「Acid etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A hard mask 4b is formed by etching the exposed side face of an insulating film 4a in a vapor phase hydrofluoric acid atmosphere.例文帳に追加

気相フッ酸雰囲気中にて、絶縁膜４ａの露出した側面にエッチングを施すことによりハードマスク４ｂを形成する。 - 特許庁

The composition for etching is composed of an aqueous solution, containing an aromatic hydrocarbon compound having oxalic acid and a phenolic hydroxy group.例文帳に追加

シュウ酸とフェノール性水酸基を有する芳香族炭化水素化合物を含有する水溶液からなるエッチング用組成物。 - 特許庁

After that, etching of the copper oxide film 5 is selectively made by a weak acid, having a weak oxidation as a dilute hydrochloric or alkaline as an ammonia liquid and so on.例文帳に追加

その後、希塩酸などの酸化力の弱い酸か希アンモニア水などのアルカリで銅酸化膜５を選択的にエッチングする。 - 特許庁

As a bubbling acceleration treatment, inner surface of the passage in the evaporator is preferably roughened by etching using acid.例文帳に追加

前記気泡促進処理として、前記蒸発部の通路内面に酸を用いたエッチング処理による粗面化を施すことが望ましい。 - 特許庁

The first magnetic layer 16 eaten out by the phosphoric acid, the compound or mixture containing the phosphoric acid such as an Ni-Zn ferrite alloy is etched after a pattern of the resist layer through the etching by etching liquid including the phosphoric acid component to form a prescribed shape wherein e.g. an opening 16a or the like is formed.例文帳に追加

燐酸成分を含むエッチング液によってエッチングを行うことで、例えばＮｉ−Ｚｎフェライト合金など燐酸、または燐酸含む化合物もしくは混合物などで浸蝕される第１磁性層１６は、レジスト層のパターンに倣ってエッチングされ、例えば開口１６ａなどが形成された所定の形状とされる。 - 特許庁

In an etching liquid composition and a patterning method of a conductive film using the same and a manufacturing method of a flat panel display, the etching liquid composition contains phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, water, and additive; and the additive contains a chlorine compound, a nitrate compound, a sulfate compound, and an oxidative adjuster.例文帳に追加

エッチング液組成物及びこれを利用した導電膜のパターニング方法並びにフラットパネルディスプレイの製造方法に関し、前記エッチング液組成物は、リン酸、硝酸、酢酸、水及び添加剤を含み、前記添加剤は、塩素系化合物、硝酸塩系化合物、硫酸塩系化合物及び酸化調整剤を含む。 - 特許庁

At the time of subjecting a multilayer electrically conductive film 5 composed by laminating a silver series thin film 3 and transparent oxide thin films 2 and 4 essentially consisting of indium oxide to etching with an etchant essentially consisting of sulfuric acid and nitrid acid, the etching is executed by using an etchant contg. a buffer for suppressing the volatilization of nitric acid.例文帳に追加

銀系薄膜３と、酸化インジウムを主成分とする透明酸化物薄膜２、４とを積層して構成される多層導電膜５を、硫酸と硝酸を主成分とするエッチャントによりエッチングする際に、エッチャントに硝酸の揮発を抑える為のバッファーが含有しているエッチャントを用いてエッチングすること。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for obtaining refined phosphoric acid from an aqueous phosphoric acid solution containing a plurality of metal ions by easily removing the metal ions from the solution, and to provide a system for reusing recovered refined phosphoric acid by application to a waste aqueous mixed acid solution containing highly concentrated phoshoric acid discharged from a metal etching process.例文帳に追加

複数の金属イオンを含むリン酸水溶液から簡便に金属イオンを除去して精製リン酸を得る方法及び装置の提供、更には、金属エッチング工程で排出される高濃度のリン酸を含む混酸水溶液廃液に応用することにより、回収した精製リン酸を再利用するシステムの提供。 - 特許庁

Next, in a second etching process, the surface of the crystal material is wet-etched using a second etching composite containing a hydrofluoric acid a main component to remove protrusions by anisotropic etching caused by crystal orientation which are formed on the surface of the crystal material in the first etching process, thus smoothing the surface.例文帳に追加

