Element 113の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 260件
The second reflective element 121 exhibits low reflectivity to the first light and high reflectivity to the second light, and one mirror of the external cavity laser is constituted of the nonlinear optical crystal 113 and the second reflective element 121.例文帳に追加
第2の反射素子121は、第1の光には低反射、第2の光には高反射の反射率を有し、非線形光学結晶113と第2の反射素子121で外部共振器の一方のミラーが構成される。 - 特許庁
The optical disk apparatus 200 is provided with a sample and hold circuit 113 holding a signal transmitted from a light receiving element 22, a peak-hold circuit 51 holding a peak value of a signal sampled and held by the sample and hold circuit 113, and a bottom-hold circuit 53 holding a bottom value of a signal sampled and held by the sample and hold circuit 113.例文帳に追加
受光素子22から送信される信号を保持するサンプル・ホールド回路113と、サンプル・ホールド回路113によりサンプル・ホールドされた信号のピーク値を保持するピーク・ホールド回路51と、サンプル・ホールド回路113によりサンプル・ホールドされた信号のボトム値を保持するボトム・ホールド回路53とを備える光ディスク装置200とする。 - 特許庁
A light refraction member fixing sheet 113 making up a light refraction member 200 is provided between a light emitting element 116 and a transparent printing part 112b which is so positioned as to enable the receiving of the light from the light emitting element 116 and made to transmit the light from the light emitting element 116.例文帳に追加
発光体116と、発光体116からの光を受光可能な位置に設けられ、発光体116の光を透過せしめる透過印刷部112bとの間に、光屈折部材200を構成する光屈折部材固定シート113を設ける。 - 特許庁
In a wiring substrate having a built-in semiconductor element 117, the wiring substrate includes a supporting substrate 101, a semiconductor element provided on the supporting substrate, a peripheral insulating layer 113 for covering an outer circumferential side surface of the semiconductor element, and an upper surface-side wiring on the upper surface side of the wiring substrate.例文帳に追加
半導体素子117を内蔵する配線基板において、配線基板は、支持基板101と、支持基板上の半導体素子と、半導体素子の外周側面を覆う周辺絶縁層113と、配線基板の上面側の上面側配線と含む。 - 特許庁
The display is provided with a display unit 113 where a electron emitting element, an electrode applied with an acceleration potential for accelerating electrons emitted by the electron emitting element, and a fluorescent body which illuminates when electrons emitted by the electron emitting element strikes on it are incorporated.例文帳に追加
電子放出素子と、この電子放出素子が放出する電子を加速するための加速電位が与えられる電極と、電子放出素子が放出する電子が当たることにより発光する蛍光体とを内蔵する表示ユニット113を備える。 - 特許庁
An element piece replacing unit 123 of an editing unit 120 selects element piece data within a range wherein the chord sequence extracted by the chord sequence extracting unit 113 can be maintained as an object to be replaced when performing editing processing for replacing element piece data constituting the music data representing the original musical piece with other element piece data.例文帳に追加
編集部120の素片交換部123は、元楽曲を示す曲データを構成する素片データを他の素片データに交換する編集処理を行うとき、コードシーケンス抽出部113により抽出されたコードシーケンスを維持可能な範囲内の素片データを交換対象として選択する。 - 特許庁
The I/Q quadrature modulation transmitter comprises an I-branch 102, a Q-branch 103 provided with a phase element 108, a tap 110, and an I/Q phase differential monitoring apparatus 113.例文帳に追加
I/Q直交変調送信機は、Iブランチ102、移相要素108を備えるQブランチ103、タップ110、I/Q間位相差モニタ装置113を備える。 - 特許庁
The read control part 113 controls the imaging element 103 so as to read a plurality of moving image signals of different exposure in a cycle equal to a prescribed recording cycle.例文帳に追加
読出し制御部113は、所定の記録周期と等しい周期中に露出の異なる複数の動画信号を読み出すように撮像素子103を制御する。 - 特許庁
A correcting lens part 113 is displaced from an optical axis to move the position of an optical image imaged on an imaging surface of an imaging element 21, on the imaging surface.例文帳に追加
補正レンズ部113が光軸に対して変位することで、撮像素子21の撮像面上に結像される光学像の位置を撮像面上で移動させる。 - 特許庁
An input terminal Y for each memory element is connected with a ϕI line 110 via resistances R_a, R_b, R_c, R_d, and a power source terminal VS is connected with a VGA line 113.例文帳に追加
