「Acid etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

The planographic printing etching liquid is characterized in that a deodorizer made of a mixture of metal salt of gluconic salt, malic acid, polyoxyethylene alkyl ether, glucose, p-hydroxy benzoate, etc. is added to the liquid.例文帳に追加

グルコン酸金属塩、りんご酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、グルコース、メッキンスなどの混合物の消臭剤を添加したしたことを特徴とする平版印刷用エッチ液。 - 特許庁

The etching solution contains anmonium ceric nitrate of 16 to 30 wt.% and nitric acid of 2 to <5 wt.%.例文帳に追加

硝酸第２セリウムアンモニウムの１６重量％〜３０重量％と、硝酸の２重量％以上５重量％未満を含有することを特徴とするエッチング液。 - 特許庁

A natural oxide film formed on the surface of a silicon 1 is removed by etching the silicon 1 with a hydrofluoric acid-based solution (e.g. HF) to expose the cleaned silicon surface.例文帳に追加

シリコン１をフッ酸系溶液(例えばＨＦ)を用いてエッチングして表面に形成された自然酸化膜を除去し、清浄なシリコン表面を露出させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a wet etching apparatus for a semiconductor device which prolong the liquid life time of phosphoric acid and reduce the frequency of maintenance of a circulation system.例文帳に追加

熱リン酸の液寿命延長及び循環系のメンテナンス頻度削減を実現する半導体装置の製造方法及びウェットエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The wiring board 11 is manufactured by first softly etching the copper marks 24 by using an etchant consisting of an aqueous solution consisting essentially of hydrogen peroxide and sulfuric acid.例文帳に追加

この配線基板１１を製造する場合には、まず、過酸化水素と硫酸とを主成分とする水溶液からなるエッチング液を用いて銅マーク２４をソフトエッチングする。 - 特許庁

Etching in the reaction chamber is conducted in a temperature range of approximately 600-800°C in a decompression atmosphere of approximately 10 Torrs and in a gas, in which hydrochloric acid is diluted with hydrogen.例文帳に追加

反応室内でのエッチングは１０Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気、塩酸を水素で希釈したガス中で６００℃〜８００℃程度の温度領域で行う。 - 特許庁

Prior to etching treatment, an aluminum material comprising Al-Ni based precipitates on the surface is subjected to immersion treatment in an aqueous solution containing hydrophosphoric acid and/or hydrophosphite.例文帳に追加

エッチング処理に先立って、表面にＡｌ−Ｎｉ系析出物を有するアルミニウム材を次亜リン酸または／および次亜リン酸塩を含む水溶液中で浸漬処理する。 - 特許庁

The SOG film in the groove 50A is selectively removed by wet-etching using a dilute hydrofluoric acid water solution to form a groove 50 composed of the grooves 50A and 50B.例文帳に追加

その後、希フッ酸水溶液を用いたウェットエッチングにより、溝５０Ａ内のＳＯＧ膜を選択的に除去することによって、溝５０Ａ、５０Ｂからなる溝５０を形成する。 - 特許庁

Consequently, an increase in the concentration of the siloxane in the aqueous phosphoric acid solution is suppressed to maintain an initial etching rate for both the silicon nitride film and a silicon oxide film.例文帳に追加

その結果、リン酸水溶液中のシロキサン濃度上昇が抑制され、シリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の双方について初期のエッチングレートを維持することができる。 - 特許庁

This etching agent consists of an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF) and a hydrogen peroxide solution (H2O2), and materials reacted with a resist are not used, so that the resist is not eroded.例文帳に追加

エッチング剤の構成は、フッ酸（ＨＦ）及び過酸化水素水(Ｈ_2Ｏ_2)を含む水溶液からなり、レジストと反応する材料を用いていないため、レジストを侵食しない。 - 特許庁

The manufacturing method, in corrosion prevention treatment such as chemical conversion treatment, omits degreasing and pretreatment such as acid etching, thereby the magnesium alloy material can be manufactured with sufficient productivity.例文帳に追加

この製造方法は、化成処理といった防食処理にあたり、脱脂や酸エッチングといった前処理を省略することで、マグネシウム合金材を生産性よく製造できる。 - 特許庁

Further, an environmentally harmful substance such as perchloric acid, an unstable component shortening the life of etching fluid, or a fluorine-based compound which corrodes glass of a substrate is unneeded.例文帳に追加

