「Constant interface」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which makes a gate insulation film of a material having a lower dielectric constant without increasing the interfacial level in an interface between a semiconductor substrate and the gate insulation film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位を増大させることなく、より誘電率が低い材料でゲート絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a frame conversion device in which correction can be performed to make constant a phase difference between an HSD frame and an LAN frame at all the time for interface conversion in the frame conversion device connected between a LAN and an HSD network.例文帳に追加

LAN網とHSD網間に接続されるフレーム変換装置におけるインタフェース変換に際して、HSDフレームとLANフレームとの間の位相差を常に一定になるように補正を行うことが可能なフレーム変換装置を提供する。 - 特許庁

The method determines the elastic constant ratios of liquid crystalline materials and the anchoring energy on the interface, on the basis of the elastic continuum theory for a liquid crystalline material, from the pretilt angle of the liquid crystalline material at the vertical alignment interface of a plurality of hybrid aligned liquid crystal cells having different cell gaps, the pretilt angle of the liquid crystalline material on the horizontal alignment interface, and a cell gap value.例文帳に追加

セルギャップの異なる複数のハイブリッド配向液晶セルの垂直配向界面における液晶性材料のプレチルト角、水平配向界面における液晶性材料のプレチルト角、及びセルギャップ値から、液晶の弾性連続体理論に基づいて、前記液晶性材料の弾性定数比及び前記界面におけるアンカリングエネルギーを求めることを特徴とする液晶性材料の物性測定方法である。 - 特許庁

The STO film is constituted of first and second two-layered structure, and an interface of two layers is processed so as to be a chemically and mechanically ground (CMP) surface whereby a high dielectric constant can be obtained successfully even in the STO of a thin film.例文帳に追加

本発明では、ＳＴＯ膜を第１と第２の２層構造とし、その２つの層の界面を化学的機械研磨（以下「ＣＭＰ」という。）面とすることにより、薄膜のＳＴＯにおいても、高誘電率とすることに成功した。 - 特許庁

To increase the effective dielectric constant of a gate insulating film by manufacturing a layer where the density of mixed elements is increased at the interface of a semiconductor substrate and a gate insulating film, and to reduce physical film thickness necessary at the gate insulating film.例文帳に追加

半導体基板とゲート絶縁膜の界面部分に、混入元素の濃度を高めた層を作製することでゲート絶縁膜の実効誘電率を高め、ゲート絶縁膜として必要な物理膜厚を低減することを目的とする。 - 特許庁

To remove fermi level pinning by suppressing the occurrence of dimer at the interface of high dielectric constant gate insulting film/polycrystal silicon using a process which easily fits in an existing manufacturing process, relating to a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置及びその製造方法に関し、高誘電率ゲート絶縁膜／多結晶シリコン界面におけるダイマーの発生を既存の製造工程になじみやすい工程により抑制して、フェルミレベルピンニングを除去する。 - 特許庁

To improve the mechanical strength and interface adhesion of a low dielectric constant layer containing a methyl group, which is formed on a methyl group content silicon nitride film for Cu diffusion prevention.例文帳に追加

本発明は、Ｃｕ拡散防止のためのメチル基含有窒化珪素膜上に形成される、メチル基を含む低誘電率層の機械的強度や界面密着性を向上できるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

To eliminate an S/S density step difference even when dimmer is insufficient by changing a threshold value of detecting a buffer full state depending on an amount of read data, a type of an interface, and a communication speed or the like so as to make a stop time by the S/S constant.例文帳に追加

読み込むデータ量、インターフェイス種類、通信速度等によりバッファフルを検出するしきい値を変え、Ｓ／Ｓで停止している時間を一定に保つことで調光が不十分であったとしてもＳ／Ｓ濃度段差を出さない。 - 特許庁

To introduce fluorine of full concentration into a film while damages to an insulating film and a substrate interface is avoided so as to obtain initial characteristics and the reliability of a transistor by introducing fluorine during film formation of a material of high dielectric constant.例文帳に追加

