「Acid etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing the nitride semiconductor device forming an electrode on a nitride semiconductor layer, includes the steps of: carrying out plasma etching on a front surface of the nitride semiconductor layer by using a reactive etching gas containing at least silicon; cleaning the etched region by an acid or an alkali process liquid, while putting the etched region to an inert gas plasma; and forming the electrode on a cleaned etched region front surface.例文帳に追加

窒化物半導体層上に電極を形成する窒化物半導体装置の製造方法において、少なくともシリコンを含む反応性エッチングガスを用いて、窒化物半導体層の表面をプラズマエッチングする工程と、そのエッチング領域を、不活性ガスのプラズマに曝すと共に、酸系あるいはアルカリ系の処理液で清浄化する工程と、清浄化されたエッチング領域表面に電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

To obtain a metal-etching-inhibiting ultraviolet-curable composition having the ability to form a coating-unevenness-free uniform coating film excellent in resistance to corrosion by an acid etchant, not suffering from the elution of a part of the film-constituting materials into the etchant having a highly elaborate processing accuracy, and being easily released by treatment with an alkali solution.例文帳に追加

酸エッチング液に対して、優れた耐食性があり、塗布ムラのない均一な塗膜形成性を有し、塗膜構成材料の一部がエッチング液に溶出せず、高微細加工精度があり、アルカリ液にて容易に剥離可能である金属エッチング防食用の紫外線硬化性組成物の提供。 - 特許庁

In a method for analyzing the surface layer of the silicon wafer, the analyzing surface of the silicon wafer is made close to and face the liquid surface of the silicon solution made of a mixed liquid of fluorine and nitric acid under normal temperatures so as to etch the surface layer section of the silicon wafer, and the etching liquid is collected for analysis.例文帳に追加

シリコンウェーハの分析面を、フッ酸と硝酸の混合液からなるシリコン溶解液の液面に、常温下で近接させて対面させることによってシリコンウェーハの表層部をエッチングし、そのエッチング液を回収して分析することを特徴とするシリコンウェーハの表層分析方法である。 - 特許庁

To provide an imidazole compound having high solubility to an aqueous organic acid solution, inhibited with the precipitation of the imidazole-based compound caused by the change of pH of treating liquid or volatilization, continuously used stably against the mingling of miscellaneous ions by a printed wiring board or a soft etching treatment and suitable for a surface-treating agent.例文帳に追加

有機酸水溶液に対する溶解性が高く、処理液のｐＨの変動や蒸発などに起因するイミダゾール系化合物の析出が抑制され、プリント配線板やソフトエッチング処理による雑イオンの混入に対しても安定した継続使用が可能な、表面処理剤に適したイミダゾール化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in the conventional production of an aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing the surface layer oxide film of the aluminium material furthermore.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム材の表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

In the wafer processing 100, the number of cycles for repeating the supply and stop of pure water for maintaining the state that the etching rate of phosphoric acid 10 is high is calculated within the prescribed time for each lot, and when the number of cycles is out of the range of the preset number of times, it is reported.例文帳に追加

本実施形態のウエハ処理１００においては、ロット毎に、燐酸１０のエッチングレートが高い状態を維持するための純水の供給および停止を繰り返すサイクル数を所定時間内で算出し、そのサイクル数が予め設定した回数の範囲外である場合に、そのことを報知するように構成されている。 - 特許庁

In the printed wiring board 39, the conductor circuit 31 for a solder pad is constituted of an electroless plating film 25 and an electrolytic plating film 29, a roughened surface 32 which is treated by etching solution containing copper (II) complex and organic acid is disposed, and the solder resist layer 38 is arranged on the roughened surface 32.例文帳に追加

本発明のプリント配線板３９は、はんだパッド用導体回路３１が、無電解めっき膜２５と電解めっき膜２９とからなり、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって処理された粗化面３２を有しており、ソルダーレジスト層３８が粗化面３２上に設けられている。 - 特許庁

An aqueous and semi-aqueous composition, useful for removing residue after etching and ashing from a Cu low K dielectric semiconductor devices, contains a polyprotic acid buffer system, a fluoride system, water, and an water-miscible organic solvent for an aqueous composition, and may freely contain a chelating agent, a metal corrosion inhibitor and a surfactant.例文帳に追加