さらに、各メモリ素子の入力端子Yは抵抗R_a ,R_b ,R_c ,R_d を介してφ__I ライン110に、電源端子V_S はV_GAライン113に接続されている。 - 特許庁
The gas sensor unit 100 is formed with an opening 112b for gas introduction, the accommodation 112 of the gas sensor element, and a terminal connector 113 on a first casing member 110.例文帳に追加
ガスセンサユニット100は、第1ケーシング部材100に気体導入開口部112bガスセンサ素子収容部112、及び端子コネクタ部113が形成されている。 - 特許庁
An opaque film 204 is formed on an end face other than an active layer end face 113 of at least one resonance surface of the nitride semiconductor laser element, having a resonance surface.例文帳に追加
共振面を有する窒化物半導体レーザ素子の少なくとも一方の共振面の活性層端面113以外の端面に不透光膜204が形成される。 - 特許庁
And a mechanical element 15 independent from the reader moves, resisting to the action of the elastic device, the lever 11 having the catch 113 unconnected with the jamming face.例文帳に追加
更に、読み取り装置から独立した機械的な部材15が弾性手段の作用に抗して、ジャミング面と係合していないキャッチ113を有するレバー11を動かす。 - 特許庁
The present invention relates to an ultrasonic wave transmitting/receiving apparatus, for transmitting or receiving ultrasonic waves, including a piezoelectric element (112) and a case (111) for housing the piezoelectric element (112), wherein the piezoelectric element (112) can be connected to the outside of the case (111) relaying a flexible printed wiring board (113).例文帳に追加
本発明は、超音波を送信又は受信する超音波送受信装置において、圧電素子(112)と、圧電素子(112)を収納するケース(111)とを有し、フレキシブルプリント配線板(113)を中継して、圧電素子(112)をケース(111)外部と接続可能としたことを特徴とする。 - 特許庁
A plurality of scintillator layers 111-113 are arranged in the direction of X-ray transmission, optical transmission members such as a microlens array 120, an optical fiber 130, etc., are provided for each scintillator element 110 constituting the scintillator layers, and light emitted from the scintillator element 110 is transmitted to an optical detection element 140.例文帳に追加
複数のシンチレータ層111〜113をX線透過方向に配置し、シンチレータ層を構成する各シンチレータ素子110毎にマイクロレンズアレイ120や光ファイバ130等の光伝達部材を設け、シンチレータ素子からの発光を光検出素子140へ伝達する。 - 特許庁
The first lens group 110 includes a first lens element 111, a first buffer layer 112, a first transparent body 113, and a second lens element 114, which are arranged in order from the object side OBJS toward the image surface 140 side.例文帳に追加
第1レンズ群110は、物体側OBJSから像面140側に向かって順番に配置された、第1レンズエレメント111と、第1バッファ層112、第1透明体113と、第2レンズエレメント114と、を含む。 - 特許庁
The image generating part 113 is provided with a sound element extracting part extracting sound elements from the sound information and an image selecting part generating the character image including an image of lips matching the sound elements, sequentially extracted by the sound element extracting part.例文帳に追加
映像生成部113は、音声情報から音素を抽出する音素抽出部と、音素抽出部にて順次抽出される音素に合った唇の画像を含むキャラクタ映像を生成する画像選択部を有する。 - 特許庁
Gold-tin layers 113 and 123 are respectively interposed for interconnection between the pairs of p-type thermoelectric semiconductor element 13a and n-type thermoelectric semiconductor element 13b and the land 111 of the ceramic substrate 11 and the land 121 of the ceramic substrate 12.例文帳に追加
各対のP型熱電半導体素子13a,N型熱電半導体素子13bと、セラミック基板11のランド部111並びにセラミック基板12のランド部121との間は、それぞれ金スズ層113,123により接合される。 - 特許庁
Consequently, hydrogen barrier property of the hydrogen protection film 113 formed in the upper surface of the ferroelectric capacity element 132 for restraining hydrogen from entering the ferroelectric capacity element 132 can be fully shown.例文帳に追加
したがって、強誘電体容量素子132への水素の浸入を抑制することを目的として強誘電体容量素子132の上面に形成される水素保護膜113の水素バリア性を十分に発揮させることができる。 - 特許庁
The optical element 110 comprises two flat plates 113 and 114, made of a refractive transparency material that is provided nearly into a chevron shape at a specific angle, and the laser beams 106 and 107 are made to separately transmit through the flat plates 113 and 114 from nearly the chevron-shaped top toward the bottom section.例文帳に追加
