「ETCHING GAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

At the dry-etching, the flow rate of an etching gas and etching time is adjusted so that the cross-section shape of the trench channel 5 comes to be tapered.例文帳に追加

ドライエッチング時においては、トレンチ溝５の断面形状が順テーパー形状となるように、ドライエッチング時のエッチングガスの流量およびエッチング時間を調節する。 - 特許庁

Since the aperture area ratio of the array substrate 3 is enhanced, the change amount of light emission of an etching gas during dry-etching is made high and timing of just-etching can be easily detected by detecting the change amount.例文帳に追加

アレイ基板３の開口面積率が向上するので、ドライエッチング中のエッチングガスの発光の変化量が大きくなり、この変化量を検出することでジャストエッチングのタイミングを容易に検出できる。 - 特許庁

To provide an etching method and apparatus with a uniform etching rate or etching profile that prevents gas dwell time from becoming relatively shorter at the central portion than at the peripheral portion.例文帳に追加

ウェハ周縁部に相対してウェハ中央部でのガス滞留時間が短くなるのを防ぎ、エッチング速度又はエッチングプロファイルの均一なエッチング方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Instead of the wet etching, dry etching with a gas which has a higher etching rate to the adhesives than to the resin mold material can be carried out.例文帳に追加

ウェットエッチングの代わりに、接着剤に対するエッチング率が樹脂型材料に対するエッチング率より大きいガスによるドライエッチングとすることもできる。 - 特許庁

The processing unit is a wet etching unit 14 using a chemical liquid capable of dissolving the native oxide of the metal or a dry etching unit 206 using a gas capable of reducing or etching the native oxide of the metal.例文帳に追加

処理ユニットは、金属の自然酸化膜を溶解可能な薬液を用いたウェットエッチングユニット１４、あるいは、金属の自然酸化膜を還元可能またはエッチング可能なガスを用いたドライエッチングユニット２０６とする。 - 特許庁

A layer containing Al in the nitride semiconductor or containing Al_xGa_yIn_1-x-yN (0≤x, 0≤y, x+y≤1) is employed as the etching stop layer, while etching is effected by etching gas containing at least oxygen and chlorine.例文帳に追加

窒化物半導体においてＡｌを含む層、すなわちＡｌ_xＧａ_yＩｎ__1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行う。 - 特許庁

The process for forming the groove 12a in the non-magnetic layer includes a process for executing taper etching to the non-magnetic layer by reactive ion etching which uses an etching gas including at least BCl_3 and N_2 out of BCl_3, Cl_2, and N_2.例文帳に追加

非磁性層に溝部１２ａを形成する工程は、ＢＣｌ_３、Ｃｌ_２、Ｎ_２のうち少なくともＢＣｌ_３とＮ_２を含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって、非磁性層をテーパエッチングする工程を含む。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of making compatible a control of an etching shape and a restraint of a residue when a lower layer resist film of a three layer resist is dry-developed by using a plasma of an O_2 based etching gas.例文帳に追加

Ｏ_２系エッチングガスのプラズマを使用して３層レジストの下層レジスト膜をドライ現像する際に、エッチング形状の制御と残渣の抑制を両立させることが可能なプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that etching stop occurs when pressure in a treatment container is relatively high and plasma is not stable when the pressure is relatively low, when an etching gas such as C_4F_8 is used when performing a plasma etching of an SiO_2 film via a resist pattern.例文帳に追加

レジストパターンを介してＳｉＯ_２膜をプラズマエッチングする際、Ｃ_４Ｆ_８等のエッチングガスを用いると、処理容器内圧力が比較的高ければエッチングストップが起こり、比較的低ければプラズマが安定しない。 - 特許庁

To prevent the occurrence of contamination and dust in the etching chamber of a plasma etching system which dry-etches a wafer by blowing an etching gas upon the wafer from an exhaust nozzle.例文帳に追加

噴出ノズルからエッチングガスをウエーハに吹付けてドライエッチングする装置において、エッチング室内の汚染やダストの発生を防止する。 - 特許庁

To provide a circuit board and a manufacturing method thereof, where the adverse effects of wet etching on an environment or human bodies are lessened and a board can be improved in degree of freedom of processing by a method wherein etching by the use of gas is employed in place of wet etching.例文帳に追加

ガスを用いたエッチングにより、ウエットエッチングでは不可能な環境や人体への負荷低減及び基板に対する加工自由度の向上を図ること。 - 特許庁

When etching gas plasma is formed on the boards 7, and the respective boards 7 are subjected to an etching process, the difference between the etching speed in the outer peripheral part of each board 7 and that at the center part thereof is reduced.例文帳に追加