また、過塩素酸のような環境有害物質、エッチング液の寿命を短縮させる不安定な成分、または基板のガラスを腐蝕させるフッ素系化合物が不要となる。 - 特許庁

In the object to be plated having a nickel plating film as an outermost layer, the surface of the nickel plating film is pickled with an organic carboxylic acid solution, and is subjected to etching.例文帳に追加

最外層としてニッケルめっき被膜を有する被めっき物の当該ニッケルめっき被膜の表面を有機カルボン酸溶液で酸洗してエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a preparation method of an etching liquid which can easily and speedily dissolve the desired quantity of silicon in a flowing phosphoric acid solution.例文帳に追加

流動する燐酸溶液中に所望の量の珪素を簡単且つ、迅速に溶解させるエッチング液の調製方法、エッチング方法及びエッチング装置を提供すること。 - 特許庁

The method of producing the adsorbent comprises: separating metallic ions except for an iron ion dissolved by etching from an etching liquid having deteriorated ferric chloride as a main ingredient after etching-processing electronic parts to recover etching liquid; obtaining an iron-containing solid generated by neutralizing a part of the recovered liquid obtained by the recovery or a diluted liquid thereof with an alkali liquid; and adding an acid to the iron-containing solid to acidify.例文帳に追加

その吸着剤の製造方法は、電子部品をエッチング処理した後の劣化した塩化第２鉄を主成分とするエッチング液からエッチングにより溶解された鉄以外の金属イオンを分離して前記エッチング液を再生し、その再生により得られた再生液の一部又はその希釈液をアルカリ液で中和して生成した鉄含有固形物に酸を添加して酸性化せしめることを特徴とするものである。 - 特許庁

This invention is industrially useful as the method where, from an etching waste liquid produced when the indium-containing material to be etched such as an ITO film is subjected to etching treatment with an oxalic acid solution, and in which metal components such as indium and tin are present as complex compounds together with oxalic acid, the indium whose separation/recovery are extremely difficult owing to its low concentration is selectively separated/recovered.例文帳に追加

ＩＴＯ膜などのインジウム含有被エッチング材をシュウ酸溶液でエッチン処理した際に生ずるインジウム、スズなどの金属成分がシュウ酸と共に錯体化合物として存在するエッチング廃液から、低濃度のため分離回収が極めて困難なインジウムを選択的に分離回収する方法として工業的に有用である。 - 特許庁

The inner structure of the syringe comprises special materials, especially glass, plastics, quartz and/or corundum, and the surface is reformed by an etching agent, e.g. acid or caustic alkali solution, especially the chromic acid mixture, uninterruptedly after removal of the etching agent and cleaning of the syringe, and the surface of the syringe inner structure is especially sterilized by a pressurized heating process according to circumstances.例文帳に追加

注射器の内部構造は特別な材料、特にガラス、プラスチック、石英および／またはコランダム、からなり、その表面は特にエッチング剤、例えば酸または苛性アルカリ溶液、特にクロム硫酸で改質され、引き続きエッチング剤の除去と注射器の洗浄後に場合によっては注射器内部構造の表面が、特に加圧熱処理によって、滅菌される。 - 特許庁

The etching solution is used for the stage of selectively etching the copper or the copper alloy from the electronic substrate simultaneously including the copper or the copper alloy and nickel, the solution being an etching solution for copper or a copper alloy comprising a chelating agent (A) having an acid group in a molecule, hydrogen peroxide (B), and a surfactant (C) having an oxyethylene chain in a molecule, as essential components.例文帳に追加

銅または銅合金とニッケルを同時に有する電子基板から銅または銅合金を選択的にエッチングする工程用のエッチング液であって、酸基を分子内に有するキレート剤（Ａ）、過酸化水素（Ｂ）、およびオキシエチレン鎖を分子内に有する界面活性剤（Ｃ）を必須成分とする銅または銅合金用エッチング液。 - 特許庁

To provide an etching post-treatment liquid and an etching method, wherein in etching using an iron chloride (III) aqueous solution to which oxalic acid has been added, the crystals of a water-insoluble copper salt formed on the surface of copper at the side face of a pattern are swiftly removed without deteriorating a work environment and without requiring special devices.例文帳に追加

