「Acid etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Surface layers of the 1st and 2nd wafers are subjected to etching collection to a depth of at least 5 μm from wafer surfaces, by using a mixed solution containing hydrofluoric acid and nitric acid respectively to obtain a 1st collected liquid from the 1st wafer and a 2nd collected liquid from the 2nd wafer.例文帳に追加

第１及び第２ウェーハの表層をフッ化水素酸及び硝酸をそれぞれ含む混合溶液によりそれぞれウェーハ表面から少なくとも深さ５μｍのエッチング回収を行い、第１ウェーハから回収した第１回収液と第２ウェーハから回収した第２回収液とをそれぞれ得る。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of: ozone water treating a Cu film retained on the insulating film between the wires to an oxidized Cu after the chemical mechanical polishing; and removing, by etching, the oxidized Cu with inorganic acid or organic acid treating.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法においては、化学機械研磨の後、配線間絶縁膜上に残留したＣｕ膜をオゾン水処理により酸化Ｃｕとし、次に無機酸または有機酸処理によりこの酸化Ｃｕをエッチング除去することにより、配線間ショートの発生を未然に防止する。 - 特許庁

To provide a composition for preventing plating deposition capable of preventing any deposition of a plating film on the insulating coating part of a plating tool even when using an etching liquid other than the mixture of chromic acid and sulfuric acid, for example, a permanganate aqueous solution, or even when increasing the amount of catalyst deposition.例文帳に追加

クロム酸—硫酸混液以外のエッチング処理液、例えば、過マンガン酸塩水溶液を用いた場合や、触媒付着量を多くした場合であっても、めっき用治具の絶縁性コーティング部分に対するめっき皮膜の析出を防止することが可能なめっき析出阻害用組成物を提供する。 - 特許庁

In this method for manufacturing the lithographic printing plate support, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution 14 containing at least, nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid and an etching process in an aqueous alkali solution, to an aluminum plate 11 in that order.例文帳に追加

アルミニウム板１１に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中１４での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、および、アルカリ水溶液中でのエッチング処理をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

Since the whole becomes too smooth, the possibility of being joined with the silicon wafer is generated and the slips are caused by a prescribed amount of acid etching for removing contaminations by machining, the surface in contact with the wafer is face roughned to 0.3 μm to 100 μm (RMS) by alkali etching, and thus the slips are remarkably reduced.例文帳に追加

機械加工による汚染を除去するために所定量の酸性エッチングを施すことで、全体が滑らかになりすぎてシリコンウエーハと接着する可能性が生じてスリップの発生を招来するため、ウェーハと接触する表面を、アルカリエッチングによる０．３μｍ〜１００μｍ（ＲＭＳ）の表面荒さとなすことで、スリップの発生を著しく低減できる。 - 特許庁

To provide an inkjet mask forming ink which need not use a conventional photolithographic process and also perform a wet etching process using a strong acid etc. and can form a high definition and etching-resistant excellent mask on various objective base materials in a simple manner, and an embossed image forming method using the ink and an embossed image obtained by the forming method.例文帳に追加

従来のフォトリソ法を用いることなく、また、強酸などを用いたウエットエッチング処理を必要とせず、簡易な方法で様々な対象基材に、高精細で、かつエッチング耐性に優れたマスキングを形成することができるサンドブラスト用インクジェットマスク形成インクと、それを用いた凹凸画像形成方法及びそれにより得られる凹凸画像を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible base material for preventing the generation of ion migration due to the dissolution or elution of the metal components of a barrier layer in a cover lay or moisture or the like containing chlorine components, and for preventing the generation of etching residue by surely dissolving the barrier layer in etching solution with hydrochloric acid as main components in the case of forming a pattern.例文帳に追加

バリア層の金属成分が塩素成分を含有するカバーレイや水分などに溶解あるいは溶出することによるイオンマイグレーションの発生を防止でき、その一方で、バリア層をパターン形成の際に塩酸を主成分とするエッチング液に確実に溶解させて、エッチング残渣の発生も防止できるフレキシブル基材を提供する。 - 特許庁