基板７上にエッチングガスプラズマを形成し、各基板７をエッチング処理する際に、各基板７の外周部分と中央部分のエッチング速度の差が小さくなる。 - 特許庁

To solve the problem, dry etching using mixed gas with the combination containing gas with chloride gas and nitrogen as etching gas and that not containing hydrogen oxygen is performed, and then nitride film passivation processing is performed after direct surface processing or that with a nitrogen gas plasma.例文帳に追加

上記課題を解決するため，エッチングガスとして塩素系ガスと窒素を含有するガスで且つ水素および酸素を含有しない組み合わせの混合ガスを用いたドライエッチングを行い，直接もしくは窒素ガスプラズマによる表面処理後，窒化膜パッシベーション処理を行う。 - 特許庁

In the supply control mechanism 19 of etching gas, the ratio of the mix gas of chlorine gas and oxygen gas, mix gas including chlorine gas, oxygen gas and helium gas here is adjusted by using a TCP etcher, and gas is supplied into a chamber 11 and is made into plasma.例文帳に追加

ＴＣＰエッチャーを用い、エッチングガスの供給制御機構１９では塩素ガス及び酸素ガスの系の混合ガス、ここでは塩素ガス、酸素ガス、ヘリウムガスを含む混合ガスの比率を調整してチャンバー１１内に供給し、プラズマ化する。 - 特許庁

The mask blank 1 comprises a light-shielding film 12 and a resist film 14 layered on a light-transmitting substrate 11, wherein the etching rate of the resist film 14 in dry etching using an etching gas containing a chlorine-based gas is 0.5 time or less as the etching rate of the light-shielding film 12 in the same dry etching.例文帳に追加

透光性基板１１上に遮光性膜１２およびレジスト膜１４が積層されたマスクブランクス１において、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおけるレジスト膜１３のエッチング速度が、当該ドライエッチングにおける遮光性膜１２のエッチング速度の０．５倍以下である。 - 特許庁

A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、被処理物であるシリコン基板２の表面にエッチングガス４を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド１０と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板２を洗浄する洗浄ヘッド２０とを備える。 - 特許庁

A cleaning method includes: a step for etching deposits including a thin film adhering to the inner wall of a reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube composed of a heat-resistant nonmetallic member after forming a thin film on a substrate; and a step for etching the surface of the inner wall of the reaction tube by supplying the etching gas into the reaction tube after etching the deposits.例文帳に追加

耐熱性非金属部材で構成された反応管内で基板上に薄膜を形成した後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁に付着した薄膜を含む付着物をエッチングする工程と、付着物をエッチングした後の反応管内にエッチングガスを供給して、反応管内壁の表面をエッチングする工程と、を有する。 - 特許庁

(e) A reactive ion etching utilizing the trench etching mask 32 is carried out by using a reactive gas having a high etching selection ratio between a monocrystalline silicon and a silicon oxide, thereby performing an anisotropic etching for the monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

（ｅ）トレンチエッチングマスク３２を利用した反応性イオンエッチングを、単結晶シリコン及び酸化シリコン間のエッチング選択比が高い反応性ガスを使用して行うことにより単結晶シリコン層２１Ｃを異方性エッチングする。 - 特許庁

When dry-etching both sides of the gate electrode 21 by using chlorine(Cl) and fluorine(F) which are brought into active states in plasma, etching is stopped in an etching stop layer (the barrier layer 17) by the relative selectivity of Al of this etching gas.例文帳に追加

ゲート電極２１の両側を、プラズマ中で活性状態となる塩素（Ｃｌ）およびフッ素（Ｆ）を含んだガスを用いてドライエッチングすると、このエッチングガスのＡｌに対する選択性によりエッチングストップ層（障壁層１７）でエッチングが停止する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor device removes semiconductor burr 74 by dry etching using an etching gas having a longitudinal direction etching rate R2 larger than a depth direction etching rate R1 (namely, R1/R2 is smaller than 1) in a word line parallel direction cross section of a groove 72.例文帳に追加

溝７２のワード線平行方向断面における深さ方向エッチレートＲ１よりも横方向エッチレートＲ２が大きい（Ｒ１／Ｒ２が１より小さい）エッチングガスを用いて、半導体バリ７４をドライエッチングにより除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide an etching method applicable in a process of etching a silicon oxide layer or a silicon nitride layer on a silicon substrate, using etching gas which does not contain global warming gases and achieving a high selection ratio, a high aspect ratio, and a practical etching rate.例文帳に追加

シリコン基板上の酸化シリコン層または窒化シリコン層をエッチングする方法において、エッチングガスとして地球温暖化ガスを含まず、しかも高選択比、高アスペクト比、及び実用的なエッチング速度が得られるエッチング方法を提供する。 - 特許庁

