「障壁エネルギー」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

また、前記バリア層の少なくとも一つは、組成が厚さ方向で連続的に変化した層であり、量子井戸層５１の歪を緩衝し、かつ量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層であってもよい。例文帳に追加

Moreover, at least one of the barrier layers changes continuously in the composition in the thickness direction and may be the layer for buffering distortion of the quantum well layer 51 and including an energy barrier for the quantum well layer 51. - 特許庁

環境汚染に重点をおいた発電エネルギー創生技術は広く各分野に及ぶが高コスト、量的非計画性、非効率性等の障壁が前進を阻んでいる。例文帳に追加

To advance into a new field of an animal-powered electric power generation plant for livestock power, human power, etc. by solving a problem that although an electric power generation energy creating technology having emphasis on environment pollution is widely extended to various fields, barriers such as quantitative haphazardness and inefficiency block the advance. - 特許庁

こうして、電流パスとなり易い箇所にエネルギー的に障壁の高い領域を形成してリーク電流の発生（ショートチャネルリーク）を防ぐことができる。例文帳に追加

With this device, a region having a high barrier in energy is formed on a portion where current path is easily formed to prevent the occurrence of a leak current (short channel leak). - 特許庁

さらに、ブロック絶縁膜の比誘電率をε_rとすれば、電荷蓄積層とブロック絶縁膜の間のエネルギー障壁は、電子に対して4.5ε_r^-2/3(eV)以上、3.8eV以下、正孔に対して4.0ε_r^-2/3(eV)以上、3.8eV以下である。例文帳に追加

Furthermore, when relative permittivity of the block insulating film is defined as ε_r, an energy barrier between the charge storage layer and the block insulating film is ≥4.5 ε_r^-2/3(eV) and ≤3.8 eV to electrons, and ≥4.0 ε_r^-2/3(eV) and ≤3.8 eV to a hole. - 特許庁

窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。例文帳に追加

The nitride semiconductor device comprises: well layers composed of a nitride semiconductor containing In and Ga: barrier layers composed of the nitride semiconductor including Al and Ga with a higher band-gap energy than that of the well layers, which sandwiches the well layer: and thin film layers each provided between the well layer and the barrier layer. - 特許庁

窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。例文帳に追加

A nitride semiconductor device is provided with a well layer consisting of a nitride semiconductor containing In and Ga, a barrier layer consisting of nitride semiconductor which sandwiches the well layer, and contains Al and Ga with larger band gap energy than the well layer; and a thin film layer formed between the well layer and the barrier layer. - 特許庁

量子ウェル構造を有して光を生成するＧａＩｎＮＡｓ活性層と、活性層の上下部に蒸着されて前記活性層より高い伝導帯のエネルギーと低い価電子帯エネルギーとを有するＧａＩｎＡｓ障壁層とを備え、１．３μｍ以上の長波長帯域の優秀な発光特性を有する。例文帳に追加

The optical device is provided with a quantum well structured GaInNAs active layer that generates light, and GaInAs barrier layers vapor-deposited vertically, over and under the active layer having conduction band kinetic energy and lower valence band kinetic energy higher than that of the active layer, and it has an superior long-wavelength luminescence characteristic of 1.3 ums or longer. - 特許庁

第１の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第１の多重量子井戸よりも下位側に配設された第２の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ１３に衝突し、第２の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。例文帳に追加

A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission. - 特許庁

レーザダイオードの量子井戸と井戸障壁との間の伝導帯ギャップ差値が、３００ｍｅＶ乃至４５０ｍｅＶまで向上され、レーザダイオードの特性温度が向上されるレーザダイオードの活性層エネルギー帯を提供する。例文帳に追加

To provide an active layer energy band for a laser diode by which a conduction band gap differential value between a quantum well and a well barrier of the laser diode is improved up to 300 meV or 450 meV and a characteristic temperature of the laser diode is improved. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide an ohmic contact system of a new concept having excellent electrical, optical, thermal and structural characteristics in which an effective carrier concentration is increased, a Schottky barrier is reduced by the adjustment of an energy-band gap between substances, and high transmissivity is obtained. - 特許庁

