「ETCHING GAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The plasma is generated from the processing gas with flow ratio of C_6F_6 gas to oxygen gas (oxygen gas flow/C_6F_6 gas flow: 2.8 to 3.3) using C_6F_6 gas, rare gas and oxygen gas for the plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングには、Ｃ_6Ｆ_6ガスと、希ガスと、酸素ガスとを含み、Ｃ_6Ｆ_6ガスに対する酸素ガスの流量比（酸素ガス流量／Ｃ_6Ｆ_6ガス流量）が２．８〜３．３の処理ガスを用い、この処理ガスからプラズマを生成する。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and high frequency bias power is applied to a ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

Cloudiness occurred in the epitaxial film through hydrochloric acid gas etching is removed by performing hydrogen gas baking at 1,000-1,180°C for 30 sec or longer in hydrogen gas following to hydrochloric acid gas etching.例文帳に追加

塩酸ガスエッチングの後に水素ガス中で１０００〜１１８０℃×３０秒以上の水素ガスベークを行うことにより、塩酸ガスエッチングでエピタキシャル膜に生じたくもりを除去する。 - 特許庁

In the dry etching method, mixture gas of halogen gas and inert gas is employed as etching gas and low frequency bias power is applied to a film containing a noble metal under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で貴金属を含む膜に低周波のバイアス電力を印加する方法とする。 - 特許庁

A gas mixture of hydrogen iodide gas and helium gas is introduced into inside of a reaction vessel 1 through a gas inlet opening 6, and the ITO layer of a specimen 8 placed on a lower electrode 2 is dry etching by reactive ion etching.例文帳に追加

ガス導入口６からヨウ化水素ガスとヘリウムガスとの混合ガスを反応容器１内に導入し、下部電極２上に載置された試料８のＩＴＯ層を反応性イオンエッチングによりドライエッチングする。 - 特許庁

To enable etching process which assures good pattern shape by using, in the adequate flow ratio, a mixed gas of chlorine gas and rare gas as the etching gas in order to restrain adverse effect of the remaining chlorine ion.例文帳に追加

エッチングガスに塩素ガスと希ガスとの混合ガスを適切なる流量比で用いることで、残留塩素イオンによる悪影響を抑えてパターン形状が良好となるエッチング加工を可能とする。 - 特許庁

Continued to the etching process, growth gas, etching gas, doping gas and carrier gas are supplied into the furnace to make epitaxial growth of a second conductive type semiconductor 6 in the trench 4 and fill up the trench 4.例文帳に追加

このエッチング工程に連続して、炉内に、成長ガス、エッチングガス、ドーピングガスおよびキャリアガスを供給して、トレンチ４内に第２導電型の半導体６をエピタキシャル成長させ、トレンチ４を埋める。 - 特許庁

In a method for manufacturing a dielectric device, an etching gas containing at least one type of a chlorine-based gas and a fluorocarbon-based gas is used as an etching gas.例文帳に追加

上記誘電体デバイスの製造方法においては、エッチングガスとして、塩素系ガス及びフッ化炭素系ガスの少なくとも一種を含むエッチングガスが用いられる。 - 特許庁

A process performing the anisotropic etching is carried out by an etching gas in which a mixing ratio expressed by formula: (compound gas including nitrogen + inert gas)/compound gas including fluorineis set 45 or more, or 100 or less.例文帳に追加

異方性エッチングを行う工程が、式：（窒素含有化合物ガス＋不活性ガス）／フッ素含有化合物ガスで表される混合比を４５以上１００以下としたエッチングガスにより行われる。 - 特許庁

Such a dry etching method includes a stage of etching the copper-containing aluminum film using chlorine gas not containing hydrocarbon gas and a stage of etching the metal conductive film using chlorine gas containing hydrocarbon gas.例文帳に追加

そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。 - 特許庁

To provide a dry etching method free from sidewall deposit by employing mixture gas of halogen gas and inert gas as etching gas in the dry etching process of a ferroelectric film and applying high frequency bias power to the ferroelectric film under high vacuum high density plasma.例文帳に追加

強誘電体膜のドライエッチング工程において、ハロゲンガスと不活性ガスの混合ガスをエッチング処理ガスとし、高真空、高密度プラズマ下で強誘電体膜に高周波のバイアス電力を印加することにより側壁付着物のないドライエッチング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a reactant gas supply method of a dry etching device which can prevent a gas composition from altering by the generation of H_2, when HF or a gas containing HF is used as a reactant gas, and can prevent reaction of an etching process from altering, to conduct etching of high accuracy.例文帳に追加

反応ガスとしてＨＦやＨＦを含むガスを用いる場合に、Ｈ_２の発生によりガス組成が変化するのを防ぎ、エッチングプロセスの反応が変化するのを防いで精度の良いエッチング処理を行うことが可能になるドライエッチング装置の反応ガス供給方法を提供する。 - 特許庁

