「Acid etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A semiconductor layer consisting of the single crystal silicon substrate 200 is formed by etching and patterning the single crystal silicon substrate 200 using mixture liquid of hydrofluoric acid and ozone water.例文帳に追加

単結晶シリコン基板２００を弗酸とオゾン水との混合液を用いてエッチングしパターニングすることにより単結晶シリコン基板２００からなる半導体層を形成する。 - 特許庁

A porous area 9 is formed by wet etching using a mixture of methanol, a hydrofluoric acid and a hydrogen peroxide in a light-extraction section of the p-type GaN contact layer 6.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮコンタクト層６の光取り出し部には、メタノール、フッ酸及び過酸化水素水の混合液を用いたウェットエッチングにより多孔質化領域９が形成されている。 - 特許庁

The method for treating the phosphor comprises etching the phosphor composed of a II-VI compound semiconductor as a principal component with an acid and then cleaning the phosphor with a chelating agent or a chelating agent solution.例文帳に追加

II-VI族化合物半導体を主成分として構成される蛍光体を酸でエッチングした後に、キレート剤またはキレート剤溶液で洗浄する蛍光体の処理方法。 - 特許庁

In the etching liquid for copper comprising acid, a second copper ion source, tetrazoles and water, a polymer having a functional group expressed by formula (I) in the structural unit is included.例文帳に追加

酸と、第二銅イオン源と、テトラゾール類と、水とを含む銅のエッチング液において、構成単位中に下記式（I）で表される官能基を有する重合体を含むエッチング液とする。 - 特許庁

A composition containing copper ions, a nitric acid and a fluorine compound, is used as a composition for etching the metal film composed of silver or silver alloy, and the transparent conductive film, using one liquid.例文帳に追加

銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングするための組成物として、銅イオン、硝酸、及びフッ素化合物を含有する組成物を使用する。 - 特許庁

Subsequently, the first silicon insulation film 28 in that specified region is removed by etching liquid of aqueous solution containing hydrofluoric acid through a removing part 29W of the photoresist layer.例文帳に追加

その後、このフォトレジスト層の除去部２９Ｗを通じてその特定領域の第１のシリコン絶縁膜２８を弗化水素酸を含む水溶液によるエッチング液によって除去する。 - 特許庁

By using a liquid agent containing the stable hexavalent iron ion to etch a resin 12, an etched material 13 having excellent adhesion property equivalent to chromic acid etching can be obtained.例文帳に追加

また、この安定した六価鉄イオンを含有する液剤を用いて樹脂１２にエッチングを行うことにより、クロム酸エッチングと同等の密着性の優れたエッチング材１３を得ることができる。 - 特許庁

The surface of the wafer W is oxidized with the ozone gas into a chemical oxide film, and this chemical oxide film is selectively removed by vapor phase etching by the use of the hydrofluoric acid steam.例文帳に追加

オゾンガスによってウエハＷの表層部が酸化されてケミカル酸化膜となり、このケミカル酸化膜がふっ酸蒸気による気相エッチングによって選択的に除去される。 - 特許庁

A reaction product 12 adhered to a second clad layer 4 and a cap layer 5 is oxidized by dry etching, and the oxidized reaction product 12 is removed by buffered hydrofluoric acid.例文帳に追加

ドライエッチングにより第２クラッド層４およびキャップ層５に付着した反応生成物１２を、酸化させ、この酸化させた上記反応生成物１２をバッファードフッ酸によって除去する。 - 特許庁

Etching rate in gas-phase etching by the vapor of hydrofluoric acid water solution is very high in temperature dependence and, therefore the oxide of the polymer on the wafer W can be removed neatly and selectively, without damaging the copper wiring film and the insulating film by optimally controlling the temperature of the wafer W.例文帳に追加

ふっ酸水溶液の蒸気による気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーの酸化物を良好に選択除去できる。 - 特許庁

To provide an etching solution which does not damage polycrystal Si(poly-Si) and a Si oxide film (SiO_2), has a highly selective etching rate to a hafnium oxide film of a hardly-soluble high-dielectric material used as a gate insulation film, and does not include hydrofluoric acid.例文帳に追加

