「Constant interface」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To realize the thinning of a gate insulating film by reducing a parasitic low dielectric-constant interface layer on the interface of a gate-electrode material film/a high dielectric-constant gate insulating film formed when the gate-electrode material film is formed.例文帳に追加

ゲート電極材料膜形成時に形成されたゲート電極材料膜／高誘電率ゲート絶縁膜の界面における寄生低誘電率界面層を還元し、ゲート絶縁膜の薄膜化を実現する。 - 特許庁

A position at which the composition ratio of the second metal in the high dielectric constant insulating film 102 becomes a maximum is separated from each of the interface of the high dielectric constant insulating film 102 and the oxygen-containing insulating film 101, and the interface of the high dielectric constant insulating film 102 and the gate electrode 150.例文帳に追加

高誘電率絶縁膜１０２における第２の金属の組成比が最大になる位置は、高誘電率絶縁膜１０２と酸素含有絶縁膜１０１との界面及び高誘電率絶縁膜１０２とゲート電極１５０との界面のそれぞれから離れている。 - 特許庁

The high-k gate insulating layer formed between an Si substrate 11 and a gate electrode 17 comprises an interface layer 15 formed on an interface with the Si substrate 11, and the high-k layer 16 which is formed on the interface layer 15 and has a relative dielectric constant higher than that of the interface layer 15.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１とゲート電極１７との間に形成されるhigh-kゲート絶縁膜は、Ｓｉ基板１１との界面に形成された界面層１５と、界面層１５の上に形成され且つ界面層１５よりも比誘電率が高いhigh-k層１６とを有する。 - 特許庁

In addition, more preferably, an antistatic agent or an electronically conductive polymeric material is applied on the interface between the structure of the smallest dielectric constant and the structure of the second smallest dielectric constant, and the structure of the highest dielectric constant preferably increases the dielectric constant by kneading in the antistatic agent.例文帳に追加

さらに、誘電率が最も小さい構造物と２番目に小さい構造物との界面に帯電防止剤や電子電導性高分子材料を施すことがより好ましく、誘電率の最も大きい構造物が帯電防止剤を練り込んで誘電率を上げることが好ましい。 - 特許庁

The diffraction lattice 13 made of a tetragonal lattice having lattice constant "d" is arranged on an interface between a first electrode and a light emission layer 14 made of organic material.例文帳に追加

第１の電極１２と有機物からなる発光層１４との界面に、格子定数ｄの正方格子からなる回折格子１３を設ける。 - 特許庁

To secure reliable high-density seal to an interface zone between a constant velocity joint and a hub bearing unit.例文帳に追加

定速度ジョイントとハブベアリングユニットとの間の界面ゾーンに対する信頼性の高い密閉シールを確実にする。 - 特許庁

To provide a ferroelectric device which will not deteriorate by the non-matching of an interface between a high dielectric constant gate oxide and a ferroelectric material.例文帳に追加

高誘電率ゲート酸化物と強誘電体材料との間の界面不整合により、劣化されない強誘電体デバイスを提供すること。 - 特許庁

The interface layer 5, a diffusion suppressing layer 6 and a high dielectric constant insulating film 7 are sequentially formed in this order on one surface 2a of a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の一つの面２ａに界面層５と拡散抑制層６と高誘電率絶縁膜７とがこの順で形成されている。 - 特許庁

At this time, alignment films which are relatively large in specific dielectric constant are formed on a surface of an electrode which is relatively small in work function of a liquid crystal interface.例文帳に追加

この際、比誘電率が相対的に大きい配向膜を液晶界面の仕事関数が相対的に小さい電極の表面に形成する。 - 特許庁

To provide an electronic control device for rewriting constant data of a main CPU and a sub CPU with one rewriting interface.例文帳に追加

書き換えインターフェイス１つでメインＣＰＵおよびサブＣＰＵの定数データを書き換えるようにした電子制御装置を得る。 - 特許庁

In the gate insulation film 120, an interface layer 110 and a high dielectric constant film 112 are stacked.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１２０は、界面層１１０と高誘電率膜１１２とを積層した構成を有している。 - 特許庁

A high dielectric constant material layer is formed on the surface of the substrate 1 and the electric field direction of the interface is shifted from a horizontal direction.例文帳に追加

