「Element 113」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The digital image data for one scanning line are corrected by an operation circuit 113 so as to match with element efficiency of each electron emitting element to be corrected as the data of respective 9 bits.例文帳に追加

１走査線分のデジタル画像データは１行中の各電子放出素子の素子効率に合うように演算回路１１３で補正が施され、各９ビットのデータとして補正される。 - 特許庁

A shift unit circuit is equipped with a TFT 111 functioning as a switching element, a capacity element 113, a TFT 112 functioning as a logic circuit, and inverters INV1 and INV2.例文帳に追加

シフト単位回路は、スイッチング素子として機能するＴＦＴ１１１、容量素子１１３、並びに、論理回路として機能するＴＦＴ１１２、インバータＩＮＶ１及びＩＮＶ２を備える。 - 特許庁

In a complex weight computing element 113, a complex rotation angle θ is updated so that the argument of the complex number output from the guard correlation computing element 112 becomes 0 or minimum.例文帳に追加

複素重み演算器１１３において、ガード相関演算器１１２から出力される複素数の偏角が０となるか、又は最小となるように複素回転角θは更新される。 - 特許庁

The first lens group 110 includes: a first lens element 111, a second lens element 112; a first transparent body 113; and a third lens element 114, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 140.例文帳に追加

第１レンズ群１１０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第１レンズエレメント１１１と、第２レンズエレメント１１２、第１透明体１１３と、第３レンズエレメント１１４と、を含む。 - 特許庁

The first imaging element 110 has a plurality of first photoelectric converters 113, first light receiving faces 112a and first circuit portions 116.例文帳に追加

第１撮像素子１１０は、複数の第１光電変換部１１３と、第１受光面１１２ａと、第１回路部１１６と、を有している。 - 特許庁

The image processor executes the gray-scale conversion to signals obtained using the imaging element 113 which converts optical images to electric signals.例文帳に追加

画像処理装置は、光学像を電気信号に変換する撮像素子１１３を用いて得られた信号に対して階調変換を行う。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is a device having a capacitative element composed of a lower electrode 102, a SiCN film 107, and an upper electrode 113.例文帳に追加

半導体装置１００は、下部電極１０２、ＳｉＣＮ膜１０７および上部電極１１３からなる容量素子を備えた装置である。 - 特許庁

The imaging apparatus has a focusing lens 105, an imaging element 106, an AF/AE evaluation circuit 112, an AF/AE camera microcomputer 113, and a monitor 115.例文帳に追加

撮像装置は、フォーカスレンズ１０５、撮像素子１０６、ＡＦ／ＡＥ評価値処理回路１１２、ＡＦ／カメラマイコン１１３、モニタ１１５等を備える。 - 特許庁

Light from the living body 7 is condensed on a light receiving element 112 by each liquid crystal microlens 113 in a microlens array 65.例文帳に追加

また、マイクロレンズアレイ６５内の各液晶マイクロレンズ１１３によって、生体７からの光を受光素子１１２上に集光させるようにする。 - 特許庁

The direction of the return light passing through the objective lens 116 for the BD is bent for a certain angle by the polarizing diffraction element 113.例文帳に追加

ＢＤ用対物レンズ１１６を経由した反射光は、偏光性回折素子１１３によって進行方向が一定角度だけ曲げられる。 - 特許庁

For the image pickup element 113, a moving table 101 which moves a film 200 held by a film holder 201 and an image pickup signal read means (113) for the film are provided as a scanning mechanism which scans the film 200 vertically.例文帳に追加

撮像素子１１３に対してフィルム２００を副走査するための走査機構として、フィルムホルダ２０１に保持されたフィルム２００を移動する移動テーブル１０１と、フィルムの撮像信号読み取り手段（１１３）を備える。 - 特許庁

An agent functioning part 111 for a command decodes a command character string of the existing system management in a PDU(operation management request protocol data unit) from a SMASE(system management application service element) 113 and encodes a command response character string to the PDU where the SMASE 113 is received.例文帳に追加

コマンド用エージェント機能部１１１はＳＭＡＳＥ１１３からのＰＤＵ中から既存システム管理コマンド文字列のデコード及びＳＭＡＳＥ１１３が受付けられるＰＤＵへコマンド応答文字列のエンコードを行う。 - 特許庁

A dummy groove 115 is formed near the dividing groove 113 corresponding to the end channel so as to prevent the adhesive at a wide region joining part of the piezoelectric element material 112 where the dividing grooves 113 are not present from bulging out to the end channel.例文帳に追加

圧電素子素材１１２の分割溝１１３の存在しない広域接合部の接着剤が端部チャンネルへはみ出さないように、端部チャンネルに対応した分割溝１１３の近傍にダミー溝１１５を形成する。 - 特許庁