本発明は、シュウ酸を添加した塩化鉄（III）水溶液を用いたエッチングにおいて、作業環境を悪化させたり、特別な装置を必要としたりすることなく、パターン側面の銅の表面に形成された水不溶性銅塩の結晶を迅速に除去するエッチング後処理液およびエッチング方法を提供しようとするものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the circuit board using the laminate of the metal layer and the polyimide film has a process for cleaning and removing, after a treatment with a chemical etching agent, an altered layer generated by the chemical etching agent and performing treatment with an acid aqueous solution when the polyimide film is subjected to an etching processing.例文帳に追加

金属層とポリイミドフィルムとの積層体を使用しての回路基板の製造方法において、ポリイミドフィルムをエッチング加工する際に、化学エッチング剤での処理後に化学エッチング剤による変性層を洗浄除去し、さらに酸性水溶液で処理するプロセスを有する回路基板の製造方法とこの方法によって得られる回路基板。 - 特許庁

To provide a copper film surface etching method, in which the copper film is oxidized and the oxide product is eliminated by acid, alkaline or the like, a copper oxide film forming method, in which the roughness of the copper film surface after the etching treatment is reduced and which can be performed in a short time and in a proper precision in few steps, a copper film etching method and a semiconductor device manufacturing method.例文帳に追加

銅膜を酸化させその酸化物を酸又はアルカリ等で除去して銅膜表面をエッチングする方法であってエッチング処理を行った後の銅膜表面の荒れが少なく少ない工程で短時間に精度良く行うことができる銅酸化膜の形成方法、銅膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide management method of an etching liquid, by which a removal defect of a transparent conductive film caused by overlooking a time point for supplement or exchange of the etching liquid is not generated when a dummy substrate is subjected to acid treatment in regeneration of a color filter or dummy substrate; and to provide a glass substrate-regenerating device.例文帳に追加

カラーフィルタ又はダミー基板の再生にて、ダミー基板を酸処理に投入した場合、エッチング液の補充或いは更新の適切な時点を見過ごし、透明導電膜の除去不良を発生させないエッチング液の管理方法、ガラス基板再生装置。 - 特許庁

By this, the resistor layer 14 can be easily formed without an additional process, and it is unnecessary to use an expensive material for the resistor layer, and there is such an effect that the resistor layer is hardly damaged by an etching liquid at an etching process due to its strong acid resistant property unlike a conventional resistor layer.例文帳に追加

これにより，別途の追加工程なしに容易に抵抗層１４を形成でき，高価な抵抗層材料を使う必要がなく，通常の抵抗層とは違って耐酸性が強くエッチング工程時にエッチング液によって損傷しないという効果がある。 - 特許庁

The present invention provides a technique for protecting the surface layer part in selective etching and for evaluating the BMDs in the surface layer part, by forming nitride film (film having high resistance against hydrofluoric acid etching) in the silicon wafer with a surface coated with an oxide film.例文帳に追加

本発明は、酸化膜が表面を覆っているシリコンウェハに窒化膜（フッ酸エッチングに対する高い耐性を有する膜）を形成することで、選択エッチングを行った際に表層部を保護し、表層部のＢＭＤ評価が可能となる技術を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the etching foil for the electrolytic capacitor for chemically and/or electrochemically etching an aluminum foil in an etchant containing at least chlorine ions, 0.05 to 0.70% by weight of L-ascorbic acid or its salt is added to the etchant.例文帳に追加

少なくとも塩素イオンを含むエッチング液中で、アルミニウム箔に化学的または／および電気化学的なエッチングを行う電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法において、エッチング液に０．０５〜０．７０ｗｔ％のＬ−アスコルビン酸またはその塩を添加する。 - 特許庁

In the metal surface treatment method of the copper or copper alloy in the etching amount within the limit of 0.1-30 μm, a metal surface treatment solution including (a) hydrogen peroxide, (b) an inorganic acid or organic acid, (c) azoles (d) a halogen ion, and (e) a silver ion, is used.例文帳に追加

（ａ）過酸化水素、（ｂ）無機酸、有機酸、（ｃ）アゾール類（ｄ）ハロゲンイオン、および（ｅ）銀イオンから成る金属表面処理液を用いて、０．１μｍ〜３０μｍの範囲内でのエッチング量における銅または銅合金の金属表面処理方法。 - 特許庁

The cleaning process (treatment S1) of the silicon boat includes a dilute hydrofluoric acid cleaning process (treatment S1-1) cleaning the surface of the silicon boat with dilute hydrofluoric acid; an etching process (treatment S1-2); combined contaminant removal process (treatment S1-3); and a natural drying process (treatment S1-4).例文帳に追加