あるいは、基板１表面に高誘電率物質層を形成して界面の電界方向を水平方向からずらす。 - 特許庁

Thus, energy on an interface between the ABS 38 and the medium 40 becomes constant in TAMR write processing.例文帳に追加

これにより、ＴＡＭＲ書込処理の際に、ＡＢＳ３８と媒体４０との界面でのエネルギーが一定となる。 - 特許庁

To deposit an insulating film which is applicable as a high-dielectric-constant gate insulating film and can compatibly have a low EOT and a low interface state.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、低ＥＯＴと低界面準位が両立できる絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In the surface acoustic wave angular velocity sensor, by making the perturbations spindle 6 of insulating material, the interface between the perturbations spindle 6 and a piezoelectric substrate 3 is prevented from being fixed to a constant potential.例文帳に追加

摂動錘６を絶縁材料により構成することで、摂動錘６と圧電基板３との界面が等電位に固定されないようにする。 - 特許庁

Thus, one rewriting interface 102 allows rewriting of the constant data of both the main CPU 103 and the sub CPU 109.例文帳に追加

これにより、書き換えインターフェイス１０２が１つあればメインＣＰＵ１０３およびサブＣＰＵ１０９の両方の定数データを書き換えられる。 - 特許庁

To provide an MOS field effect transistor comprising a gate insulating film of high dielectric constant, while maintaining interface characteristics well maintained satisfactorily.例文帳に追加

高誘電率であるとともに界面特性を良好に保持することが可能なゲート絶縁膜を有するＭＯＳ電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

To suppress increase in the film thickness of a base oxide film which is formed on the interface between a gate insulation film and a silicon substrate, when forming the gate insulation film having high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜を形成する際に、シリコン基板との界面に形成されるベース酸化膜の増膜を抑制する。 - 特許庁

A single crystal rod is pulled according to a set speed at which the temperature gradient at the interface between a liquid and a solid of the single crystal rod becomes constant.例文帳に追加

単結晶棒は、単結晶棒の固体と液体の界面の温度勾配を一定するような速度設定に従い引上げられる。 - 特許庁

Further, the gate insulating film of the third transistor is composed of the material identical to that of the second transistor, and also is constructed of a laminated film containing an interface gate insulating film of an identical film thickness and the high dielectric constant film having a higher dielectric constant than the interface gate insulating film.例文帳に追加

また、第３のトランジスタのゲート絶縁膜は第２のトランジスタのゲート絶縁膜と同じ材料、かつ、同じ膜厚の界面ゲート絶縁膜と、界面ゲート絶縁膜より誘電率の高い高誘電率膜とを含む積層膜により構成される。 - 特許庁

In an A1GaInP material, the degree of diffusion of dopant decreases as the Al composition increases, the dopant is trapped more at an interface as the degree of lattice mismatch increases on the interface, and diffusion from a layer having a larger lattice constant to a layer having a small lattice constant is retarded.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系材料においてはＡｌ組成が大きいほどドーパントの拡散の度合いが小さくなること、界層面における格子不整合度が大きいほどドーパントは界面にトラップされやすいこと、格子定数の大きい層から小さい層へは拡散は起こりにくい。 - 特許庁

The interlayer 12 intervenes in lamination interface of the compound semiconductor layers 11, 13, and the lattice constant difference is made 0.7% or less in a junction interface of the compound semiconductor layers 11, 13 at both ends.例文帳に追加

この場合、中間層１２は、化合物半導体層１１，１３の積層界面に介在し、両端の化合物半導体層１１，１３の接合界面での格子定数差を０．７％以下にする。 - 特許庁

In this case, even when the shape of the upper side of the cavity 102 is polygonal, since a surface tension acts such that the curvature of the interface becomes approximately constant, the curvature of the interface is approximately the same at any position.例文帳に追加

このとき、くぼみ１０２の上面の形状が多角形であっても、表面張力が働いて、この界面の湾曲率が略一定となるように作用するので、どの位置においても界面の湾曲率は略同一となる。 - 特許庁

Even when a high dielectric constant material with which reaction on an electrode interface easily occurs or a filming method with which it is difficult to form a uniform interface on a large area substrate is used, excellent linearity to the impressed voltage may be then secured.例文帳に追加