The memory element is equipped with a memory structure having: a pair of electrodes 110 and 113; a layer including an organic compound 112 between the pair of electrodes 110 and 113; and a first layer including a first metal oxide layer 111 and a second layer including a second metal oxide layer 114 between the pair of electrodes 110 and 113.例文帳に追加

一対の電極１１０、１１３と、該一対の電極間に有機化合物１１２を含む層を設け、さらに一対の電極１１０、１１３間に第１の金属酸化物１１１を有する第１の層と第２の金属酸化物１１４を有する第２の層を設けるメモリ構造とする。 - 特許庁

A transmission line structure is formed with an anode part 101, an external resin 113 and an element-side cathode terminal 109 by disposing the element-side cathode terminal 109 in a region of a surface of an electrode substrate 107 configured to mount a capacitor element mounted thereon, except for an element-side anode terminal 108.例文帳に追加

素子側陰極端子１０９を、電極基板１０７におけるコンデンサ素子を搭載する面の素子側陽極端子１０８を除いた領域に設けることにより、陽極部１０１と外装樹脂１１３並びに素子側陰極端子１０９により伝送線路構造を形成する。 - 特許庁

Then 1st, 2nd, and 3rd bias switches 111, 115, and 120 for applying a reference potential to respective terminals are connected to the input and output sides of the capacity element 113 and the output side of the capacity element 121.例文帳に追加

容量素子１１３の入・出力側と容量素子１２１の出力側に、それぞれの端子に基準電位を付与する為の第１、第２、第３のバイアススイッチ１１１、１１５、１２０を接続する。 - 特許庁

The absorptive material 113 is arranged on at least a covered wired between the solar cell element 103 in the center, wherein the hole part of the back sheet is positioned, and its adjacent solar cell element 103.例文帳に追加

バックシートの孔部が位置する中央の太陽電池素子１０３と、それに隣接する太陽電池素子１０３との間の被覆配線に、吸着材１１３は少なくとも設けられている。 - 特許庁

The first amplification stage 108 adjacent to the piezoelectric element 106 is arranged in the housing assembly 113, and is constituted so that the input stroke from the piezoelectric element 106 may be amplified in the first size.例文帳に追加

第一増幅段１０８は、圧電素子１０６に隣接してハウジング組立体１１３内に配置され、圧電素子１０６からの入力行程を第一の大きさに増幅するように構成される。 - 特許庁

An optical transmitting device used for high-density wavelength division multiplex optical communication comprises a laser beam source 101, a first optical element 113 and a second optical element 106, and a first detector 114 and a second detector 107.例文帳に追加

高密度波長分割多重光通信のための光送信用デバイスは、レーザ光源１０１、第１及び第２光学素子１１３、１０６、第１及び第２検出素子１１４、１０７を含む。 - 特許庁

An element isolation insulating layer 102 is continuously, formed surrounding an element region 101 where a semiconductor device, such as a MOS transistor 114 or the like is formed on the silicon layer 113.例文帳に追加

シリコン層１１３に形成されるＭＯＳトランジスタ１１４等の半導体素子が形成されている素子領域１０１を切れ目無く取り囲む素子分離絶縁層１０２が形成されている。 - 特許庁

Also, while the antenna element 132 for the fH band is routed parallel along an edge part 112, the main part 131a of the antenna element 131 for the fL band is routed parallel along an edge part 113.例文帳に追加

また、ｆＨ帯用アンテナ素子１３２をエッジ部１１２に沿って平行に配索する一方、ｆＬ帯用アンテナ素子１３１の主要部１３１ａをエッジ部１１３に沿って平行に配索している。 - 特許庁

The lens group 110 includes: a first lens element 111, a buffer layer 112; a transparent body 113; and a second lens element 114, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 130.例文帳に追加

レンズ群１１０は、物体側ＯＢＪＳから像面１３０側に向かって順番に配置された、第１レンズエレメント１１１と、バッファ層１１２、透明体１１３と、第２レンズエレメント１１４と、を含む。 - 特許庁

A video camera has an imaging element 103, a face detection part 106, storage parts a114-c116, a face information evaluation part 111, and a read control part 113.例文帳に追加

ビデオカメラは、撮像素子１０３、顔検出部１０６、記憶部ａ１１４〜ｃ１１６、顔情報評価部１１１、及び読出し制御部１１３を備える。 - 特許庁

The lower electrode 110 of the capacitive element has a metal film 111 which is, for example, a Ti film, and TiN film 113 formed on the metal film 111.例文帳に追加

容量素子の下部電極１１０は、例えばＴｉ膜である金属膜１１１と、金属膜１１１上に形成されたＴｉＮ膜１１３とを有する。 - 特許庁

In this image processing device, a Y matrix part 112 and a C matrix part 113 convert an original color acquired from an image pickup element 111 into a luminance signal and a color difference signal.例文帳に追加