多結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）、Ｓｉ酸化膜（ＳｉＯ_２）などにダメージを与えることなく、ゲート絶縁膜として用いられる難溶性の高誘電体材料であるハフニウム酸化膜等に対する選択エッチチングレートが大きく、なおかつフッ酸を含まないエッチング液を提供する。 - 特許庁

While applying a predetermined DC voltage to a material to be corroded containing a metallic material to be corroded or an oxide or a nitride thereof, the material to be corroded is subjected to electrolytic etching by imparting an etching solution prepared by adding acid or alkali to a non-aqueous solution.例文帳に追加

腐食すべき金属材料若しくはその酸化物又は窒化物を含む腐食対象材料に対して所定の直流電圧を印加しながら、上記腐食対象材料に対して、非水系溶液に酸又はアルカリを添加してなるエッチング溶液を付与して電解エッチングする。 - 特許庁

At the time of the soft etching of a smear removing process performed prior to a catalyst bestowal process for chemical copper plating, after the via hole 13 is formed in the insulating layer 12 of a multilayer substrate by laser irradiation, aqueous solution including sulfuric acid and hydrogen peroxide is used as the soft etching liquid.例文帳に追加

多層基板の絶縁層12にレーザー照射によりビアホール13を形成した後、化学銅メッキのための触媒付与工程に先だって行われるスミア除去工程のソフトエッチの際に、ソフトエッチ液として硫酸及び過酸化水素を含む水溶液が使用される。 - 特許庁

Although the etching rate of a tungsten is 4-5 times faster in a solution which is normally used, to raise the selective ratio of the titanium nitride, the mole ratio for H2O2/HCI is set at 1/100 or smaller with a solution temperature at 70°C or higher related to the mixed liquid of hydrochloric acid and hydrogen peroxide used for wet-etching.例文帳に追加

通常使用されている溶液ではタングステンのほうが４〜５倍速いエッチングレートを窒化チタンの選択比を高める方法としてウエットエッチングに用いる塩酸と過酸化水素の混合液においてＨ_２Ｏ_２／ＨＣｌのモル比を１／１００以下とし、且つ溶液温度を７０℃以上とする。 - 特許庁

The electrolytic capacitor cathode foil and a method of manufacturing the same are provided, wherein the electrolytic capacitor cathode foil is formed by carrying out immersion treatment for immersing a roughened etching foil in a solution containing molybdate such as sodium molybdate and phosphoric acid to form a film containing molybdenum and phosphorus on a surface of the etching foil.例文帳に追加

粗面化されたエッチング箔にモリブデン酸ナトリウム等のモリブデン酸塩とリン酸を含む水溶液に浸漬する浸漬処理を行い、エッチング箔表面にモリブデンとリンを含む皮膜が形成されてなることを特徴とする電解コンデンサ用陰極箔、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the temperature dependence of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor- phase etching is extremely high, the gate insulating film formed on the wafer W can be well patterned by selectively removing the film without significantly damaging the silicon oxide film and polysilicon film by appropriately adjusting the temperature of the wafer W.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、酸化シリコン膜およびポリシリコン膜に大きな損傷を与えることなく、ウエハＷ上のゲート絶縁膜を良好に選択除去してパターニングできる。 - 特許庁

The mirror finish etching liquid for copper or a copper alloy is obtained by blending the etching main agent of hydrogen peroxide and sulfuric acid with a mirror finish agent by the combination of aliphatic amines, azoles and a compound dissolved in water and dissociating chlorine ions.例文帳に追加

本発明は、過酸化水素及び硫酸のエッチング主剤に、脂肪族アミン類、アゾール類、及び水に溶解して塩素イオンを解離する化合物の組み合わせによる鏡面仕上げ剤を配合したことを特徴とする銅及び銅合金の鏡面仕上げエッチング液に関する。 - 特許庁

To provide a method for processing the surface of a quartz, capable of forming a highly precise electrode pattern by washing with an acid before etching a quartz wafer for preventing the etching unevenness from its generation, and a method for producing a quartz device.例文帳に追加

水晶ウェハをエッチングする前に、酸によって洗浄することによって、エッチングの際に生じるエッチングムラの発生を防止して、高精度な電極パターンの形成を行うことができる水晶の表面加工方法及び水晶デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