In this method, the lithographic printing plate support is obtained by performing an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing at least nitric acid, aluminum nitrate and sulfuric acid, an etching process in an aqueous alkali solution and an electrochemical surface roughening process using alternating current in an aqueous solution containing nitric acid, to an aluminum plate in that order.例文帳に追加

アルミニウム板に、少なくとも、硝酸、硝酸アルミニウムおよび硫酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、アルカリ水溶液中でのエッチング処理、および、硝酸を含有する水溶液中での交流電流を用いた電気化学的粗面化処理、をこの順に施し、平版印刷版用支持体を得る、平版印刷版用支持体の製造方法。 - 特許庁

To provide a positive-type photoresist composition which is superior in acid resistance and adhesion to a substrate and capable of suppressing the side etching of a photoresist in the photoetching of various materials such as metal and metal oxide films.例文帳に追加

本発明は、耐酸性や基材との密着性に優れ、金属や金属酸化膜等の種々の素材のホトエッチング加工におけるホトレジストのサイドエッチ量を極力減らし得るポジ型ホトレジスト組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

At this time, preferably, the inorganic material thin film 1 is composed of a silicon oxide film or a silicon film deposited by a plasma CVD method, and the chemical etching solution 5 is composed of an aqueous solution of hydrofluoric acid or ammonium fluoride or a mixed solution therebetween.例文帳に追加

このとき、無機材料薄膜１が、プラズマＣＶＤ法で成膜された酸化珪素膜または珪素膜であり、化学エッチング液５が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましい。 - 特許庁

A first thick gate oxide film is formed, and an insulation film with etching resistance for washing, hydrofluoric acid treatment that is made for forming a second thin gate oxide film is formed on the surface of the first gate oxide film.例文帳に追加

膜厚の厚い第１のゲート酸化膜を形成し、第１のゲート酸化膜の表面に、膜厚の薄い第２のゲート酸化膜を形成するために行われる洗浄、フッ酸処理に対するエッチング耐性を有する絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a surface-treated copper foil which satisfies all of adhesion strength to a polyimide, acid resistance and etching property, a surface treatment method for the surface-treated copper foil, and a laminated circuit board using the surface-treated copper foil.例文帳に追加

ポリイミドに対する銅箔との接着強度、耐酸性、エッチング性を全て満足する表面処理銅箔、該表面処理銅箔の表面処理方法、並びに該表面処理銅箔を用いた積層回路基板を提供すること。 - 特許庁

After a circuit pattern is formed, a laminated body 10 in which a palladium appears is dipped in a dilute hydrochloric acid solution so as to remove etching residue, etc., such as iron hydroxide, etc., adhered to the surface of the laminated body 10, making its surface clean (A).例文帳に追加

回路パターンを形成後パラジウム２０が現れた積層体１０を、希塩酸溶液中に浸漬し、積層体１０表面に付着している水酸化鉄等のエッチング残さ等を除去して表面を清浄にする（図２の工程Ａ）。 - 特許庁

To provide a new vinyl ether excellent in heat resistance, dry etching resistance and stability under a high vacuum, especially suitable as an acid-releasing protecting group of a positive type resist resin, a new alcohol becoming a raw material of the same, and methods for producing them.例文帳に追加

耐熱性、ドライエッチング耐性、高真空下での安定性に優れ、特にポジ型レジスト樹脂の酸解離性の保護基として好適な新規ビニルエーテル、その原料となる新規アルコール及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

An etching rate of an SiO_2 layer by high concentration nitric acid fluoride becomes significantly lower when compared with that of an Si substrate, and the Si substrate is etched until the SiO_2 layer is exposed.例文帳に追加

本発明者らは、組成を適切に選択することで、高濃度フッ硝酸によるＳｉＯ_2層のエッチングレートがＳｉ基板と比較して著しく低くなることに見出し、Ｓｉ基板を、ＳｉＯ_2層が露出するまでエッチングを行う。 - 特許庁