Ｙマトリックス部１１２とＣマトリックス部１１３は、撮像素子１１１から取得したオリジナルの色を、輝度信号と色差信号に変換する。 - 特許庁

The output ports 111 and 112 have a delay element 113 and a wavelength coupler 114 which are connected to the output ports and two output ports 115 and 116.例文帳に追加

さらに、出力ポート１１１，１１２には、遅延素子１１３と波長カプラ１１４とが接続され、２つの出力ポート１１５，１１６とを有する。 - 特許庁

The semiconductor element has an n^- region 101, n type source region 103, p type base region 105, n^+ region 107, and gate electrode 113.例文帳に追加

半導体素子は、ｎ^-領域１０１、ｎ型ソース領域１０３、ｐ型ベース領域１０５、ｎ^+領域１０７およびゲート電極１１３を含む。 - 特許庁

A deforming connecting part 113 conducts coupling-processing for each syllable to fit the synthesis element selected by the selecting part 111 to a target rhythm form.例文帳に追加

変形・接続部１１３は、選択部１１１により選択された合成素片を、目標の韻律形状に適合するよう各音節を結合処理する。 - 特許庁

After the detection output of the detection element Fe is switched, the disk D is pushed further by the transfer rollers 112 and 113 and is installed at the loading completion position.例文帳に追加

検知素子Ｆｅの検知出力が切換えられた後に、移送ローラ１１２，１１３でさらにディスクＤが押されて装填完了位置に設置される。 - 特許庁

A terminal device 103 of this image search system is provided with a multilayering means, a layer display means, and an element display means, in a search result display part 113.例文帳に追加

画像検索システムの端末装置１０３は、検索結果表示部１１３に、多層化手段と、各層表示手段と、要素表示手段とを備える。 - 特許庁

Thereafter, when the silicon nitride film 118 is removed, a step A' is formed between the peak part of the element isolation oxide film 118 and polysilicon films 106 and 113.例文帳に追加

その後、シリコン窒化膜１１８を除去すると、素子分離酸化膜１１８の頂部とポリシリコン膜１０６、１１３との間に、段差Ａ´が生じる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first semiconductor chip 111 formed with a first semiconductor element having a plurality of element electrodes 113, and a first substrate 101 mounted with the first semiconductor chip 111 on an element mounting surface 101A.例文帳に追加

半導体装置は、複数の素子電極１１３を有する第１の半導体素子が形成された第１の半導体チップ１１１と、素子搭載面１０１Ａに第１の半導体チップ１１１を搭載した第１の基板１０１とを備えている。 - 特許庁

The image display device is provided with a light source 101, at least one polarized light separating element 105, a color separating element 107, at least two reflection type liquid crystal display elements 109R and 109G, a color synthesizing element 107 and a projecting lens 113.例文帳に追加

光源１０１と、少なくとも１つの偏光分離素子１０５と、色分離素子１０７と、少なくとも２枚の反射型液晶表示素子１０９Ｒおよび１０９Ｇと、色合成素子１０７と、投影レンズ１１３とを備える。 - 特許庁

This organic EL display device 10 includes an element substrate 11 having a light emitting layer 113 formed thereon, a sealing member 15 having a recess section 125 surrounding the light emitting layer 113, and a drying agent 14 arranged in a sealing space formed by the element substrate 11 and the sealing member 15.例文帳に追加

本発明に係る有機ＥＬ表示装置１０は、発光層１１３が形成された素子基板１１と、発光層１１３を囲繞する凹部１２５を有する封止部材１５と、素子基板１１及び封止部材１５により形成される封止空間に配置される乾燥剤１４とを備える有機ＥＬ表示装置１０である。 - 特許庁

The first semiconductor laser 111 and the wavelength conversion element 113 are disposed to constitute an external resonator structure 115 by which the first laser light 112 becomes a resonating state and an optical path of the second laser light 118 is set so that the laser light 118 can be propagated through the wavelength conversion element 113.例文帳に追加

第１の半導体レーザ１１１と波長変換素子１１３が配置されて第１のレーザ光１１２が共振状態となる外部共振器構造１１５が構成され、第２のレーザ光１１８が波長変換素子１１３を伝搬するように第２のレーザ光１１８の光路が定められている。 - 特許庁

When a part 112 to be depressed is moved in a depressing direction and an extension and contraction section 114 applies a force equal to and more than an energizing force by an energizing section to a pressing section 113, the pressing section 113 pushed out in the depressing direction applies a force to a piezoelectric element 120.例文帳に追加

