「ETCHING GAS」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A dry etching device 1 is equipped with an inert gas supply source 31.例文帳に追加

ドライエッチング装置１に不活性ガス供給源３１を備える。 - 特許庁

C4F8 and SF6 are preferable for the etching gas.例文帳に追加

エッチングガスとしては、Ｃ_4 Ｆ_8 およびＳＦ_6 を用いることが好ましい。 - 特許庁

The first insulation film is partially removed by etching using CF_4 gas.例文帳に追加

第１の絶縁膜の一部をＣＦ_４ガスによりエッチング除去する。 - 特許庁

Plasma is used for energy excitation of reactive etching gas.例文帳に追加

反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。 - 特許庁

Then, when reactive-ion etching using mixture gas of fluorine gas (100 sccm) and oxygen gas (100-400 sccm) as etching gas is performed, the dry etching of the silicon nitride film 22 in areas under the resist film 23 is performed, and its etching rate is about 2,000 Å/min.例文帳に追加

そして、エッチングガスとしてフッ素ガス（１００ｓｃｃｍ）および酸素ガス（１００〜４００ｓｃｃｍ）の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行なうと、レジスト膜23下以外の領域における窒化シリコン膜22がドライエッチングされ、そのエッチングレートは約２０００Å／ｍｉｎであった。 - 特許庁

APPARATUS AND METHOD FOR TREATMENT OF ETCHING WASTE GAS例文帳に追加

エッチング排ガス処理装置及びエッチング排ガス処理方法 - 特許庁

The second dry etching process can be carried out using HCl gas.例文帳に追加

第２のドライエッチングはＨＣｌガスを用いて行うことができる。 - 特許庁

Assist gas 95 can be fed in place of the etching liquid 94.例文帳に追加

また，エッチング液９４の代わりにアシストガス９５を供給してもよい。 - 特許庁

It is preferable that the etching gas is excited by using microwave.例文帳に追加

また、エッチングガスは、マイクロ波を用いて励起されることが好ましい。 - 特許庁

Moreover, it is preferable that the etching gas is excited with use of microwave.例文帳に追加

また、エッチングガスは、マイクロ波を用いて励起されることが好ましい。 - 特許庁

DRY ETCHING GAS FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

半導体製造用ドライエッチングガスおよびその製造方法 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR SUPPLYING ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA ETCHING GAS例文帳に追加

常圧プラズマエッチング用ガス供給方法および供給装置 - 特許庁

Peeling is performed while a peeling layer is exposed to an atmosphere of an etching gas.例文帳に追加

剥離層のエッチングガス雰囲気にさらすと同時に剥離を行う。 - 特許庁

A gate electrode is subjected to etching with a specified low gas pressure of not larger than 0.1 Pa.例文帳に追加

0.1Pa 以下の低ガス圧力条件でゲート電極のエッチングを行う。 - 特許庁

GAS BLOW-OFF PLATE OF PLASMA ETCHING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

プラズマエッチング装置のガス吹き出し板及びその製造方法 - 特許庁

A plasma processing method uses CxHyFz gas, and etching is carried out under low pressure (≤1.0 Pa).例文帳に追加

CxHyFzガスを用い、低圧力(1.0Pa以下)にてエッチングを行う。 - 特許庁

The trench etching is performed by using a fluorine producing gas which is not coupled with carbon as an etching gas and introducing the etching gas under a working pressure of ≤1.7 Pa.例文帳に追加

エッチングガスとして、炭素結合のないフッ素生成ガスを用い、このエッチングガスを１．７Ｐａ以下の作動圧力下で導入してエッチングを行う。 - 特許庁

At the same time when the etching gas is introduced, a Group III material gas including B making up, for example B, a binary compound, which is relatively subject to etching with respect to the etching gas is introduced.例文帳に追加

その際、エッチングガスの導入と同時に、このエッチングガスに対して相対的にエッチングされ易い方の２元化合物である例えばＢＸを構成するＢを含有するIII族原料ガスを導入する。 - 特許庁

High dependency of the etching rate distribution on the gas flow field is well known but when an etching gas introducing method, an etching gas discharging method or a uniforming ring 5 being driven in a reaction chamber 1 is employed, the etching gas flow field in the reaction chamber 1 can be operated to realize a desired etching rate distribution and a highly uniform etching rate for each of different kinds of multilayer film.例文帳に追加

