1 000 000の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 81件
One thousand dirhams.例文帳に追加
1、000ディルハム - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Total floor space: approximately 16, 000 m2 例文帳に追加
延床面積:約1万6000m - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
50 000 000 yen or hundred million, it's the same ! I absolutely cannot forgive him.例文帳に追加
5,000万でも1億でも同じ! 絶対に許せません。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
1 200 000 yen after all.例文帳に追加
なんたって 120万ですからね。 - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
The revenues for the first month of 2011 exceed 1 000 000 yen.例文帳に追加
2011年の最初の月の利益も100万円を越えました。 - Tatoeba例文
The off-angle from the (000-1) surface of a tilting surface excepting the (000-1) surface is ≥0.2° and ≤90°.例文帳に追加
前記(000−1)面以外の傾斜面は、(000−1)面からのオフ角が0.2°以上90°以下である。 - 特許庁
a material that uses {high molecules} with molecular weights of 10, 000 moles or more, called {high molecular material} 例文帳に追加
分子量1万以上の高分子を使用した材料 - EDR日英対訳辞書
Now, 1 ,000 years of co2 in the mountain glaciers, that's one thing.例文帳に追加
さて、山岳氷河の1千年間の 二酸化炭素量 これは一つのこと - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
So if you look at 1 ,000 years' worth of temperature and compare it to 1 ,000 years of co2, you can see how closely they fit together.例文帳に追加
1千年間に相当する気温に注目し そして、1千年間の二酸化炭素量 と比較すると いかにうまくこれらが一致するか 分かるでしょう - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
And europe went back into an ice age for another 900 to 1 ,000 years.例文帳に追加
ヨーロッパは更に900年から1,000年 の間、氷河期に逆戻りしたのです - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
in the Edo era of Japan, warriors directly serving the shogun whose yearly individual incomes were less than 10, 000 'koku' of rice 例文帳に追加
江戸時代,将軍に直接仕えた1万石以下の武士 - EDR日英対訳辞書
Overall, species loss is now occurring at a rate 1 ,000 times greater than the natural background rate.例文帳に追加
全体として、種の損失は今 自然要因の1千倍の大きさで 起きています - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
The third surface 13e faces a direction of a <000-1> axis of the gallium nitride support base 13.例文帳に追加
第3の面13eは窒化ガリウム支持基体13の<000−1>軸の方向に向く。 - 特許庁
The GaN buffer layer may also have an N polarity ((000-1) surface, -c surface).例文帳に追加
またGaNバッファ層の極性がN極性((000−1)面、−c面)であってもよい。 - 特許庁
An epitaxial layer 12 having an (000-1) off-face as a major surface is obtained by growing a silicon carbide layer epitaxially on the major surface of a silicon carbide substrate 11 having the (000-1) off face as the major surface (upper surface) and an (000-1) off face as a rear surface (lower surface).例文帳に追加
( 0 0 0 −1 )オフ面を主面(上面)として( 0 0 0 1 )オフ面を裏面(下面)とする炭化珪素基板11の主面上に炭化珪素層をエピタキシャル成長させることにより、( 0 0 0 −1 )オフ面を主面とするエピタキシャル層12を得る。 - 特許庁
10, 000 manhours to get this close to the dutchman, and you blow up my evidence.例文帳に追加
ダッチマンに近づいて ここまで来るのに 延べ1万時間もかかったのに 俺の証拠を吹っ飛ばしたな - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
A tilting surface excepting the (000-1) surface is formed in a step side surface of uneven level difference.例文帳に追加
さらに前記(000−1)面以外の傾斜面は、凹凸段差の段差側面に形成されている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is subjected to an anneal treatment for forming an ohmic contact reducing an ohmic contact resistance, and has an insulating film on a silicon carbide (000-1) surface, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加
オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素(000-1)面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a sodium-chloride type transition metal carbide single crystal substrate that increases lattice matching property with a (0001) or (000-1) plane of a nitride semiconductor crystal such as GaN and that allows epitaxial growth of a nitride semiconductor crystal with little defect.例文帳に追加
GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。 - 特許庁
