「障壁エネルギー」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

エネルギー障壁を有するへテロ接合トランジスタおよび関連する方法例文帳に追加

HETEROJUNCTION TRANSISTOR HAVING ENERGY BARRIER, AND RELATED METHOD - 特許庁

第１の量子井戸層１１を第１のエネルギー障壁層１３と第２のエネルギー障壁層１４とにより挟んで形成し、第２の量子井戸層１２を第２のエネルギー障壁層１４と第３のエネルギー障壁層１５とにより挟んで形成する。例文帳に追加

The first quantum well layer 11 is formed by being sandwiched between a first energy barrier layer 13 and a second energy barrier layer 14 and the second quantum well layer 12 is formed by being sandwiched between the second energy barrier layer 14 and a third energy barrier layer 15. - 特許庁

そして、エミッタバリア層６とエミッタ層７との間のエネルギー障壁は実質的に存在しないとともに、コレクタバリア層４のエネルギー障壁の高さはエミッタバリア層６のエネルギー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

An energy barrier does not exist substantially between the emitter barrier layer 6 and the emitter layer 7, and further the height of the energy barrier of the collector barrier layer 4 is lower than the height of the energy barrier of the emitter barrier layer 6. - 特許庁

井戸層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の伝導帯のポテンシャルエネルギーとの差である伝導帯のエネルギー障壁差が、井戸層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとバリア層の価電子帯のポテンシャルエネルギーとの差である価電子帯のエネルギー障壁差より小さい。例文帳に追加

A conduction band energy barrier difference, a difference between potential energy of a conduction band of the well layer and potential energy of a conduction band of the barrier layer, is smaller than an energy barrier difference of a valence band, a difference between potential energy of a valence band of the well layer and potential energy of a valence band of the barrier layer. - 特許庁

このため、光エネルギーのみではエネルギー障壁を乗り越えられない接着剤層を有する接着シートＳであっても、加熱手段６からの熱エネルギーによってエネルギー障壁を乗り越えて光反応を開始させることができる。例文帳に追加

Consequently, a photoreaction can be started over an energy barrier by the heat energy from the heating means 6, even in the adhesive sheet S having the adhesive layer incapable of getting over the energy barrier by only the light energy. - 特許庁

太陽電池表面より入射した光のうち、半導体内で吸収されなかった半導体のエネルギーギャップより小さい光エネルギーを、半導体のエネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合５で吸収する。例文帳に追加

Among incident lights from the surface of the solar battery, light energy smaller than the semiconductor energy gap, which is not absorbed in a semiconductor, is absorbed with the Schottky barrier junction 5 smaller than the semiconductor energy gap. - 特許庁

本発明の共鳴トンネル素子６は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。例文帳に追加

The resonance tunnel element 6 has a multiple barrier structure including quantum wells and energy barriers formed alternately and continuously with the energy barriers at both ends. - 特許庁

この物質はＩｎＧａＰ等の従来の障壁層物質よりもバンドギャップエネルギーが大きい。例文帳に追加

This substance has a band gap energy larger than those of conventional barrier layer substances, such as InGaP. - 特許庁

障壁層(33)(34)は量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。例文帳に追加

The barrier layers (33) and (34) have a band gap energy higher than that of the quantum well layer (32). - 特許庁

エネルギー障壁は熱酸化膜２であり、かつ量子井戸は金属ナノ粒子３である。例文帳に追加

The energy barrier comprises a thermal oxide film 2, and a quantum well consists of metal nanoparticles 3. - 特許庁

エネルギー障壁調整のための有機化合物層を積層することなく、エネルギー障壁の最適化がなされた有機ＥＬ表示装置並びにその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic EL display device which has an optimized energy barrier without laminating an organic compound layer for energy barrier adjustment, and to provide a method of manufacturing the organic EL display device. - 特許庁

第１のエネルギー障壁層１３の第１の量子井戸層１１と逆側に第１の電極１６を形成し、第３のエネルギー障壁層１５の第２の量子井戸層１２と逆側に第２の電極１７を形成する。例文帳に追加

A first electrode 16 is formed on the opposite side of the first quantum well layer 11 of the energy barrier layer 13 and a second electrode 17 is formed on the opposite side of the second quantum well layer 12 of the third energy barrier layer 15. - 特許庁

前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。例文帳に追加

The light-emitting part is provided above the first semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers that are provided between the adjacent plurality of barrier layers, have a smaller band gap energy than that of the plurality of barrier layers, and have a thickness thicker than that of the plurality of barrier layers. - 特許庁

本発明の光変調気は、第１の導波路層及び障壁層と、第１の導波路層と障壁層の間に挟まれている量子井戸層とからなり、量子井戸層が、最小のバンドギャップエネルギーと、第１の導波路層及び障壁層の少なくとも一つのバンドギャップエネルギーとの間で、バンドギャップエネルギーが変化する傾斜組成層を有することを特徴とする。例文帳に追加