電極界面での反応が起こり易い高誘電率材料や大面積基板上での均一な界面形成が困難なような成膜方法を用いても、印加電圧に対する良好な線形性を確保することができる。 - 特許庁

To improve interface adhesion between a low dielectric constant film and a protection film without damaging excellent dielectric properties of an organic low dielectric constant material, flatness and gap filling characteristics.例文帳に追加

有機低誘電率材料の持つ優れた誘電特性、平坦性およびギャップフィル特性を損なうことなく、低誘電率膜と保護膜との界面密着性を改善すること。 - 特許庁

An interface section 3 transmits audio data having a constant amount Q to an audio data buffer 21 with a constant period T and also notifies an end of the transmission to an audio data controlling section 22.例文帳に追加

インターフェース部３は、一定量Ｑの音声データを一定周期Ｔで音声データ用バッファ２１に送信すると、音声データ制御部２２に送信の終了を通知する。 - 特許庁

To provide a method for preventing peeling in an interface between an insulating film layer of especially a low dielectric constant and a diffusion preventing film layer when wiring is formed on the insulating film layer of a low dielectric constant by a damascene method.例文帳に追加

低誘電率の絶縁膜層上にダマシン法によって配線を形成する際、特に低誘電率の絶縁膜層と拡散防止膜層との界面に発生する剥離を防止する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which causes no high dielectric constant gate insulation film/silicon interface near the high dielectric constant gate insulation film or in the gate edge in a semiconductor device which uses silicide for a gate electrode and the high dielectric constant gate insulation film for a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート電極にシリサイドを使用し、ゲート絶縁膜に高誘電率ゲート絶縁膜を使用する半導体装置において、高誘電率ゲート絶縁膜近傍やゲートエッジに高誘電率ゲート絶縁膜／シリコン界面が生じない半導体装置の製造方法を得ること。 - 特許庁

An interface circuit 300 includes: rectification means 331, 332 for rectifying a signal applied between input terminals 301 and 302; a constant voltage means 343 for dropping an output signal from the rectification means 331, 332 to a constant voltage; and detection means 351, 352, 361 for detecting the signal dropped into the constant voltage by the constant voltage means 343 and transferring the signal to a control circuit.例文帳に追加

インタフェイス回路３００は、入力端子３０１及び３０２間に印加された信号を整流する整流手段３３１，３３２と、該整流手段３３１，３３２の出力信号を定電圧に降下させる定電圧化手段３４３と、定電圧化手段３４３により定電圧化された信号を検出して前記制御回路に伝達する検出手段３５１，３５２，３６１とを備えた。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor device manufacturing method that suppress the oxide film growth of a semiconductor crystal substrate interface and include a high dielectric constant crystal thin film and a high dielectric constant epitaxial thin film of high quality.例文帳に追加

半導体結晶基板界面の酸化膜成長を抑制するとともに、高品質な高誘電率結晶薄膜、高誘電率エピタキシャル薄膜を有する半導体装置の製造方法並びに半導体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To obtain a semiconductor apparatus having a high-yield wiring structure and high reliability by preventing interface peeling between a liner film which is formed under a low-dielectric constant film by a UV curing process to the low-dielectric constant film and on wiring and a film layered under the liner film without using a UV blocking film.例文帳に追加

低誘電率膜に対するＵＶキュア処理による低誘電率膜の下で且つ配線の上に形成されるライナ膜とその下層の膜との間の界面剥離を、ＵＶブロッキング膜を用いずに防ぐことにより、高歩留まりの配線構造を有する信頼性が高い半導体装置を得られるようにする。 - 特許庁

In a semiconductor device having a low dielectric constant insulating film formed on an insulating film containing Si, an Si-rich layer whose composition is more rich in Si than the chemically logical composition of the material of the insulating film is provided at the interface between the insulating film containing Si and the low dielectric constant insulating film.例文帳に追加

Ｓｉを含む絶縁膜上に形成された低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、このＳｉを含む絶縁膜と低誘電率絶縁膜との界面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもＳｉ過剰なＳｉリッチ層を設ける。 - 特許庁