高誘電率材料の成膜中にフッ素を導入することで、絶縁膜と基板界面へのダメージを避けながら、十分な濃度のフッ素を膜中に導入し、トランジスタの初期特性と信頼性を両立させることを可能とする。 - 特許庁

The optimal constant current is switched and supplied to a switch signal input terminal Te according to a use current range of a resistance value variation type switch SWr connected to the switch signal input terminal Te of the interface circuit 1 for switch signal input.例文帳に追加

スイッチ信号入力用インターフェイス回路１のスイッチ信号入力端子Teに接続される抵抗値変化型スイッチＳＷｒの使用電流範囲に応じてスイッチ信号入力端子Teに最適な定電流を切り替えて供給する。 - 特許庁

To add a metal capable of forming an electric dipole for reducing a threshold voltage at the interface of an oxide film formed on the surface of a semiconductor substrate and a high electric constant insulating film, while suppressing increase in EOT and decrease in carrier mobility.例文帳に追加

ＥＯＴの増大及びキャリア移動度の低下を抑制しつつ、半導体基板表面に形成されている酸化膜と高誘電率絶縁膜との界面に、しきい値電圧を低減する電気双極子を形成可能な金属を添加する。 - 特許庁

For a long distance loop, the line interface circuit is switched to a second constant current mode and generates a differential current of about 22 mA, by using a high power source and it maintains a loop current fixed until it is lowered to the resistance feed value of 48 V.例文帳に追加

長距離ループの場合、回線インタフェース回路は、第２の定電流モードに切り替わり、高電源を用いて約２２ｍＡの差動電流を生成し、それは、それが４８Ｖの抵抗フィード値に下がるまで、ループ電流を一定に維持する。 - 特許庁

A first electronic supply layer 5 is formed thinly with AlN, and further, an inclined composition layer is formed as a second electronic supply layer 6, resulting in alleviating stress generated in an interface by the inclined composition layer irrespective of the formation of a hetero interface with GaN and AlN having a large lattice constant difference, and the generation of cracks in the electronic supply layer is restrained.例文帳に追加

第１電子供給層５をＡｌＮによって薄く形成し、さらに第２電子供給層６として傾斜組成層を設けることにより、ヘテロ界面が格子定数差が大きいＧａＮとＡｌＮとによって形成されているにも関わらず、該界面で生じる応力が傾斜組成層によって緩和され、電子供給層におけるクラックの発生が抑制される。 - 特許庁

A semiconductor device is composed of a semiconductor substrate 10, a buffer layer 12 that is formed on the semiconductor substrate 10 while a lattice constant near the surface differs from that near the interface with the semiconductor substrate 10, and a quantum dot that is formed on the buffer layer 12 while a luminous wavelength is stipulated by a lattice constant near the surface of the buffer layer 12.例文帳に追加

半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板１０との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層１２と、バッファ層１２上に形成され、発光波長がバッファ層１２の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。 - 特許庁

To provide a variable conductance heat pipe exhibiting excellent controllability of heat radiation in which radiation starting temperature can be sustained at a constant level by preventing ambient temperature variation from having an effect on the movement of interface between the vapor of working liquid and noncondensible gas.例文帳に追加

環境温度の変化が、作動流体の蒸気と不凝縮性ガスの界面の移動に影響を及ぼすことを防止して、放熱開始温度を所定の温度に維持することができる放熱制御性に優れた可変コンダクタンスヒートパイプを提供する。 - 特許庁

To drastically improve the yield of compound semiconductor single crystals by controlling the shape of a solid-liquid interface to a shape projected toward the melt side with good reproducibility in the growth initial stage from the seeding part up to a constant diameter part in the growth by an LEC method.例文帳に追加