この光学素子110は、所定の角度をもって略山形に配された屈折透明材料からなる2枚の平板113,114からなり、2本のレーザ光106,107は略山形の頂部から底部に向かって2本の平板113,114を別々に透過させる。 - 特許庁
In a telephone antenna 120, a principal part 121a of an antenna element 121 is disposed along with one edge part 113 of a substrate 110, and a connecting part 121b connected thereto and bent in an L shape is disposed along with an edge part 112 adjacent to the edge part 113.例文帳に追加
電話用アンテナ120は、アンテナ素子121の主要部121aが基板110の一つのエッジ部113に沿って配置され、これに接続されてL字状に屈曲された接続部121bがエッジ部113に隣接するエッジ部112に沿って配置されている。 - 特許庁
Also, the camera main body 113 is provided with an image pickup part 110 cooperating an image pickup element and a signal processing circuit and a transmitting and receiving circuit or the like to be inserted into the camera main body 113 instead of a film for transmitting a photographed image signal to the receiving part 114 according to the signal from the receiving part 114.例文帳に追加
また、カメラ本体113には、撮像素子、信号処理部及び送受信回路等を内蔵し、フィルムの代わりにカメラ本体113に挿入され、受信部114からの信号に応じて撮影した画像信号を受信部114へ無線送信する撮像部110とを備える。 - 特許庁
Consequently, the route of reflected light 113 from the incident surface of the filter 101 can be deviated largely from incident light 111 to the filter 101, and the reflected light 113 can be prevented from being made incident to a semiconductor laser element or photodetector.例文帳に追加
これにより、光フィルタ101の光入射面で反射される反射光113の経路を、光フィルタ101に入射した入射光111から大きく外すことができ、反射光113が、半導体レーザ素子や光検出器に入射されてしまうのを防止することができる。 - 特許庁
An output circuit 121 is connected to first standard potential wiring 110, a drive circuit 118 of the output circuit 121 is connected to second standard potential wiring 113, and a protection element 116 is connected to an output terminal 100 and second standard potential wiring 113.例文帳に追加
出力回路121が第1の基準電位配線110に接続され、出力回路121の駆動回路118が第2の基準電位配線113に接続され、出力端子100と第2の基準電位配線113に保護素子116が接続されたことを特徴とする。 - 特許庁
A service wireless tag 111 has a wireless tag circuit element 112 including an IC circuit part 113 storing information and a tag antenna 114 connected to the IC circuit part 113, wherein the IC circuit part 113 stores and holds an operation history information release command 137 to execute the release processing for the operation history of an operating device of a tag label creating device 1.例文帳に追加
サービス用無線タグ111は、情報を記憶可能なIC回路部113とこのIC回路部113に接続されるタグアンテナ114とを備えた無線タグ回路素子112を有し、IC回路部113は、タグラベル作成装置1の動作機器の動作履歴の放出処理を実行可能とする動作履歴情報放出指令137を記憶保持している。 - 特許庁
An operation result of a floating point computing element 105 is supplied to a multiplexer 122 arranged on the final operation stage ST3 of an integer computing element 114, the multiplexer 122 is switched by an instruction applied to the element 114 and the operation result of the element 105 is stored in a general register 113 to execute integer operation.例文帳に追加
浮動小数点演算器105の演算結果を整数演算器114の最終演算ステージST3に設けられたマルチプレクサ122に供給し、整数演算器114に対するインストラクションによりマルチプレクサ122を切り換えて、浮動小数点演算器105の演算結果を汎用レジスタ113に保持して、整数演算を可能とする。 - 特許庁
A solenoid valve for controlling a liquid pressure system variably driving a valve of the internal combustion engine has a valve element 105 cooperating with a valve seat 104, and a pusher element 113 separated from the valve element 105 and pushed to the valve element 105 by a movable core 112 of a solenoid valve at the excitation of a solenoid 111 of the solenoid valve and keeping to contact with the valve seat 104.例文帳に追加
内燃エンジンのバルブを可変駆動する液圧システムを制御するソレノイドバルブは、バルブシート104と協働するバルブ要素105と、該バルブ要素105から分離し、ソレノイドバルブのソレノイド111が励磁されたときにソレノイドバルブの可動コア112によりバルブ要素105に対して押圧され、バルブシート104と接触させるプッシャー要素113とを有する。 - 特許庁
The image display apparatus includes: a first display element 101 displaying a first original image 111; a second display element 102 displaying a second original image 112; and an optical system that presents a synthetic enlarged image 113 of the first and second original images with a first luminous flux from the first display element and a second luminous flux from the second display element.例文帳に追加