The optical modulator comprises: a first waveguide layer and a barrier layer; and a quantum well layer sandwiched between the first waveguide layer and the barrier layer, where the quantum well layer has a graded composition layer that varies the bandgap energy of the quantum well layer between the minimum bandgap energy and the band gap energy of at least one of the first waveguide layer and the barrier layer. - 特許庁

エネルギー・サービス固有の資機材の設置、エネルギーに関する専門知識を有する技術者の移動に関する障壁を撤廃する適切な議論が行われることを期待する。例文帳に追加

Japan expects that appropriate consideration will be given to removing barriers affecting the installation of specific materials/equipment for energy services and technical experts knowledgeable about the energy sector. - 経済産業省

我々は，ＡＰＥＣエコノミーの省エネルギー基準，表示制度及び試験手続の不必要な相違から生じ得る非関税障壁に対処するための省エネルギー関連製品のマッピング調査作業の結果に留意した。例文帳に追加

We noted the findings from a mapping exercise of energy efficiency products to address non-tariff barriers which could arise through unnecessary divergences among APEC economies’ energy efficiency standards, labeling and testing procedures. - 経済産業省

熱電子放出(仕事関数)に対するエネルギー障壁は、外部(電)場の印加によって低減されることができると指摘された。例文帳に追加

It was pointed out that the energy barrier to thermal electron emission (the work function) could be reduced by the application of an external field.  - 科学技術論文動詞集

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。例文帳に追加

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light. - 特許庁

MR撮影システムとそれに関連する水平支持面間の振動エネルギーの障壁を提供する装置。例文帳に追加

To provide a barrier of oscillation energy between an MR photographing system and a horizontal supporting surface related with the system. - 特許庁

積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting device which has a structure of alleviating energy barrier generated in the interface of an organic compound layer having a laminated structure. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓＰ層６ａ，６ｂ，６ｃの価電子帯間のエネルギー障壁は、ＩｎＧａＡｓＰ層が単層の場合に比べて小さくなる。例文帳に追加

An energy barrier among valence bands of the InGaAsP layers 6a, 6b, and 6c is smaller compared to a case of a monolayered InGaAsP layer. - 特許庁

歪みの高いキャリア移動領域における寄生抵抗及びエネルギー障壁を小さくするための半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for reducing a parasitic resistance and an energy barrier in a carrier moving region having a large distortion. - 特許庁

積層構造を有する有機化合物層において、その界面に生じるエネルギー障壁を緩和する構造を有する発光装置を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting device having a structure in which an energy barrier generated in an interface of an organic compound layer with a laminate structure is mitigated. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０を構成する最下層のボトム絶縁膜１１は、当該ボトム絶縁膜１１と基板とのエネルギー障壁を二酸化珪素とシリコンとのエネルギー障壁より小さくし、ＦＮ電気伝導特性を示す誘電膜を含む。例文帳に追加

A bottom insulating film 11 in the lowest layer constituting the gate insulating film 10 contains a dielectric film, which makes an energy barrier between the bottom insulating film 11 and the substrate smaller than an energy barrier between silicon dioxide and silicon and exhibits an FN electric conduction characteristic. - 特許庁

このとき、酸化タングステンをその電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させるように成膜し、前記バッファ層対するホール注入障壁を低減する。例文帳に追加

The film is formed therein to bring an occupied level within a range of a binding energy lower by 1.8-3.6 eV than the lowest bond energy in the valence band thereof, in an electron state of tungsten oxide, to reduce a hole injection barrier in the buffer layer. - 特許庁

第一の領域は複数のサブバンド111、112を含み、第一の領域110におけるエネルギーの上流側のサブバンド111からポテンシャル障壁143を介したエネルギーの下流側のサブバンド112へ、キャリアが光と相互作用することで許容されるトンネリングによって輸送される。例文帳に追加

The first region includes a plurality of sub-bands 111 and 112, and carriers are transported by tunneling tolerated by their interaction with the rays of light from a sub-band 111 at the upstream side of energy through a potential barrier 143 to a sub-band 112 at the downstream side of energy in the first region 110. - 特許庁

電界放出では、フェルミエネルギー近くの電子波はポテンシャル障壁で反射されるが、電子波の振幅ψの指数関数的な減少を伴いながら障壁の中に浸透する。例文帳に追加

In field emission, electron waves near the Fermi energy are reflected at the potential barrier but penetrate with an exponential decrease of their amplitude ψ into the barrier.  - 科学技術論文動詞集

表面負電極７と吸収層５との間には、障壁層６が設けられており、障壁層６にはエネルギー選択性コンタクトが設けられている。例文帳に追加

A barrier layer 6 is provided between a surface negative electrode 7 and an absorption layer 5, and an energy selective contact is provided on the barrier layer 6. - 特許庁

量子井戸構造の活性層の井戸層と障壁層の間に障壁層よりバンドギャップエネルギーの大きいＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０．３０≦ｄ≦１）からなる中間層をすべての井戸層の上に形成する。例文帳に追加