ＬＥＣ法での成長において、種付け部から定径部までの成長初期段階での固液界面形状を再現性良く融液側に凸形状に制御し、化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させることを可能とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which comprises a gate insulation film having a high dielectric constant and a gate electrode which contains a dopant and is made of Si or a material containing Si, and which can prevent the generation of fixed electric charge in an interface between the gate insulation film and the gate electrode, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むＳｉもしくはＳｉを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The network interface includes a function for connecting to the IP network, by using a certification information concealed in the network interface for the connection; a function for providing the terminal device with a constant connection method independent to the IP network connecting method; and a function for relaying the terminal device and the IP network.例文帳に追加

端末装置からネットワークインターフェイスを経由して、ＩＰネットワークヘ接続する際に、ネットワークインターフェイス内に隠蔽された接続のために必要な認証情報を用いて、ＩＰネットワークへ接続する機能、端末装置に対して、ＩＰネットワークへの接続方法に依存しない同一の接続方法を提供する機能、端末装置とＩＰネットワーク間を中継する機能を備えたネットワークインターフェイスを用いる。 - 特許庁

To provide a printed wiring board and a method of manufacturing the same which can improve the adhesion of a material interface to obtain a reliable microcircuit without changing a surface roughness, and obtain a low dielectric constant and a low loss factor by forming a fluororesin layer.例文帳に追加

表面粗度の変化なしに資材界面密着力を向上させることができて高信頼性で微細回路を実現することができるうえ、フッ素系樹脂層の形成により低誘電率と低損失係数を得ることができる、プリント基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Diffusion of ruthenium or the like into hafnium dioxide, or the like, is suppressed by inserting tantalum pentaoxide or niobium oxide, having a dielectric constant larger than that of the insulating film as a cap layer insulating film into the interface between the upper electrode of ruthenium or ruthenium oxide and the insulating film of hafnium dioxide or zirconium oxide.例文帳に追加

ルテニウム或いは酸化ルテニウムの上部電極および二酸化ハフニウム或いは酸化ジルコニウムの絶縁膜の界面に、キャップ層絶縁膜として前記絶縁膜よりも誘電率の大きな五酸化タンタル或いは酸化ニオブを挿入し、ルテニウム等の二酸化ハフニウム等中への拡散を抑制する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for suppressing the mixture of respective molten metals, and obtaining a clad metal plate having a constant interface even in a twin-roller continuous casting method for manufacturing the clad metal plate by the clad casting method in which metals to be cladded are started from their respective molten metals.例文帳に追加

クラッドする互いの金属同士を互いの溶湯から出発した合わせ鋳造方式によって、クラッド金属板を製造する双ロール連続鋳造方法であっても、金属溶湯の互いの混合を抑制でき、界面が一定なクラッド金属板を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of easily manufacturing a semiconductor device which is improves in adhesion or the strength near an interface between a layer insulating film formed using a low dielectric constant film and other insulating film provided by being directly or indirectly laminated thereon.例文帳に追加

低比誘電率膜を用いて形成される層間絶縁膜とこれに直接または間接的に積層して設けられる他の絶縁膜との界面付近における密着性や強度が向上された半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The constant data of the sub CPU 109 stored in a nonvolatile memory 104 of the main CPU 103 from the rewrite host computer 500 via the rewriting interface 102 is transferred to the sub CPU 109 via a communication wire 108 to be written into a RAM 110.例文帳に追加

書き換えホストコンピュータ５００から書き換えインターフェイス１０２を介してメインＣＰＵ１０３の不揮発性メモリ１０４に格納されているサブＣＰＵ１０９の定数データが、通信線１０８を介してサブＣＰＵ１０９へ転送されてＲＡＭ１１０内に書き込まれる。 - 特許庁

By providing a frame 4 with folded positions 21, the frame 4 is made to have a low spring constant (low rigidity), and by adhering this frame 4 to pins formed on an electrode film 2 (in positions shown by small arrows), the stress in the bonded interface between the frame 4 and the electrode film is reduced.例文帳に追加