シリコンボート洗浄工程（処理Ｓ１）は、シリコンボートの表面を希フッ酸で洗浄する希フッ酸洗浄工程（処理Ｓ1-1）と、エッチング工程（処理Ｓ1-2）と、複合汚染物除去工程（処理Ｓ1-3）と、自然乾燥工程（処理Ｓ1-4）とを備える。 - 特許庁

In the method for reducing a hydrochloric acid odor of a hydrochloric acid-containing aluminum chloride solution, such as a concentrated liquid of an etching treatment process waste liquid of aluminum foil, the addition of polyaluminum chloride to the solution reduces the odor of the aluminum chloride solution.例文帳に追加

アルミニウム箔のエッチング処理工程廃液の濃縮液など、塩酸を含む塩化アルミニウム溶液の塩酸臭を低減する方法において、該溶液にポリ塩化アルミニウムを添加することにより、該塩化アルミニウム溶液の臭気を低減する。 - 特許庁

After that, after the laminated film sidewall has been used as an injection mask for source and drain formation of a MIS transistor, the sidewall is subjected to wet etching with a water solution containing a hydrofluoric acid and an acetic acid or an isopropyl alcohol, when the second oxide film is selectively removed.例文帳に追加

その後、積層膜サイドウォールをＭＩＳトランジスタのソース・ドレイン形成用注入マスクとして使用した後、第２酸化膜を選択的に除去する際、フッ酸と酢酸あるいはイソプロピルアルコールとを含む水溶液でウェットエッチングする。 - 特許庁

The composition for etching a resin molding formed of resin elements containing styrene-based resin and polyamide-based resin consists of aqueous solution containing 0.1-10 g/l surfactant, 20-600 g/l inorganic acid and 0.1-50 g/l organic acid.例文帳に追加

界面活性剤０．１〜１０ｇ／ｌ、無機酸２０〜６００ｇ／ｌ及び有機酸０．１〜５０ｇ／ｌを含有する水溶液からなる、スチレン系樹脂及びポリアミド系樹脂を含む樹脂成分から形成される樹脂成形体用のエッチング処理用組成物。 - 特許庁

To provide a method capable of depositing a plating film having high adhesiveness without performing etching with acid containing heavy metal such as chromic acid on a resin molded body having sufficient performance when used for car parts.例文帳に追加

自自動車部品等として使用し得る十分な性能を有する樹脂成形体に対して、クロム酸などの重金属を含む酸によるエッチング処理を行うことなく、高い密着性を有するめっき皮膜を形成可能な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a recovery device of oxalate ions from an indium oxalate aqueous solution for effectively recovering oxalate ions included in oxalic acid etching waste liquid, which is used for processing indium-containing materials to be etched, and reducing a renewal frequency of an oxalic acid liquid.例文帳に追加

インジウム含有被エッチング材を処理したシュウ酸エッチング廃液中に含まれるシュウ酸イオンを効果的に回収し、シュウ酸液の更新頻度を低減させることの可能なシュウ酸インジウム水溶液からのシュウ酸イオンの回収装置を提供する。 - 特許庁

The surface of a light emitting diode chip having at least a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) layer and a light emitting layer containing a pn junction inside on a GaAs_xP_1-x (0≤x≤1) substrate is roughed by chemical etching with a mixed solution containing iodine acid, hydrofluoric acid, and sulfuric acid.例文帳に追加

ＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）基板上に、少なくともＧａＡｓ_ｘＰ_１−ｘ（０≦ｘ≦１）層および内部にｐｎ接合を有する発光層が形成された発光ダイオードチップの表面を、ヨウ素酸、フッ化水素酸および硫酸を含む混合液を用いて化学エッチングすることにより粗面化する。 - 特許庁

The etchant for conductive films is characterized in that it contains at least ceric ammonium nitrate; an etching agent (a) for conductive film having at least one selected from the group consisting of perchloric acid, nitric acid and acetic acid; and a compound (b) represented by general formula (1): (Rf1SO_2)(Rf2SO_2)NX.例文帳に追加

少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムと、過塩素酸、硝酸および酢酸から選ばれる少なくとも１種とを有する導電膜用エッチング剤（ａ）と、下記の一般式（１）で表される化合物（ｂ）とを含有することを特徴とする導電膜用エッチング液、および該エッチング液を使用した導電膜のエッチング方法。 - 特許庁