The method for manufacturing a transistor gate structure is disclosed, roughness of a high dielectric constant dielectric layer is decreased by forming a nucleation acceleration layer (120) on a substrate (104) or an arbitrary intentional interface layer, and a high dielectric constant dielectric (130) is formed on the nucleation acceleration layer (120).例文帳に追加

トランジスタゲート構造を製造する方法が開示され、高誘電率誘電体層の粗さが、核形成促進層（１２０）を基板（１０４）又は任意の意図的な界面層の上に形成することによって低減され、高誘電率誘電体（１３０）が核形成促進層（１２０）の上に形成される。 - 特許庁

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

Because such respective signals are synchronized to a respective same clock signal, the noise superimposed on the driving signals applied on a display panel is constant for each of the CPU and video interface modes.例文帳に追加

ドライビング信号とチャージポンピング信号とが同じクロック信号に同期されるために、パネルに印加されるドライビング信号に重なるノイズがＣＰＵ及びビデオインターフェースモードで一定である。 - 特許庁

To provide a method of forming a capacitor with high capacitance, which prevents decrease of the dielectric constant by preventing formation of a silicon-oxide film at the interface between the storage electrode and the dielectric film.例文帳に追加

貯蔵電極と誘電体膜の界面に発生するシリコン酸化膜の発生を抑えて誘電率の減少を防ぎ、高い静電容量を提供するキャパシタの形成方法とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of avoiding deterioration in interface characteristics while sustaining the dielectric constant of a gate insulating film, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

本発明は、ゲート絶縁膜の誘電率を維持しつつ、界面特性の劣化を回避することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A silicon oxynitride film 4 as a lower interface film 4 is formed on a silicon substrate 1, and an Hf aluminate film is formed as a high dielectric-constant gate electrode 5 on the silicon oxynitride film 4.例文帳に追加

シリコン基板１上に下部界面層４としてのシリコン酸窒化膜４を形成し、その上に高誘電率ゲート電極５としてのＨｆアルミネート膜を形成する。 - 特許庁

The adjusting crystal layer 3 reduces the difference of lattice constant at a hetero junction interface formed with the well layer 7 and barrier layers 6 contained in the active layer 4.例文帳に追加

調整結晶層３は、活性層４が有する井戸層７とバリア層６が形成するヘテロ接合界面における格子定数差を縮小させる機能を果たす。 - 特許庁

To remove fermi level pinning by suppressing the occurrence of dimer at the interface of high dielectric constant gate insulting film/polycrystal silicon using a process which easily fits in an existing manufacturing process, relating to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率ゲート絶縁膜／多結晶シリコン界面におけるダイマーの発生を既存の製造工程になじみやすい工程により抑制して、フェルミレベルピンニングを除去する。 - 特許庁

To solve the problem of adhesion in an interface between a low dielectric constant substance being an organic base or carbon-doped SiO_2 and the SiO_2 etch stop of a TEOS base.例文帳に追加

有機物ベース又は炭素ドープドＳｉＯ_2である低誘電率物質とＴＥＯＳベースのＳｉＯ_2エッチストップとの間の界面における密着性の問題を解決する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a gate insulating film which has a high dielectric constant and in which an interface with a silicon substrate is stable, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

高い誘電率を有し、かつシリコン基板との界面が安定なゲート絶縁膜を備えた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which makes a gate insulation film of a material having a lower dielectric constant without increasing the interfacial level in an interface between a semiconductor substrate and the gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位を増大させることなく、より誘電率が低い材料でゲート絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A regulator 5 makes the electric energy converted by a solar panel 4 a constant-voltage, and supplies the same to a charging/discharging circuit 8 through an external power supply interface 6.例文帳に追加

レギュレータ５は、ソーラーパネル４が変換した電気エネルギを定電圧化し、外部電源インタフェース６を介して充放電回路８に供給する。 - 特許庁

A cavity 15 is formed by selectively etching the GaAs crystal of the substrate 11 from the lateral direction in the interface between the conductive layer 12 and the substrate 11, in which misfit transitions exist at a high density due to the difference in lattice constant between the InAs and GaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数差から界面に高密度のミスフィット転移が存在しているＧａＡｓ結晶を選択的に横方向からエッチングすることにより空孔１５を形成している。 - 特許庁