「ETCHING GAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The first dry etching is carried out using the gas containing fluorine under a pressure of 0.1-4 Pa.例文帳に追加

第１のドライエッチングは、０．１Ｐａ〜４Ｐａの圧力でフッ素を含むガスを用いて行う。 - 特許庁

Then a part of the first metal film 2 is removed by using BCl3, Cl2 and CHF3 as the etching gas.例文帳に追加

その後、ＢＣｌ_3、Ｃｌ_2およびＣＨＦ_3をエッチングガスとして、第１の金属膜２の一部を除去する。 - 特許庁

Subsequently, the thermoplastic film 2 is subjected to gas etching, thereby forming the plane form of the thermoplastic film.例文帳に追加

次に、熱可塑性膜２にガスエッチングを施すことにより熱可塑性膜の平面形状を形成する。 - 特許庁

The layers are patterned by dry etching by using chlorine gas to form a signal line 13.例文帳に追加

塩素系ガスを用いたドライエッチングにてパターニングして信号線13とする。 - 特許庁

SIDEWALL SMOOTHING IN HIGH ASPECT RATIO/DEEP ETCHING USING DISCRETE GAS SWITCHING METHOD例文帳に追加

任意ガススイッチング法を用いた高アスペクト比／深いエッチングの側壁平滑化 - 特許庁

The SiN film 2 is removed by dry etching by SF6 gas, and the resist is then removed (c).例文帳に追加

そして、ＳＦ_6ガスによるドライエッチングによりSiＮ膜２を除去し、その後レジストを除去する（ｃ）。 - 特許庁

Next, the patterning of the mask film is carried out through etching employing chlorine gas.例文帳に追加

次に、塩素系ガスを用いたエッチングによりマスク膜のパターニングを行う。 - 特許庁

In one embodiment, the process gas is utilized in both the first and second etching processes.例文帳に追加

一実施形態において、処理ガスを第１及び第２のエッチングステップの両方で利用する。 - 特許庁

After the steam is added, the process gas is supplied to an atmospheric pressure plasma etching system 30.例文帳に追加

水蒸気添加後の処理ガスを常圧プラズマエッチング装置３０へ供給する。 - 特許庁

Next, the patterning of the wiring film is carried out through etching employing the fluorine series gas.例文帳に追加

次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより配線膜のパターニングを行う。 - 特許庁

When, for example, CF_4 is used as etching gas, a hole can vertically be formed in the lower-layer wire 4.例文帳に追加

エッチングガスは、例えばＣＦ_４を用いると下層配線４上を垂直に開口することができる。 - 特許庁

Next, the patterning of the reflection preventing film is carried out by etching employing fluorine series gas.例文帳に追加

次に、フッ素系ガスを用いたエッチングにより反射防止膜のパターニングを行う。 - 特許庁

To remove residue generated by etching of a Cu film by chlorinated gas.例文帳に追加

塩素系ガスによるＣｕ膜のエッチングによって生成した残渣を除去する。 - 特許庁

During the process of making aluminium wiring 2a into a sequentially tapered shape, only chlorine is used as an etching gas.例文帳に追加

アルミニウム配線を順テーパ状にする工程では、エッチングガスとして塩素のみを用いる。 - 特許庁

The treatment gases comprise fluorine rich polymer-forming etching gas that promotes a high etching rate, carbon rich polymer-forming etching gas that promotes a high polymerization deposition rate, polymer control gas (such as oxygen or nitrogen) that delays polymerization deposition rate, and inactive dilution gas that alleviates tapering-off of etching profile.例文帳に追加

処理ガスは、高エッチング速度を促進するフッ素リッチ重合エッチングガス、高重合体堆積速度を促進する炭素リッチ重合エッチングガス、重合体堆積速度を遅延させる重合体管理ガス（例えば、酸素又は窒素）、エッチングプロファイルの先細りを軽減する不活性希釈ガスを含む。 - 特許庁

By using the activated process gas, etching of the plurality of wafers 5 is perfomed in batch.例文帳に追加

活性化したプロセスガスで複数のウェーハ５のエッチングを一括して行なう。 - 特許庁

As a result, hydrogen fluoride gas is acted on the residue 111 and the residue 111 is removed by etching.例文帳に追加