The hemispherical hollow microcapsule is easily synthesized by orienting an inorganic spherical substance such as calcium carbonate, etc., in a hydrophobic polymerizable oil drop and performing etching with an acid to form a template.例文帳に追加

半球状二極性マイクロカプセルにおいては底辺部分に特定のタンパク質が認識可能なリガンドをグラフトし、球面部分には抗血栓性高分子をグラフトさせることが可能となる。 - 特許庁

Then, an electrode protective insulating film 9 is formed so as to cover the gate electrode 5, and the entire surface of a surface layer of the electrode protective insulating film 9 is washed with dilute fluorinated acid and is removed by etching.例文帳に追加

次に、ゲート電極５を覆うように電極保護絶縁膜９を形成し、この電極保護絶縁膜９の表層部の全面を希フッ酸により洗浄してエッチング除去する。 - 特許庁

To realize a resist composition having dry etching resistance, that is less likely to cause collapse of a resist pattern, capable of preventing acid leaching, and is superior in basic properties as a resist.例文帳に追加

ドライエッチ耐性を有し且つレジストパターンが倒れにくく、酸の溶出防止が可能であると共に、レジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにする。 - 特許庁

A single-crystal sapphire substrate formed with projections/depressions having etch pits is manufactured by wet-etching with a hot phosphoric acid or the like by use of a protective film which is mainly composed of SiO_2 as a mask.例文帳に追加

ＳｉＯ_２を主成分とする保護膜をマスクとして、熱リン酸等でウェットエッチングすることにより、エッチピットを有する凹凸を備えた単結晶サファイア基板を作製する。 - 特許庁

A defect concentration region 1b of a GaN substrate 1 is etched through wet etching using a hydrochloric-acid-based etchant to form a striped groove 10 having a projection 13 on its bottom surface 12.例文帳に追加

まず、塩酸系エッチャントを用いたウエットエッチングによりＧａＮ基板１の欠陥集中領域１ｂをエッチングし、底面１２に突起１３を有するストライプ状の溝１０を形成する。 - 特許庁

Next, nitrohydrofluoric acid is supplied to the peripheral part of the substrate W while the substrate W from which the polysilicon film is exposed is rotated, so as to remove the polysilicon film by etching.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜が露出された基板Ｗを回転させながら当該基板Ｗの周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する。 - 特許庁

To provide a method for evaluating a silicon wafer, which can compatibly decrease the amount of a reaction reagent (mixed acid) and secure in-plane uniformity of etching, and which has high precision and high sensitivity.例文帳に追加

本発明は、反応試薬（混酸）の少量化とエッチングの面内均一性確保の両立ができ、高精度で高感度なシリコンウェーハの評価方法を提供することにある。 - 特許庁

This invention is related to the method including a step to remove the selected portions of the capacitor by sandblasting or other means so that a ceramic dielectric may not contact acid etching liquid.例文帳に追加

本発明は、セラミック誘電体が酸エッチング液と接触しないように、サンドブラストまたは他の手段によってコンデンサの選択部分を除去するステップを含む方法に関する。 - 特許庁

Next, the upper surface of the SOI layer 3 is exposed by removing the silicon oxide film 6aa in the first and second element forming regions by wet etching using fluoric acid, etc.例文帳に追加

次に、フッ酸等を用いたウェットエッチング法により、第１及び第２の素子形成領域におけるシリコン酸化膜６ａａを除去してＳＯＩ層３の上面を露出する。 - 特許庁

Therefore, no swelling is produced when acid-etching the surface of the wafer, a pit P such as COP existing on the surface thereof, processing damage during mirror polishing, etc., is selectively etched and amplified.例文帳に追加

よって、ウェーハ表面に酸エッチ時のうねりなどが現出されず、ウェーハ表面に存在するＣＯＰ、鏡面研磨時の加工ダメージなどのピットＰが選択的にエッチングされ、増幅される。 - 特許庁

The nitrogen surface of n-type semiconductor layer 2 is etched by phosphoric acid through wet etching to flatten the same and, thereafter, an n-type electrode 7 is formed on the surface of the flattened n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ型半導体層２の窒素面をリン酸によりウェットエッチングして平坦化した後、平坦化したｎ型半導体層２の表面にｎ型電極７を形成する。 - 特許庁