジスタにより駆動電流を流すことによって発光素子を発光させる画素回路において、駆動用トランジスタの閾値電圧の不安定性を補正するととともに、トランジスタ数の削減、プログラム時間の短縮および消費電力の削減を図る。例文帳に追加

To correct the instability of the threshold voltage of a driving transistor, reduce the number of transistors, shorten program time, and reduce power consumption in a pixel circuit which makes a light-emitting element light by making a driving current flow through the light-emitting element by means of a driving transistor. - 特許庁

電気機器に加わる振動レベルが閾値を超えたときに電源電流をオンしたりあるいはオフする機能を組み込むにあたって、センサ部とは別にコントローラ部を組み込む必要がなく、簡単に電気機器に組み込むことができる振動感応型スイッチを創作する。例文帳に追加

To create a vibration sensitive switch capable of being easily installed in an electric apparatus without requiring installing a controller part therein separately from a sensor part in the event that the function is installed therein of turning on/off a power current when the level of vibration imposed on the electric apparatus exceeds a threshold. - 特許庁

トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈの製造バラツキやオン抵抗の影響が小さく、立ち上がり、立下りが高速で、消費電流の小さいインバータ回路を用いて、制御クロック線数の少ない駆動回路一体型の液晶表示装置例文帳に追加

To provide a liquid crystal display device with built-in drive circuit having a small number of control clock lines by using an inverter circuit which has small influences of manufacture variations in threshold voltage and ON resistance of a transistor, quickly rises and falls, and has small current consumption. - 特許庁

トップゲート型薄膜トランジスタの島状半導体薄膜の端部で発生するシリコン薄膜端部でのゲート電界の集中やシリコン薄膜端部近辺の固定電荷起因の閾値のずれによる電流成分を消失させる。例文帳に追加

To eliminate current component due to the concentration of a gate field at the end of a silicon thin film which is generated at the end of an island-type semiconductor thin film of a top-gate thin film transistor, or the deviation of a threshold value, which is generated by a fixed charge near the end of the silicon thin film. - 特許庁

地絡・天絡時において、入力信号の時間変化が緩やかであっても、出力トランジスタの電流が保護動作の開始閾値に到達するまでの発熱によるＡＳＯ破壊の発生を防止できるＢＴＬ増幅器の保護回路を提供する。例文帳に追加

To provide a protection circuit for a BTL (Bridged Tied Load) amplifier that prevents ASO (Area of Safety Operation) breakage due to heat generation before a current of an output transistor reaches a start threshold for protecting operation even when time variation of an input signal is gentle in case of grounding or power supplying. - 特許庁

一方、昇圧回路６０での昇圧上限に達した状態で（Ｓ１８：Ｙｅｓ）、モータｑ軸電流が所定閾値以下の際に（Ｓ２０：Ｙｅｓ）、即ち、昇圧回路での上限のモータ回転数に達したときに、昇圧に加えて界磁弱めを行うことでモータの高速回転を実現する（Ｓ２２）。例文帳に追加

In the meantime, high speed rotation of the motor is realized by carrying out the field weakening in addition to the boosting (S22) when a motor q-axis electric current is lower than a specified threshold value (S20:Yes) in a state reaching the boosting upper limit in the boosting circuit 60 (S18:Yes). - 特許庁

この共振回路に流れる共振による電流により駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極と保持容量Ｃｓの接続部分の電位を変化させ書込容量Ｃｗに駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒの閾値電圧を記憶する。例文帳に追加

The potential at the contact portion of the gate electrode of the driving transistor Dr-Tr with the holding capacitor Cs is changed by a resonant current flowing in the resonant circuit, then, the threshold voltage of the driving transistor Dr-Tr is stored in a writing capacitor Cw. - 特許庁

ゲート絶縁膜中への水素残留を防止すると共に、ゲート絶縁膜に界面不整合を発生させず、トランジスタの閾値電圧の変動やオン電流の劣化を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing it, where hydrogen is prevented from remaining in a gate insulating film, interface mismatching is restrained from occurring in the gate insulating film, and a transistor can be prevented from varying in a threshold voltage and decreasing in an ON-state current. - 特許庁

インバータ回路３は、インバータ回路３に入力されるＤＣ電圧が閾値以上になった場合にバイパス抵抗素子Ｒ１に電流を流すことにより、インバータ回路３に高電圧が印加されないように制御するインバータ回路保護装置５を備える。例文帳に追加

An inverter circuit 3 has an inverter-circuit protective device 5 controlling the application of a high voltage to the inverter circuit 3 by making a current flow through the bypass resistance element R1 when a DC voltage input to the inverter circuit 3 reaches a threshold value or more. - 特許庁