エッチングレート分布はガス流れ場依存性が大きな事で知られているが、エッチングガス導入方法、もしくはエッチングガス排気方法、もしくは反応室１内で駆動する均一化リング５を用いると、反応室１内のエッチングガス流れ場の操作が可能となり、所望のエッチングレート分布と異種積層膜の膜種毎高エッチングレート均一性保持を実現できる。 - 特許庁

To provide the etching method of a gallium nitride compound semiconductor, which suppresses an etching rate and etching dispersion by previously introducing O2 gas to etching gas, improves the controllability and the workability of a dry etching rate and can obtain the satisfactory reproducibility of an electric characteristic.例文帳に追加

あらかじめエッチングガスにＯ_2ガスを導入することによりエッチングレートとエッチングばらつきを抑制し、ドライエッチングレートの制御性および作業性を向上させ、かつ良好な電気的特性の再現性を得る為の窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

An oxide gas containing oxygen atoms is added to the etching gas in order to reduce an etching speed in a horizontal direction of anisotropic etching by surface-oxidizing an etching sidewall to emphasize anisotropy, and the etching object is etched.例文帳に追加

さらに、この腐刻用ガスに、腐刻側壁を表面酸化することにより異方性腐刻の水平方向の腐刻速度を低下させて異方性を強調するために、酸素原子を含む酸化性ガスを添加して、腐刻対象物に対して腐刻を行う。 - 特許庁

A dry etching apparatus having a gas introduction section 6 at an upper portion in the etching chamber 2 introduces cleaning gas into the etching chamber 2 and generates plasma in the etching chamber 2 so that the density of plasma 14 increases at an upper portion in the etching chamber 2.例文帳に追加

エッチングチャンバー２内の上部にガス導入部６をもつドライエッチング装置では、エッチングチャンバー２内にクリーニングガスを導入し、エッチングチャンバー２内の上部でプラズマ１４の密度が高くなるようにエッチングチャンバー２にプラズマを発生させる。 - 特許庁

To prevent etching of an etching object film by residual etching gas when exhaust efficiency of the residual etching gas by an etching step can be enhance to a large extent and next an ashing step to be continuously executed is executed.例文帳に追加

エッチングステップによる残留したエッチングガスの排気効率を大幅に高めることができ，次に連続して実行されるアッシングステップを実行したときに，残留したエッチングガスによる被エッチング膜のエッチングを防止する。 - 特許庁

At this time, a mixed gas of hydrogen, argon, and nitrogen is used as the etching gas.例文帳に追加

このとき、エッチングガスとしては、水素、アルゴン及び窒素の混合ガスを使用する。 - 特許庁

The insulation layers are etched using oxide etching gas and gas containing nitrogen.例文帳に追加

この絶縁層は、酸化物エッチング・ガスと窒素含有ガスとを用いてエッチングされる。 - 特許庁

As the etching gas, the mixing gas having the mixing ratio of CF_4:BCl_3:Ar=7:3:10 is used.例文帳に追加

エッチングガスは、混合比「ＣＦ_４：ＢＣｌ_３：Ａｒ＝７：３：１０」の混合ガスを使用する。 - 特許庁

A gaseous mixture of C_4F_6 gas and C_3F_8 gas is used in the plasma etching of the BPSG film 101.例文帳に追加

このＢＰＳＧ膜１０１のプラズマエッチングに、Ｃ_4Ｆ_6ガスとＣ_3Ｆ_8ガスとを含む混合ガスを用いる。 - 特許庁

In the case of an isotropic etching process, meanwhile, mixed gas including at least oxygen gas is introduced.例文帳に追加

一方、等方性エッチング処理を行う場合、少なくとも酸素ガスを含む混合ガスを導入する。 - 特許庁

To implement etching with high selectivity even if an additive gas is not mixed with a processing gas.例文帳に追加

処理ガスに別途添加ガスを混入させなくとも、選択性の高いエッチングを可能にする。 - 特許庁

As the etching gas at this time, a mixture gas of SF_6, CHF_3 and Ar is used.例文帳に追加

このときのエッチングガスには、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３及びＡｒの混合ガスを用いる。 - 特許庁

In this method, a gas containing iodine fluorides, such as IF_3, IF_5 and IF_7 is used as an etching gas.例文帳に追加