At the time of conditioning the etching liquid, TEOS (tetraethoxy silane), or the like, is previously dissolved into a solvent, e.g. ethanol, especially alcohol compatible with phosphoric acid before a compound containing silicon, e.g. TEOS, is added to phosphoric acid liquid thus dissolving the compound.例文帳に追加

エッチング液の調整時には、りん酸液にＴＥＯＳなどのシリコンを含む化合物を添加する前に、あらかじめＴＥＯＳ等をエタノールなどの溶媒，特にりん酸と相溶性のアルコールに溶解させてから、この混合液をりん酸液に添加し溶解させる。 - 特許庁

To provide a new polymer usable as a photoresist in each process in the production of a printed wiring board, i.e., electroplating using an acid, covering pores, acid-alkali etching, gold plating, and electroless nickel immersion gilding (ENIG), and to provide a negative type photographic imaging composition containing the polymer.例文帳に追加

プリント配線板製造における酸を用いた電気メッキ、封孔処理（covering pores）、酸アルカリエッチング、金メッキ、無電解ニッケル浸漬金メッキ（ＥＮＩＧ）の各プロセスにおいてフォトレジストとして使用できる、新規ポリマー及び該ポリマーを含有するネガ型フォトイメージング組成物を提供する。 - 特許庁

This is to provide an improved version of a silicon wafer etching method in which an acid etchant and an alkaline etchant are individually stored in a plurality of tanks, and a silicon wafer having a process modified layer formed through a lapping process and a subsequent cleaning process is sequentially immersed in the acid etchant and the alkaline etchant.例文帳に追加

複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法の改良である。 - 特許庁

A solution containing water content of ≥10 wt.% is used at a hydrofluoric acid solution for electrolyte etching using the p-type silicon substrate, which has an etching start groove and has ≥30 Ω cm substrate resistivity, as an anode by dipping the p-type silicon substrate in the hydrofluoric acid solution together with a counter electrode arranged opposite the surface where the groove is formed.例文帳に追加

エッチング開始用溝の形成された基板抵抗率が３０Ω・ｃｍ以上のｐ型シリコン基板を、該溝の形成された面に対向するように配置された対向電極とともにフッ化水素酸溶液に浸漬し、上記シリコン基板を陽極として電解エッチングする際に、上記フッ化水素酸溶液として溶媒中の水含有率が１０重量％以上である溶液を用いた。 - 特許庁

To provide an etching liquid which is used for the production process of a semiconductor device, a display for a liquid crystal or the like requiring microfabrication precision, which has no peculiar odor of acetic acid, and which, in the etching process, suppresses the changes of the composition and liquid properties and the production of gases, and which attains stable and uniform etching of high precision.例文帳に追加

微細加工精度を必要とする半導体及び液晶用表示装置等の製造工程に用いられるエッチング液であって、これに補助剤として用いられていた酢酸に代えて、酢酸特有の臭気がなく、またエッチング工程においてエッチング液の組成及び液性の変化や、気体の発生を抑制し、安定して精度良く均一にエッチング可能なエッチング液を提供する。 - 特許庁

This method of treating the tabular substrate for preventing generation of the foreign matters is characterized by supplying an aqueous solution including one or more selected from hydrogen fluoride, ammonium fluoride, sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, ammonia, organic alkali, hydrogen peroxide, or ozone, to the back side, before etching, in order to remove the organic material which adheres to the back side, and consequently making the back side hydrophilic.例文帳に追加

エッチング処理前に、裏面に付着した有機物を除去するため、フッ化水素またはフッ化アンモニウム、硫酸、塩酸、硝酸、アンモニア、有機アルカリ、過酸化水素、またはオゾンの中から選ばれた１種以上を含有する水溶液を裏面に供給する事により裏面を親水化することで異物の発生を防止できる。 - 特許庁

In order to obtain the support for the lithographic printing plate, the electrochemical roughening processing with AC current in an aqueous solution at least including nitric acid, aluminum nitrate and hydrochloric acid and an etching processing in an alkaline aqueous solution are applied to an aluminum plate in the order named.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウム、および塩酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理と、アルカリ水溶液中でのエッチング処理とを、この順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