In the electro-optical device, a resist mask is formed on a TFT array substrate 10, and thereafter, an etching is performed in an etching gas environment containing oxygen, thereby, the resist mask is subjected to the etching and, at the same time, the surface of TFT array substrate 10 is subjected to the etching.例文帳に追加

電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板１０にレジストマスクを形成した後、酸素を含有するエッチングガス中でエッチングを行なうことにより、レジストマスクをエッチングしながらＴＦＴアレイ基板１０の表面をエッチングする。 - 特許庁

The method of etching the silicon substrate is characterized by etching a surface of the silicon substrate by bubbling a carrier gas in a mixed liquid of hydrofluoric acid, nitric acid, and acetic acid, and then introducing an etching gas produced by the bubbling and containing acid vapor into a container in which the silicon substrate is stored or blowing the etching gas directly to the surface of the silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板のエッチング方法であって、フッ酸と硝酸と酢酸の混合液にキャリアガスをバブリングし、該バブリングによって発生した酸蒸気を含むエッチングガスを、前記シリコン基板を格納した容器内に導入するか又は前記シリコン基板表面に直接吹きつけることによって、前記シリコン基板の表面をエッチングすることを特徴とするシリコン基板のエッチング方法。 - 特許庁

After the cleaning etching gas is fed into the reactive tube 16, the cleaning method includes a first step for removing the film by etching under a first gas cleaning condition, and a second cleaning step for removing the film of the reactive tube 16 by etching under a second gas cleaning condition with an etching rate lower than that of the first step.例文帳に追加

本方法は、クリーニング用エッチングガスを反応管内に導入して、第１のガスクリーニング条件で被クリーニング膜をエッチング除去する第１のステップと、第１ステップでの被クリーニング膜のエッチングレートよりエッチングレートが低くなるガスクリーニング条件で、反応管の被クリーニング膜をエッチング除去する第２のステップとを有する。 - 特許庁

The wafer processing device 100 comprises a lower electrode 112 serving as a table for mounting a wafer 200, a process gas introduction tube 120 supplying process gas for etching the periphery, and a plurality of etching block gas introduction tubes 118a, 118b, 118c and 118d supplying etching block gas for blocking process gas supply to the central portion of the wafer 200.例文帳に追加

ウェハ処理装置１００は、ウェハ２００を載置する載置台である下部電極１１２と、周辺部をエッチングするプロセスガスを供給するプロセスガス導入管１２０と、ウェハ２００の中心部にプロセスガスが供給されるのを阻止するエッチング阻止ガスを供給する複数のエッチング阻止ガス導入管１１８ａ、１１８ｂ、１１８ｃ、および１１８ｃと、を含む。 - 特許庁

The wafer processing device 100 comprises a lower electrode 112 serving as a table for mounting a wafer 200, a process gas introduction tube 120 supplying process gas for etching the periphery, and an etching block gas introduction tubes 118 supplying etching block gas for blocking process gas supply to the central portion of the wafer, and a movable alignment mechanism 102 performing alignment of the wafer on the lower electrode 112.例文帳に追加

ウェハ処理装置１００は、ウェハ２００を載置する載置台である下部電極１１２と、周辺部をエッチングするプロセスガスを供給するプロセスガス導入管１２０と、ウェハの中心部にプロセスガスが供給されるのを阻止するエッチング阻止ガスを供給するエッチング阻止ガス導入管１１８と、下部電極１１２上で、ウェハの位置合わせを行う可動式の位置合わせ機構１０２と、を含む。 - 特許庁

An etching gas containing hydrogen chloride and nitrogen is supplied to the tube 21 through a gas supplying tube 25.例文帳に追加

ガス供給管２５を介して塩化水素と窒素とを含むエッチングガスを反応管２１の内部に供給する。 - 特許庁

Gas (HI or CxHyIz), which contains iodine in a molecule, is added as etching gas.例文帳に追加

エッチングガスとして分子中にヨウ素を含むガス（ＨＩ，或いはＣｘＨｙＩｚの構成を持つガス）を添加する。 - 特許庁

SELECTIVE FIXATION OF CHLORINE AND FLUORINE IN CHLOROFLUOROCARBON DECOMPOSITION GAS OR DRY ETCHING EXHAUST GAS AND RECYCLING OF COLLECTED SUBSTANCES例文帳に追加

フロン破壊ガス、または、ドライエッチング排ガス中の塩素およびフッ素の選択的固定化と回収物のリサイクル - 特許庁

Next, the interlayer insulation layer is etched by a plasma containing an etching gas made mainly of ammonia gas.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜に対して、アンモニアガスを主成分とするエッチングガスからなるプラズマによってエッチングを行なう。 - 特許庁

