「ETCHING GAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for removing hypofluorite used as a cleaning gas or an etching gas by decomposition of hypofluorite for its removal.例文帳に追加

クリーニングガス、エッチングガスとして使用したハイポフルオライトを分解除去する除害方法を提供する。 - 特許庁

This etching method which etches a fluorine-added carbon film formed on a substrate by plasma, comprises the steps of a first step of performing etching with plasma of an oxygen-containing treatment gas; and a second step of performing etching with plasma of a fluorine-containing treatment gas.例文帳に追加

基板上に形成されたフッ素添加カーボン膜をプラズマによりエッチングするエッチング方法は、酸素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第１段階と、フッ素を含む処理ガスのプラズマによりエッチングを行う第２段階とを有する。 - 特許庁

Because of the etching rate difference between SF6 gas and HCl gas for the same crystallographic plane, the etching becomes hard to proceed in isotropic basis, and texture is produced on the surface of the semiconductor substrate 3 even with plasma etching equipment of low impact energy.例文帳に追加

すると、同一面方位についてのＳＦ_6ガスとＨＣｌガスとのエッチレートの差によって、エッチングが等方的に進行しにくくなり、イオン衝突エネルギーが低いプラズマエッチング装置１でも、半導体基板３の表面にテクスチャーを形成することができる。 - 特許庁

To prevent etching action from stopping at the bottom of a recess in a silicon oxide film when forming the recess having a high aspect ratio on the silicon oxide film by etching the silicon oxide film formed on a silicon nitride film with etching gas including fluorocarbon gas.例文帳に追加

シリコン窒化膜の上に形成されたシリコン酸化膜に対してフルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いてエッチングを行なって、シリコン酸化膜にアスペクト比が高い凹部を形成する際に、シリコン酸化膜における凹部の底部に対するエッチングがストップしないようにする。 - 特許庁

In the chamber of an inductive coupling type plasma etching apparatus, selective etching is made to the second insulating film 105 by a first etching gas using a fluorocarbon gas having a ring structure as a main constituent, and an upper section 108a of the hole is formed.例文帳に追加

誘導結合型プラズマエッチング装置のチャンバー内において、第２の絶縁膜１０５に対して、環構造を有するフルオロカーボンガスを主成分とする第１のエッチングガスにより選択的エッチングを行なって、ホールの上部１０８ａを形成する。 - 特許庁

On the blanket insulating film 6, an inter- layer insulating film 7 is laminated, nitrogen (N_2) is added as etching gas to mixed gas of C_5F_8 and O_2 to carry out plasma excitation, and the blanket insulating film 6 is used as an etching stopper for the dry etching of the inter- layer insulating film 7 to form the contact hole 8.例文帳に追加

そして、ブランケット絶縁膜６上に層間絶縁膜７を積層し、エッチングガスとして、Ｃ_5Ｆ_8とＯ_2の混合ガスに窒素（Ｎ_2）を添加しプラズマ励起し、ブランケット絶縁膜６をエッチングストッパとして層間絶縁膜７をドライエッチングしコンタクト孔８を形成する。 - 特許庁

An etching chamber 1 is connected to a gas source 4, which restricts a flow rate by a mass flow controller 51, so that an etching gas 41 is led into the etching chamber 1.例文帳に追加

プラズマエッチングにおいて、エッチングガスを天然に存在する元素の同位体組成比と異ならせる、あるいは、検出物質に含まれる元素の少なくとも一つの種類の元素について、エッチングガス、エッチング対象物等を構成する元素の同位体組成比を異ならせる。 - 特許庁

The recessed parts 11 are formed by etching the wafer 1 while forming a protective film on the side faces of the opening parts 21 of a resist pattern 2 by repeating introduction of a protective film forming gas and introduction of an etching gas in a dry etching device.例文帳に追加

この凹部１１の形成は、ドライエッチング装置内で、保護膜形成用ガスの導入とエッチングガスの導入とを繰り返すことにより、レジストパターン２の開口部２１の側壁に保護膜を形成しながらウエハ１をエッチングすることによって行う。 - 特許庁

The method for etching the high dielectric film uses a mask made of an inorganic material and a mixed gas of an inert gas with a fluorine gas or a gas of fluorine compound gas as an etching gas, where the mixed gas is doped with an oxygen gas, to etch the high dielectric film.例文帳に追加

高誘電体膜をエッチングする際、無機材料からなるマスクを用いると共に、フッ素ガス又はフッ素化合物からなるガスと不活性ガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いる高誘電体膜のエッチング方法であって、前記混合ガスに、酸素ガスを添加して、前記高誘電体膜をエッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

A mixed gas made of oxygen gas, nitrogen gas, and gas combining hydrogen atoms and fluorine atoms is used as a process gas, so that the silicon nitride film 12 is removed by dry etching.例文帳に追加