Preferably, the etching composition for ruthenium contains 0.01 to 50% carboxylic acid by weight and/or 0.01 to 20% ammonia by weight, 0.01 to 35% hydrogen peroxide by weight, and 50 to 99.98% water by weight.例文帳に追加

カルボン酸の含有量が、０．０１〜５０重量％、アンモニアの含有量が、０．０１〜２０重量％、過酸化水素の含有量が、０．０１〜３５重量％、水の含有量が、５０〜９９．９８重量％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a silicon stain film removing method for removing a stain film produced on the surface of a silicon substrate during a period until next treatment after etching a silicon wafer by mixed acid solution at a low cost without contaminating the device and the wafer itself.例文帳に追加

シリコンウェハを混酸溶液でエッチングした後に、次の処理までの間にシリコン基板表面に生成されるステイン膜を、低コストで、かつ装置及びウェハ自身を汚染しないシリコンステイン膜の除去方法を提供する。 - 特許庁

The resin solution 2 is applied onto the surface of the resin cured object 1, after etching the surface of the resin cured object 1 by washing at least one of an acid or alkali to be impregnated thereinto.例文帳に追加

上記樹脂硬化物１の表面を酸又はアルカリの少なくとも一方で洗浄することにより樹脂硬化物１の表面をエッチングした後、上記樹脂溶液２を樹脂硬化物１の表面に塗布して含浸させる。 - 特許庁

After that, hydrofluoric acid based etching chemical solution is supplied to the semiconductor substrate while a disk brush is pressed against the surface of the semiconductor substrate and rotated in another chamber, and an oxide film formed on the surface is etched, thereby eliminating microscratches.例文帳に追加

その後、別のチャンバーでディスクブラシを半導体基板表面に押圧し回転させながら、フッ酸系のエッチング性薬液を半導体基板に供給し、基板表面に形成された酸化膜をエッチングしてマイクロスクラッチを除去する。 - 特許庁

To uniformize and stabilize cleaning treatment and reduce the consumption of chemicals for preparing a cleaning solution in the wet cleaning of a substrate by etching using the cleaning solution in which hydrofluoric acid as an effective component is dissolved in water.例文帳に追加

有効成分としてフッ化水素酸を水に溶解した洗浄液を使用する、エッチングによる基板の湿式洗浄技術において、洗浄処理を均一・安定化とともに、洗浄液調製用薬品の消費量を低減する。 - 特許庁

In particular, as the material to make into the main body, a glass material essentially consisting of SiO2 is used, and as the additive, fluorine is used, by which the gradient material in which the etching rate by an aqueous solution of hydrofluoric acid is changed in the depth direction can be obtained.例文帳に追加

とくに、主体となる材料を、ＳｉＯ２を主成分とするガラス材料とし、添加物をフッ素とすることにより、フッ酸水溶液によるエッチング速度が深さ方向に変化した傾斜材料を得ることができる。 - 特許庁

After a compression layer and non-compression layer are formed on a glass substrate in a polishing process step 4, the glass substrate undergoes etching treatment in an acidic solution where a hydrofluoric acid and fluoride salt are made to coexist in a texturing treatment process step 5 (first surface treatment 5a).例文帳に追加

研磨工程４でガラス基板上に圧縮層と非圧縮層を形成した後、テクスチャ処理工程５でフッ酸とフッ化物塩を共存させた酸性溶液でエッチング処理を行う（第１の表面処理５ａ）。 - 特許庁

The plated resin molding comprises a molded resin containing a polyamide resin and a styrene resin, having a metal plating layer on the surface, and not subjected to etching with an acid containing a heavy metal.例文帳に追加

ポリアミド系樹脂とスチレン系樹脂とを含有する樹脂成形体の表面に金属メッキ層を有するメッキ樹脂成形体であり、樹脂成形体が重金属を含む酸によるエッチング処理がされていないものであるメッキ樹脂成形体。 - 特許庁

It is preferable at hydrogen reduction treatment that they are heat-treated in a hydrogen containing air flow at temperature of 200-600°C, and it is preferable at etching treatment that they are come in contact with a mineral acid solution at temperature of 15-60°C for 10-60 minutes.例文帳に追加