これにより、フッ化水素を残渣１１１に作用させ、残渣１１１をエッチング除去する。 - 特許庁

Residual gas is exhausted from a load lock chamber 6a of a dry etching apparatus 1 by performing the following steps.例文帳に追加

ドライエッチング装置１のロードロック室６ａ内を以下の手順で排気する。 - 特許庁

To start discharging stably in plasma etching which uses He gas.例文帳に追加

Heガスを用いたプラズマエッチングにおいて、安定的に放電開始をおこなうものである。 - 特許庁

A processing gas including hydrogen fluoride and water is brought into contact with the object 90 to be processed to carry out etching.例文帳に追加

フッ化水素及び水を含む処理ガスを被処理物９０に接触させてエッチングを行なう。 - 特許庁

When RIBE is performed using chlorine for etching gas, the structure of Fig.17 (b) is provided.例文帳に追加

エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling an etchant gas concentration in an etching chamber.例文帳に追加

エッチング室におけるエッチャント・ガス濃度を制御するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

Next, the smear 8 is removed with the plasma dry etching process using CF_4 gas or the like.例文帳に追加

次に、ＣＦ_4ガス等を用いたプラズマドライエッチング処理により、スミア８を除去する。 - 特許庁

To provide an etching apparatus capable of reducing consumption of a reactive gas.例文帳に追加

反応性ガスの消費量を抑えることができるエッチング装置を提供する。 - 特許庁

Etching is performed by transporting the reactant gas to the disposition portion 2 of a subject 9 to be processed using a transportation path 10.例文帳に追加

反応ガスを輸送路１０で被処理物９の配置部２へ輸送し、エッチングを行なう。 - 特許庁

At the time of etching the tungsten film, a CF-based gas is used instead of the SF6.例文帳に追加

タングステンのエッチングを、ＳＦ_6に代えて、ＣＦ系のガスを用いて行う。 - 特許庁

Furthermore, gas 20 for electric discharge is introduced to the etching chamber 10.例文帳に追加

さらに、エッチングチャンバ１０内には、放電用ガス２０が導入されている。 - 特許庁

In a dry etching device for dry-etching a silicon-oxide film using a C_5F_8 gas as an etching gas, a stabilization step immediately before a STEP 3 of performing actual etching operation is divided into two steps, that is, a STEP 1 of not introducing the C_5F_8 gas and a STEP 2 of introducing the C_5F_8 gas.例文帳に追加

Ｃ_５Ｆ_８ガスをエッチングガスとして用いて酸化シリコン系膜をドライエッチングするドライエッチング装置において、実際にエッチング処理を行う処理ステップ（ＳＴＥＰ３）の直前の安定化ステップを、Ｃ_５Ｆ_８ガスの導入を行わないＳＴＥＰ１とＣ_５Ｆ_８ガスの導入を行うＳＴＥＰ２との２段階に分けて行う。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁

Specifically, the etching gas is blown to a portion to be peeled while a layer to be peeled is removed from a substrate.例文帳に追加

具体的には、基板から被剥離層を引きはがしながら、剥離箇所にエッチングガスを吹きつける。 - 特許庁

In the manufacturing method of color filter using a dry etching method, the dry etching is performed by a first etching step of forming a colored layer removing part 6 by using a gaseous mixture containing fluorine type gas and oxygen gas and a second etching step of removing the colored layer removing part 6 and forming a support exposure part by using a gaseous mixture containing nitrogen gas and oxygen gas.例文帳に追加

ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 - 特許庁

A treatment gas to be used for film deposition or etching process or the like is introduced into the treatment chamber 11.例文帳に追加

成膜処理あるいはエッチング処理等に使用する処理用ガスを処理室１１内に導入する。 - 特許庁

To greatly reduce an amount of drain by recycling water generated when treating used etching gas.例文帳に追加

使用済みエッチングガスを処理する際に生成する水を再利用し、排水量を大幅に削減する。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for controlling etchant gas concentration in an etching chamber.例文帳に追加

エッチング室におけるエッチャント・ガス濃度を制御するための方法および装置を提供すること。 - 特許庁

Process gas consisting of gas mixture including oxygen (O)-containing gas, noble gas and fluorocarbon gas (CF system gas) is used for plasma etching the organic film 102.例文帳に追加