フッ素原子を含むガスと、酸素ガスと、窒素ガスと、水素原子及びフッ素原子が結合したガスとを混合したガスから成るプロセスガスを用いたドライエッチングによってシリコンナイトライド膜１２を除去する。 - 特許庁

A fluorine compound gas having comparatively low toxicity and corrosiveness or the fluorine compound gas and 0_2 or the fluorine compound gas and H_20 gas are used as the reaction gas 7 employed for the electron-beam excitation dry etching.例文帳に追加

電子ビーム励起ドライエッチングに用いる反応ガス７として、毒性、腐食性が比較的低いフッ素化合物ガスまたはフッ素化合物ガスとＯ_２またはフッ素化合物ガスとＨ_２Ｏガスを用いる。 - 特許庁

A gas containing at least any one kind of elements of carbon, fluorine and hydrogen is employed as an etching gas and a gas which can supplying oxygen through dissociation in plasma is employed as an alternative gas of oxygen gas.例文帳に追加

また、エッチングガスとして炭素、フッ素、水素のいずれか１種以上の元素を含むガスを用い、酸素ガスに代替するガスとして、プラズマ中での解離によって酸素を供給できるガスを用いる。 - 特許庁

A nitride silicon film formed on the main surface of a semiconductor substrate is removed by carrying out isotropic etching by plasma using the mixed gas of SF_6 gas, O_2 gas, He gas and N_2 gas.例文帳に追加

半導体基板の主面に形成された窒化シリコン膜をＳＦ_6ガスとＯ_2ガスとＨｅガスとＮ_2ガスとの混合ガスを用いたプラズマで等方性エッチングすることによって除去する。 - 特許庁

If the aspect ratio of the trench 37 reaches 20 or more, the etching gas is changed into a second mixed gas comprised of HBr gas, O_2 gas and CF_4 gas, and a trench 37 of which the aspect ratio is 50 or more, is formed.例文帳に追加

トレンチ３７のアスペクト比が２０以上に到達すると、エッチングガスをＨＢｒガス、Ｏ_２ガス及びＣＦ_４ガスからなる第２の混合ガスに変更して、アスペクト比が５０以上のトレンチ３７を形成する。 - 特許庁

A gas in which an Ar+CH_4 gas is added to a reactive gas is used as an etching gas when an insulating film formed on a sample is etched by changing the reactive gas into plasma while applying a high-frequency voltage to the sample.例文帳に追加

反応性ガスをプラズマ化するとともに試料に高周波電圧を印加して、試料に形成された絶縁膜をエッチングする際に、エッチングガスとして反応性ガスにＡｒ＋ＣＨ_４ ガスを添加したガスを用いる。 - 特許庁

In plasma etching which uses such gas that is mainly formed of He gas and is added with O2 gas, Cl2 gas is added in an initial stage of plasma discharging, and thereafter, supply of the Cl2 gas is stopped.例文帳に追加

本発明は、Heガスを主成分としO2ガスを添加したプラズマエッチングにおいて、プラズマ放電開始初期においてCl2ガスを添加、その後Cl2ガスの供給を停止する。 - 特許庁

In the dry etching system 10, a chamber 12 for containing an Si wafer W is coupled with supply sources 32, 38, 40 and 42 of SF6 gas, N2 gas, CF4 gas and O2 gas through a gas mixing chamber 30.例文帳に追加

ドライエッチング装置１０は、ＳｉウェハＷが収容されるチャンバ１２に、ガス混合室３０を介して、それぞれＳＦ_6ガス、Ｎ_2ガス、ＣＦ_4ガス及びＯ_2ガスの供給源３２，３８，４０，４２が接続されたものである。 - 特許庁

A II-VI compound semiconductor crystal substrate is etched at room temperature by reactive ion etching using mixed gas of methane (CH_4) and hydrogen (H_2) as etching gas.例文帳に追加

II−VI族化合物半導体結晶基板を、エッチングガスとしてメタン（ＣＨ_４）と水素（Ｈ_２）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにて常温でエッチングを行う。 - 特許庁

The extracted residue is removed by physical removal by an AFM probe, electron beam gas assist etching, or focused ion beam gas assist etching to make the mold reusable.例文帳に追加

抽出された残渣をAFM探針による物理的な除去または電子ビームガスアシストエッチングまたは集束イオンビームガスアシストエッチングで除去してモールドを再利用可能にする。 - 特許庁

An etching chamber 10 includes the mounting table 11 of a semiconductor wafer W and a gas feeding head 12 for feeding gas EG for etching inside.例文帳に追加