次にこの水晶材料の表面を、第２エッチング工程において、弗化水素酸を主成分として含有する第２エッチング組成物を用いてウエットエッチングし、第１エッチング工程で水晶材料表面に形成される、結晶方位に起因した異方性エッチングによる突起を除去して平滑化する。 - 特許庁

Etching is performed by using an etchant containing (a) 30 to 80 wt% of phosphoric acid, (b) 0.1 to 20 wt% of nitrate; (c) 0.1 to 20 wt% of organic acid salt and (d) water.例文帳に追加

(ａ)リン酸３０〜８０重量％と、(ｂ)硝酸０．１〜２０重量％と、(ｃ)有機酸塩０．１〜２０重量％と、(ｄ)水とを含有するエッチング液を用いてエッチングを行う。 - 特許庁

Subsequently, the p-type clad layer 7 is processed into a mesa shape by etching the p-type clad layer 7 with a mixed liquid of hydrochloric acid and acetic acid by using the mesa of the p-type contact layer 8 as a mask.例文帳に追加

次いで、ｐ型クラッド層７を、ｐ型コンタクト層８のメサをマスクとして、塩酸及び酢酸の混合液でエッチングすることにより、ｐ型クラッド層７をメサ形状に加工する。 - 特許庁

Next, an abrasive supply valve 64 is opened, and cleaning polishing is performed while supplying an acid etching agent using a general organic acid without the colloidal silica compounded for the cleaning polishing.例文帳に追加

次に、研磨剤供給バルブ６４を開き、洗浄研磨用に調合したコロイダルシリカ無しの一般的な有機酸を用いた酸性エッチング剤を供給しながら洗浄研磨を実施する。 - 特許庁

The photosensitive hydrofluoric acid etching material comprises a resin having at least two kinds of repeating units expressed by formula (1) and a photoacid generating agent which generates an acid by light.例文帳に追加

感光性フッ酸エッチング材料は、下記式（１）で表される少なくとも２種の繰り返し単位を有する樹脂と、光により酸を発生する光酸発生剤とを備える。 - 特許庁

The liquid composition for etching a metallic thin film consisting essentially of silver is obtained by blending, by weight, 40 to 50% phosphoric acid, 1.5 to 3.5% nitric acid, 25 to 40% acetic acid, and water.例文帳に追加

銀を主成分とする金属薄膜をエッチングするエッチング液組成物であって、りん酸を４０〜５０重量％、硝酸を１．５〜３．５重量％、酢酸を２５〜４０重量％および水を配合してなる、前記エッチング液組成物。 - 特許庁

An etching step S1 is implemented wherein a wafer after the lapping step is etched with an alkaline solution, and then an acid cleaning step S2 is implemented wherein the wafer is washed with an acid solution for the removal of heavy metal impurities that the wafer collects in the etching step S1.例文帳に追加

ラッピング工程を経たウェーハをアルカリ溶液でエッチングするエッチング工程Ｓ１の後、エッチング工程によってウェーハに付着した重金属不純物を除去するべくウェーハを酸溶液で洗浄する酸洗浄工程Ｓ２を実施するようにした。 - 特許庁

The second etching agent is a copper etching agent which includes sulfuric acid, hydrogen peroxide and water, and further includes azoles having only a nitrogen atom as a different atom existing in its ring, and a polybasic acid having two or more carboxyl groups or a salt thereof.例文帳に追加

また、本発明の第２のエッチング剤は、硫酸、過酸化水素及び水を含む銅のエッチング剤であって、環内にある異原子として窒素原子のみを有するアゾール類と、カルボシキル基を２以上有する多塩基酸又はその塩とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The etching composition contains 12 to 30 mass percent of hydrochloric acid, 1 to 15 mass percent of acetic acid, 0.1 to 5 mass percent of silver nitrate, aluminum nitrate, etc. as an additive agent and extra-pure water and is useful as an etching composition to etch a transparent conductive film stably.例文帳に追加

エッチング組成物は、塩酸１２〜３０質量％、酢酸１〜１５質量％、添加剤として硝酸銀、硝酸アルミニウム等０．１〜５質量％及び超純水を含み、透明導電膜安定的に蝕刻するエッチング組成物として有用である。 - 特許庁

Then, after anisotropically etching the Al film 5 by using a fluoric-nitric-acid, the triggering portions 5a are so advanced largely in the interfacial direction and are so made taper-form as to subject them again to an isotropic etching to a final depth.例文帳に追加