水素還元処理では、水素含有気流中において温度２００〜６００℃で熱処理することが好ましく、エッチング処理では、温度１５〜６０℃の鉱酸溶液に１０〜６０分間接触させることが好ましい。 - 特許庁

Then, when an iron alloy is immersed in the supplied acid solution, the control part 4 maintains the temperature of the inside of the wet etching tank 111 at a predetermined temperature for a predetermined period of time by controlling a heat insulating part 420.例文帳に追加

そして、供給された酸溶液により鉄合金が浸漬されると、制御部４は、保温部４２０を制御してウェットエッチング槽１１１の内部の温度を、予め定めた時間に亘り予め定めた温度に維持する。 - 特許庁

This photomask is constituted by successively forming an acid soluble UV light shielding layer 2 and an acid resistant photosensitive resin layer 3 on a glass plate 1, forming UV shieldable images 2a by etching on the UV light shielding layer 2 and forming images 3a of the same patterns as the patterns of the images 2a on the photosensitive resin layer 3.例文帳に追加

本発明のフォトマスクは、ガラス板１上に、酸溶解性の紫外線遮光層２、耐酸性の感光性樹脂層３が順次形成され、紫外線遮光層２にはエッチングにより紫外線遮光性の画像２ａが形成され、感光性樹脂層３には画像２ａと同一パターンの画像３ａが形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises a step of oxidating an aluminum foil in a boric acid solution to form a uniform-thickness oxide film, a step of partly etching the aluminum foil with the formed oxide film in a sodium chloride solution containing sulfuric acid ion, and a step of reoxidizing the etched aluminum foil to form an oxide film again.例文帳に追加

ホウ酸溶液内でアルミニウムフォイルを酸化して均一な厚さの酸化被膜を形成させる段階と、前記酸化被膜が形成されたアルミニウムフォイルを硫酸イオンが含まれた塩化ナトリウム溶液中で部分的にエッチングする段階と、及び前記エッチングされたアルミニウムフォイルを再酸化して再び酸化被膜を形成させる段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for treating an iron chloride based waste fluid capable of effectively recovering indium as a metal or its alloy from an iron chloride based waste fluid using a nitric acid-containing iron chloride based waste fluid not noticed heretofore as a treatment target in treatment of the iron chloride based waste fluid obtained by the etching or acid washing of a liquid crystal substrate or the like.例文帳に追加

液晶基板等をエッチング又は酸洗した塩化鉄系廃液の処理を行うに際し、これまで着目されていなかった硝酸を含有する塩化鉄系廃液を処理対象とし、当該塩化鉄系廃液からインジウムを金属単体又は合金として効果的に回収することが可能な塩化鉄系廃液の処理方法を提供する。 - 特許庁

The above scratching flaws exhibit an anchor effect in performing silver mirror plating to enhance the adhesion property of the silvering layers and therefore the need for forming anchor holes at the resin parts by performing etching by a chromic acid is eliminated and the resin parts of the urethane themselves and the boundaries between these resin parts and the build-up welding are prevented from being damaged by the chromic acid.例文帳に追加

銀鏡メッキを行う際に前記擦り傷がアンカー効果を発揮して銀メッキ層の密着性が高められるので、クロム酸によるエッチングを行って樹脂部品にアンカー孔を形成する必要がなくなり、ウレタン製の樹脂部品自体や、その樹脂部品と肉盛りとの界面がクロム酸により損傷するのを防止することができる。 - 特許庁

The etching resist ink is obtained from a photosetting composition obtained by emulsifying a composition, containing acid-group containing resin, a reactive prepolymer, and/or a reactive monomer and a photopolymerization initiator with an emulsifier and characterized in that the ink contains a resoluble surface active agent as the emulsifier and the acid group is substantially not neutralized.例文帳に追加

酸性基含有樹脂、反応性プレポリマーおよび／または反応性モノマー、光重合開始剤を含む組成物を、乳化剤によりエマルジョン化した光硬化性組成物から得られるエッチングレジストインクであり、乳化剤として分解性界面活性剤を含有し、かつ実質的には酸性基が中和されていないことを特徴とするエッチングレジストインクである。 - 特許庁