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。例文帳に追加

To provide a new-concept ohmic contact system with excellent electrical, optical, thermal and structural features, to increase an effective carrier density, to reduce a Schottky barrier by adjusting an energy bandgap between substances, and high in permeability. - 特許庁

このような構成により、特に発光層５と正孔輸送層３との間に銅フタロシアニン層４が設けられているため、発光層５と正孔輸送層３間のエネルギー障壁が縮小され、発光層５への正孔注入がスムーズに行なわれるようになる。例文帳に追加

According to such a structure, since the copper phthalocyanine layer 4 is particularly provided between the light emitting layer 5 and the hole carrier layer 3, the energy barrier between the light emitting layer 5 and the hole carrier layer 3 is contracted, and the hole injection to the light emitting layer 5 is smoothed. - 特許庁

更に好ましくは、第２導電型層１２内には、第１の障壁層２ａよりもバンドギャップエネルギーの大きなキャリア閉じ込め層２８が設けられることで、活性層を挟む各導電型層に、活性層の非対称構造とは反対のバンド構造が設けられる。例文帳に追加

More preferably, since a carrier confinement layer 28 having the band gap energy larger than that of the first barrier layer 2a is provided in the second conductivity type layer 12, a band structure opposed to a non- symmetrical structure of the active layer is provided in each conductivity type layer sandwiching the active layer. - 特許庁

従来から配線材として一般に用いられてきた安価で安定な金属を陰極材料として用いることができ、有機層への電子注入におけるエネルギー障壁が小さく、駆動電圧が低く、高効率、高輝度の有機エレクトロルミネッセント素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an organic elecroluminescence element capable of using an inexpensive, stable metal usually used as a circuit forming material as a cathode material, with a low energy barrier in electron injection into an organic layer, low driving voltage, high efficiency, and high brightness. - 特許庁

本願発明においては、有機半導体薄膜の結晶粒界部位に、エネルギー障壁を低減させる他物質を導入するために、有機半導体層５０における絶縁層６０と対極側に、半導体層５０とは逆極性を有する有機化合物２０を付着させた構造とした。例文帳に追加

In order to introduce another substance for reducing the energy barrier into the grain boundary part of an organic semiconductor thin film, an organic compound 20 having a polarity opposite to that of an organic semiconductor layer 50 is attached to the semiconductor layer 50 on the side opposite to an insulation layer 60. - 特許庁

ここで、ＳＰＱＷとは、上側および下側のエネルギー状態がそれらの自然幅を超えて分離して各ＲＴ領域で相異なるミニバンドに寄与するほどに十分に薄い少なくとも１つの障壁層によって、複数のサブ井戸に分割された量子井戸をいう。例文帳に追加

Here, the SPQW is a quantum well which is divided into a plurality of sub-wells by at least one barrier layer which is so thin that the energy state on upper side and lower side is separated over its natural width, to contribute to different mini bands in respective RT regions. - 特許庁

ｐ型クラッド層とｐ型ウインドウ層との間のヘテロ接合に起因するバンド不連続を解消し、エネルギー障壁を低くして動作電圧を低下できるＡｌＧａＩｎＰ系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。例文帳に追加

To provide an AlGaInP light-emitting element of a constitution, wherein the discontinuity of bands due to a hetero junction between an p-type clad layer and a p-type window layer is dissolved, an energy barrier is made low and an operating voltage can be reduced, and an epitaxial wafer for the light- emitting element. - 特許庁

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。例文帳に追加

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss. - 特許庁

前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。例文帳に追加

At least one of the barrier layers includes a structure formed by laminating a first barrier layer 53 and a second barrier layer 52 and the first barrier layer 53 is a buffer layer for distortion of the quantum well layer 51 and the second barrier layer 52 has an energy barrier for the quantum well layer 51. - 特許庁