加圧部１１３は、被押圧部１１２が押圧方向に移動させられ、伸縮部１１４により押圧方向に付勢力以上の力が加えられた場合には、加圧部１１３が押圧方向に押出されることにより圧電素子１２０に力を加える。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element comprises: a first cladding layer 111; a nitride semiconductor layer 101 including an active layer 113 and a second cladding layer 116; and current blocking layers 121 for selectively injecting current into the active layer 113.例文帳に追加

半導体発光素子は、第１のクラッド層１１１、活性層１１３及び第２のクラッド層１１６を有する窒化物半導体層１０１と、活性層１１３に選択的に電流を注入する電流ブロック層１２１とを備えている。 - 特許庁

The protecting element 104a is constituted so as to include an n-channel MOS transistor 111 where a Vt is set at a higher value than the power supply voltage and an npn bipolar transistor 113, and further a source of the transistor 111 is connected to a base of the transistor 113.例文帳に追加

保護素子１０４ａはＶｔが電源電圧より高い値に設定されたｎチャネルＭＯＳトランジスタ１１１とｎｐｎバイポーラ・トランジスタ１１３とを含んで構成され、さらに、トランジスタ１１１のソースがトランジスタ１１３のベースに接続されている。 - 特許庁

The organic light-emitting element includes: a substrate 101; an anode layer 113 on the substrate 101, which includes WO_xN_y (2.2≤x≤2.6, 0.22≤y≤0.26); a light-emitting structure layer 120 on the anode layer 113; and a cathode layer 131 on the light-emitting structure layer 120.例文帳に追加

基板１０１、基板１０１上のＷＯ_ｘＮ_ｙ（２．２≦ｘ≦２．６、０．２２≦ｙ≦０．２６）を含むアノード層１１３、アノード層１１３上の発光構造層１２０、発光構造層１２０上のカソード層１３１を含む有機発光素子である。 - 特許庁

The optical pickup device 101 comprises; a 1st semiconductor laser element 104; a 2nd semiconductor laser element 113; a 3rd semiconductor laser element 114; a 1st diffraction grating 105; a beam splitter 102; a quarter-wave plate 106; a collimator lens 103; a 1st polarizing hologram element 108; a 2nd polarizing hologram element 109; and a 3rd polarizing hologram element 110.例文帳に追加

光ピックアップ装置１０１は、第１の半導体レーザ素子１０４と、第２の半導体レーザ素子１１３と、第３の半導体レーザ素子１１４と、第１の回折格子１０３と、ビームスプリッタ１０２と、４分の１波長板１０６と、コリメータレンズ１０３と、第１の偏光ホログラム素子１０８、第２の偏光ホログラム素子１０９、および第３の偏光ホログラム素子１１０とを備えている。 - 特許庁

The elastic device connects a catch 113 of the swing lever with a jamming face 31, set at the operation element, or the connecting element and the lever connected with the jamming face is out of a selector 201 of the reader.例文帳に追加

この弾性手段は、旋回レバーのキャッチ１１３を、作動要素に設けたジャミング面３１または連結部材に係合させ、ジャミング面に係合しているレバーは読み取り装置のセレクタ２０１の範囲の外にある。 - 特許庁

In the laser element portion 10A and the LED element portion 10B, a semiconductor layer containing an active layer 113, a p-side electrode 117 and an n-side electrode 118 are continuously provided to be on a common layer.例文帳に追加

レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂにおいて、活性層１１３を含む半導体層と、ｐ側電極１１７およびｎ側電極１１８とが、互いに共通の層として連続的に設けられている。 - 特許庁

The optical module 100 has a packaging substrate 110 formed with a cavity 113, an optical waveguide element 120 formed with a core pattern 124a, an optical semiconductor element 130 and an optical fiber end 140.例文帳に追加

光モジュール１００は，キャビティ１１３が形成された実装基板１１０と，コアパターン１２４ａが形成された光導波路素子１２０と，光半導体素子１３０及び光ファイバ端１４０と，を備えている。 - 特許庁

A side diffusion preventing insulating layer 103 is formed on the silicon layer 113 and connected to the lower diffusion preventive insulating layer 112, continuously surrounding two element regions 101 surrounded by an element isolation insulating layer.例文帳に追加

そして、シリコン層１１３に、素子分離絶縁層に囲まれた二つの素子領域１０１を切れ目無く取り囲み、下部拡散防止絶縁層１１２に接続する側部拡散防止絶縁層１０３が形成されている。 - 特許庁

While a light emitting element 113 is inserted into a through hole 124 for shading and the light emitting element and an Si substrate 114 are arranged opposite each other, the Si substrate is mounted on a solid substrate 120.例文帳に追加

遮光用貫通穴１２４に発光素子１１３を挿入して発光素子とＳｉ基板１１４とを対向させて配置した状態で、立体基板１２０に上記Ｓｉ基板を実装するようにした。 - 特許庁