A photosensitive resin composition for an etching resist contains (component A) a polymer having a monomer unit (a1) having a residue in which a carboxy group or a phenolic hydroxyl group is protected by an acid-decomposable group and a monomer unit (a2) having an epoxy group and/or an oxetanyl group, (component B) an optical acid-generating agent, and (component C) a solvent.例文帳に追加

（成分Ａ）カルボキシ基又はフェノール性水酸基が酸分解性基で保護された残基を有するモノマー単位（ａ１）と、エポキシ基及び／又はオキセタニル基を有するモノマー単位（ａ２）とを有する重合体、（成分Ｂ）光酸発生剤、並びに、（成分Ｃ）溶剤、を含むことを特徴とするエッチングレジスト用感光性樹脂組成物。 - 特許庁

The end of the SOI chip 110 is subjected to an angle lapping process, the embedded oxide film layer 2 exposed under the SOI layer 3 is removed through etching using a hydrofluoric acid, and the spreading resistance of the SOI layer 3 coming into contact with a support substrate 1 is measured.例文帳に追加

ＳＯＩチップ１１０端部にアングルラップを施し、露出したＳＯＩ層３の下の埋め込み酸化膜層２とをフッ酸エッチングで除去することにより、支持基板１と接触したＳＯＩ層３の拡がり抵抗を測定する。 - 特許庁

When the Ti-free Pt/Mo/Pt/Au/Pt/Mo electrodes are used as the base electrodes 1 in the HBT, peeling of the base electrodes 1 by Ti etching does not occur and the thermal stability of the HBT is also improved, even if a hydrofluoric acid-based etchant is used after the formation of the base electrodes 1.例文帳に追加

ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓＨＢＴにおいて、ベース電極１にＴｉを含まないＰｔ／Ｍｏ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／Ｍｏ電極を用いることで、ベース電極１形成後、ふっ酸系のエッチング液を用いてもＴｉのエッチングによるベース電極１の剥がれが生じず、熱安定性も向上する。 - 特許庁

In succession, a metal layer 108 of copper is formed on a main surface 101b by electrolytic plating so as to fill the recessed shape 9, and a parat of the side wall 21 of the recess protruding from the metal layer 108 is removed by etching using a fluoronitric acid.例文帳に追加

続いて凹形状の内部９を埋めるように主面１０１ｂ上に銅よりなる金属層１０８を電解めっきにより形成後、金属層１０８から突出した凹形状の側壁部２１を弗硝酸を用いたエッチングにより除去する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrode foil for an aluminum electrolytic capacitor in which by allowing a phosphorous acid-containing acqueous solution to securely penetrate an etching opening, a defective portion is efficiently removed, and the reliability of the aluminum electrolytic capacitor can be improved.例文帳に追加

リン酸含有水溶液をエンチング孔の内部まで確実に浸透させることにより、欠陥部を効果的に除去し、アルミニウム電解コンデンサの信頼性を向上可能なアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供する。 - 特許庁

First, hydrofluoric acid is supplied to a peripheral part of a substrate W, while the substrate W provided with a polysilicon film is rotated, to remove a natural oxide film provided along the peripheral part of the substrate W by etching so as to expose the polysilicon film.例文帳に追加

まず、ポリシリコン膜が形成された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ酸を供給することにより基板Ｗの周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる。 - 特許庁

A fitting for feeding and draining water made of a lead- containing copper alloy is dipped into an acid or neutral etching elution treating solution, lead and lead alloys precipitated on the surface are selectively removed, and the elution of lead into water in the case of using the fitting is prevented.例文帳に追加

鉛含有銅合金製の給排水用金具を、酸性又は中性のエッチング溶出処理液に浸漬し、表面に析出せる鉛及び鉛化合物を選択的に除去し、金具使用時に水中への鉛の溶出を防止する。 - 特許庁

