「Acid etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

POST-TREATMENT AGENT FOR ETCHING TREATMENT WITH CHROMIC ACID-SULFURIC ACID MIXED LIQUID例文帳に追加

クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤 - 特許庁

POSTTREATMENT AGENT FOR ETCHING TREATMENT WITH CHROMIC ACID-SULFURIC ACID MIXED LIQUID例文帳に追加

クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤 - 特許庁

Acid etching is carried out following to alkaline etching in the etching process while setting a larger etching margin for the alkaline etching than for the acid etching thus obtaining an improved chemically etched wafer.例文帳に追加

改良ケミカルエッチウェーハ：エッチング工程において、アルカリエッチングのあと酸エッチングを行い、その際、アルカリエッチングのエッチング代を酸エッチングのエッチング代よりも大きくしたウェーハ。 - 特許庁

she soaked the etching in an acid bath 例文帳に追加

彼女は、酸性の浴室にエッチングを浸した - 日本語WordNet

The etching is carried out by using a mixture acid of hydrofluoric acid and nitric acid and preferably to an etching amount (thickness to be removed) of at least 1 μm.例文帳に追加

フッ酸と硝酸の混酸を用い、エッチング量（除去厚さ）を１μｍ以上とすることが望ましい。 - 特許庁

The etching agent comprises an aqueous solution containing oxalic acid and a carboxylic acid.例文帳に追加

シュウ酸とカルボン酸を含有する水溶液からなるエッチング剤。 - 特許庁

METHOD FOR RECOVERING ACID FROM AQUEOUS ETCHING MIXTURE例文帳に追加

水性エッチング混合物からの酸回収方法 - 特許庁

A chemical wet etching by alkali or acid and a physical dry etching such as a sputter etching are used as the etching method.例文帳に追加

エッチング法としてはアルカリや酸による化学的湿式エッチング、スパッタエッチングなどの物理的ドライエッチングが使用される。 - 特許庁

This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.例文帳に追加

面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁

For etching of the nickel film, acid-based pharmaceutical solution is used.例文帳に追加

ニッケル膜のエッチングには、酸系薬液を用いる。 - 特許庁

To detect concentration of nitric acid in etching liquid (mixed acid comprising nitric acid, acetic acid, phosphoric acid and water) for aluminum, without using a sampling pump.例文帳に追加

アルミニウムのエッチング液（硝酸、酢酸、凛さか、水からなる混酸）中の硝酸濃度を、サンプリングポンプを用いずに、検出する。 - 特許庁

ETCHING METHOD, QUANTITATIVE ANALYSIS METHOD FOR ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR RECOVERING PHOSPHORIC ACID FROM ETCHING SOLUTION例文帳に追加

エッチング方法およびエッチング液の定量分析方法ならびにエッチング液からリン酸を回収する方法 - 特許庁

ETCHING METHOD FOR COPPER-CLAD CIRCUIT BOARD WITH HYDROGEN PEROXIDE/SULFURIC ACID BASED ETCHING LIQUID例文帳に追加

過酸化水素／硫酸系エッチング液による銅張回路基板のエッチング方法 - 特許庁

To provide an etching acid waste liquid disposal system which can be made compact and prevent the enormous quantity of waste of etching acid, and to provide an etching acid waste liquid disposal method, and an etching acid waste liquid disposal apparatus applied thereto.例文帳に追加

コンパクトに構成でき膨大なエッチング酸の浪費を防止することができるエッチング酸廃液処理システム及びエッチング酸廃液処理方法及びこれに適用するエッチング酸廃液処理装置を提供する。 - 特許庁

An acid etching liquid is then brought into contact with the laminate to apply acid-etching only to the peripheral part of each wafer of the laminate.例文帳に追加

次いで積層体に酸エッチング液を接触させ、積層体の各ウェーハの外周部のみを酸エッチングする。 - 特許庁

METHOD FOR QUANTITATIVELY ANALYZING MIXED ACID LIQUID IN ETCHING PROCESS例文帳に追加

エッチングプロセスにおける混酸液の定量分析方法 - 特許庁

METHOD FOR COLLECTING INDIUM FROM OXALIC ACID ETCHING WASTE LIQUID例文帳に追加

シュウ酸エッチング廃液からのインジウムの回収方法 - 特許庁

An aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid and an organic acid salt is used as an etching solution composition for etching the metal film on a substrate.例文帳に追加

リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。 - 特許庁

To provide a method for recovering hydrochloric acid from hydrochloric acid-containing etching waste liquid.例文帳に追加

塩酸を含むエッチング液の廃液から塩酸を回収する方法を提供する。 - 特許庁

The solution containing the aluminum, phosphoric acid and sulfuric acid may contain etching waste liquid.例文帳に追加

アルミニウム、リン酸、及び硫酸を含有する溶液は、エッチング廃液を含んでもよい。 - 特許庁

The composition of the etching liquid is constituted of dodecylbenzenesulfonic acid, oxalic acid, and water.例文帳に追加

ドデシルベンゼンスルホン酸とシュウ酸と水を配合してエッチング液組成物を構成する。 - 特許庁

Hydrofluoric acid is preferably used for the chemical etching.例文帳に追加

なお、化学エッチングにはフッ化水素酸を用いるのが好ましい。 - 特許庁

Accordingly, the etched quantity in an acid etching process is decreased.例文帳に追加

これにより、酸エッチ工程でのエッチング量が減少する。 - 特許庁

CONCENTRATION MEASURING METHOD FOR ACID MIXED AQUEOUS SOLUTION IN ETCHING PROCESS例文帳に追加

エチングプロセスにおける混酸水溶液の濃度測定方法 - 特許庁

METHOD FOR RECOVERING INDIUM COMPONENT FROM OXALIC-ACID ETCHING WASTE LIQUID例文帳に追加

シュウ酸エッチング廃液からのインジウム成分の回収方法 - 特許庁

The etching compound is an acid composition, containing a polyvalent carboxylic acid (at least one kind being selected from among a group of oxalic acid, citric acid, malic acid, tartaric acid, phthalic acid, and maleic acid), as required.例文帳に追加

エッチング組成物は、必要に応じて多価カルボン酸（シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、フタル酸、マレイン酸から成る群より選ばれる少なくとも一種）を含み、酸性である組成物とする。 - 特許庁

For the wet etching, an etchant including hydrofluoric acid, buffered hydrofluoric acid and aqueous ammonia, etc., is used.例文帳に追加

ウェットエッチングには、フッ酸や、バッファード・フッ酸、アンモニア水などを含むエッチャントを用いる。 - 特許庁

The etching solution includes phosphorous acid and/or phosphoric acid which has silicon dioxide dissolved therein.例文帳に追加

二酸化ケイ素を溶解した亜リン酸及び／又はリン酸を含んでなるエッチング液を用いる。 - 特許庁

Water solution containing phosphoric acid, nitric acid, an organic acid salt, and surfactant is used as an etching solution composition for etching the metal film on a substrate.例文帳に追加

リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。 - 特許庁

The composition for etching is composed of an aqueous solution, containing oxalic acid, aminocarboxylic acid and/or salts of aminocarboxylic acid.例文帳に追加

シュウ酸とアミノカルボン酸および／またはアミノカルボン酸の塩を含有する水溶液からなるエッチング用組成物。 - 特許庁

In etching processing, the nitrohydrofluoric acid nozzle 5 reciprocates while the nitrohydrofluoric acid is jetted from the nitrohydrofluoric acid nozzle 5.例文帳に追加

エッチング処理時には、フッ硝酸ノズル５からフッ硝酸が吐出されつつ、フッ硝酸ノズル５が往復移動される。 - 特許庁

Then, the etching stop layer 18 is removed by wet etching using an aqueous hydrofluoric acid solution.例文帳に追加

然る後に、エッチングストップ層１８をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。 - 特許庁

The wet-etching step uses a hydrofluoric acid-based etching liquid using a Cr film 6 as a mask.例文帳に追加

ウェットエッチング工程において、Ｃｒ膜６をマスクとしてフッ酸系エッチング液を用いている。 - 特許庁

Thereafter, the etching stop layer 18 is removed through wet etching by the use of a hydrofluoric acid water solution.例文帳に追加