多塩基酸緩衝系、フッ化物系、水、該水溶性組成物用の水混和性有機溶媒を含み、随意に、キレート剤、金属腐食防止剤及び界面活性剤を含んでいてもよいCu低K誘電性半導体装置からエッチング及びアッシング後の残渣を除去するのに有用な水溶性及び半水溶性配合物。 - 特許庁

To provide a corrosion prevention structure of a connection part of piping such as a flange for connecting a pipe to a pipe or a flange for connecting a valve to pipe in the piping disposed in the atmosphere, steam, water, or alkaline or acid fluid, particularly, in a corrosive environment such as an etching fluid, and also provide a method of preventing the corrosion.例文帳に追加

大気、水蒸気、水或いはアルカリ又は酸性液、特に、エッチング液などの腐食環境中に置かれている配管において、パイプとパイプを接続するフランジ又はパイプにバルブを接続するためのフランジ等の配管の接続部分の腐食防止構造体及び腐食防止方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide an apparatus for growing a group III nitride crystal, with which it is possible to take out the group III nitride crystal without substituting or etching an alkaline metal not forming a reaction product directly and thereby, without using a reagent such as an alcohol or an acid when the group III nitride crystal is grown using the alkaline metal.例文帳に追加

アルカリ金属を用いてIII族窒化物結晶を成長させるときに、直接反応生成物を形成しないアルカリ金属をアルコールや酸等の薬液を用いずに、置換やエッチングすることなく、III族窒化物結晶を取り出すことの可能なIII族窒化物結晶成長装置を提供する。 - 特許庁

Vertical groove shields 11a and lateral groove shields 11b are formed by irradiating a photosensitive glass 1 with ultraviolet rays with a mask by an ultraviolet-ray mask exposure method, processing the glass, etching it with an acid, making grooves shaped like a lattice in the direction of the incidence of X rays and filling and encapsulating the powder of heavy metal like tungsten into the grooves.例文帳に追加

感光性ガラス１に紫外線マスク露光法によりマスクを用いて紫外光を照射し、現像処理し、酸でエッチングして、格子状の溝をＸ線入射方向に形成し、その溝にタングステン等の重金属粉を充填封入し、縦溝遮蔽１１ａと横溝遮蔽１１ｂを形成する。 - 特許庁

HF (hydrogen fluoride) gas is supplied to a wafer W having a thermal oxidation film 72, a BPSG (boron phosphorous silicate glass) film 75 and a deposit film 76 to etch the BPSG film 75 and the deposit film 76 selectively by hydrofluoric acid while residue 41 consisting of H_2SiF_6 generated upon the etching is decomposed into HF and SiF_4 through heating.例文帳に追加

熱酸化膜７２、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６を有するウエハＷに向けてＨＦガスを供給して、ＢＰＳＧ膜７５やデポ膜７６をフッ酸により選択的にエッチングし、該エッチングの際に発生するＨ_２ＳｉＦ_６からなる残留物４１を加熱によってＨＦとＳｉＦ_４に分解する。 - 特許庁

The glass substrate for the FPD, on whose substrate a prescribed pattern is formed, is manufactured by forming a coating layer 2 on a part of the surface of a glass substrate 1, then treating the coated glass substrate 1 with an etching solution containing hydrofluoric acid so as to etch the glass surface except the part where the coating layer has been formed, and removing the coating layer.例文帳に追加

ガラス基板１の表面の一部に被覆層２を形成し、フッ酸を含有するエッチング液で処理することにより、被覆層が形成された部分以外のガラスの表面をエッチングし、その後被覆層を除去することにより、基板表面が所定の形状にパターニングされたＦＰＤ用ガラス基板を製造する。 - 特許庁

This metallic surface treating composition contains (A) a hydrazine derivative, (B) phosphate and (C) acid capable of etching a metallic surface, and, in the surface treating method for metal, the metallic surface treating composition is applied in such a manner that dry film weight is controlled to 0.05 to 3.0 g/m2, and drying is executed.例文帳に追加

（Ａ）ヒドラジン誘導体、（Ｂ）リン酸塩及び（Ｂ）金属表面をエッチングできる酸を含有することを特徴とする金属表面処理組成物、及び該金属表面処理組成物を、乾燥皮膜重量が０．０５〜３．０ｇ／ｍ^2となるように塗布し乾燥させることを特徴とする金属の表面処理方法。 - 特許庁