画像表示装置は、第1の原画111を表示する第1の表示素子101と、第2の原画112を表示する第2の表示素子102と、第1の表示素子からの第1の光束と第2の表示素子からの第2の光束とにより第1及び第2の原画の合成拡大像113を提示する光学系とを有する。 - 特許庁
When the TFT 111 changes from an on state to an off state, carriers flowing out of the TFT 111 are divided to the capacity element 113 and an input capacitor of the logic circuit.例文帳に追加
TFT111がオン状態からオフ状態へ切り替わると、TFT111から流れ出すキャリアが容量素子113と論理回路の入力容量に分割される。 - 特許庁
The piezoelectric element 106 is arranged in the housing assembly 113 and the energy is given so that it may be extended in an axial line direction and the input stroke can be performed in an initial size.例文帳に追加
圧電素子106は、ハウジング組立体113内に配置され、軸線方向に伸びるようにエネルギーが与えられて、初期の大きさで入力行程を行うことができる。 - 特許庁
A harmony information extracting unit 112 finds harmony information by element piece data, and chord sequence extracting unit 113 extracts a chord sequence of the original musical piece based upon respective pieces of harmony information.例文帳に追加
ハーモニー情報抽出部112は、素片データ毎にハーモニー情報を求め、コードシーケンス抽出部113は、各ハーモニー情報に基づき、元楽曲のコードシーケンスを抽出する。 - 特許庁
A region in which only signal light is included is caused on a photodetector 114 by luminous flux-scattering action by an angle adjustment element 112 and astigmatism action by a detecting lens 113.例文帳に追加
角度調整素子112による光束分散作用と検出レンズ113による非点収差作用により、光検出器114上には、信号光のみが含まれる領域が生じる。 - 特許庁
The power feeding connection part electrically connects a feeding point 113 of the antenna element 110 and a substrate-side feeding point to each other, and the ground connection part forms a ground point between a ground (GND) and the ground connection part.例文帳に追加
給電接続部は、アンテナエレメント部110の給電点113と基板側給電点とを電気的に接続し、接地接続部は、グランド(GND)との間で接地点を形成する。 - 特許庁
In a mobile communication terminal 100 having a display part 170, an image extraction part 113 extracts characters, and line segments included in display graph images for recognition as element images.例文帳に追加
表示部170を有する移動体通信端末100において、画像抽出部113は、表示するグラフ画像に含まれる文字、線分を認識に要素画像として抽出する。 - 特許庁
The second capacitor 103 includes an electrode 107 which is included in the memory element 104 and an insulating film 113 and an electrode 111 which are formed over the electrode 107.例文帳に追加
第2の容量103は、メモリ素子104を構成する電極107ならびに電極107上に形成した絶縁膜113および電極111から構成される。 - 特許庁
After removal of the silicon nitride film 113, a thermal oxidation film 117 and a photo resist 119 are deposited and subjected to a full-surface etch-back process to expose the thermal oxidation film 117 on the element region.例文帳に追加
シリコン窒化膜113を除去後、熱酸化膜117及びフォトレジスト119を堆積し、全面エッチバックを行って、素子領域上の熱酸化膜117を露出する。 - 特許庁
A semiconductor device 111A includes a plurality of electrode terminals 113 and a main body 112 having an internally sealed semiconductor element, and is mounted on the surface of a printed wiring board 100.例文帳に追加
半導体装置111Aは、複数の電極端子113と半導体素子を内部に封止する本体112とを備えており、プリント配線板100の表面に実装される。 - 特許庁
The semiconductor device further includes an insulating film 142 covering the capacitive element, and the via interconnect 150 penetrating the insulating film 142 to come into contact with the TiN film 113 of the lower electrode 110.例文帳に追加
半導体装置は更に、容量素子を覆う絶縁膜142と、絶縁膜142を貫通して下部電極110のTiN膜113と接触するビア配線150とを含む。 - 特許庁
The semiconductor device 100 includes a first trench 112, a second trench 113, and a third trench 114 in an element formation region 101 arranged on a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体装置100は、半導体基板上に設けられた素子形成領域101に、第1のトレンチ112、第2のトレンチ113、第3のトレンチ114が設けられている。 - 特許庁
A variable element cathode-side electrode 112 is arranged by contacting with one principal surface of a sealing substrate 111, and the display pixel 21 is formed on one principal surface of a pixel substrate 113.例文帳に追加
封止基板111の一方の主面に接して可変素子カソード側電極112が配置され、画素基板113の一方の主面に表示画素21が形成される。 - 特許庁