The rear surface 13b has surface morphology M that includes a plurality of protrusions 23 protruding toward a <000-1> axis direction.例文帳に追加
裏面13bの表面モフォロジMは、<000−1>軸の方向に向いて突出する複数の突起23を有する。 - 特許庁
- the infringer pay the owner compensation the amount of which shall be from 10 000 to 50 000 times the monthly calculated index in accordance with legislation in force, in place of compensation for damages sustained or payment the amount of the derived profits;例文帳に追加
- 侵害者は、所有者に対し、被った被害に係る賠償又は得られた利益に等しい額に代えて、施行されている法令に従って算出された月額指標の1 万から5 万倍の補償金を支払うこと。 - 特許庁
The resin composition comprises (A) a polyorganosilsesquioxane resin having two or more oxetane groups in one molecule and having a weight average molecular weight of 1,000-50,000 and (B) a compound which generates an acid under an electron beam or heat.例文帳に追加
(A)分子内に2個以上のオキセタン基を有し、重量平均分子量が1、000〜50、000であるポリオルガノシルセスキオキサン樹脂と(B)電磁線または熱により酸を発生する化合物とを含有してなることを特徴とする3層レジスト中間層樹脂組成物。 - 特許庁
A light emission facet 1F of the nitride-based semiconductor laser element 1 is formed along a (0001) plane, and a rear facet 1B is formed along a (000-1) plane.例文帳に追加
窒化物系半導体レーザ素子1の出射面1Fは(0001)面に沿って形成され、後面1Bは(000−1)面に沿って形成される。 - 特許庁
As the substrate 9, a hexagonal silicon carbide substrate having a (0001) silicon termination surface or a (000-1) carbon termination surface is used.例文帳に追加
この基板9として、(0001)珪素終端面または(000−1)炭素終端面を有する六方晶炭化珪素基板を用いる。 - 特許庁
And you can see each annual layer from the melting and refreezing, so they can go back in a lot of these mountain glaciers 1 ,000 years.例文帳に追加
氷解と再氷結から年次層を見る事が 出来ます それで、多くの山岳氷河の千年 前までさかのぼる事が出来ます - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
To provide a manufacturing method of an SiC single crystal substrate capable of obtaining a (000-1) carbon plane having more excellent surface roughness by reducing processing scratches in polishing the (000-1) carbon plane of the SiC single crystal substrate and reducing adhering substances on the surface after finish polishing.例文帳に追加
SiC単結晶基板の(000−1)カーボン面の研磨加工において加工傷を減少させ、かつ仕上げ研磨後の表面付着物を減少させて、より良好な表面粗さをもつ(000−1)カーボン面を得られるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
The resin composition comprises (A) an end-blocked polyorganosiloxane resin having a weight average molecular weight of 1,000-50,000 obtained by end blocking with a specified organosilicon compound and (B) a compound which generates an acid under an electromagnetic radiation or heat.例文帳に追加
(A)特定の有機けい素化合物で末端を封止してなる重量平均分子量が1、000〜50、000の末端封止ポリオルガノシロキサン樹脂及び(B)電磁線または熱により酸を発生する化合物を含有してなることを特徴とする3層レジスト中間層用樹脂組成物。 - 特許庁
The magnet sheet 31 and the urethane rubber sheet 41 have, for example, lengths L of 1, 000 mm, widths W of 100 mm and thicknesses of 2 mm.例文帳に追加
磁石シート31とウレタンゴムシート41とは、例えば、それぞれ長さLが1000mm、幅Wが100mm、厚さが2mmである。 - 特許庁
A light emission facet 1F of the nitride based semiconductor laser device 1 is composed of a cleavage plane of (0001) and a rear facet 1B is composed of a cleavage plane of (000-1).例文帳に追加
窒化物系半導体レーザ素子1の光出射面1Fは(0001)面のへき開面からなり、後面1Bは(000−1)面のへき開面からなる。 - 特許庁
An n^+-type SiC substrate 1 whose both surfaces are (000-1) C-faces is manufactured by bonding both (0001) Si-faces of two n^+-type SiC substrates 11 and 12 to each other.例文帳に追加
二枚のn^+型SiC基板11、12の(0001)Si面同士を貼り合せることにより、両面が(000−1)C面のn^+型SiC基板1を製造する。 - 特許庁
A controller 10 outputs a fixed rack number "000" and rack enable indicating that the rack number is established to a poststage peripheral device 20 (1).例文帳に追加
制御装置10は、固定のラック番号「000」と、ラック番号が確定していることを示すラックイネーブルとを、後段の周辺装置20(1)へ出力する。 - 特許庁
An n-type GaN substrate 101 is an off substrate having a crystal growth plane inclined at approximately 0.3° in a [000-1] direction from a (11-20) plane.例文帳に追加
n型GaN基板101は、(11−20)面から[000−1]方向に約0.3度傾斜した結晶成長面を有するオフ基板である。 - 特許庁