The method for forming a chemical conversion coating with low electric resistance on the surface of the magnesium alloy material containing little aluminum comprises sequentially performing two steps treatment consisting of etching treatment with the use of an organic acid and treatment with the use of a solution containing fluorides, and then performing chemical conversion treatment.例文帳に追加

アルミニウムの含有率の低いマグネシウム合金材表面に、有機酸によるエッチング処理と、フッ化物を含有する水溶液による処理との２段階処理を順に行い、その後皮膜化成処理を行うことを特徴とするマグネシウム合金材の低電気抵抗皮膜化成処理方法である。 - 特許庁

InGaAs is selectively etched by wet etching using phosphoric acid and hydrogen peroxide in aqueous solution to pattern an n-InGaAs layer 102 to form a source contact layer (a first semiconductor layer) 112, and a side part of a channel layer 114 is etched to form a channel layer 114a whose width is narrowed.例文帳に追加

リン酸および過酸化水素水を用いたウェットエッチングにより選択的にＩｎＧａＡｓをエッチングすることで、ｎ−ＩｎＧａＡｓ層１０２をパターニングしてソースコンタクト層（第１半導体層）１１２を形成するとともに、チャネル層１１４の側部をエッチングして幅が狭くされたチャネル層１１４ａを形成する。 - 特許庁

The method for processing the substrate comprises a first step for jetting droplet generated by mixing alkaline fluid with gas by a first two-fluid nozzle 48 to the surface of a substrate W, and a second step for jetting droplets generated by mixing hydrochloric acid or etching fluid with gas by a second two-fluid nozzle 80 to the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の二流体ノズル４８により、アルカリ性液と気体とを混合して生成される液滴を基板Ｗの表面へ噴射する第１の工程と、第２の二流体ノズル８０により、塩酸またはエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を基板表面へ噴射する第２の工程とを有する。 - 特許庁

To provide a composition, which can form a cured film having high flatness on a substrate having low surface flatness, and which is for forming an optical device protective film having high transparency and surface hardness, and various excellent resistive characteristics such as heat and pressure resistance, acid resistance, alkali resistance, sputtering resistance, and etching resistance.例文帳に追加

表面の平坦性が低い基体上に、平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、透明性および表面硬度が高く、耐熱耐圧性、耐酸性、耐アルカリ性、耐スパッタ性、耐エッチング性などの各種の耐性に優れた光デバイス用保護膜を形成するための組成物を提供する。 - 特許庁

The substrate treatment apparatus, which performs prescribed treatment on a wafer W, is provided with a treating section 10 which performs etching on the wafer W, another treating section 27 which supplies a fluorine- based inert liquid, isopropyl alcohol(IPA) which is an organic solvent, and a processing solution containing hydrofluoric acid to the wafer W set up in the treating section 10.例文帳に追加

ウエハＷに所定の処理を行う基板処理装置において、ウエハＷにエッチング処理を行うための処理部１０と、処理部１０にあるウエハＷにフッ素系不活性液体、有機溶媒であるイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）及びフッ酸を含む処理液を供給する処理部２７と、を備える。 - 特許庁

To provide a copper foil for a printed wiring board, which is free of locally eroded recesses on a glossy face side thereof during soft etching processing and is not discolored even by high-temperature treatment at 300°C for 30 minutes and has an excellent solubility in acid solution, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

圧延銅箔の光沢面側において、ソフトエッチング処理の際、局部的に侵食された凹みが生じることがなく、また３００℃、３０分の高温処理でも変色を起こさず更に酸溶液に対する溶解性が良好なプリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of an optical semiconductor element comprises the steps of forming a substantially stripe-shaped protruded structure by selectively dry etching an InGaAlP layer formed on a substrate up to the middle of its thickness, forming a protective film on the upper surface and both side surfaces of the protruded structure, and forming the ridge including the protruded structure by etching the InGaAlP layer around the protruded structure with a solution containing fluorinated acid.例文帳に追加

基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＰ層をその厚みの途中まで選択的にドライエッチングして略ストライプ状の凸状体を形成する工程と、前記凸状体の上面と両側面とに保護膜を形成する工程と、前記凸状体の周囲の前記ＩｎＧａＡｌＰ層をフッ酸を含有する溶液でエッチングすることにより、前記凸状体を含むリッジを形成する工程と、を備えたことを特徴とする光半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