エッチングガスとして、ＩＦ_３、ＩＦ_５、ＩＦ_７などのフッ化ヨウ素を含むガスを用いる。 - 特許庁

To provide a method for purifying COF_2 used as a cleaning gas or an etching gas.例文帳に追加

クリーニングガス及びエッチングガスとして有用なＣＯＦ_2の精製方法を提供する。 - 特許庁

The atmosphere of the heat treatment can include an appropriate etching gas, for example, HCl gas.例文帳に追加

熱処理の雰囲気中には、適度なエッチングガス、例えばＨＣｌガスが含まれていてもよい。 - 特許庁

To provide a gas injector for semiconductor manufacturing equipment and an etching apparatus provided with the gas injector.例文帳に追加

半導体製造装置用のガスインジェクタおよびこれを有するエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The gas supply unit is arranged outside the etching tank and supplies gas to the air bubble injector.例文帳に追加

ガス供給器は、エッチング容器の外部に配置され気泡噴射器にガスを供給する。 - 特許庁

In the plasma-etching step, a mixed gas containing an oxygen-containing gas and a sulfur-containing and oxygen-not-containing gas is used as a processing gas (an etching gas).例文帳に追加

このプラズマエッチング工程では、処理ガス（エッチングガス）として、酸素を含むガスと、硫黄を含み酸素を含まないガスを含む混合ガスを使用する。 - 特許庁

On the upper surface of the p-type contact layer 7, a concave-convex shape is intentionally formed by gas phase etching using the mixed gas of H_2 gas and HCl gas as etching gas after a crystal growth is completed.例文帳に追加

このｐ型コンタクト層７の上面には、結晶成長完了後にＨ_2 ガスとＨＣｌガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いた気相エッチングによって凹凸形状が故意に形成されている。 - 特許庁

To provide a refining method of F2 gas to be a raw material of a fluoride gas used in a semiconductor field as a cleaning gas or an etching gas.例文帳に追加

クリーニングガスやエッチングガスとして半導体分野で用いられるフッ化物ガスの原料となるＦ_2ガスの精製方法を提供する。 - 特許庁

In order to determine an optimum addition ratio of ethyl alcohol in an etching gas of a plasma etching apparatus, ethyl alcohol addition ratio is found so as to make zero an isotropic etching rate to an etching mask.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のエッチングガス中のエチルアルコールの最適添加比率の決定のために、エッチングマスクに対する等方性エッチングレートを零にするエチルアルコール添加比率が求められる。 - 特許庁

To provide a plasma etching device, a seasoning method of this and a plasma etching method using these, for etching an object with etching gas applied with high frequency voltage.例文帳に追加

高周波電圧が印加されて処理対象物をエッチングガスによりエッチングするプラズマエッチング装置及びこのシーズニング方法並びにこれ等を用いるプラズマエッチング方法を提供するにある。 - 特許庁

Adding an oxidant to an etching gas mixture can increase the etching rate of silicon nitride (5) while reducing the etching rate of a conductive oxide (4), resulting in improved etching selectivity.例文帳に追加

酸化剤をエッチングガス混合物に加えることは、窒化シリコン（５）のエッチング速度を高める一方で、導電性酸化物（４）のエッチング速度を下げ得、改良したエッチング選択性がもたらされる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.例文帳に追加

特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To control the etching rate distribution by operating the etching gas flow field and to realize highly accurate and uniform dry etching by attaining a desired etching rate distribution for each kind of film by that method.例文帳に追加

エッチングガス流れ場を操作して、エッチングレート分布を制御することを目的とし、この方法により、所望のエッチングレート分布を膜種毎に獲得し、高精度、高均一なドライエッチングを実現させる。 - 特許庁

In this etching method, an HBr gas is used as an etching gas in a process of etching an antireflection film 5 and therefore the progression of trimming is suppressed in a resist pattern 6a.例文帳に追加

本発明のエッチング方法は、反射防止膜５をエッチングする工程において、エッチングガスとしてＨＢｒガスを用いるので、レジストパターン６ａにおけるトリミングの進行が抑制される。 - 特許庁

To provide a dry etching method capable of suppressing deterioration in an etching rate caused by the coexistence of an etching gas and a reaction gas for protective film formation, and improving the film deposition rate of the protective film.例文帳に追加

エッチングガスと保護膜形成用の反応ガスとの共存を原因とするエッチングレートの低下を抑制でき、かつ、保護膜の成膜レートを向上させることができるドライエッチング方法を提供する。 - 特許庁