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース２２にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２７が注入されるが、第２の強磁性障壁層６のダウンスピンバンド端１０はスピン偏極ホットエレクトロン２７のエネルギーよりも高い。例文帳に追加

Although spin-polarized hot electrons 27 having down-spin are injected into the base 22 when the senses of the magnetizations of the first and the second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are antiparallel with each other, a down-spin-band end 10 of the second ferromagnetic barrier layer 6 is made higher than the energy of the spin-polarized hot electrons 27. - 特許庁

インジウムを含むＧａＮ系化合物半導体のｎ＋１層障壁層（ｎは１以上の自然数）と、インジウムを含むＧａＮ系化合物半導体からなり障壁層より小さいバンドギャップエネルギーを有するｎ層の井戸層を有し、ｍ番目（１≦ｍ≦ｎ）井戸層が、ｍ番目障壁層とｍ＋１番目障壁層の間に隣接し配設される量子井戸構造を有する発光層を備えるＧａＮ系化合物半導体発光素子の製造方法。例文帳に追加

On manufacturing of a light-emitting element 300, provided with a luminous layer 306 comprising a plurality of GaN compound semiconductor layers each containing In, growth is interrupted for a prescribed period after formation of well layers and barrier layers, when the luminous layer 306 is formed from a plurality of well layers and barrier layers. - 特許庁

裏面電極／半導体基板の間のエネルギー障壁が低く、半導体デバイスのオン抵抗が低減され、裏面電極の露出面の耐腐食性が良好で、かつ、裏面電極と半導体基板との密着性が良好で、裏面電極の材料コストを抑えることが可能な半導体デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which features a low energy barrier between its reverse-side electrode and semiconductor substrate so that the on-resistance of the semiconductor device is reduced, and also whose exposed face of the reverse-side electrode has good corrosion resistance and whose reverse-side electrode and semiconductor substrate are firmly adhered to each other, making it possible to reduce the cost of reverse-side electrode material. - 特許庁

電子密度及び磁場強度を制御して、エネルギー準位が同一の異なるスピン状態が混在する量子ホール効果状態を維持しながら、ポテンシャル障壁に印加する電圧を制御して、二次元電子の閉じ込めポテンシャルの対称性を制御し、半導体層５を構成する元素の核スピンを操作する。例文帳に追加

The electron density and intensity of the magnetic field are controlled to keep the state of quantum Hall effect, where different spin states coexist at the same energy level, and the voltage to be applied to the potential barrier is controlled to control the symmetry of confining potential of the two-dimensional electron, thus operating the nuclear spin of elements constituting the semiconductor layer 5. - 特許庁

スルホン酸基を有する高分子電解質、主鎖骨格中に回転エネルギー障壁が１２ｋＪ／ｍｏｌ以下の結合ユニットを含み、且つ、３，０００以下の分子量を有するポリマー、及び、ｐＫａ値が７．０以上である強塩基性化合物を含有することを特徴とする、燃料電池用電解質膜。例文帳に追加

The electrolyte membrane for a fuel cell contains a polymer electrolyte having a sulfonic acid group and a joint unit with a rotational energy barrier of 12kJ/mol or less in a main chain frame and moreover contains a polymer having a molecular amount of 3,000 or less and a strong basic compound with 7.0 or more of a pKa value. - 特許庁

有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との界面に有機化合物層（１）１０２を構成する材料及び有機化合物層（２）１０３を構成する材料からなる混合層１０５を形成することにより、有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との間に生じるエネルギー障壁を緩和することができる。例文帳に追加

By forming a mixture layer 105 consisting of a material constituting an organic compound layer (1) 102 and a material constituting an organic compound layer (2) 103 on the interface of the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103, energy barrier generated between the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103 can be alleviated. - 特許庁

有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との界面に有機化合物層（１）１０２を構成する材料及び有機化合物層（２）１０３を構成する材料からなる混合層１０５を形成することにより、有機化合物層（１）１０２と有機化合物層（２）１０３との間に生じるエネルギー障壁を緩和することができる。例文帳に追加