A person who fails to satisfy his obligation referred to in Article 28a (5) shall be liable to a fine of 300 to 500 levs or a property sanction of 600 to 1 000 levs. 例文帳に追加
第28a条 (5)にいう自己の義務を果たさない者には,300レヴァから500レヴァまでの罰金又は600レヴァから1,000レヴァまでの財産制裁が課される。 - 特許庁
He became in 1590 the lord of Inuyama Domain in Owari Province, whose kokudaka (crop yield) was 12.000 koku (1 koku is about 180 litters) (later 120, 000 koku), and he also worked as the daikan (local governor) of taiko kurairechi (the land directly controlled by Taiko Hideyoshi) of 100,000 koku owned by the Toyotomi clan at Kiso in Shinano Province. 例文帳に追加
天正18年(1590年)尾張国犬山藩1万2千石(のち12万石)を領し、また、豊臣氏の信濃国木曾の太閤蔵入地10万石の代官としても活躍した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The groove portion 21 extends substantially in parallel to the principal plane (11-20) of the n-type GaN substrate 11 and the (000-1) plane of the light emitting element layer 12.例文帳に追加
そして、溝部21が、n型GaN基板11の主表面((11−20)面)と発光素子層12の(0001)面とに実質的に平行な方向に延びる。 - 特許庁
To provide a method for preserving a GaN substrate, etc., capable of manufacturing a semiconductor device having satisfactory characteristics, and wherein a plane orientation of a principal surface is other than (0001) and (000-1).例文帳に追加
特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が(0001)および(000−1)以外のGaN基板の保存方法などを提供する。 - 特許庁
To provide a GaN single crystal substrate which has a large diameter, and a small photoelasticity strain in the principal plane except plane directions of the principal plane of (0001) and (000-1).例文帳に追加
大口径で主面の面方位が(0001)および(000−1)以外で主面内における光弾性歪み値が小さいGaN単結晶基板を提供する。 - 特許庁
The etching method presents an effect capable of evenly etching the zinc oxide-based material, especially a zinc oxide-based material having a (000-1) crystal surface, without generating etching residues.例文帳に追加
酸化亜鉛系材料、とりわけ(000−1)の結晶面を有する酸化亜鉛系材料を、エッチング残渣を発生させず平坦にエッチングできるという効果を奏する。 - 特許庁
To provide a polishing composition, suitably polishing (0001)Si face and (000-1)C face, and a polishing method using the polishing composition.例文帳に追加
(0001)Si面と(000−1)C面を好適に研磨することができる研磨用組成物及びそうした研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁
The principal surface 13a of the gallium nitride-based semiconductor region 13 is tilted at a tilt angle α of 85° or less on the basis of the {0001} plane or {000-1} plane.例文帳に追加
また、窒化ガリウム系半導体領域13の主面13aは、{0001}面または{000−1}面を基準に85度以下の傾斜角αで傾斜する。 - 特許庁
The surface of the electron travel layer 3a is a (0001) plane, and the surfaces of the first compound semiconductor layer 6b and second compound semiconductor layer 6b are (000-1) planes.例文帳に追加
電子走行層3aの表面は(0001)面であり、第1の化合物半導体層6b及び第2の化合物半導体層6bの表面は(000−1)面である。 - 特許庁
An internal counter 2 becomes 0, and an address and data stored in an address (000) of the register 3 are outputted as a state 1 when the power of the LSI for control is turned on.例文帳に追加
制御用LSIが電源ONすると、内部カウンタ2が0となり、上記レジスタ3のアドレス(000)に保存されているアドレスとデータがステート1として出力される。 - 特許庁
The principal plane 11 is a plane inclined at an angle from 71° to 79° in the [1-100] direction from (0001) plane or a plane inclined at an angle from 71° to 79° in the [-1100] direction from (000-1) plane.例文帳に追加
主面11は、(0001)面から[1−100]方向に71°以上79°以下傾斜した面、または(000−1)面から[−1100]方向に71°以上79°以下傾斜した面である。 - 特許庁
When the upper surface of the ZnO substrate 1 is an O surface (000-1), Zn atoms are not diffused to the InN crystal layer 2 side, so that the generation of p-type conduction can be suppressed.例文帳に追加
一方、ZnO基板1の上面がO面(000−1)である場合には、Zn原子がInN結晶層2側には拡散しないため、P型伝導が生じるのを抑制することができる。 - 特許庁
The sequence identifiers shall begin with 1 and increase sequentially by integers. 例文帳に追加
配列識別子は1で始まり,整数で連続的に増加する。ある配列識別子について配列が存在しないときは,配列識別番号後の次行から始まり,コード000を識別番号<400>の下に記載しなければならない。 - 特許庁
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