A pretreating method for plating aluminum or an aluminum alloy is the pretreatment for performing chromium-plating, nickel-base plating or iron-base plating on the surface of the material to be plated, composed of aluminum or an aluminum alloy, and after performing the electrolytic etching in aqueous solution-containing hydroxide of alkali metal and organic acid having complexing property or its alkali metal salt, the etching dipped into the alkali solution is performed.例文帳に追加

アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる被めっき材の表面にクロムめっき、ニッケル系めっき、または鉄系めっきを行うための前処理であって、アルカリ金属の水酸化物と錯化性を有する有機酸またはそのアルカリ金属塩とを含有する水溶液中で電解エッチングを行った後に、アルカリ溶液中で浸漬エッチングを行うことを特徴とするアルミニウムまたはアルミニウム合金のめっき前処理方法、その前処理工程を含むめっき方法およびそのめっき方法で得られためっき品。 - 特許庁

The resist composition contains (A) a polymer containing a unit formed by the cleavage of an ethylenic double bond and having a fluorine atom or a fluorine-containing lower alkyl group (a1) and an aromatic group (a2) which imparts dry etching resistance and (B) a compound which generates an acid when irradiated with radiation.例文帳に追加

本発明は、（Ａ）フッ素原子又はフッ素含有低級アルキル基（ａ１）と耐ドライエッチング性を付与する芳香族基（ａ２）とを有する、エチレン性二重結合が開裂して形成される単位を含む重合体、及び（Ｂ）放射線の照射により酸を発生する化合物、を含有してなるレジスト組成物、並びにそれに用いるレジスト用基材樹脂である。 - 特許庁

In the production method of the porous glass by etching of a phase separated glass, the phase separated glass is immersed in a bath housing an acid solution, the angle θ between a surface of the phase separated glass to be made porous and the bath liquid surface is adjusted to 10-90°, and the bath is irradiated with ultrasonic waves to thereby etch the phase separated glass.例文帳に追加

分相ガラスをエッチングして多孔質ガラスを製造する方法において、前記分相ガラスを酸溶液を収容した浴中に浸漬させ、前記分相ガラスの多孔質化させたい面と浴液面のなす角度θを１０°以上９０°以下とし、且つ超音波を前記浴中に照射して前記分相ガラスをエッチングする多孔質ガラスの製造方法。 - 特許庁

This pretreating method for a catalyzing treatment is characterized by dipping the resin base material in a glass etching solution containing a fluorine compound, and then in an oxidizing agent solution containing permanganate or chromic acid, before catalyzing the resin base material containing glass fibers or silica-based fillers with a catalyst solution containing palladium compound.例文帳に追加

ガラス繊維やシリカ系フィラーを含有する樹脂基材をパラジウム化合物を含む触媒液で触媒化するのに先立ち、当該樹脂基材をフッ素化合物を含有するガラスエッチング処理液に浸漬し、ついで過マンガン酸塩またはクロム酸を含有する酸化剤液に浸漬することを特徴とする触媒化処理の前処理方法。 - 特許庁

The etching method comprises forming a thin liq. layer contg. hydrofluoric acid between a silicon carbide substrate and a sapphire glass window member, and irradiating the silicon carbide substrate with an Xe2* excimer lamp beam and an ArF laser beam from the sapphire glass window member, thereby removing at least a part of the surface of the silicon carbide substrate.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、シリコンカーバイド基板とサファイアガラス窓部材との間にフッ化水素酸を含有する薄液層を介在させ、前記サファイアガラス窓部材側から前記シリコンカーバイド基板に向けてＸｅ_2^*エキシマランプ光とＡｒＦレーザー光とを照射することにより前記シリコンカーバイド基板の表面の少なくとも一部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a stainless steel resin laminate which can do the precision processing of stainless steel by preventing pitting corrosion of stainless steel foil in an aqueous solution containing halogen anions represented by hydrochloric acid treatment in consideration of the fact that in a stainless steel laminate, when the stainless steel foil is etched, it is indispensable to secure adhesion strength of an etching resist and the stainless steel foil.例文帳に追加

ステンレス樹脂積層体において、ステンレス箔のエッチング加工を行なう際、エッチングレジストとステンレス箔の密着強度を確保するために必須となっている、塩酸処理に代表されるハロゲンアニオンを含む水溶液中におけるステンレス箔の孔食を防ぎ、ステンレスの高精度加工が可能となるステンレス樹脂積層体を提供すること。 - 特許庁

