「Ｆwd」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An intake valve pressure Pm_fwd in an intake valve closing timing Vi is estimated at an estimating timing E (i), and a closing valve timing cylinder intake gas flow rate mc_fwd is calculated based on the Pm_fwd (ii).例文帳に追加

推定時期Ｅにおいて、吸気弁閉弁時期Ｖｉにおける吸気弁圧力Ｐｍ＿ｆｗｄを推定し（ｉ）、Ｐｍ＿ｆｗｄに基づいて閉弁時筒内吸入ガス流量ｍｃ＿ｆｗｄを算出する（ｉｉ）。 - 特許庁

Say we have a rule like: 01000 fwd 例文帳に追加

この答えは、使っているルールセットとプロセッサのスピードによってほとんど決まります。 - FreeBSD

To provide a semiconductor device which allows recovery resistance of a FWD element to be enhanced.例文帳に追加

ＦＷＤ素子のリカバリ耐量を向上することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The FWD 21 is evaluated, based on the measurement data and the specified proportional constant.例文帳に追加

それらの計測データと前記特定された比例定数とを基にＦＷＤ２１を評価する。 - 特許庁

To improve recovery characteristic of FWD without deterioration of current capability of IGBT in a semiconductor device in which IGBT and FWD are formed in parallel on the same substrate.例文帳に追加

ＩＧＢＴとＦＷＤとが同一基板上に並列に形成された半導体装置において、ＩＧＢＴの電流能力を低下させることなく、ＦＷＤのリカバリ特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is hardly broken by improving a recovery characteristic in diode operation by suppressing parasitic diode operation at an element peripheral region except an FWD and an IGBT in an IGBT with a built-in FWD.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵ＩＧＢＴにおいて、ＦＷＤおよびＩＧＢＴ以外の素子周辺領域の寄生ダイオード動作を抑制することにより、ダイオード動作時のリカバリ特性を改善し、破壊しにくい半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device where IGBT and FWD are formed on an N^--type substrate 10, a regional damage layer 20 is provided only to the FWD region 2 of the N^--type substrate 10.例文帳に追加

Ｎ−型基板１０にＩＧＢＴおよびＦＷＤが形成された半導体装置において、Ｎ−型基板１０のうちＦＷＤ領域２にのみ領域部ダメージ層２０を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with an RC-IGBT element allowing an FWD element to be uniformly operated and suppressing snapback of an FWD element.例文帳に追加

ＲＣ−ＩＧＢＴ素子を備え、ＦＷＤ素子を均一に動作させるとともに、ＦＷＤ素子のスナップバックを抑制することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A width L3 along one direction in the FWD region 19c is longer than one second of a width along one direction in an FWD region 19a as a forth region.例文帳に追加

そして、ＦＷＤ領域１９ｃにおける一方向に沿う幅Ｌ３が、第４領域としてのＦＷＤ領域１９ａにおける一方向に沿う幅の１／２よりも長くなっている。 - 特許庁

The collector electrode 42 of the LIGBT comes into contact with the cathode electrode 142 of the FWD, and the emitter electrode 48 of the LIGBT comes into contact with the anode electrode 148 of the FWD.例文帳に追加

ＬＩＧＢＴのコレクタ電極４２とＦＷＤのカソード電極１４２が接しており、ＬＩＧＢＴのエミッタ電極４８とＦＷＤのアノード電極１４８が接している。 - 特許庁

An operating pin 82 is brought into slidable contact with an outer wall of an FWD shift cam 83a by energizing force of a tensile spring 81, and an FWD pinch-roller 79 is set to a functional position.例文帳に追加

引張りスプリング８１の付勢力で作用ピン８２はＦＷＤシフトカム８３ａの外壁に摺接しＦＷＤピンチローラ７９を機能位置に設定する。 - 特許庁

To prevent a semiconductor apparatus having an FWD built-in type IGBT from being broken owing to a recovery current concentrating on nearby a triplet point where an IGBT, an FWD, and a gate runner region cross one another.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵型ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ＩＧＢＴとＦＷＤとゲートランナ領域とが交差する３重点付近に集中するリカバリ電流による破壊を防止する。 - 特許庁

That is, a capacitor 14 is disposed in the neighborhood of the FWD chip 2 which is the generation source of the surge voltage so that the surge voltage generated by the FWD chip 2 can be absorbed by the capacitor 14.例文帳に追加