ホットキャリアの生成を可及的に抑制してインパクトイオンによる電流を減少させ、パンチスルーが少なく安定した閾値を得ることができ、オン抵抗の低い十分な耐圧を得ることを可能とする高耐圧トランジスタを実現する。例文帳に追加

To provide a high withstanding voltage transistor wherein the current caused by impact ion is reduced by suppressing generation of hot carrier, punch through is also reduced, and a stable threshold value is provided, resulting in providing a sufficient breakdown voltage with low on-resistance. - 特許庁

結晶欠陥及びクラックの発生を抑制して素子歩留まり及び信頼性に優れ、かつ良好な基本横モードに整形されたレーザ光を放出でき、素子抵抗及び閾値電流が低いＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ構造を提供すること。例文帳に追加

To provide a III-V nitride semiconductor laser structure which can improve the yield and reliability of elements by suppressing crystal defects and cracks, can emit laser light well shaped in a fundamental lateral mode, and has a low element resistance and threshold current. - 特許庁

低コストで製造できて、かつ、リッジ部側に設けられた電極にまで発振レーザ光が漏れないようにすることによって高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能な半導体レーザ素子を提供することにある。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser device which can be manufactured at a low cost, and has high oscillation efficiency by preventing oscillation laser beam from leaking up to an electrode prepared at a ridge side, further, can operate in low power (low threshold current). - 特許庁

ゲート絶縁膜中への水素残留を防止すると共に、ゲート絶縁膜に界面不整合を発生させず、トランジスタの閾値電圧の変動やオン電流の劣化を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which prevents hydrogen from being retained in a gate insulating film, which changes a threshold voltage of a transistor without generating a field mismatch in the gate insulating film and which prevents an on current from being deteriorated, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

これにより、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５ａの閾値電圧Ｖｔｈは、プリチャージ期間に高く、エバリュエート期間に低くなるように設定され、プリチャージ期間にはＰｃｈＭＯＳＦＥＴ５ａのオフ時の電流リークを低リーク化し、省エネルギー化することができる。例文帳に追加

Thus, a threshold voltage Vth of the Pch MOSFET 5a is set so as to be high for the precharge period and low for the evaluate period, and a current leak when the Pch MOSFET 5a is turned off is low for the precharge period so as to attain energy saving. - 特許庁

簡単な構成で、閾値電圧や電源電圧の変動に対して、動作マージンを十分確保できると共に、消費電流の変動を抑えることができ、安定した低電圧動作が可能な増幅型固体撮像装置用出力回路を提供する。例文帳に追加

To provide an output circuit for an amplification solid-state image pickup device that can sufficiently ensure an operating margin with respect to fluctuation in a threshold voltage and a power supply voltage with a simple configuration and suppress fluctuation in current consumption and is stably operated at a low voltage. - 特許庁

低閾値電流・高出力動作が可能な上、長期の信頼性を有しており、さらに光学特性設計の自由度に富み、かつ安定した光学特性と製造工程の簡略化によるコスト低減とを両立した半導体レーザ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element having long period reliability in addition to the capability of low threshold current and high output operation, further, abundant in the degree of freedom of optical characteristic designing and capable of coping with both of stabilized optical characteristics and cost reduction by simplification of manufacturing processes. - 特許庁

ダイヤモンドを主材料として有する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であって、高周波動作、高電流密度化に好適であると共に、閾値電圧の制御性に優れ、素子特性のウェーハ面内バラツキ、ロット間バラツキが小さいＦＥＴの提供。例文帳に追加

To provide a field effect transistor (FET), chief of which is diamond, which can accommodate high-frequency operation and an increase in current density and has an excellent controllability for threshold voltage, and has little variation in element characteristics in the plane of a wafer and little variation among lots. - 特許庁

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用し、レーザ光が光ファイバに高効率にカップリングできることを可能とする光通信システムを提案することにある。例文帳に追加

To provide an optical communication system by which a laser beam can be highly efficiently coupled with an optical fiber by using a surface emitting type semiconductor laser device chip which can make an operating voltage, an oscillation threshold current, etc., low as a light-emitting light source. - 特許庁

電源供給先に電流を周期的に供給することによる電源の出力電圧の変動（電圧負荷変動）が所定閾値を越えた場合にその電源を不良と判定する、電源の障害検出装置、プログラム、及び方法を提供する。例文帳に追加