To improve throughput in a thin display panel manufacturing process while reducing manufacturing cost of a glass sheet, and to reduce heat shrinkage of the glass sheet in a p-Si TFT manufacturing process, by inventing an alkali-free glass which is excellent in productivity (in particular, devitrification resistance), ensures a fast etching rate for a hydrofluoric acid-based chemical solution, and has a high strain point.例文帳に追加

生産性（特に耐失透性）に優れると共に、フッ酸系薬液に対するエッチングレートが速く、しかも歪点が高い無アルカリガラスを創案することにより、ガラス板の製造コストを低廉化しつつ、薄型のディスプレイパネルの製造工程において、スループットを向上させ、更にｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程におけるガラス板の熱収縮を低減する。 - 特許庁

The micro-etching agent for copper and the copper alloy contains the following component (A) to (D): a compound (A) selected from the group consisting of sulfuric acid, alkanesulfonic acids, alkanolsulfonic acids and derivatives thereof, a peroxide (B), a compound (C) selected from the group consisting of tetrazoles and derivatives thereof, and ions (D) of metal with nobler potential than copper.例文帳に追加

次の成分（Ａ）〜（Ｄ）；（Ａ）硫酸、アルカンスルホン酸およびアルカノールスルホン酸ならびにそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｂ）過酸化物（Ｃ）テトラゾールおよびそれらの誘導体よりなる群から選ばれた化合物（Ｄ）銅よりも電位が貴である金属イオンを含有することを特徴とする銅および銅合金用のマイクロエッチング剤である。 - 特許庁

The method involves selectively depositing a hot melt ink resist containing rosin resins and waxes on a silicon dioxide or silicon nitride layer coating a semiconductor, followed by etching uncoated portions of the silicon dioxide or silicon nitride layer with an inorganic acid etchant to expose the semiconductor and simultaneously inhibit undercutting of the hot melt ink resist.例文帳に追加

半導体をコーティングする二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素上にロジン樹脂およびワックスを含むホットメルトインクレジストを選択的に堆積させ、次いで二酸化ケイ素もしくは窒化ケイ素層のコーティングされていない部分を無機酸エッチング剤でエッチングして半導体を露出させ、同時にホットメルトインクレジストのアンダーカットを阻害することを含む。 - 特許庁

The additive for suppressing side etching contains one or more kinds selected from the group consisting of heterocyclic compounds having a carbonyl group or a carboxy group, glycols having a triple bond or compounds obtained by adding ethylene oxide to the active hydrogen of glycols having a triple bond, alkylsarcosines or the alkali metal salts of alkylsarcosines and the anhydrides of aromatic carboxylic acid.例文帳に追加

カルボニル基またはカルボキシル基を有する複素環式化合物、三重結合を有するグリコール類または三重結合を有するグリコール類の活性水素にエチレンオキサイドを付加させた化合物、アルキルサルコシンまたはアルキルサルコシンのアルカリ金属塩および芳香族カルボン酸の無水物から成る群より選択される１種または２種以上を含む。 - 特許庁

To provide a process for producing an aluminium material for the electrode of an electrolytic capacitor having excellent etching characteristics by solving the problem of treatment with aqueous solution of nitric acid being carried out before final annealing in conventional production process of the aluminium material for an electrolytic capacitor thereby stabilizing an aluminium surface layer oxide film being formed after removing the aluminium surface layer furthermore.例文帳に追加

従来の電解コンデンサ用アルミニウム材の製造における最終焼鈍前の硝酸水溶液による処理の問題点を解決し、アルミニウム表面層を除去した後生成するアルミニウム表層酸化膜をより安定なものとすることにより優れたエッチング特性を有する電解コンデンサ電極用アルミニウム材の製造方法等を提供する。 - 特許庁

This method for regenerating the etchant includes adding a deposition agent such as ammonium chloride, to a fatigued liquid which is discharged when etching a metal (ST2) including at least copper, with an etchant including at least ferric chloride and further hydrochloric acid, ammonium chloride, and the like, of predetermined concentration, and further concentrating and cooling it, to deposit a copper component dissolving in the fatigued liquid (ST3).例文帳に追加