即ち、サージ電圧の発生源であるＦＷＤチップ２の近傍にコンデンサ１４を配置しているため、このコンデンサ１４によってＦＷＤチップ２から発生するサージ電圧を吸収することができる。 - 特許庁

In case of failure of the operation system core I/O device bridge 50, an FWD data copy processing part 150 copies the FWD data to an FWD 61 connected to a standby system core I/O device bridge 60, and an operation bridge switching processing part disables the device bridge 50, enables the standby system core I/D device bridge 60, and then restarts the system.例文帳に追加

そして、運用系コアＩ／Ｏデバイスブリッジ５０が故障した場合に、ＦＷＤデータコピー処理部１５０が、待機系コアＩ／Ｏデバイスブリッジ５０に接続されたＦＷＤ６１にＦＷＤデータをコピーし、運用ブリッジ切り替え処理部が、運用系コアＩ／Ｏデバイスブリッジ５０を無効にし、待機系コアＩ／Ｏデバイスブリッジ６０を有効にした後、システムを再起動する。 - 特許庁

The respective FWD cell regions (FWD active regions) 3 constituting one of cell region columns disposed on both sides of center gate wiring 4a running at the center of the semiconductor device 1 pass through the lower part of the gate wiring 4 and are integrally formed with the respective FWD cell regions 3 constituting the other cell region column.例文帳に追加

半導体装置１の中央を走行している中央ゲート配線４ａの両側に配置されたセル領域列のうち、一方のセル領域列を構成する各ＦＷＤセル領域（ＦＷＤ活性領域）３は、ゲート配線４の下方を通過して他方のセル領域列を構成する各ＦＷＤセル領域３と一体形成されている。 - 特許庁

The tty user is a sandbox designed to make it more difficult for someone who has successfully hacked into the system via ntalk from being able to hack beyond that userID. A process which is placed inside a simulation of the machine. 例文帳に追加

そのため fwdルールは、 そのルールを書いたユーザが意図したようには動かないことが良くあります。 - FreeBSD

In Label 1-1, forwarding information (FWD Info) 1-1-1 and VPN 1-1-2, for example, are allocated.例文帳に追加

Ｌａｂｅｌ１−１には、例えば、フォワーディング情報（ＦＷＤ Ｉｎｆｏ）１−１−１及びＶＰＮ１−１−２が割り当てられる。 - 特許庁

Tefin_fwd(N) is used as the actual correction temperature Tefin_AD(N) in a period Tp2 of the timing t1-t2.例文帳に追加

タイミングｔ１〜ｔ２のうち期間Ｔｐ２では、実際の補正温度Ｔｅｆｉｎ＿ＡＤ（Ｎ）としてＴｅｆｉｎ＿ｆｗｄ（Ｎ）を用いる。 - 特許庁

In addition, Tefin_fwd(N) is used as the actual correction temperature Tefin_AD(N) in an off-period (t2-t3) of the compressor 2.例文帳に追加

これに加えて、コンプレッサ２のＯＦＦ期間（ｔ２〜ｔ３）では実際の補正温度Ｔｅｆｉｎ＿ＡＤ（Ｎ）としてＴｅｆｉｎ＿ｆｗｄ（Ｎ）を用いる。 - 特許庁

To readily manufacture a semiconductor device wherein an IGBT and an FWD are integrated into a single semiconductor chip.例文帳に追加

ＩＧＢＴとＦＷＤを同一半導体チップに集積した半導体装置を容易に製造すること。 - 特許庁

To stably manufacture a thin-structured FWD-integrated IGBT having proper electrical characteristics.例文帳に追加

良好な電気的特性を有する薄い構造のＦＷＤ一体型ＩＧＢＴを安定して作製すること。 - 特許庁

An element group made up of the IGBT 42 and the FWD 43 is soldered to the metal conductor layer 41F with a first solder 51.例文帳に追加

金属導体層４１Ｆには、ＩＧＢＴ４２やＦＷＤ４３からなる素子群が、第１はんだ５１により接合されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an LIGBT arranged in a first element region 16 and an FWD arranged in a second element region 18.例文帳に追加

半導体装置は、第１素子領域１６に配置されたＬＩＧＢＴと、第２素子領域１８に配置されたＦＷＤを備えている。 - 特許庁

Each of the upper arm 21U and the lower arm 21L comprises an insulating substrate 41, an insulated gate bipolar transistor (IGBT) 42, and a free-wheeling diode (FWD) 43.例文帳に追加