フレーム４に折返し箇所２１を設けることで、フレーム４を低バネ定数（低剛性）にして、このフレーム４を電極膜２上に形成したピン（微小矢印の箇所にある）に固着することで、フレーム４と電極膜との接合界面での応力を低減する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a damage or separation never occurs on an interface below bump electrodes at the time of flip-chip bonding even if a low dielectric constant insulating film is used in a semiconductor chip, when the semiconductor chip is flip-chip-mounted on a wiring substrate, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

半導体チップを配線基板にフリップチップ実装する場合、半導体チップ内に低誘電率絶縁膜を使用してもフリップチップ接続時にバンプ電極下の界面で破壊や剥離を発生することのない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a large crystal grain can be formed by making the energy absorption distribution of the a-Si layer constant in the transmitting direction at a part where the energy beam is passed a plurality of times and making the solid-liquid interface flat along the optical path thereby realizing lateral epitaxial growth in the a-Si layer.例文帳に追加

さらに、ａ−Ｓｉ層は、そのレーザビームを複数回透過された部分で、透過方向に生じるエネルギー吸収分布を一定にして固液界面を光路に沿った平坦なものとすることにより、ａ−Ｓｉ層における横方向結晶成長を実現して大結晶粒の形成を可能とする。 - 特許庁

A plurality of sub-ports (Sub-Port) of constant transmission capacity is connected to main ports (Main-Port) where a plurality of kinds of interface boards 1-1 to 1-5 differing in speed, and each of the main ports performs speed conversion and format conversion of main data with multiplicity corresponding to the number of the connected sub-ports.例文帳に追加

速度の異なる複数種類のインタフェース盤１−１〜１−５が接続されるメインポート（Ｍａｉｎ−Ｐｏｒｔ）に、一定の伝送容量のサブポート（Ｓｕｂ−Ｐｏｒｔ）を複数接続し、各メインポートは、それぞれ接続されたサブポートの数に応じた多重度で、主データの速度変換及びフォーマット変換を行う。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The nitride semiconductor lamination structure part 4 includes sequentially laminated an n^--type GaN layer 5 and an n^+-type AlGaN layer 6 having a different lattice constant from that of the n^--type GaN layer 5 with its parallel face 7 and faces parallel to a +c axial side inclination face 8 and an -c axial side inclination face 9 as a lamination interface 15.例文帳に追加

窒化物半導体積層構造部４は、その平行面７、＋ｃ軸側傾斜面８および−ｃ軸側傾斜面９に平行な面を積層界面１５として順に積層されたｎ^−型ＧａＮ層５およびｎ^−型ＧａＮ層５と格子定数の異なるｎ^＋型ＡｌＧａＮ層６を備えている。 - 特許庁

A nucleation acceleration layer, such as a monomolecular layer or a quasi-monomolecular layer, that contains metal, metal silicide, or metal silicate has a thickness of ≤10Å, and increases density of a nucleation section on the substrate or intentional interface layer to accelerate uniform chemical vapor phase growth of a high dielectric constant dielectric material.例文帳に追加

金属、金属ケイ化物、又は金属ケイ酸塩を含む、単分子層又は準単分子層などの核形成促進層は、１０Å以下の厚さを有し、基板上又は意図的な界面層上の核形成部位の密度を増加させることによって、高誘電率誘電体材料の均一な化学気相成長が促進される。 - 特許庁

The communication processing section 24, when receiving a command given via the interface screen on the terminal device 50, updates the values stored in the phase data storage section 6, blue-blue combination data storage section 8, flashlight color data storage section 10, control constant storage section 12, anomaly history storage section 14 and control history storage section 16 according to the command.例文帳に追加

さらに、通信処理部２４は、端末装置５０上のインターフェイス画面を介して与えられた指令を受けると、その指令に応じて、現示データ記憶部６、青−青組合せデータ記憶部８、閃光灯色データ記憶部１０、制御定数記憶部１２、異常履歴記憶部１４、および制御履歴記憶部１６が記憶している値を更新する。 - 特許庁