Then, when reactive ion etching using the gas mixture of a fluorine gas (100 sccm) and an oxygen gas (100-400 sccm) as an etching gas is performed, the silicon nitride film 22 in an area other than the one below the resist film 23 is dry-etched, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜２３下以外の領域における窒化シリコン膜２２がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

These laminated films 2, 3 and 4 are continuously etched by a mixing gas consisting of fluorine gas, chlorine gas and Ar gas in the same etching chamber, under the same etching condition, using the resist pattern 5 as the mask and an ICP etching device which can provide a high density plasma.例文帳に追加

この積層膜２，３，４をレジストパターン５をマスクとして、高密度プラズマが得られるＩＣＰエッチング装置を使用して、「フッ素系ガスと塩素系ガスとＡｒガスの混合ガス」にて同一エッチング室内、同一エッチング条件で連続的にエッチングする。 - 特許庁

The trench is formed, by carrying out plasma etching using mixed gas containing hydrogen bromide and nitrogen from an inductive coupling plasma etching device.例文帳に追加

誘導結合型プラズマエッチング装置から、臭化水素と窒素とを含む混合ガスを用いてプラズマエッチングを行ってトレンチを形成する。 - 特許庁

In dry-etching of the SiC layer 2, a nitrogen-containing gas is added to etching as comprising halogen compound.例文帳に追加

ここで、ＳｉＣ層２のドライエッチングでは、ハロゲン化合物を含むエッチングガスに窒素を含有するガスを添加して行う。 - 特許庁

The method includes a step of patterning the buffer film 3 by dry etching performed by the use of an etching gas containing oxygen.例文帳に追加

本製造方法は、バッファ膜３を酸素含有エッチングガスによりドライエッチングしてバッファ膜パターンを形成する工程を含む。 - 特許庁

This method is characterized by etching a HfO_2 film 105 of a wafer W with an etching gas containing hexafluoroacetylacetone (Hhfac).例文帳に追加

ヘキサフルオロアセチルアセトン（Ｈｈｆａｃ）を含むＨｈｆａｃ含有エッチングガスでウェハＷのＨｆＯ_２膜１０５をエッチングする。 - 特許庁

Etching gas containing HBr is supplied on the surface 31 of the epitaxial layer 3 exposed from an opening 19 of the etching mask 16.例文帳に追加

そして、エッチングマスク１６の開口１９から露出するエピタキシャル層３の表面３１に、ＨＢｒを含むエッチングガスを供給する。 - 特許庁

Correlation data corresponding to correlation between a flow of a hydrogen gas and an amount of side etching in reactive ion etching is obtained.例文帳に追加

反応性イオンエッチングにおける水素ガスの流量とサイドエッチング量との相関を示す相関データを取得する。 - 特許庁

The plasma etching for the improved surface is properly made by the etching gas containing fluorine and carbon.例文帳に追加

改質した表面部はフッ素及び炭素を含むエッチングガスにより良好にプラズマエッチングされる。 - 特許庁

In a first plasma etching process, just etching is carried out by a mixed gas of sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride.例文帳に追加

第１プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用いてジャストエッチングを行なう。 - 特許庁

The BARC etching includes a high polymeric gas for controlling the CD and selective etching chemicals together.例文帳に追加

ＢＡＲＣエッチングは、ＣＤ制御のための高重合性ガスと一緒に選択性エッチング化学薬品を含む。 - 特許庁

At that time, an oxide film on the semiconductor layer formed with an oxygen plasma processing is subjected to plasma dry etching with etching gas.例文帳に追加

その際、酸素プラズマ処理によって形成される半導体層上の酸化膜をエッチングガスによってプラズマドライエッチングする。 - 特許庁

To control so, for example, the mask is formed by using a resin material and dry etching is performed by using etching gas containing oxygen.例文帳に追加

このように制御するためには、例えばマスクを樹脂材料により形成し、ドライエッチングを酸素を含むエッチングガスを用いて行う。 - 特許庁

This shutter closes during an etching so that etching gas or plasma may not be in contact with the camera.例文帳に追加

エッチング中はこのシャッターが閉じていて、エッチングガスやプラズマがカメラに接触しないようになっている。 - 特許庁

Additionally, etching gas containing C_4F_6 and that without containing C_4F_6 are used for successive etching.例文帳に追加

また、Ｃ_４Ｆ_６を含むエッチングガスと、Ｃ_４Ｆ_６を含まないエッチングガスとを用いて順次エッチングを行う。 - 特許庁

With the pattern as a mask, reactive ion etching is conducted with a mixed gas of CF4/O2 for etching the SiO2.例文帳に追加