上アーム２１Ｕ及び下アーム２１Ｌの各々は、絶縁基板４１と、ＩＧＢＴ４２と、ＦＷＤ４３と、を備えている。 - 特許庁

A phase detecting circuits 40 and 50 detect a phase difference of the signal REF of the reflected wave component regarding the signal FWD of the traveling wave as a reference.例文帳に追加

位相検出回路４０，５０は、進行波成分の信号ＦＷＤを基準に反射波成分の信号ＲＥＦの位相差を検出する。 - 特許庁

An electronic circuit 1 has an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 11, an FWD(Free Wheeling Diode) 12, and a semiconductor element driving circuit 13.例文帳に追加

電子回路１は、ＩＧＢＴ１１と、ＦＷＤ１２と、半導体素子駆動回路１３と、を備えている。 - 特許庁

To provide an insulated gate transistor of a trench gate structure which has a built-in freewheel diode (FWD) and which can improve a recovery characteristic in diode operation.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵型の絶縁ゲート型トランジスタにおいて、ダイオード動作におけるリカバリー特性を改善する。 - 特許庁

To detect the temperature of a region where thermal destruction occurs most easily in a semiconductor device constructed as IGBT which incorporates FWD.例文帳に追加

ＦＷＤを内蔵したＩＧＢＴとして構成される半導体装置において、熱的破壊がもっとも起きやすい場所の温度を検出する。 - 特許庁

To provide an evaluation device and an evaluation method capable of evaluating an FWD (falling weight deflectmeter) easily and appropriately.例文帳に追加

ＦＷＤの評価を簡便且つ適切に行なうことができる評価用装置および評価方法を提供する。 - 特許庁

Due to this structure, the time when the FWD element is working and the time when the IGBT element is working are detected by the single temperature sensitive element 10.例文帳に追加

これにより、ＦＷＤ素子の動作時とＩＧＢＴ素子の動作時とを１つの感温素子１０で検出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can reduce on-state power loss of an IGBT while improving linearity of Vf-If characteristics of a FWD.例文帳に追加

ＦＷＤのＶｆ−Ｉｆ特性の線形性を改善しつつ、ＩＧＢＴのオン損失を低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A load value and displacement of a time series by a FWD test are acquired by a load acquiring part 210 and a displacement acquiring part 210.例文帳に追加

ＦＷＤ試験による時系列の荷重値および変位が荷重取得部２１０および変位取得部２１０によって取得される。 - 特許庁

This semiconductor device is interposed between a second conductor member 5 and a third conductor member 6, and a capacitor 14, connected in parallel with the element of an FWD chip 2, is integrally molded with the FWD chip 2 with resin 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、第２の導体部材５と第３の導体部材６との間に介在されるとともに、ＦＷＤチップ２の素子に対して並列に接続されたコンデンサ１４を、樹脂９によってＦＷＤチップ２などと一体的にモールドしている。 - 特許庁

In an IGBT with a built-in FWD, a trench 21 which is a dummy trench reaching an N-type drift layer 11 through a P-type diffusion layer 20 is formed at the same pitch and depth as an IGBT part 1 in a region except the IGBT part 1 and an FWD part 3, that is, a runner 2.例文帳に追加

ＦＷＤ内蔵ＩＧＢＴにおいて、ＩＧＢＴ部１およびＦＷＤ部３以外の領域、すなわちランナー部２にＰ型拡散層２０を貫通してＮ−型ドリフト層１１に達するダミートレンチであるトレンチ２１を、ＩＧＢＴ部１と同じピッチ、深さで形成する。 - 特許庁

Metallic electrode plates 10A, 20A, and 30A are molded on a resin base 50A, an IGBT 40p and an FWD 42p are joined to a main part 11A of the metallic electrode plate 10A, and an IGBT 40n and an FWD 42n are joined to a lower stage 22A of the metallic electrode plate 20A.例文帳に追加

金属電極板１０Ａ、２０Ａ、３０Ａが樹脂ベース５０Ａにモールドされ、金属電極板１０Ａにはその主部１１Ａ上にＩＧＢＴ４０ｐとＦＷＤ４２ｐが接合され、金属電極板２０Ａにはその低段部２２ＡにＩＧＢＴ４０ｎとＦＷＤ４２ｎが接合されている。 - 特許庁