To provide an obstacle detector of power supply in which a decision is made that a power supply is faulty when variation in output voltage from a power supply (voltage load variation) exceeds a predetermined threshold by supplying a current periodically to a power supply place, and to provide an obstacle detection program and method. - 特許庁

前記所定時間は、同期信号検出回路３０の出力信号Ｓ２２の終了タイミングｔｂを０Ｖとして、そこから第２時定数回路４５の定電流充電を開始し閾値Ｖｔｈ３に達するまでの時間で決まるようする。例文帳に追加

The predetermined time is determined on the basis of a time from start of constant current charging of a second time constant circuit 45 with a finish timing tb of the output signal S22 of the synchronous signal detecting circuit 30 set to 0V up to a threshold Vth3. - 特許庁

活性層の上方に設けられた電極に、発振レーザ光が漏れないようにすることによって、高い発振効率を有し、低消費電力（低閾値電流）動作が可能であり、製造コストを低減可能な半導体レーザ素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser element and a manufacturing method therefor which laser element is adapted to prevent oscillation laser beams from leaking out to an electrode formed above an active layer to offer high oscillation efficiency, to enable low power consumption (low threshold current) operation, and to reduce manufacturing costs. - 特許庁

動作電圧、発振閾値電流等を低くできる面発光型半導体レーザ素子チップを発光光源として利用するシステムで、レーザチップモジュールの生産性の向上、しいては製造プロセス全体の歩留まり率向上が可能な光通信システムを提供する。例文帳に追加

To provide an optical communications system that utilizes a surface light-emitting type semiconductor laser device chip capable of reducing an operating voltage and an oscillation threshold current as a light-emitting source and can improve the productivity of a laser chip module and the overall yield of a manufacturing process. - 特許庁

本ＧａＮ系半導体レーザ素子では、寸法の異なる空孔５２の一次元の周期的配列による屈折率分布を発光領域の外側に設けることにより、低閾値電流を実現し、レーザ光の強度分布つまりＮＦＰを制御することができる。例文帳に追加

The GaN semiconductor laser element 30 has a low threshold current because the refractive index distribution by the holes 52 which possess different dimensions and are laid out in a one-dimensional periodic arrangement is formed outside a light emitting region, so that the intensity distribution of a laser beam or NFP can be controlled. - 特許庁

ＴＦＴのゲート絶縁膜の厚さを薄くしてＴＦＴの書き込み特性（オン電流増大及び閾値電圧の低下）を良好となしながらもＴＦＴの静電破壊に対する信頼性を大きくした電気光学装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an electrooptical device which is increased in reliability against electrostatic discharge of a TFT though write characteristics (an increase in ON current and a decrease in threshold voltage) of the TFT are improved by reducing the thickness of a gate insulating film of the TFT. - 特許庁

また、モータＭ１の駆動開始時に、ＦＥＴを複数回オン、オフ動作させ、このとき、過電流が流れている時間が所定の閾値時間以上となった場合には、パワーウインドウ１の上昇時に初期挟まれが発生しているものと判断して回路を遮断する。例文帳に追加

When starting the driving of the motor M1, the FET is turned on and off in a plurality of times, and at this time, when overcurrent flowing time becomes predetermined threshold value time or more, the circuit is cut off by determining that initial nipping is caused when the power window 1 rises. - 特許庁

負荷と基準電位との間の偶発的な電気路の発生によって、検出器による検出の該閾値に対して十分な大きさで第１の電力導体の電圧或いは電流信号が変化し、検出器の出力信号は検出された故障を示す。例文帳に追加

The occurrence of the unintended electrical path between the load and reference potential causes a change in the voltage or current signal on the first power conductor of sufficient magnitude relative to the threshold value for detection by the detector such that the output signal of the detector is indicative of a detected fault. - 特許庁

光ディスクｄの再生を行うレーザダイオード２２を有する光ピックアップ１１を備えたＢＤ再生装置（光ディスク装置）１０において、レーザダイオード２２の劣化に応じて増加する駆動電流値が所定の閾値を超えた場合、サーボエラー又はディスク判別ミスに対するリトライ回数の上限を上げる構成とする。例文帳に追加

In a BD reproduction device (an optical disk device) 10 including an optical pickup 11 which has a laser diode 22 to reproduces an optical disk d, a ceiling on the number of retrying related to a servo error or a disk determination mistake is raised when a drive current value which increases according to deterioration in the laser diode 22 exceeds a predetermined threshold. - 特許庁

画像形成装置２０は、帯電バイアス用高圧電源２２２がコロナワイヤ２２１に印加する帯電バイアスの電流値に対応するモニタ電圧が、プロセススピードに応じた所定の閾値電圧以上であるか否かに基づいて、コロナワイヤ２２１を清掃する必要があるか否かを判定する。例文帳に追加