To provide a variable conductance heat pipe exhibiting excellent controllability of heat radiation in which radiation starting temperature can be sustained at a constant level, by preventing a gas trap part from having an abnormally high temperature or the volume of working fluid working as a heat pipe from decreasing to have an effect on the movement of interface between the vapor of the working liquid and noncondensible gas.例文帳に追加

ガス溜め部が異常に高温になったり、ヒートパイプとして作動する作動流体の量が減少して作動流体の蒸気と不凝縮性ガスの界面の移動に影響を及ぼすことを防止して、放熱開始温度を所定の温度に維持することができる放熱制御性に優れた可変コンダクタンスヒートパイプを提供する。 - 特許庁

The first region is protected by a mask, an aluminum ion is injected, and heat treatment is performed, thus forming a high-dielectric-constant interface dielectric layer 3 of AlxOv between the gate dielectric layer 2 and the N+ polysilicon gate 4, strengthening Fermi pinning effect, and hence adjusting a work function of the P-MOS of N+ polysilicon to a value close to the function of a P+ polysilicon gate.例文帳に追加

マスクで第１領域保護し、アルミイオンをイオン注入し、熱処理することにより、ゲート誘電体層（２）と、Ｎ＋ポリシリコンゲート（４）との間に、ＡｌｘＯｖの高誘電率界面誘電体層（３）が形成され、フェルミピニング効果が強化され、結果として、Ｎ＋ポリシリコンのＰ−ＭＯＳの仕事関数は、Ｐ＋ポリシリコンゲートの関数に近い値に調整される。 - 特許庁

In this semiconductor memory device, transistors and thin film capacitors in which any or all of capacitor insulation films are composed of a high dielectric constant film or a ferroelectric film 108 are integrated on a semiconductor substrate 101, and an interface between the semiconductor substrate and a gate insulation film 104 of the transistors contains heavy hydrogen at a greater ratio than that of the heavy hydrogen existing in the natural world to hydrogen.例文帳に追加

半導体基板上に、トランジスタと、容量絶縁膜の一部あるいは全部が高誘電率膜あるいは強誘電体膜から成る薄膜キャパシタが集積化された半導体記憶装置において、該半導体基板と該トランジスタのゲート絶縁膜との界面に自然界に存在する重水素と水素の比率よりも大きな比率で重水素を含有することを特徴とする。 - 特許庁

To avoid forming a natural oxide film on an Si surface, avoid forming an oxide film due to the reaction of Si with a gate insulating film, and eliminate the influence of H and suppress appearance of fixed charges or interface level wherein the gate insulation film uses a film of a material having a higher dielectric constant than that of an Si oxide film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法に関し、ゲート絶縁膜にシリコン酸化膜と比較して誘電率が高い物質の膜を用いる場合、シリコン表面に自然酸化膜が生成されないように、また、シリコンとゲート絶縁膜の反応に起因する酸化膜が生成されないように、更にまた、水素の影響を排除すると共に固定電荷や界面準位の発生を抑止することを可能にしようとする。 - 特許庁

Although the focal length of the acoustic lens 34 depends on the burst frequency, ink drops 40 having different drop volumes can be flied at a constant repetitive frequency by setting the liquid level distance L of the acoustic lens 34 and the gas-liquid interface 30B between the focal length at a burst frequency for flying a largest ink drop and the focal length at a burst frequency for flying a smallest ink drop.例文帳に追加

バースト周波数に依存して音響レンズ３４の焦点距離が変るが、最大のインク滴を飛翔させるバースト周波数での焦点距離と、最小のインク滴を飛翔させるバースト周波数での焦点距離の間に音響レンズ３４と気液界面３０Ｂとの液面距離Ｌを設定することで、ドロップ体積の異なるインク滴４０を一定の繰り返し周波数で飛翔させることができる。 - 特許庁