少なくとも塩化第二鉄を含み、さらに所定濃度の塩酸や塩化アンモニウムなどを含むエッチング液を用いて、少なくとも銅を含む金属をエッチング処理した（ＳＴ２）ときに出される疲労液に、塩化アンモニウムなどの析出剤を添加し、さらに濃縮や冷却などを行って、疲労液中に溶解している銅成分を析出させる（ＳＴ３）。 - 特許庁

The unetched sections are left on the surface of aluminum foil on which an electrically insulating shielding member exists by installing the shielding member closely to the partial surface of the aluminum foil in an electrolytic solution, such as the hydrochloric acid, etc., containing chlorine ions at the time of etching the foil, by dipping the foil in the electrolytic solution and impressing an AC voltage upon the foil.例文帳に追加

アルミニウム箔を塩酸等の塩素イオンを含有する電解液中に浸漬し交流電流を印加してエッチング処理する際に電解液中でアルミニウム箔表面の一部に近接して電気絶縁性の遮蔽部材を設置してエッチングを行うことにより遮蔽部材が存在する表面に未エッチング部分を残存させる。 - 特許庁

In a method of reproducing a cleaning member for a semiconductor device, a cleaning layer 2 comprised of a heat resistant resin resulting from heat-curing polyamic acid is provided on at least one side of a wafer 1, and particles stuck on the top layer of the cleaning layer are removed using a dry etching system.例文帳に追加

ウエハ１の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２が設けられてなる半導体装置用クリーニング部材の再生方法であって、上記クリーニング層の表層に付着したパーティクルをドライエッチング方式を用いて除去することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の再生方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing the semiconductor device where the surface of a copper film is etched precisely, in a short time with few steps, while the surface roughness of the copper film is not progressed in the etching process of the surface of the copper film that includes oxidation of the copper film and removing the oxide thereof, with an acid or alkali.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸もしくはアルカリなどで除去することにより銅膜の表面をエッチングする方法において、エッチング処理を行った後の銅膜表面が荒れてしまうことが少なく、少ない工程で短時間に精度良く行うことができる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

In the etching protective material formed of a film made by forming a layer containing a polyolefin resin on a surface part of at least one surface of a polyolefin film, the polyolefin resin contains an olefin constituent (A) comprising 2-4C alkene as a main constituent, and containing 2-40 mass% of a (meta)acrylic acid ester constituent (B).例文帳に追加

ポリオレフィンフィルムの少なくとも片面の表面部にポリオレフィン樹脂を含む層を形成したフィルムからなるエッチング保護材であって、前記のポリオレフィン樹脂が、炭素数２〜４のアルケンからなるオレフィン成分（Ａ）を主成分とし、（メタ）アクリル酸エステル成分（Ｂ）を２〜４０質量％含むポリオレフィン樹脂であることを特徴とするエッチング保護材。 - 特許庁

Further, second cleaning liquid feeding nozzles which can feed the liquid containing hydrofluoric acid or the like to remove slurry from the periphery and to perform etching on unnecessary films in the periphery or the like are disposed around the peripheries of the upper and lower surfaces of the wafer W in a peripheral section cleaning box 300 for selectively cleaning the periphery of the wafer W.例文帳に追加

また、ウエハＷの周縁部を選択的に洗浄するための周縁部洗浄ボックス３００には、ウエハＷの上面および下面の周縁部に、その周縁部からスラリーを除去したり、その周縁部の不要な薄膜をエッチングしたりするためのフッ酸などを含む液を供給することができる第２洗浄液供給ノズルが配設されている。 - 特許庁

When a GaAs layer 14 in a laminated structure body 10 made up of the GaAs layer 14 and the other layer 18 is selectively etched by using an etching solution containing citric acid, hydrogen peroxide, and water, an InxAl1-x As layer in contact with the GaAs layer 14 is put between the GaAs layer 14 and the other layer 18.例文帳に追加

ＧａＡｓ層１４とＧａＡｓ以外の層１８とを具えた積層構造体１０に対して、クエン酸、過酸化水素および水を含むエッチング溶液を用いて、上記のＧａＡｓ層を選択的にエッチングするに当たり、ＧａＡｓ層とＧａＡｓ以外の層との間に、ＧａＡｓ層に接してＩｎ_x Ａｌ_1-x Ａｓ層１６をエッチングストッパ層として設けておく。 - 特許庁