To provide an acid-unstable group effective for a fluorine-containing compound; a fluorine-containing compound, a fluorine-containing polymerizable monomer, and a fluorine-containing polymer compound, all of them having an acid-unstable group or groups with high transparency and etching resistance; a photoresist using them; and a pattern formation method.例文帳に追加

含フッ素化合物にとって効果的な酸不安定基を提供し、さらに酸不安定基自体に高い透明性、エッチング耐性を持たせた含フッ素化合物、重合性単量体、高分子化合物、又はそれらを用いたフォトレジスト及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The aluminum foil can be manufactured in such a way that an aluminum original foil is dipped into a sodium hydroxide solution of concentration of 1-8% to execute pre-processing, thermal processing is applied at a temperature of about 400°C after the pre-processing, and constant current etching is executed in a mixed liquid of a hydorchloric acid and a sulfuric acid.例文帳に追加

そのアルミニウム箔の製造方法は、アルミニウム原箔を１〜８％濃度の水酸化ナトリウム溶液に浸漬して前処理し、その前処理後４００℃前後の温度で熱処理し、その熱処理後、塩酸と硫酸の混合液中で、定電流エッチングを行うことで製造できる。 - 特許庁

F- which accelerates etching of a silicon nitride film is added as appropriate by sequentially charging the additive and siloxane which increases by the sequential input is etched with hydrofluoric acid generated by decomposition of the fluoroboric acid, to thereby suppress a significant increase in the concentration of siloxane.例文帳に追加

添加剤の逐次投入によってシリコン窒化膜のエッチングを促進するＦ^-を適宜補充するとともに、その逐次投入によって増加したシロキサンをホウフッ化水素酸が分解したフッ酸によってエッチングすることにより、シロキサン濃度の著しい上昇を抑制する。 - 特許庁

The waste solution used for etching and/or washing the electronic parts is used and adjusted to respective concentrations of 50-150 g/liter nitric acid, 10-75 g/liter hexafluoro silicic acid and ≤1 g/liter hydrogen fluoride to make the pickling solution, and the stainless steel is pickled by using this pickling solution.例文帳に追加

電子部品のエッチングおよび／または洗浄に使用された廃液を用いて、硝酸濃度が５０〜１５０ｇ／リットル、ヘキサフルオロケイ酸濃度が１０〜７５ｇ／リットルおよびフッ化水素濃度が１ｇ／リットル以下に濃度調整して酸洗液とし、この酸洗液を用いてステンレス鋼を酸洗する。 - 特許庁

The method is also used for etching by the etchant containing hydrosilicofluoric acid, water and hydrosilicofluoric acid salt, a layer containing titanium as the main constituent within a layered product including the layer containing titanium as the main constituent and a layer containing aluminum as the main constituent, and a layer containing aluminum as the main constituent at the same time.例文帳に追加

チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 - 特許庁

To provide a semiconductor manufacturing apparatus, such as an etching semiconductor apparatus operable to etch a silicon nitride film, which enables a longer service life of phosphoric acid solution by preventing the reduction in the moisture density, and keeping a boiling power for a longer time.例文帳に追加

水分濃度低下を防ぎ、沸騰力を長く持続させたリン酸水のライフ長期化が可能なシリコン窒化膜をエッチングするエッチング半導体装置などの半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The rough surface 35 is formed by treating with the etching liq. contg. the cupric complex and the org. acid.例文帳に追加

次に、導体回路２９を酸素共存下で第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液により処理して粗化面３５を形成するとともに、導体回路２９間の触媒核３３を除去する。 - 特許庁

To provide a curable composition for use as a coating having excellent acid etching resistance and appearance while avoiding the problem concerning abrasion accompanied by precedent coating system.例文帳に追加

先行技術のコーティングシステムの摩耗に関する問題を避け、一方で優れた酸エッチング耐性および外観特性を示すコーティングとして使用するための硬化可能な組成物を提供すること。 - 特許庁

A contact hole is formed in a gate insulating film 12 formed of SiO_2 and a laminated inter-layer insulating film 13 formed on SiN thereupon by etching using buffer hydrofluoric acid.例文帳に追加

ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.例文帳に追加

さらに、Ｈ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、ＳｉＮ膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