次に、Ａｌ膜５をフッ硝酸を用いて異方性エッチングして、トリガ部５ａを界面方向に大きく進行させてテーパ状にし再び等方性エッチングして最終深さまで食刻する。 - 特許庁

In this surface working method for an aluminum material in which, after pretreatment of executing etching, anodic oxidation treatment of depositing a film is executed, and a coating film is deposited thereon, the etching is executed by using acid.例文帳に追加

エッチングを行う前処理の後、皮膜を形成する陽極酸化処理を行い、その上に塗膜を形成するアルミニウム材の表面加工方法であって、前記エッチングを酸を用いて行う。 - 特許庁

The concentration of the nitric acid in the etching solution in terms of the mass ratio is to be in the range of 11.3-12.78 mass%, the liquid temperature is to be in the range of 37.5-42.5°C, and the etching rate is to be in the range of 200-400 nm/ min.例文帳に追加

エッチング液の硝酸の濃度は質量比で１１．３〜１２．７８質量％の範囲とし、液温は３７．５〜４２．５℃の範囲とし、エッチングレートは２００〜４００ｎｍ／分の範囲とする。 - 特許庁

P is removed substantially from an oxide 115 containing P existing on the surface of a recess 114 by performing evacuation following to recess etching with the mixture etching liquid of a phosphoric acid and hydrogen peroxide water.例文帳に追加

リン酸及び過酸化水素水の混合エッチング液でリセスエッチング後、真空引きすることにより、リセス表面１１４に存在するＰを含む酸化物１１５からＰを実質的に除去する。 - 特許庁

To provide a method for regenerating a waste liquid of an etching solution, which can more efficiently remove an Al component and an Mo component in the waste liquid of the etching solution containing phosphoric acid than a conventional method, and to provide a regenerating apparatus therefor.例文帳に追加

リン酸を含むエッチング廃液中のＡｌ成分やＭｏ成分を、従来よりも効率良く除去することができるエッチング廃液の再生方法及び再生装置を提供する。 - 特許庁

Firstly, oxalato indium is adsorbed to resin in an eluate in which indium is eluted by using the oxalic acid waste liquid (oxalic acid etching liquid of ITO) containing indium, or in which a liquid crystal panel is eluted with indium by using 1 to 10% of an oxalic acid by firstly using an anion exchange resin having an acid retardation function.例文帳に追加

インジウムを含んだシュウ酸廃液（ＩＴＯのシュウ酸エッチング液）または液晶パネルを１−１０％シュウ酸でインジウムを溶出させた溶出液を、まず、アシッドリターデション機能を有するアニオン交換樹脂を使用することにより、まずオキサラトインジウムを樹脂に吸着させる。 - 特許庁

To obtain a wet-cleaning apparatus and wet-etching method, that can reduce fluctuation in product characteristics by making uniform the amount of etching in a wafer, when using etching liquid, such as a fluoric acid to etch a wafer an oxide film in wet cleaning treatment and the like.例文帳に追加

ウェット洗浄処理においてフッ酸等のエッチング液を用いて酸化膜等のウエハをエッチングする際にウエハ内でのエッチング量の均一化を図ることで、製品特性のばらつきの低減化を図ることができるウェット洗浄装置およびウェットエッチング方法を得る。 - 特許庁

As a result, these mixtures were roughly equal with the mixture prepared by the conventional techniques in the flatness of an etching surface, but the smell of acetic acid disappeared and it has been found that the working environment for manufacturing the etching liquid can be improved because of it and at the same time, recycling becomes easy to promote also about the disposal of the waste fluid of the etching liquid.例文帳に追加

その結果、エッチング面の平滑度ではほぼ同等であったが、酢酸臭が全くなくなり、そのために作業環境が改善出来ることがわかったこと、同時にエッチング液の廃液処理についても再利用が進めやすくなった。 - 特許庁

The wet etching method includes immersing a gold material made of gold or a gold compound such as auric oxide into concentrated sulfuric acid containing carbon monoxide.例文帳に追加

金又は酸化金などの金化合物からなる金材料を、一酸化炭素を含む濃硫酸中に浸漬してウエットエッチングする。 - 特許庁

The hydrofluoric acid vapor is supplied to the plurality of substrates W in the basket 5 with such an air flow and etching processing is carried on.例文帳に追加

このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット５内部の複数の基板Ｗに供給され、エッチング処理が進行する。 - 特許庁

Prior to the processing, a step is carried out, in which a surface of the sintered magnet obtained by liquid-phase sintering is subjected to etching processing with acid.例文帳に追加

前記処理に先立って、液相焼結により得た焼結磁石の表面を酸によりエッチング処理する工程を実施する。 - 特許庁

To provide a silica-based film-forming material capable of reducing the etching rate by hydrofluoric acid in the silica-based film.例文帳に追加

シリカ系被膜におけるフッ化水素酸によるエッチングレートを低減させることができるシリカ系被膜形成用材料を提供する。 - 特許庁

In the 1st step, strong acid liquid etching is carried out, after cleaning the surface of a conductive substrate consisting of an aluminum material.例文帳に追加

第１工程で、アルミニウム系材料から成る導電性基体表面を洗浄した後、強酸性液によりエッチング処理を行う。 - 特許庁

An etching processing using vapor hydrofluoric acid is executed and a TEOS oxide film 11 comprising the prescribed concentration of impurity is selectively removed.例文帳に追加

気相フッ酸を用いたエッチング処理を行い、不純物を所定の濃度で含んだＴＥＯＳ酸化膜１１を選択的に除去する。 - 特許庁

The residue removing liquid of the copper deteriorated layer contains copper oxide damaged by dry etching and/or ashing consisting of monocarboxylic acid and water.例文帳に追加

モノカルボン酸と水からなるドライエッチング及び／又はアッシングによる損傷を受けた、銅酸化物を含む銅変質層の残渣除去液。 - 特許庁

In this method for manufacturing the electrolyte capacitor etching foil which has a preliminary treatment process by acid and/or alkali, a washing process, and an etching process in an etching liquid containing chlorine ions, to an aluminum foil, ethylenediamineteraacetic acid of 0.001-0.010 mol/L or its salt is blended in a treatment liquid used in the preliminary process.例文帳に追加

アルミニウム箔に対して、酸または／およびアルカリによる前処理工程と、水洗工程と、塩素イオンを含むエッチング液中でのエッチング工程とを有する電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、前記の前処理工程で使用する処理液に０．００１〜０．０１０ｍｏｌ／Ｌのエチレンジアミン四酢酸またはその塩が配合されていることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of etching foil for aluminum electrolytic capacitor has the aluminum foil dipped in a pretreatment solution of 4.0 to 12.0 wt% phosphoric acid and 2.0 to 6.0 wt% hexafluorosilicic acid, and then has the aluminum foil dried at 100 to 250°C, as a preprocess of performing the etching treatment of an aluminum foil.例文帳に追加

アルミニウム箔のエッチング処理を行う前工程として、リン酸４．０〜１２．０ｗｔ％とヘキサフルオロケイ酸２．０〜６．０ｗｔ％との前処理液にアルミニウム箔を浸漬した後、１００〜２５０℃で乾燥することを特徴とするアルミニウム電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法である。 - 特許庁

After a protection oxide film 22 is removed by conducting wet-etching, namely HF etching, using hydrofluoric acid or buffer hydrofluoric acid on the protection oxide film formed on a silicon substrate 20, the silicon substrate 20 where the hydrophobic surface is exposed is cleaned with the APM solution.例文帳に追加

シリコン基板２０上に形成されている保護酸化膜２２に対してフッ酸又は緩衝フッ酸を用いたウェットエッチングつまりＨＦエッチングを行なって保護酸化膜２２を除去した後、疎水性表面が露出したシリコン基板２０に対してＡＰＭ溶液を用いて洗浄を行なう。 - 特許庁

In a cleaning method of a semiconductor wafer, at least a wafer sliced thinly is flattened by lapping and/or surface grinding, the flattened wafer is subjected to alkali etching, and the wafer subjected to alkali etching is cleaned by an acid solution containing citric acid and hydrogen peroxide water.例文帳に追加

少なくとも、薄板状にスライスされたウエーハをラッピングおよび／または平面研削により平坦化し、該平坦化されたウエーハをアルカリエッチングした後に、該アルカリエッチングされたウエーハをクエン酸・過酸化水素水を含む酸性溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの洗浄方法。 - 特許庁