The wafer is separated to individual semiconductor chips 10 by dicing so as to obtain the semiconductor device in which FWD 12 is integrated with IGBT 11, the FWD having the cathode region 32 extending down through the side surface of a chip and having an anode region 31 provided across an edge portion 14.例文帳に追加

そして、ダイシングによって個々の半導体チップ１０に切り離すことによって、カソード領域３２がチップ側面に表裏に貫通し、かつアノード領域３１がエッジ部１４を挟んで設けられたＦＷＤ部１２を、ＩＧＢＴ部１１と一体化させた構成の半導体装置が得られる。 - 特許庁

An electrode 26 is formed on the surface of a float P layer 25 formed between an IGBT cell region 2 and an FWD cell region 3, and the electrode 26 is grounded.例文帳に追加

ＩＧＢＴセル領域２とＦＷＤセル領域３との間に形成されたフロートＰ層２５の表面には、電極２６が形成されており、その電極２６は接地(ground)されている。 - 特許庁

A driving gate electrode 8a for driving a vertical MOSFET by using a trench 6 having the same depth, and a gate electrode 8b for diode used for forming an inversion layer on the FWD side are formed.例文帳に追加

同じ深さのトレンチ６を用いて縦型ＭＯＳＦＥＴを駆動するための駆動用ゲート電極８ａとＦＷＤ側に反転層を形成するためのダイオード用ゲート電極８ｂを形成する。 - 特許庁

Electrodes 112, 115 on one side 1a and the other side 1b of IGBT 11 and FWD 12 are made of pure Al and a barrier metal 111 is formed between the one side 1a of a substrate 110 and the electrode 112.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１１およびＦＷＤ１２の一面１ａ側および他面１ｂ側の電極１１２、１１５が純Ａｌであり、基板１１０の一面１ａと電極１１２との間にはバリアメタル１１１を形成している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with few holes stored when a reflow current flows to an FWD cell region and few holes intruding an IGBT cell region.例文帳に追加

還流電流がＦＷＤセル領域に流れるときに蓄積されるホールが少なく、かつ、ＩＧＢＴセル領域に侵入するホールが少ない半導体装置を実現する。 - 特許庁

Then, the surge voltage generated from the FWD chip 2 can be effectively suppressed, and the radiation quantity of the surge voltage can be reduced, and the misoperation of a peripheral electronic apparatus or the reception failure of a radio can be prevented.例文帳に追加

それによって、ＦＷＤチップ２から発生したサージ電圧を効果的に抑制するとともに、サージ電圧の輻射量を低減することができ、周辺電子装置の誤作動やラジオの受信障害を防止することができる。 - 特許庁

In the first main surface-side surface layer in the semiconductor substrate 10, a region between the outer peripheral end 24a and the closet channel 22 is an FWD region 19c as a ninth region.例文帳に追加

半導体基板１０における第１主面側表層において、外周端２４ａから最も近いチャネル２２までの間の領域が第９領域としてのＦＷＤ領域１９ｃとなっている。 - 特許庁

On the metal conductor layer 41F, the FWD 43 and a wire bonding region 41W are mounted in the longitudinal direction so that they are arranged on both sides of the IGBT 42.例文帳に追加

金属導体層４１Ｆには、ＩＧＢＴ４２を中央にして、その両側にＦＷＤ４３及びワイヤボンディング領域４１Ｗが配置されるように、長手方向に整列して搭載される。 - 特許庁

The FWD has a cathode electrode 142 and an anode electrode 148 disposed across the contiguity part 11 at an interval in the x-axial direction in the plan view of the SOI substrate 20.例文帳に追加

ＦＷＤは、ＳＯＩ基板２０を平面視したときに、隣接部１１においてカソード電極１４２とアノード電極１４８がｘ軸方向に間隔を置いて配置されている。 - 特許庁

To provide a reverse-conducting insulated gate bipolar transistor which can be operated in the same active portion by integrating an IGBT portion and an FWD portion on a semiconductor substrate and can reduce the chip cost by ≥30%.例文帳に追加

半導体基板上でＩＧＢＴ部とＦＷＤ部とを一体化して、同一の活性部で動作させることができ、チップコストを３０％以上低減することができる逆導通形絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの提供。 - 特許庁