The method includes: a step of etching the surface of the ZnO-based compound crystal using hydrofluoric acid (HF); and a detecting step of detecting etch pits formed on the surface of the ZnO-based compound crystal.例文帳に追加

フッ化水素酸（ＨＦ）を用いてＺｎＯ系化合物結晶の表面をエッチングする工程と、ＺｎＯ系化合物結晶の表面に形成されるエッチピットを検出する検出工程を有する。 - 特許庁

The silicon wafer etching agent contains an alkaline aqueous solution, which contains hydroxy ethylenediamine triacetic acid, the alkali concentration being 30 to 55 mass%.例文帳に追加

本発明は、アルカリ水溶液を含むシリコンウェハーエッチング剤であって、前記アルカリ水溶液は、ヒドロキシエチレンジアミン三酢酸を含有し、かつアルカリ濃度が３０〜５５質量％であるシリコンウェハーエッチング剤を提供する。 - 特許庁

A method of surface-modifying an unvulcanized rubber includes irradiating a region to be jointed of the unvulcanized rubber member 12 with infrared laser light La to remove an adhesion-inhibiting substance, such as blooming caused due to fatty acid zinc and waxes, by etching.例文帳に追加

未加硫ゴム部材１２の接合予定部位に赤外線のレーザー光Ｌａを照射して表面の密着阻害物質（例えば、脂肪酸亜鉛、ワックス類等のブルーム）をエッチングにより除去する。 - 特許庁

Next, the Al-Hf alloy layer 3 (or the stacked body) is anodized in an acid aqueous solution to form a nanohole structure having nanoholes 8, and, if required, the nanoholes 8 are subjected to width expansion working by etching.例文帳に追加

次に、Ａｌ−Ｈｆ合金層３（又は、積層体）を酸水溶液中で陽極酸化してナノホール８を有するナノホール構造体を形成し、必要なら、エッチングによってナノホール８を拡幅加工する。 - 特許庁

Then, under this condition, the whole surface of the second metal film 4 and the first metal film 2 except an area covered by the resist mask 3 are removed by using an acid system etching solution through a cell reaction.例文帳に追加

そして、この状態で酸系のエッチング液を用いて第２の金属膜４の全面およびレジストマスク３で覆われた領域以外の第１の金属膜２を電池反応により除去する。 - 特許庁

To provide a display device having an electrode structure especially suitable as an electrode of a light-emitting element without forming a residue of transparent conductive films even in etching using a weak acidic solution of oxalic acid or the like.例文帳に追加

シュウ酸などの弱酸性溶液を用いたエッチングにおいても、透明導電膜の残渣を生じず、特に発光素子の電極として適した電極構造を有する表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for processing substrate surface which can uniformly carry out over the substrate surface the etching process for removing a film on the substrate surface by using a vapor containing an acid.例文帳に追加

酸を含む蒸気によって基板上の膜を除去するエッチング処理を、基板面内で均一に行うことができる基板表面処理装置および基板表面処理方法を提供する - 特許庁

The cleaning liquid composition used for post treatment cleaning of the pattern etching of the insulation film contains at least one kind of fluorine compound, glyoxylic acid, at least one kind of organic acidic salt, and water.例文帳に追加

絶縁膜のパターンエッチングの後処理洗浄に用いられる洗浄液組成物であって、少なくとも１種のフッ素化合物と、グリオキシル酸と、少なくとも１種の有機酸塩と、水とを含有する。 - 特許庁

Under a state that the spin chuck 1 is rotated, by introducing the ozone gas and the hydrofluoric acid vapor to the periphery of the wafer W, unwanted subjects at the periphery of the wafer W are removed by vapor- phase etching.例文帳に追加

スピンチャック１が回転している状態で、ウエハＷの周縁部にオゾンガスおよびふっ酸蒸気を導くことにより、気相エッチングによって、ウエハＷの周縁部の不要物を除去できる。 - 特許庁

In the substrate for photovoltaic elements made of a transparent conductive film, an abnormal growth section growing on the surface is dissolved by etching with an acid or an alkali solution.例文帳に追加

透明導電膜からなる光起電力素子用基板において、その表面に成長した異常成長部を、酸またはアルカリ溶液でのエッチングにより、溶解した光起電力素子用基板。 - 特許庁