エッチングチャンバ１０は、内部に半導体ウェハＷの載置台１１及びエッチング用のガスＥＧが供給されるガス供給ヘッド１２を含む。 - 特許庁

To provide a method for washing or etching quartz or a silicon substrate without almost discharging fluorine gas and compounds containing fluorine to the external in the case of washing or etching the quartz or the silicon substrate by using fluorine gas.例文帳に追加

石英やシリコン基板について、フッ素ガスを用いて洗浄またはエッチングをする場合において、フッ素ガス、フッ素含有化合物を外部に殆ど放出することなく洗浄またはエッチングを行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method using less fluorine gas, while selective etching is performed, without the use of fluorine gas of high GWP.例文帳に追加

フッ素系ガスの使用量の低減を図ることが出来るとともに、ＧＷＰの高いフッ素系ガスを用いずとも選択エッチングを行うことが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The cleaning chamber 5 includes a heater 208 heating the susceptor S at a temperature higher than 400°C and etching gas supply means supplying an etching gas from above the susceptor S to remove the SiC film.例文帳に追加

クリーニング５室は、サセプタＳを４００℃以上の温度で加熱するヒータ２０８と、サセプタＳの上方からエッチングガスを供給してＳｉＣ膜を除去するエッチングガス供給手段とを備える。 - 特許庁

When the etching gas final point is detected by vertically scanning the three pairs of thermocouples 17, the feed of the etching gas is immediately stopped through the controller 18.例文帳に追加

ここで、上記三対熱電対１７を上下に走査しエッチング終点を検出するとコントローラ１８を通してエッチングガスの供給を即座にストップさせる。 - 特許庁

A combination of the etching precursor gas, etching suppression gas, and focused beam selectively etches a first material, as compared to a second material.例文帳に追加

このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。 - 特許庁

When dry etching using etching gas containing at least COF_2 gas is performed, the silicon nitride film 22 can be favorably dry-etched and a channel protection film is formed under the resist film 23.例文帳に追加

そして、少なくともＣＯＦ_２ガスを含むエッチングガスを用いてドライエッチングすると、窒化シリコン膜２２を良好にドライエッチングすることができ、レジスト膜２３下にチャネル保護膜が形成される。 - 特許庁

Plasma etching is then applied to the high dielectric material film 34 using etching gas containing fluorocarbon gas to form a gate insulating film 34A composed of the high dielectric material film 34.例文帳に追加

高誘電体材料膜３４に対して、フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを用いるプラズマエッチングを行なって、高誘電体材料膜３４よりなるゲート絶縁膜３４Ａを形成する。 - 特許庁

In the plasma etching method, the gas containing C_4F_6 and O_2 and CO is used as a processing gas for plasma etching to suppress surface roughness of a photoresist.例文帳に追加

本発明のプラズマエッチング方法は、処理ガスとして、Ｃ_４Ｆ_６とＯ_２とＣＯとを含むガスを用いてプラズマエッチングすることで、フォトレジストの表面荒れを抑えることができる。 - 特許庁

While a protective film forming gas and an etching gas are alternately supplied into a chamber, a trench is formed on a semiconductor substrate in the chamber at high etching speed.例文帳に追加

チャンバー内に保護膜形成ガスとエッチングガスを交互に供給しながら、高いエッチング速度でチャンバー内の半導体基板にトレンチを形成する。 - 特許庁

Etching is performed by using a C* gas and an F* gas containing CF+ ions from the top surface of the resist pattern film 14 to form an etching hole 112A in the oxide film 112.例文帳に追加

レジストパターン膜１１４の上面から、ＣＦ＋系イオンを含むＣ＊、Ｆ＊のガスを用いてエッチングを行い、酸化膜１１２にエッチング孔１１２Ａを形成していく。 - 特許庁

For the plasma etching, an etching gas including unsaturated fluorocarbon gas containing oxygen expressed as C_xF_yO (x is 4 or 5, y is integer, and y/x is 1-1.5) is used.例文帳に追加

プラズマエッチングには、Ｃ_xＦ_yＯ（ｘは４又は５、ｙは整数でｙ／ｘは１〜１．５）で表される不飽和の酸素含有フルオロカーボンガスを含むエッチングガスを使用する。 - 特許庁

To etch silicon at a high etching rate when a processing gas containing a fluorine containing compound gas is changed into plasma and a part made of silicon of a substrate to be treated is subjected to etching by the plasma.例文帳に追加

フッ素含有化合物ガスを含む処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板のシリコン部分をプラズマエッチングするにあたって、高いエッチングレートでシリコンをエッチングすること。 - 特許庁

Herein, the roughening of the surface is carried out by a blast by dry ice particles, a sputtering using an inert gas, or a dry etching using an etching gas.例文帳に追加