Overetching is effected, by changing the etching gas into a gas containing the chlorine and the oxygen but which does not contain fluorine.例文帳に追加

エッチングガスを塩素及び酸素を含むがフッ素を含まないガスに変更してオーバーエッチングを行なう。 - 特許庁

The etching block gas introduction tube 118 and the process gas introduction tube 120 can be provided in an upper electrode 106.例文帳に追加

エッチング阻止ガス導入管１１８およびプロセスガス導入管１２０は、上部電極１０６内に設けることができる。 - 特許庁

Successively, an organic acid gas is introduced from an organic acid gas introduction part 30, and is reacted with the oxides, so as to cause etching.例文帳に追加

続いて、有機酸ガス導入部３０から有機酸ガスを導入して、当該酸化物と反応させてエッチングする。 - 特許庁

To easily suppress bowing without changing a gas material in an oxidation film etching using gas C_4F_8, CO, Ar and O_2.例文帳に追加

Ｃ_４Ｆ_８、ＣＯ、Ａｒ、Ｏ_２を含むガスを用いた酸化膜エッチングにおいて、ガス材料を変えることなく容易にボーイングを抑制する。 - 特許庁

In an apparatus for surface treatment which uses a plasma, a depositing gas is added to hydrogen of a light element to constitute the etching gas.例文帳に追加

プラズマを用いる表面処理装置で、エッチングガスとして軽元素である水素に堆積性ガスを添加する。 - 特許庁

The SiN film 3 is selectively etched through a plasma etching method where CF4 gas and O2 gas are used, by which the film 3 is made to recede from the edge of the trench 5.例文帳に追加

ＣＦ_4 ガスとＯ_2 ガスとを用いたプラズマエッチング法によりＳｉＮ膜３を選択的にエッチングし、トレンチ５の外側に後退させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing carbonyl difluoride which is useful as a reagent for organic syntheses and as a cleaning gas and an etching gas for semi-conductor production equipment.例文帳に追加

有機合成の試薬、半導体製造装置のクリーニングガス、エッチングガス等に有用な二フッ化カルボニルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The substrate 9 is held on a substrate holder 2 in a process chamber 1 and etching gas is introduced by a gas introducing system 3.例文帳に追加

プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。 - 特許庁

The insulation layers 114, 400, 422 and 426 are etched by using oxide etching gas and a gas containing nitride.例文帳に追加

絶縁層１１４，４００，４２２，４２６は、酸化物エッチング・ガスと窒素含有ガスとを用いてエッチングされる。 - 特許庁

Such an etching treatment was carried out by supplying Ar gas and Cl2 gas at 0.04 Torr vacuum and high-frequency power of 0.44 W/cm2.例文帳に追加

本エッチング処理は、真空度０.0４Torr、高周波電力0.44W/cm^2 成る条件下で、ArガスとＣl_2ガスを供給することにより実施した。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching a feature part in a carbonaceous layer with an etchant gas mixture including molecular oxygen (O_2) and gas including a carbon sulfur terminal ligand.例文帳に追加

分子酸素（Ｏ_２）と炭素・硫黄末端リガンドを含むガスとを含むエッチャントガス混合物を用いた炭素質層のエッチングである。 - 特許庁

An etching gas serving as a processing gas is supplied into a processing chamber 2 via diffusion holes 23 of an upper electrode 21 that extends in the upper region of the chamber 2.例文帳に追加

処理ガスとしてのエッチングガスは、処理室２の上部にある上部電極２１の拡散孔２３を通じて処理室２内へと供給される。 - 特許庁

Moreover, the silicon wafer surface after the decomposition of the first surface layer is mirror-finished by the gas-phase etching using the O_3/HF mixed gas.例文帳に追加

また、第１表層分解後のシリコンウェハ表面は、Ｏ_３／ＨＦ混合ガスによる気相エッチングにより鏡面化される。 - 特許庁

Accordingly, SO_2 is employed as etchant gas and He, Ar or the like is employed as the carrier gas in the dry etching of the organic reflection preventing film.例文帳に追加

その為に、有機反射防止膜のドライエッチングに、エッチャントガスとしてＳＯ２、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒ等を用いる。 - 特許庁

To prevent atmospheric gas from being entrained or to prevent processing gas from leaking to the outside of a system in etching treatment of silicon.例文帳に追加

シリコンのエッチング処理において、雰囲気ガスの巻き込みを防止したり、処理ガスが系外に漏洩したりするのを防止する。 - 特許庁