At this time, the inorganic compound is silicon oxide and the chemical etching liquid is preferably hydrofluoric acid, an ammonium fluoride aqueous solution or a mixed solution of them and the first and second films are preferably formed by a plasma CVD method.例文帳に追加

このとき、無機化合物が酸化珪素であり、化学エッチング液がフッ化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液またはこれらの混合溶液であることが好ましく、第一の膜と第二の膜がプラズマＣＶＤ法で形成されることが好ましい。 - 特許庁

Before cleaning the silicon wafer 11 after implanting the oxygen ion into the silicon wafer 11, a step for etching an SiO_2 film formed on the surface of the silicon wafer 11 by dipping the silicon wafer 11 in the hydrofluoric acid solution 12 is further included.例文帳に追加

シリコンウェーハ１１に酸素イオンを注入した後であってシリコンウェーハ１１を洗浄する前に、シリコンウェーハ１１をフッ酸水溶液１２に浸漬してシリコンウェーハ１１の表面に形成されたＳｉＯ_2膜をエッチング処理する工程を更に含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, preventing the induction of the crystal defects of a channel area and contributing to the performance improvement of a transistor by enabling wet etching through heat phosphoric acid by turning a nitride film to a dummy electrode.例文帳に追加

窒化膜をダミー電極にすることにより、熱燐酸でウェットエッチングできる為、チャネル領域の結晶欠陥の誘発を防ぐことができ、トランジスタの高性能化に寄与することを可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon structure is manufactured by forming an initial pit on the silicon substrate by alkali etching, then applying ECE to the silicon substrate while irradiating the silicon substrate with light from the back surface side of the silicon substrate in hydrofluoric acid to form the holes 11.例文帳に追加

このシリコン構造体は、シリコン基板にアルカリエッチングでイニシャルピットを形成した後、フッ化水素酸中でシリコン基板に、シリコン基板の裏面側から光を照射しながら、ＥＣＥを施して孔１１を形成することにより製造される。 - 特許庁

To lower the concentration of the chlorine contained in the treated sludge obtained by treating an iron chloride-containing solution containing ferrous ions, for example, a waste etching acid to a sufficiently lower level at which the recycling of the treated sludge is made possible in a cement factory or iron works.例文帳に追加

第一鉄イオンを含む塩化鉄含有溶液、たとえばエッチング廃酸を処理して得られた処理汚泥中の含有塩素濃度をセメント工業又は製鉄所で処理汚泥を再利用することを可能とする十分に低いレベルにする。 - 特許庁

The method for manufacturing a polymer molded body includes a process of dry-etching a polyglycolic acid-containing polymer structure by the use of a power output of 1-6 W and an electric current of 3 mA or less under the degree of vacuum of 50 mTorr or less, and thus forming a recessed part on the above polymer structure.例文帳に追加

ポリグリコール酸を含むポリマー構造体を、真空度５０ｍＴｏｒｒ以下、出力１〜６Ｗかつ電流３ｍＡ以下でドライエッチングして、上記ポリマー構造体に凹部を形成する工程を備える、ポリマー成形体の製造方法。 - 特許庁

The member is obtained by subjecting the surface of a dense ceramics base material having a purity of ≥95 wt.% and a mean particle diameter of 10 to 70 μm to corrosion treatment with an acid etching solution, and removing broken layers in the ceramics- worked face.例文帳に追加

このような部材は、純度が９５重量％以上で、平均粒径１０〜７０μｍの緻密質セラミックス基材の表面を、酸性エッチング液中で侵食処理し、セラミックス加工面の破砕層を除去することによって得られる。 - 特許庁

To provide a method for producing high-purity cupric oxide also usable as a plating raw material from a waste copper etching solution, which is discharged at a step of manufacturing a printed wiring board and contains degraded hydrochloric acid and copper chloride as principal components, by a simple process.例文帳に追加

プリントの配線板の製造工程等において排出される、劣化した塩酸及び塩化銅を主成分とするエッチング廃液からメッキ原料としても使用可能な高純度の酸化第２銅を簡単なプロセスで製造する方法の提供。 - 特許庁