このパターンをマスクにＣＦ_4／Ｏ_2の混合ガスで反応性イオンエッチングを行いＳｉＯ_2をエッチングする。 - 特許庁

The insulating layer is selectively eliminated by discharged processing agent (etching gas or etching liquid) to form an opening in the insulating layer.例文帳に追加

吐出（された処理剤（エッチングガス又はエッチング液）によって、絶縁層を選択的に除去し、絶縁層に開口を形成する。 - 特許庁

For dry etching, e.g. (CO+O_2) flame or flame containing an etching gas and no hydrogen nor moisture in its center is used.例文帳に追加

ドライエッチングに用いる火炎は、たとえば、（ＣＯ＋Ｏ_２）火炎、あるいは、火炎の中心部に水素や水分を含まず、エッチングガスを含む火炎とする。 - 特許庁

Then, by using the pseudo-etching mask M, a second dry etching is performed with the chlorine gas as etchant anda rough structure is formed.例文帳に追加

次いで、この擬似エッチングマスクＭを用い、塩素系ガスをエッチャントとして第２のドライエッチングを行い、凹凸構造を形成する。 - 特許庁

Etching is conducted using the resist pattern as a mask on the a-Si membrane by dry etching by using CF_4 gas to form a Si mask 5.例文帳に追加

レジストパターン４をマスクとしてＣＦ_４ガスを用いたドライエッチングでａ−Ｓｉ膜をエッチングしてＳｉマスク５を形成する。 - 特許庁

Subsequently, in a second plasma processing, a silicon substrate 101 is subjected to a plasma etching by using an etching gas to form a trench 120.例文帳に追加

引き続き第２のプラズマ処理では、シリコン基板１０１を、エッチングガスを用いてプラズマエッチングし、トレンチ１２０を形成する。 - 特許庁

The etching stop film 112 is removed by second etching gas so such that the metal wiring 110 is exposed.例文帳に追加

続いて金属配線１１０が露出されるように第２のエッチングガスでエッチング停止膜１１２を除去する。 - 特許庁

Fig. 5 is a graph showing a degree of consumption by the etching gas of a shield ring for insulating the circumference of an upper electrode of the plasma etching apparatus.例文帳に追加

図５はプラズマエッチング装置の上部電極の周囲を絶縁するシールドリングのエッチングガスによる消耗度を示すグラフである。 - 特許庁

The hardmask is opened by plasma etching using an etching gas composed of H, N, and CO.例文帳に追加

ハードマスクは、Ｈ、Ｎ及びＣＯで構成されるエッチングガスを使用するプラズマエッチングにより開かれる。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of restraining an active gas unhelpful to plasma etching from being discharged out into the air.例文帳に追加

プラズマエッチングに寄与しない活性ガスの大気への排出を抑えることのできるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The silicon oxide layer 62 can be dry-etched continuously to the dry etching of the conductive layer 63 without changing an etching gas.例文帳に追加

エッチングガスを変更することなく、導電性層63のドライエッチングに連続して酸化シリコン層62をドライエッチングできる。 - 特許庁

To provide a method and a device for end point detection which can accurately detect an etching end point for a gas-switching etching method.例文帳に追加

ガススイッチングエッチング法において、正確にエッチング終点を検出することができる終点検出方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To solve the conventional problem of supplying an etching gas to do uniform etching, and eventually do uniform cleaning of the inside of a reaction pipe.例文帳に追加

従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。 - 特許庁

Since the etching gas is prevented from entering a gap between the coating layer and the optical fiber, useless etching is avoided, suppressing deterioration of the strength.例文帳に追加

被覆層と光ファイバ間の隙間へのエッチングガスの浸入が防止されるので、無用なエッチングが回避されて強度劣化を抑制する。 - 特許庁

For example, the etching may be carried out by a reactive ion etching method whose temperature condition is made about 200°C and which uses chlorine gas.例文帳に追加

例えば、温度条件を２００℃程度とし、塩素ガスを用いた反応性イオンエッチング法によりエッチングすればよい。 - 特許庁

A backside gas pressure is set smaller than that in a main etching condition for a given period of time from the start of etching.例文帳に追加

またエッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。 - 特許庁

To solve a problem in known etching gas supply, in order to perform uniform etching, and in order to eventually perform uniform cleaning of the inside of a reaction pipe.例文帳に追加

従来のエッチングガス供給の問題を解決し、均一なエッチング、延いては均一な反応管内のクリーニングを行なうこと。 - 特許庁

In this state, a chlorine gas is allowed to flow into the etching chamber, and at the same time a plasma is generated by a high-frequency power supply 2 for etching.例文帳に追加

この状態で、エッチング室１の内部に塩素ガスを流入させながら、高周波電源２によりプラズマを発生させてエッチングを行う。 - 特許庁