The etching solution used for etching the thin film made of metallic silver or the silver alloy comprises: a mixed solution having a composition of 23-47 wt.% phosphoric acid, 3-7 wt.% nitric acid and 74-46 wt.% water; and 0.05 to 0.2 wt.% silver nitrate which is an additive.例文帳に追加

金属銀または銀合金から成る薄膜をエッチングする際に、リン酸２３〜４７重量％、硝酸３〜７重量％及び水７４〜４６重量％を組成成分とする混合溶液に、０．０５〜０．２重量％の硝酸銀を添加したものをエッチャントとした。 - 特許庁

The chromium wiring is formed by carrying an object having the resist pattern on a chromium layer formed on a substrate in a chromium wet-etching section 23 and wet-etching the chromium layer with a mixed acid containing secondary ammonium cerium nitrate and perchloric acid by using the resist pattern as a mask.例文帳に追加

基板上に成膜されたクロム層上にレジストパターンが形成された対象物をクロムウェットエッチング部２３内に搬入し、硝酸セリウム第２アンモンと過塩素酸を含有する混酸を用い、レジストパターンをマスクとしてクロム層をウェットエッチングすることにより、クロム配線を形成する。 - 特許庁

To provide a method for recovering hydrofluoric acid from a hydrofluoric acid waste solution exhausted, e.g., from an etching stage for a glass substrate where scaling is not generated, and refined hydrofluoric acid in which impurities are further reduced can be recovered at a high yield.例文帳に追加

ガラス基板のエッチング工程などから排出されたフッ酸廃液からフッ酸を回収する方法であって、スケーリングの発生がなく、不純物の一層少ない精製フッ酸を高い収率で回収できるフッ酸の回収方法を提供する。 - 特許庁

The etching step is a step in which alkali etching is performed after acid etching, and the acid etchant contains phosphoric acid of 30 wt% or more in an acid aqueous solution of 100 wt%, having fluoric acid and nitric acid as the main components.例文帳に追加

本発明のシリコンウェーハの加工方法は、複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程１１に続いて洗浄工程１２を経た加工変質層を有するウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するエッチング工程１３と、エッチングされたウェーハの片面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程１８と、表面鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程１９とを含み、エッチング工程が酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われる工程であって、酸エッチング液がフッ酸及び硝酸を主成分とする酸水溶液１００重量％にリン酸３０重量％以上を含有することを特徴とする。 - 特許庁

To obtain an OEM clear coating composition for an automobile and a truck that forms a finish coat and that is resistant to acid etching and water spotting caused by acid rain and has a desired cost.例文帳に追加

酸性雨による酸腐食およびウォータースポッティングに抵抗性で所望のコストを有する仕上げ層を形成するための自動車およびトラック用のＯＥＭクリアーコーティング組成物を提供すること。 - 特許庁

The etching agent composition for transparent conductive films is made of solution containing sulfamic acid, polyoxyethylene alkylether sulfate, polyoxyethylene alkylphenylether sulfate, or polyoxyalkylen alkylether phosphoric acid ester.例文帳に追加

スルファミン酸と、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩またはポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルを含有する水溶液からなる透明導電薄膜用エッチング剤組成物。 - 特許庁

The removing solution for ashing residue formed by dry etching and/or ashing on a Cu/low-k multilevel interconnection structure comprises 0.007 to 0.04 mol/kg of acid, a nonmetallic fluoride salt having a concentration ≥20 times as great as that of the acid, and water.例文帳に追加

0.007〜0.04mol/kgの酸、前記酸の２０倍以上の濃度の非金属フッ化物塩および水を含む、ドライエッチング及び／又はアッシングにより生じたCu/low-k多層配線構造のアッシング残渣の剥離液。 - 特許庁

At least any of acid and base is generated from the reaction initiator, and the acid or the base is introduced to the base film side of the imprint film so as to make an etching speed of the base film side of the imprint film faster than that of other portions.例文帳に追加

反応開始剤から酸及び塩基の少なくともいずれかを発生させ、それをインプリント膜の下地膜の側の部分に導入し、エッチング速度をそれ以外の部分よりも高くする。 - 特許庁

Etching treatment is performed with a chromium acid-free aqueous solution composed of ethylene diamine tetraacetic acid (ETDA-2Na) and water, and, passivation and Zn substitution plating are performed, and successively, tinning is performed.例文帳に追加

エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。 - 特許庁