This method includes a first process in which Al or a material layer primarily composed of Al is patterned and a prescribed pattern wiring is formed, and a second process in which a photoresist 100, having a prescribed size of aperture on the wiring is formed and a prescribed area of the wiring is etched with an etching solution including at least nitric acid.例文帳に追加

ＡｌまたはＡｌを主成分とする材料層をパターニングして所定のパターンの配線を形成する第１の工程と、上記配線上に所定の大きさの開口を有するマスク用フォトレジスト１００を形成して、上記配線の所定の領域を少なくとも硝酸を含むエッチング液でエッチングする第２の工程とを含む。 - 特許庁

In the case of heating a semi-insulated GaAs substrate 1 inside a reaction pipe and growing the compound of group III elements and group V elements on the GaAs substrate 1 with the method of vapor phase epitaxial growth, by leading oxygen into the reaction pipe just before growing a target epitaxial layer, a residual Si impurity, which can not be completely removed by sulfuric acid etching, is inactivated.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１を反応管内で加熱し、ＧａＡｓ基板１上に III族元素とＶ族元素との化合物を気相エピタキシャル成長法により成長させる際、目的とするエピタキシャル層の成長を行う直前に酸素を反応管内に導入することにより、硫酸エッチングでは除去しきれない残留Ｓｉ不純物を不活性化する。 - 特許庁

By using a curable resin composition, containing a compound having one or more acid group and two or more acryloyl group or methacryloyl group within a single molecule, formation of the high-strength back coat film having a three-dimensional network structure is facilitated, and adhesion of foreign matter to an etched part is prevented, even if secondary etching temperature is raised, after forming the back coat film.例文帳に追加

一分子中に一以上の酸基と二以上のアクリロイル基またはメタクリロイル基とを有した化合物を含有する硬化型樹脂組成物を用いることにより、３次元の網目構造を有する高強度のバックコート膜の形成を容易にし、バックコート膜形成後の二次エッチング温度を上げても被エッチング部への異物の付着を防止して、上記課題を解決した。 - 特許庁

On one side of a base material film 25 constituted of a transparent resin, an anchor layer 24 constituted of the cured material of a polymerizable composition containing a vinyl monomer and/or a prepolymer, a barrier layer 23 containing a metal or a metal compound, an etching protective layer 22 having resistance to acid or alkali, and a transparent conductive layer 21 constituted of an inorganic compound are formed in turn.例文帳に追加

透明樹脂で構成された基材フィルム２５の一方の面に、ビニル系モノマー及び／又はプレポリマーを含む重合性組成物の硬化物で構成されたアンカー層２４、金属又は金属化合物を含むバリア層２３、酸又はアルカリに対して耐性を有するエッチング保護層２２、無機化合物で構成された透明導電層２１をこの順序で順次形成する。 - 特許庁

After a cell is immersed in a solution, which contains at least one immobilizing agent selected from a group consisting of formaldehyde, paraformaldehyde, trioxane, cacodylic acid and glutaraldehyde, to be immobilized, a surfactant solution and/or an alcohol solution and the cell are mixed/stirred to remove lipid from the cell, and ion etching or ultrasonic treatment is subsequently performed to expose a cell skeleton.例文帳に追加

ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、カコジル酸、グルタールアルデヒドからなる群から選択される少なくとも１つの固定化剤を含む溶液に細胞を浸漬して細胞を固定化した後、界面活性溶液及び／又はアルコール溶液と、細胞とを混合・撹拌して細胞の脂質を除去し、その後イオンエッチング又は超音波処理を行って細胞骨格を露出させる。 - 特許庁

Etching treatment using an acid, alkali or fluoride is applied to aluminum metal fittings 2 and chemical forming treatment using alkali metal phosphate is further applied thereto and the vulcanizing adhesion regions of these treated metal fittings 2 thus obtained are coated with an adhesive and predetermined rubber 4 is bonded to the coated regions of the metal fittings under vulcanization to produce a metal fitting-rubber integrated composite product 6.例文帳に追加

アルミ金具２に対して、酸、アルカリ又はフッ化物を用いたエッチング処理を施した後、更にアルカリ金属リン酸塩を用いた化成処理を実施し、次いで、この得られた化成処理金具２を用いて、その加硫接着部位に接着剤を塗布せしめた後、所定のゴム４を加硫接着せしめることにより、金具−ゴム一体複合製品６を製造する。 - 特許庁