On the basis of whether or not a monitoring voltage corresponding to the current value of a charged bias, which is applied to the corona wire 221 by a charged-bias high-voltage power supply 222, is equal to or more than the predetermined threshold voltage according to the process speed, the image forming apparatus 20 determines whether or not the corona wire 221 needs to be cleaned. - 特許庁

その後、出力電圧Ｖｏを分圧した値が第１の閾値にまで低下し、制御回路２２からのＰＷＭ信号によって主スイッチング素子９が動作し始めると、ドライブ検出回路３１がこれを検出して、整流スイッチング素子１０へのＰＷＭ信号の供給を許可するので、その後の吸い込み電流の流れ込みも阻止できる。例文帳に追加

After that, when the value resulting from division of the output voltage Vo falls to the first threshold and the main switching element 9 is caused to start operation by the PWM signal from a control circuit 22, a drive detecting circuit 31 detects this start and allows the supply of the PWM signal to the rectification switching element 10, with the result that any subsequent flow-in of the sink current can also be inhibited. - 特許庁

また処置具に電力を出力する手術用電源供給装置は、前記出力中の電力から、出力電圧と出力電流との位相差を検出する位相差検出部と、単位時間当たりの前記位相差の変動値が、予め定めた閾値を超えているか否かにより、異常を検出する異常検出部と、を具備する。例文帳に追加

Further, the power supply apparatus for operation for outputting power to a surgical instrument includes a phase difference detection section for detecting a phase difference between an output voltage and an output current from the power in the output, and an abnormality detection section for detecting abnormality according to whether or not a variation value of the phase difference per unit time exceeds a predetermined threshold. - 特許庁

制御装置３０は、Ｌレベルの信号ＳＥＰを生成してシステムリレーＳＭＲＰのみをオフしたときの電圧センサ１３からの電圧Ｖｍと電圧センサ１０からの直流電圧Ｖｂとの電圧差が所定の基準値を下回るときであって、かつ、直流電流Ｉｂが所定の閾値以上であるとき、システムリレーＳＭＲＧが溶着していると判定する。例文帳に追加

The control device 30 determines that the system relay SMRG is melted when the voltage difference between a voltage Vm from a voltage sensor 13 in generating a L-level signal SEP to turn off only a system relay SMRP, and a D.C. voltage Vb from a voltage sensor 10 is below a predetermined reference value, and when a direct current Ib is above a predetermined threshold value. - 特許庁

そして、ＴＦＴ光センサに光リーク電流が生じうる状態で充電回路３１によりコンデンサＣへの充電を開始し、判定回路３２で、充電回路３１による充電開始時点からコンデンサＣの電圧値が判定閾値電圧Ｖｔｈに到達するまでの到達時間を計測することで外光強度を検知する。例文帳に追加

In the state where an optical leakage current is generated in a TFT optical sensor, charging into the capacitor C is started by a charging circuit 31, and the intensity of external light is detected by a determination circuit 32 by measuring an arrival time from a time when charging is started by the charging circuit 31 until a time when a voltage value of the capacitor C reaches a determination threshold voltage Vth. - 特許庁

スロットルモータの電流指令値が閾値を超える状態で、ノック検出信号が所定範囲Ｗ内で変動する場合には、この所定範囲Ｗ内でのノック検出信号の変動は、グランドレベルの変動に影響を受けた結果であると判断し、ノック検出信号に基づくノッキング判別又は点火時期補正等のノッキング対応処理を禁止する。例文帳に追加

In a state that an electric current command value of a throttle motor exceeds a threshold, when a knock detection signal is fluctuated within a predetermined range W, it is determined that this fluctuation of the knock detection signal within the predetermined range W results from an effect by the fluctuation of a ground level, and knocking determination based on the knock detection signal or treatment to respond to knocking such as ignition timing correction is prohibited. - 特許庁

可変速手段の温度が異常停止させるべく温度より低く設定した上限閾値に達したら、通常運転から負荷軽減運転により電流値を低減し発熱量を低減、冷却促進運転による可変速手段の冷却の増大する運転へと切替え可変速手段の温度を低減することにより解決する。例文帳に追加

When a temperature of the variable speed means reaches an upper limit threshold set to be lower than a temperature causing the abnormal stop, normal operation is switched to load reduction operation to decrease a current value and thereby to reduce a calorific value, or is switched to cooling promotion operation promoting the cooling of the variable speed means so as to decrease the temperature of the variable speed means. - 特許庁