Between a barrier layer and a well layer of the active layer of quantum well structure, an intermediate layer of AldGa1-dN (0.30≤d≤1), where a band gap energy is larger than the barrier layer is formed over the well layers. - 特許庁

量子井戸構造の活性層の井戸層と障壁層の間に障壁層よりバンドギャップエネルギーの大きいＡｌdＧａ1-dＮ（０．３０≦ｄ≦１）からなる中間層をすべての井戸層の上に形成する。例文帳に追加

An intermediate layer comprising AldGa1-dN (0.30≤d≤1) having larger band gap energy than that of a barrier layer is formed on the well layer between the barrier layer and the well layer in the active layer of the quantum well structure. - 特許庁

ＩｎＧａＡｓ井戸層における正孔の第１量子準位とＩｎＧａＡｓＰ障壁層における価電子帯のトップとのエネルギー差は，約１０７ｍｅＶとされ，ＩｎＧａＡｓ井戸層における電子の第１量子準位とＩｎＧａＡｌＡｓ障壁層における伝導帯のボトムとのエネルギー差は，約１８６ｍｅＶとされる。例文帳に追加

The energy difference between the first quantum level of the positive holes in the InGaAs well layer 32 and the top of the valence band in the InGaAsP barrier layer 33 is about 107 meV, and the energy difference between the first quantum level of the electron in the InGaAs well layer 32 and the bottom of the conduction band of the InGaAlAs barrier layer 33 is about 186 meV. - 特許庁

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。例文帳に追加

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer. - 特許庁

キャリヤは、ショットキー電極とウィンドウ層との間のエネルギー障壁によって、下方への移動が阻止されるため大いに拡がり、発光ダイオードの発光効率が向上する。例文帳に追加

A carrier spreads greatly since the downward shifting is checked by an energy barrier between the Schottky electrode and the window layer, so the light emitting efficiency of the light emitting diode rises. - 特許庁

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode. - 特許庁

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。例文帳に追加

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized. - 特許庁

導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an organic field effect transistor having an electrode capable of reducing the energy barrier of a boundary between a conductive layer and a semiconductor layer, and a semiconductor device having the organic field effect transistor. - 特許庁

半導体エネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合５を太陽電池の裏面に、裏面電極４とは別に形成している構造とする。例文帳に追加

In the structure of the solar battery, a Schottky barrier junction 5 smaller than the semiconductor energy gap is formed on the back of the solar battery which is isolated from a back electrode 4. - 特許庁

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。例文帳に追加

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer. - 特許庁

異種物質を積層した積層素子において、それぞれの物質の界面に生じるエネルギー障壁が原因で、キャリアの移動が抑制されるために生じる各層の機能効率の低下を改善する。例文帳に追加

To alleviate deterioration of functional efficiency of each layer of laminated elements laminating heterogeneous matters due to restraint of movement of carriers caused by energy barrier generated at interfaces of the respective matters. - 特許庁

このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。例文帳に追加

Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections. - 特許庁

有機ＴＦＴにおいて、金属電極と有機薄膜とのエネルギー障壁を効率的に低減させることで、デバイス特性を向上することを課題とする。例文帳に追加

To enhance the device characteristics of an organic TFT by reducing the energy barrier between a metal electrode and an organic thin film efficiently. - 特許庁

このバッファ層２中のＡｌの比率は、半導体光吸収層３を構成するＧａＮ系化合物に対して０．３ｅＶ以上のエネルギー障壁を構成するように設定されている。例文帳に追加

A proportion of Al in the buffer layer 2 is set so as to form an energy barrier of not less than 0.3 eV to a GaN compound forming the semiconductor light absorbing layer 3. - 特許庁

この微粒子焼結体はＺｎＯなどの酸化物よりなる微結晶を含む微粒子が焼結により接合されたものであり、微粒子間の粒界エネルギー障壁が小さく、電子輸送性を有している。例文帳に追加

In the fine grain sintered body, fine grains including crystallite constituted of the oxide of ZnO are jointed by sintering, a grain boundary energy barrier among the fine grains is small and electron transportation property is given. - 特許庁

よって、電子輸送層とカソードとのエネルギー障壁差を縮めて電子注入効率を高めることにより、発光効率、色座標及び輝度特性に優れ、かつ、駆動電圧が下がる。例文帳に追加

Therefore, the organic electroluminescent element has a good luminous efficiency, color coordinate and brightness property, and lowers a driving voltage by reducing an energy barrier difference with an electron transmission layer and improving the electron injection efficiency. - 特許庁

色素増感太陽電池の光電変換素子等の機能素子を構成する微粒子集合体の粒界でのエネルギー障壁を低減し、機能素子の性能を高める。例文帳に追加

To enhance performance of a function element, by reducing the energy barrier in the grain boundary of particulate groupings which constitute the function element of a photoelectric transfer element, or the like, of a dye-sensitized solar cell. - 特許庁