The first optical element 113 has wavelength- dependent first optical properties such as transmittivity or reflectance that increases or deceases monotonously in a range of wavelength through a plurality of channels.例文帳に追加
第1光学素子113は、複数のチャネルに亘る波長範囲内で透過率または反射率が単調増加または単調減少する波長依存性の第1光学特性を有する。 - 特許庁
The sample container 101 has a shape enlarged along with an expansion of a field of view of a detection element 110 within the X-ray detector 114 from the incident window 113.例文帳に追加
試料容器101は、X線検出器114内の検出素子110がX線入射窓113から見込む視野の広がりに伴って大きくなる形状をしている。 - 特許庁
A semiconductor device 100 is provided with a first substrate 101, with which a passive element 107 is formed on one side and a shielding layer 113 is formed on the other side; and a second substrate 117, with which an active element 119 is formed on one side.例文帳に追加
半導体装置100は、一方の面に受動素子107が形成され且つ他方の面にシールド層113が形成された第1の基板101と、一方の面に能動素子119が形成された第2の基板117とを備える。 - 特許庁
Further, the disk drive apparatus 100 has a humidity control element 110 controlling humidity of the inside of the case 120, a temperature sensor 113 detecting the temperature of ambient temperature of the disk drive or the temperature of a part changing substantially same as the ambient temperature, and a control circuit controlling the humidity control element 110 on the basis of abrupt change of detected temperature of the temperature sensor 113.例文帳に追加
ディスクドライブ装置100は、さらに、筐体120の内部の湿度を制御する湿度制御素子110と、ディスクドライブ装置の周囲温度あるいはその周囲温度と実質的に同じ変化をする部分の温度を検出する温度センサ113と、温度センサ113の検出温度の急激な変化に基づいて湿度制御素子110を制御する制御回路とを有する。 - 特許庁
The medical device has a support element 112 which is removably attached to the surface of the bodily organ 12 and has an open side face 113 delineating a closed space 120 adjacent to the bodily organ and the energy transfer element 102 which is attached to the support element positioned and oriented to transfer energy to the bodily organ.例文帳に追加
体器官12の表面に取り外し可能に取り付けられて体器官に隣接する閉じた空間120を画定する開いた側面113を備えた支持要素112と、体器官にエネルギーを伝達するように位置決めおよび配向される支持要素に取り付けられたエネルギー伝達要素102とを有する。 - 特許庁
A first valve element 109 is interlocked with connection or separation between the first cartridge side connection port 103 and the first body side connection port 111 to perform opening or closing between an inlet 113 and the first body side connection port 111 and to perform closing or opening between the inlet 113 and the drain port 115.例文帳に追加
第1弁体109は、第1カートリッジ側接続口103と第1本体側接続口111との接続または離間に連動して、入口113と第1本体側接続口111との間を開放または閉鎖すると共に、入口113と排水口115との間を閉鎖または開放する。 - 特許庁
A light-emitting element 100 comprises: an n-type GaN semiconductor substrate 113; a plurality of n-type GaN rod-shaped semiconductors 121 formed apart from one another in an upright state on the n-type GaN semiconductor substrate 113; and a p-type GaN semiconductor layer 123 covering the n-type GaN rod-shaped semiconductors 121.例文帳に追加
この発光素子100は、n型GaN半導体基部113と、n型GaN半導体基部113上に立設状態で互いに間隔を隔てて形成された複数のn型GaN棒状半導体121と、n型GaN棒状半導体121を覆うp型GaN半導体層123とを備えた。 - 特許庁
Thus, a circuit is formed where a current flows through the path of power line 113→transistor 301→data line 112→transistor 216→transistor 218→organic EL element 230, and a current is supplied to the organic EL element 230 according to a constant voltage Vtest.例文帳に追加
この結果、電源線113→トランジスター301→データ線112→トランジスター216→トランジスター218→有機EL素子230という経路で電流が流れる回路が形成され、定電圧Vtestに応じた電流を有機EL素子230に流すことができる。 - 特許庁
A detection agent 111 including ammonium molybdate 113 (black circle), palladium sulfate 114 (black triangle), and sulfuric acid 115 (white circle) is introduced into a detection element 103a, and supported in porous pores 122 of the detection element 103a.例文帳に追加
検知素子103aには、モリブデン酸アンモニウム113(黒丸),硫酸パラジウム114(黒三角),および硫酸115(白丸)よりなる検知剤111が導入され、検知素子103aの多孔質の細孔122内に検知剤111が担持されているものとなる。 - 特許庁
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