In the interface between an organic compound layer (1) 102 and an organic compound layer (2) 103, a mixture layer 105 made of a material composing the organic compound layer (1) 102 and a material composing the organic compound layer (2) 103 is formed and an energy barrier generated between the organic compound layer (1) 102 and the organic compound layer (2) 103 is mitigated. - 特許庁

少なくとも一つのビットラインに接続された第１及び第２電極のうち少なくとも一つの電極とワードラインに接続されたゲート電極間の高電界によって発生するホットホールがトンネル酸化膜エネルギー障壁を越えて窒化膜に注入されることによってデータが消去されることを特徴とするＳＯＮＯＳメモリ素子のデータ消去方法である。例文帳に追加

The method of erasing data of the SONOS memory device is characterised in that the data are erased by injecting hot holes that are generated by high electric field between at least one of the first electrode and the second electrode both connected with at least one bit line and a gate electrode connected with a wordline, into a nitride film through a tunnel oxide film energy barrier. - 特許庁

また、電流分散層１１、１２の透明導電性膜側の界面近傍の電流分散層１２に、ドーパントを注入することにより、電流分散層１２が一様に高ドーパント濃度になるので、透明導電性膜６と電流分散層１２との界面のエネルギー障壁の厚さが薄くなってトンネル電流が流れるようになる。例文帳に追加

By injecting dopant in a current dispersion layer 12 in the vicinity of an interface on the transparent conductive film side between current dispersion layers 11 and 12, the thickness of the energy barrier of an interface between the transparent conductive film 6 and the current dispersion layer 12 is thinned and a tunnel current flows therethrough. - 特許庁

本節ではこれまで、東アジアにおいて関税削減のみではなく、非関税障壁の撤廃、域内労働力移動の在り方を含む人材政策協力、エネルギー協力や金融インフラの整備等の国境をまたがる課題への政策協調等を包括的に含み、かつ、それらの程度の高い経済統合、すなわち、質の高い東アジアの経済統合を進めていくべきであることを述べてきた。例文帳に追加

So far in this section we have stated that it is necessary to not only reduce tariffs in East Asia but also to comprehensively include coordination of policy on issues straddling national borders such as abolition onion-tariff barriers, human resources policy cooperation (including the ideal form of intra-regional movement of labor), energy cooperation, and development of a financial infrastructure. - 経済産業省

具体的には、当該国における過度に貿易制限的な規制や手続等の非関税障壁の撤廃32、エネルギー・資源へのアクセスの確保、新しい貿易関連問題である知的財産権保護、サービス・投資・政府調達の自由化、競争の促進等について貿易相手国に要求していくことが必要、としている。例文帳に追加

Specifically, the document stresses the need to demand other countries to remove non-tariff barriers such as excessive trade restrictions and procedures, guarantee access to energy and other resources, protect intellectual property rights (new trade-related issue), liberalize services, investment, and government procurements, promote free competition, etc. - 経済産業省

米国は、これからWTOに加盟しようとする国々とのWTO加盟交渉やWTOドーハラウンド、二国間FTA交渉、二国間投資協定交渉等において、米国の重要なサービス分野（金融サービス、通信サービス、コンピューター関連サービス、速達便（express delivery）サービス、エネルギー関連サービス、流通サービス等）の相手国市場への参入障壁を削減、撤廃することを要求しており、サービス分野で水準の高い約束を引き出したり、二国間協定等においても水準の高い条文を盛り込むことに成功している15。例文帳に追加

At WTO membership negotiations with countries hoping to join the WTO, the WTO Doha Development Agenda(DDA), and bilateral FTA negotiations, the United States is demanding partners to reduce or eliminate access barriers to their services markets that are considered by the United States to be crucial for its economy (such as financial, telecommunications, computer-related, express delivery, energy-related , and logistics services, etc.). The country has been successful in winning large compromises in service sectors and including stiff provisions in bilateral agreements, etc. - 経済産業省