然る後に、エッチングストップ層１８をフッ化水素酸水溶液によってウエットエッチング除去する。 - 特許庁

PHOTOSENSITIVE HYDROFLUORIC ACID ETCHING MATERIAL, OPTICAL PATTERN ETCHING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

感光性フッ酸エッチング材料、光パターンエッチング方法及び半導体デバイスの製造方法 - 特許庁

To provide a peracetic acid (PAA) system etching liquid, an etching method utilizing it, and a structure of a resultant material.例文帳に追加

ＰＡＡ系のエッチング液、それを利用するエッチング方法及び結果物の構造を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR RECOVERING HYDROCHLORIC ACID AND COPPER FROM COPPER ETCHING WASTE LIQUID例文帳に追加

銅エッチング廃液から塩酸及び銅を回収する方法 - 特許庁

The phosphoric based (or sulfuric acid based) selection-wet etching and the hydrochloric acid based selection wet etching are performed by two steps (S6-S9).例文帳に追加

リン酸系（又は硫酸系）の選択ウエットエッチングと、塩酸系の選択ウエットエッチングを２回に分けて行う（Ｓ６−Ｓ９）。 - 特許庁

The method for manufacturing the array substrate comprises the step of patterning the three-layer metal film 5 at stages of just etching by wet etching using a mixed acid (first etching).例文帳に追加

まず、混酸を用いるウェットエッチングによりジャストエッチングの段階まで三層金属膜５をパターニングする（第１のエッチング）。 - 特許庁

To provide an etching device and an etching method, wherein etching efficiency is high, and alkali permanganic acid etchant is used.例文帳に追加

エッチング効率の高いアルカリ過マンガン酸エッチング液を用いたエッチング処理装置及びエッチング処理方法を提供することにある。 - 特許庁

To restrain an etching rate from lowering caused by continuous etching by only a mixed acid, by etching buffered hydrofluoric acid after etching by the mixed acid that is a chemical liquid mixed with hydrogen fluoride HF and nitric acid HNO_3, and to uniformly remove a conductive film on a surface of a substrate, or a conductive film on a reverse face of the substrate.例文帳に追加

フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ_3）との混酸を用いたエッチング方法では、この混酸を供給し続けている個所のエッチングレートが低下する傾向が見られ、基板の表面または裏面のポリシリコン膜を、均一に除去することは困難である。 - 特許庁

To provide a photosensitive hydrofluoric acid etching material having excellent resistance against hydrofluoric acid, an optical pattern etching method which makes etching with concentrated hydrofluoric acid possible, and a method for manufacturing a semiconductor device for achieving simplification and a short period.例文帳に追加

フッ酸耐性に優れた感光性フッ酸エッチング材料、濃フッ酸エッチングが可能な光パターンエッチング方法、及び、単純化、短期化を達成できる半導体デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The high dielectric thin film etching agent composition is an aqueous solution containing at least one of organic acids (preferably, oxalic acid, citric acid, malonic acid, succinic acid, acetic acid or propionic acid) or inorganic acid(preferably, sulfuric acid, nitric acid, hydrogen chloride, phosphoric acid or sulfamic acid) and a fluorine compound.例文帳に追加

有機酸（シュウ酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酢酸またはプロピオン酸が好ましい。）又は無機酸（硫酸、硝酸、塩酸、リン酸またはスルファミン酸が好ましい。）の少なくともいずれかとフッ素化合物を含有する水溶液である高誘電率薄膜のエッチング剤組成物。 - 特許庁

To provide an etching liquid and etching method, capable of etching silicon nitride and also capable of stably etching for long periods of time, by reducing a surface tension of a phosphoric acid etching liquid in etching silicon nitride.例文帳に追加

窒化ケイ素のエッチングにおいて、リン酸系エッチング液の表面張力を低減して、窒化ケイ素をエッチングすることができ、しかも、長期間、安定的にエッチングすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The etching compound contains hydrogen peroxide and a polyvalent carboxylic acid (at least one kind selected from among a group of oxalic acid, citric acid, malic acid, phthalic acid, and maleic acid), as required.例文帳に追加

エッチング用組成物は、必要に応じて過酸化水素、多価カルボン酸（シュウ酸、クエン酸、リンゴ酸、フタル酸、マレイン酸から成る群より選ばれる少なくとも一種）を含む組成物とする。 - 特許庁