この有機膜１０２のプラズマエッチングに、酸素（Ｏ）含有ガスと、希ガスと、フッ化炭素ガス（ＣＦ系ガス）とを含む混合ガスからなる処理ガスを用いる。 - 特許庁

In this case, the density of the methanol gas is set so as to be 5-20% with respect to the total gas flow rate, and mixed gas plasma including methane gas trifluoride and methanol gas and helium gas is used for the dry etching.例文帳に追加

具体的には、メタノールガスは、総ガス流量に対し５〜２０％の濃度であり、ドライエッチングは、三弗化メタンガスとメタノールガスとヘリウムガスとの混合ガスプラズマを用いる。 - 特許庁

The silicon oxide film 15 is etched using a resist pattern 16 as a mask with etching gas composed of mixed gas of Ar gas, O_2 gas, C_5F_8 gas, and CH_2F_2 gas.例文帳に追加

シリコン酸化膜１５に対してレジストパターン１６をマスクにして、Ａｒガスと、Ｏ_2 ガスと、Ｃ_5Ｆ_8ガスと、ＣＨ_2Ｆ_2ガスとの混合ガスよりなるエッチングガスを用いてエッチングを行なう。 - 特許庁

Further, any one of gas selected from a group consisting of Ar gas, N_2 gas and CO gas, a mixed gas including two or more gases selected from the group or the like can be used as the gas for physical etching.例文帳に追加

また、物理エッチング用のガスには、Ａｒガス、Ｎ_２ガス、及びＣＯガスからなる群の中から選択されるいずれか１つのガス又は２以上のガスを含む混合ガスなどを用いることができる。 - 特許庁

To provide an etching method which is excellent in controllability and reproducibility of etching when etching the material containing silicon, using the gas containing halogen elements other than fluorine.例文帳に追加

弗素以外のハロゲン元素を含むガスを用いてシリコンを含む材料をエッチングする際、エッチングの制御性、再現性に優れたエッチング方法を提供する。 - 特許庁

PLASMA ETCHING TREATMENT THAT USES POLYMER ETCHING GASES OF DIFFERENT ETCHING AND POLYMERIZATION DEPOSITION RATES IN DIFFERENT RADIAL GAS INJECTION ZONES BY APPLYING TIME MODULATION例文帳に追加

異なるエッチング及び重合体堆積速度の重合エッチングガスを異なる半径方向ガス噴射区域において時間変調で用いるプラズマエッチング処理 - 特許庁

ETCHING GAS COMPOSITION FOR ETCHING SILICON OXIDE AND POLYSILICON SIMULTANEOUSLY, ETCHING METHOD BY USE THEREOF AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY THEREBY例文帳に追加

シリコン酸化物とポリシリコンを同時にエッチングするためのエッチングガス組成物、これを利用したエッチング方法およびこれを利用した半導体メモリ装置の製造方法 - 特許庁

The use of this type of etching gas allows good etching selectivity for a resist mask to be obtained while securing an etching rate of the electrode layer 4.例文帳に追加

また、この種のエッチングガスを用いることで、電極層４のエッチングレートを確保しつつ、レジストマスクに対する良好なエッチング選択性を得ることができる。 - 特許庁

To improve etching uniformity and prevent delay of etching reaction due to natural oxide film generated on a polysilicon surface in etching of polysilicon using XeF2 gas.例文帳に追加

ＸｅＦ_2 ガスを用いたポリシリコンのエッチングにおいて発生する、ポリシリコン表面の自然酸化膜によるエッチング反応の遅れを解決するとともに、エッチング均一性の向上を図る。 - 特許庁

A process for creating a close contact layer is provided with a dry etching step for etching a material for the close contact layer by using an etching gas including at least a hydrogen atom component and a nitrogen atom component.例文帳に追加

本発明は、密着層を作成する工程に、少なくとも水素原子成分及び窒素原子成分を含むエッチングガスにより密着層の材料をエッチングするドライエッチング工程を設ける。 - 特許庁

When a concave portion 8 is formed in a substrate 7 by an etching gas, it is necessary that an etching stopper be formed in the substrate 7, because etching of silicon is performed isotropally.例文帳に追加

エッチングガスにより基板７に凹部８を形成する場合、等方的にシリコンのエッチングが行なわれるため、エッチングストッパを基板７内に形成する必要がある。 - 特許庁