ここで、粗面化にはドライアイス粒子によるブラスト、不活性ガスを用いるスパッタリング、またはエッチングガスを用いるドライエッチングにより行う。 - 特許庁

Next, using this photoresist layer PR as a mask and the gas of the phlorocarbon system as the etching gas, the plasma etching is executed to the interlayer insulating film 10 to form a micro-lens 11.例文帳に追加

次に、このホトレジスト層ＰＲをマスクとして、フロロカーボン系のガスをエッチングガスとして用いて、層間絶縁膜１０のプラズマエッチングを行い、マイクロレンズ１１を形成する。 - 特許庁

In addition, the multiple waists 26 and 30 can be obtained by forming a change in gas mixing ratio in an etching chamber or a change in total gas pressure in the etching chamber.例文帳に追加

その代わりに多重ウエストは、エッチングチャンバ内における種々のガスの比又はチャンバ内における全ガス圧力のいずれかの変化によって達成される。 - 特許庁

The etching block gas from the plurality of etching block gas introduction tubes 118a-118d is supplied in a plurality of directions and the amount of supply is controlled independently.例文帳に追加

複数のエッチング阻止ガス導入管１１８ａ〜１１８ｄから供給されるエッチング阻止ガスは、複数の方向に供給されるとともに、供給量が独立に制御される。 - 特許庁

Therefore, the side face of the Al (alloy) film is hardly exposed to the plasma of chlorine-based gas or fluorine-based gas during etching or channel etching the semiconductor layer 23, which can suppress corrosion of the Al (alloy) film.例文帳に追加

このため、半導体層２３のエッチングやチャネルエッチング時にＡｌ（合金）膜の側面が塩素系ガスやフッ素系ガスのプラズマに曝されにくくなり、Ａｌ（合金）膜の腐食を抑制することができる。 - 特許庁

A damascene feature is etched in the organic planarizing layer through a process for supplying CO_2 containing etching gas and generating plasma to etch the planarizing layer from the CO_2 containing etching gas.例文帳に追加

ＣＯ_2 含有エッチングガスを提供すること、および該ＣＯ_2 含有エッチングガスから、有機平坦化層をエッチングするプラズマを生成すること、を含むプロセスによって、有機平坦化層内に、特徴がエッチングされる。 - 特許庁

The ratio of oxygen gas flow rate to etching gas flow rate is set in the range of 0.7-1.3 using a semi-gap parallel plate type UHF band ECR plasma etching system.例文帳に追加

セミギャップ平行平板型のＵＨＦ帯ＥＣＲプラズマエッチング装置を用い、エッチングガス流量に対する酸素ガス流量の比率を０．７から１．３の範囲内にする。 - 特許庁

The lower-layer material 13 having gas separation properties is exposed by selectively etching the center part 105 of a clad cut plate K by using an etching liquid and the gas separation unit A is obtained by arranging a metal supporting-plate 11.例文帳に追加

そして、クラッド切板Ｋの中央部分１０５をエッチング液を使用して選択的にエッチングすることによって、下層のガス分離性を有する材料１３を露出させ、金属支持板１１を配設しガス分離ユニットＡを得る。 - 特許庁

When an alcohol having one hydroxyl group is used as an etching gas, the etching gas is the alcohol selected from the group consisting of methanol (CH_3OH), ethanol (C_2H_5OH) and propanol (C_3H_7OH).例文帳に追加

水酸基を一つ持つアルコ−ルがエッチングガスとして用いられる場合、当該エッチングガスは、メタノール（ＣＨ_３ＯＨ）、エタノール（Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ）、プロパノール（Ｃ_３Ｈ_７ＯＨ）からなる群より選ばれたアルコールである。 - 特許庁

To provide a plasma-etching method, where by improving decomposition efficiency at plasma processing, the amount of gas used for etching is reduced, while PFC concentration in exhaust gas is reduced.例文帳に追加

プラズマ処理時の分解効率を向上させることで、エッチングに用いるガスの使用量の低減を図るとともに、排ガス中のＰＦＣ濃度を低減させることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The wet etching system comprises a nitrohydrofluoric solution supply 6 ejecting nitrohydrofluoric solution for etching a polysilicon film formed on a substrate, and an NO_2 gas supply 7 for mixing the nitrohydrofluoric solution with NO_2 gas.例文帳に追加

基板上に形成されたポリシリコン膜をエッチングするためのフッ硝酸溶液を吐出するフッ硝酸溶液供給部６と、フッ硝酸溶液にＮＯ_2ガスを混合するＮＯ_2ガス供給部７とを備える。 - 特許庁

A dry etching method has: a process for performing the pattern formation of resist on a member to be etched made of a substance containing zinc oxide; and a process for etching the member to be etched by gas containing reducing gas.例文帳に追加

酸化亜鉛を含む物質からなる被エッチング部材の上にレジストをパターニング形成する工程と、還元性ガスを含むガスを用いて前記被エッチング部材をエッチングする工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